特開 2021-144970 マイクロＬＥＤチップを有するリペア用部品、及びその製造方法、リペア方法、発光装置の製造方法、並びに発光装置

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】特開2021-144970(P2021-144970A)

(43)【公開日】2021年9月24日

(54)【発明の名称】マイクロＬＥＤチップを有するリペア用部品、及びその製造方法、リペア方法、発光装置の製造方法、並びに発光装置

(51)【国際特許分類】

   H01L 33/40 20100101AFI20210827BHJP

   G09F 9/33 20060101ALI20210827BHJP

【ＦＩ】

   H01L33/40

   G09F9/33

【審査請求】未請求

【請求項の数】11

【出願形態】ＯＬ

【全頁数】22

(21)【出願番号】特願2020-40639(P2020-40639)

(22)【出願日】2020年3月10日

(71)【出願人】

【識別番号】000108410

【氏名又は名称】デクセリアルズ株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】100107515

【弁理士】

【氏名又は名称】廣田 浩一

(74)【代理人】

【識別番号】100107733

【弁理士】

【氏名又は名称】流 良広

(74)【代理人】

【識別番号】100115347

【弁理士】

【氏名又は名称】松田 奈緒子

(72)【発明者】

【氏名】波木 秀次

(72)【発明者】

【氏名】西尾 健

(72)【発明者】

【氏名】新 康正

(72)【発明者】

【氏名】野田 大樹

【テーマコード（参考）】

5C094

5F241

【Ｆターム（参考）】

5C094AA43

5C094BA25

5C094DB01

5C094EA10

5C094GB10

5F241AA31

5F241CA34

5F241CA40

5F241CA82

5F241CA86

5F241CA92

5F241FF06

5F241FF11

(57)【要約】

【課題】 不良のマイクロＬＥＤチップを容易に交換可能なマイクロＬＥＤチップを有するリペア用部品などの提供。
【解決手段】 電極が配された電極面を有するマイクロＬＥＤチップと、
前記マイクロＬＥＤチップの前記電極面に配された前記電極に接して配された、前記電極面の広さに相当する広さを有する異方性導電層と、
を有するリペア用部品である。
【選択図】図３

【特許請求の範囲】

【請求項1】

電極が配された電極面を有するマイクロＬＥＤチップと、
前記マイクロＬＥＤチップの前記電極面に配された前記電極に接して配された、前記電極面の広さに相当する広さを有する異方性導電層と、
を有することを特徴とするリペア用部品。

【請求項2】

前記異方性導電層の前記マイクロＬＥＤチップ側と反対側の表面に接して配された基材を有する請求項１に記載のリペア用部品。

【請求項3】

前記基材が、ポリエチレンテレフタレート又はガラスである請求項２に記載のリペア用部品。

【請求項4】

前記基材上に、前記異方性導電層と前記マイクロＬＥＤチップとの積層物が離間して複数配されている請求項２から３のいずれかに記載のリペア用部品。

【請求項5】

前記基材が、テープ状である請求項４に記載のリペア用部品。

【請求項6】

基材上に配された異方性導電層上に、複数のマイクロＬＥＤチップを離間して配置する工程と、
前記マイクロＬＥＤチップの前記異方性導電層側の面の周囲に位置する前記異方性導電層を除去する工程と、
を含むことを特徴とするリペア用部品の製造方法。

【請求項7】

前記異方性導電層の除去が、前記異方性導電層にレーザーを照射することにより行われる請求項６に記載のリペア用部品の製造方法。

【請求項8】

前記基材が、ポリエチレンテレフタレート又はガラスである請求項６から７のいずれかに記載のリペア用部品の製造方法。

【請求項9】

複数の電極を有する配線基板と、電極が配された電極面を有する複数のマイクロＬＥＤチップとを有し、前記配線基板の前記電極と前記マイクロＬＥＤチップの前記電極とが電気的に接続されている発光板から、不良のマイクロＬＥＤチップを除去する工程と、
前記発光板における除去された前記不良のマイクロＬＥＤチップがあった位置に、リペア用部品を載置する工程と、
を含み、
前記リペア用部品が、電極が配された電極面を有するマイクロＬＥＤチップと、前記マイクロＬＥＤチップの前記電極面に配された前記電極に接して配された、前記電極面の広さに相当する広さを有する異方性導電層と、を有し、
前記リペア用部品における前記マイクロＬＥＤチップの前記電極と、前記配線基板の前記電極とが、前記異方性導電層を介して異方性導電接続される、
ことを特徴とするリペア方法。

【請求項10】

複数の電極を有する配線基板と、電極が配された電極面を有する複数のマイクロＬＥＤチップとを有し、前記配線基板の前記電極と前記マイクロＬＥＤチップの前記電極とが電気的に接続されている発光板から、不良のマイクロＬＥＤチップを除去する工程と、
前記発光板における除去された前記不良のマイクロＬＥＤチップがあった位置に、リペア用部品を載置する工程と、
を含み、
前記リペア用部品が、電極が配された電極面を有するマイクロＬＥＤチップと、前記マイクロＬＥＤチップの前記電極面に配された前記電極に接して配された、前記電極面の広さに相当する広さを有する異方性導電層と、を有し、
前記リペア用部品における前記マイクロＬＥＤチップの前記電極と、前記配線基板の前記電極とが、前記異方性導電層を介して異方性導電接続される、
ことを特徴とする発光装置の製造方法。

【請求項11】

複数の電極を有する配線基板と、電極が配された電極面を有する複数のマイクロＬＥＤチップと、前記配線基板の前記電極と前記マイクロＬＥＤチップの前記電極とを異方性導電接続している異方性導電層と、請求項１に記載のリペア用部品とを有する発光板を有する発光装置であって、
前記リペア用部品と前記配線基板とが、前記リペア用部品の前記異方性導電層を介して異方性導電接続されていることを特徴とする発光装置。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、マイクロＬＥＤチップを有するリペア用部品、及びその製造方法、リペア方法、発光装置の製造方法、並びに発光装置に関する。

【背景技術】

【0002】

微小サイズのマイクロＬＥＤチップを使用したマイクロＬＥＤディスプレイが、次世代の表示装置として注目されている。マイクロＬＥＤディスプレイとは、個々の画素が、微細な発光ダイオード（以下、ＬＥＤという）チップであり、このＬＥＤチップがディスプレイ基板の表面に高密度に敷き詰められた表示装置である。

【0003】

このようなマイクロＬＥＤディスプレイの製造においては、ディスプレイ基板の表面に対して、ＬＥＤチップを精度よく確実に配列させることが重要である。
基板と、ＬＥＤなどの素子との電気的接続には、異方性導電接着剤が利用されている（例えば、特許文献１〜３参照）。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0004】

【特許文献1】特開平２−１７７５４７号公報

【特許文献2】特開２０１７−１５７７２４号公報

【特許文献3】特開２０１４−６５７６５号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0005】

基板とマイクロＬＥＤチップとの電気的接続を、異方性導電接着剤を用いて行った後に、不良のマイクロＬＥＤチップが発見された場合、適切なリペア方法がない。例えば、不良のマイクロＬＥＤチップをレーザーなどで異方性導電層ごと除去した場合、マイクロＬＥＤは微小なため、良品のマイクロＬＥＤチップを単体で、既にマイクロＬＥＤチップが接続されている基板と電気的接続させることができない。例えば、ハンダペースト、ペースト状の異方性導電接着剤などの接合剤を用いた場合、マイクロＬＥＤチップの間隔が狭い（例えば、１０μｍ程度）ため、その接合剤を用いて基板と交換用のマイクロＬＥＤチップとを電気的接続しようとすると、隣接するマイクロＬＥＤチップにも、接合剤が接してしまい、ショートしてしまう可能性が高い。

【0006】

本発明は、以下の目的を達成することを課題とする。即ち、本発明は、不良のマイクロＬＥＤチップを容易に交換可能なリペア用部品、その製造方法、前記リペア用部品を用いたリペア方法、発光装置の製造方法、並びに発光装置を提供することを目的とする。

【課題を解決するための手段】

【0007】

前記課題を解決するための手段としては、以下の通りである。即ち、
＜１＞ 電極が配された電極面を有するマイクロＬＥＤチップと、
前記マイクロＬＥＤチップの前記電極面に配された前記電極に接して配された、前記電極面の広さに相当する広さを有する異方性導電層と、
を有することを特徴とするリペア用部品である。
＜２＞ 前記異方性導電層の前記マイクロＬＥＤチップ側と反対側の表面に接して配された基材を有する前記＜１＞に記載のリペア用部品である。
＜３＞ 前記基材が、ポリエチレンテレフタレート又はガラスである前記＜２＞に記載のリペア用部品である。
＜４＞ 前記基材上に、前記異方性導電層と前記マイクロＬＥＤチップとの積層物が離間して複数配されている前記＜２＞から＜３＞のいずれかに記載のリペア用部品である。
＜５＞ 前記基材が、テープ状である前記＜４＞に記載のリペア用部品である。
＜６＞ 基材上に配された異方性導電層上に、複数のマイクロＬＥＤチップを離間して配置する工程と、
前記マイクロＬＥＤチップの前記異方性導電層側の面の周囲に位置する前記異方性導電層を除去する工程と、
を含むことを特徴とするリペア用部品の製造方法である。
＜７＞ 前記異方性導電層の除去が、前記異方性導電層にレーザーを照射することにより行われる前記＜６＞に記載のリペア用部品の製造方法である。
＜８＞ 前記基材が、ポリエチレンテレフタレート又はガラスである前記＜６＞から＜７＞のいずれかに記載のリペア用部品の製造方法である。
＜９＞ 複数の電極を有する配線基板と、電極が配された電極面を有する複数のマイクロＬＥＤチップとを有し、前記配線基板の前記電極と前記マイクロＬＥＤチップの前記電極とが電気的に接続されている発光板から、不良のマイクロＬＥＤチップを除去する工程と、
前記発光板における除去された前記不良のマイクロＬＥＤチップがあった位置に、リペア用部品を載置する工程と、
を含み、
前記リペア用部品が、電極が配された電極面を有するマイクロＬＥＤチップと、前記マイクロＬＥＤチップの前記電極面に配された前記電極に接して配された、前記電極面の広さに相当する広さを有する異方性導電層と、を有し、
前記リペア用部品における前記マイクロＬＥＤチップの前記電極と、前記配線基板の前記電極とが、前記異方性導電層を介して異方性導電接続される、
ことを特徴とするリペア方法である。
＜１０＞ 複数の電極を有する配線基板と、電極が配された電極面を有する複数のマイクロＬＥＤチップとを有し、前記配線基板の前記電極と前記マイクロＬＥＤチップの前記電極とが電気的に接続されている発光板から、不良のマイクロＬＥＤチップを除去する工程と、
前記発光板における除去された前記不良のマイクロＬＥＤチップがあった位置に、リペア用部品を載置する工程と、
を含み、
前記リペア用部品が、電極が配された電極面を有するマイクロＬＥＤチップと、前記マイクロＬＥＤチップの前記電極面に配された前記電極に接して配された、前記電極面の広さに相当する広さを有する異方性導電層と、を有し、
前記リペア用部品における前記マイクロＬＥＤチップの前記電極と、前記配線基板の前記電極とが、前記異方性導電層を介して異方性導電接続される、
ことを特徴とする発光装置の製造方法である。
＜１１＞ 複数の電極を有する配線基板と、電極が配された電極面を有する複数のマイクロＬＥＤチップと、前記配線基板の前記電極と前記マイクロＬＥＤチップの前記電極とを異方性導電接続している異方性導電層と、前記＜１＞に記載のリペア用部品とを有する発光板を有する発光装置であって、
前記リペア用部品と前記配線基板とが、前記リペア用部品の前記異方性導電層を介して異方性導電接続されていることを特徴とする発光装置である。

【発明の効果】

【0008】

本発明によると、不良のマイクロＬＥＤチップを容易に交換可能なリペア用部品、その製造方法、前記リペア用部品を用いたリペア方法、発光装置の製造方法、並びに発光装置を提供することができる。

【図面の簡単な説明】

【0009】

【図1】図１は、マイクロＬＥＤチップの一例の模式図である。

【図2】図２は、マイクロＬＥＤチップの他の一例の模式図である。

【図3】図３は、リペア用部品の一例の断面模式図である。

【図4】図４は、リペア用部品の他の一例の断面模式図である。

【図5A】図５Ａは、リペア用部品の他の一例の断面模式図である。

【図5B】図５Ｂは、リペア用部品の他の一例の上面模式図である。

【図6A】図６Ａは、リペア用部品の製造方法の一例を説明するための概略図である（その１）。

【図6B】図６Ｂは、リペア用部品の製造方法の一例を説明するための概略図である（その２）。

【図6C】図６Ｃは、リペア用部品の製造方法の一例を説明するための概略図である（その３）。

【図6D】図６Ｄは、リペア用部品の製造方法の一例を説明するための概略図である（その４）。

【図6E】図６Ｅは、リペア用部品の製造方法の一例を説明するための概略図である（その５）。

【図6F】図６Ｆは、リペア用部品の製造方法の一例を説明するための概略図である（その６）。

【図7A】図７Ａは、リペア用部品の製造方法の他の一例を説明するための概略図である（その１）。

【図7B】図７Ｂは、リペア用部品の製造方法の他の一例を説明するための概略図である（その２）。

【図7C】図７Ｃは、リペア用部品の製造方法の他の一例を説明するための概略図である（その３）。

【図7D】図７Ｄは、リペア用部品の製造方法の他の一例を説明するための概略図である（その４）。

【図7E】図７Ｅは、リペア用部品の製造方法の他の一例を説明するための概略図である（その５）。

【図7F】図７Ｆは、リペア用部品の製造方法の他の一例を説明するための概略図である（その６）。

【図7G】図７Ｇは、リペア用部品の製造方法の他の一例を説明するための概略図である（その７）。

【図7H】図７Ｈは、リペア用部品の製造方法の他の一例を説明するための概略図である（その８）。

【図7I】図７Ｉは、リペア用部品の製造方法の他の一例を説明するための概略図である（その９）。

【図8A】図８Ａは、リペア方法の一例を説明するための概略図である（その１）。

【図8B】図８Ｂは、リペア方法の一例を説明するための概略図である（その２）。

【図8C】図８Ｃは、リペア方法の一例を説明するための概略図である（その３）。

【図8D】図８Ｄは、リペア方法の一例を説明するための概略図である（その４）。

【図8E】図８Ｅは、リペア方法の一例を説明するための概略図である（その５）。

【発明を実施するための形態】

【0010】

（マイクロＬＥＤチップを有するリペア用部品）
本発明のマイクロＬＥＤチップを有するリペア用部品は、マイクロＬＥＤチップと、異方性導電層とを有し、更に必要に応じて、基材などのその他の部材を有する。

【0011】

＜マイクロＬＥＤチップ＞
前記マイクロＬＥＤ（ｌｉｇｈｔ ｅｍｉｔｔｉｎｇ ｄｉｏｄｅ）チップは、発光ダイオードの微小チップである。
前記マイクロＬＥＤチップは、所定の波長帯の光を上面から発する固体発光素子である。
前記マイクロＬＥＤチップは、例えば、平面形状において一辺が５μｍ以上１００μｍ以下のサイズである。
前記マイクロＬＥＤチップの平面形状としては、例えば、正方形などが挙げられる。
前記マイクロＬＥＤチップは、薄片状であり、前記マイクロＬＥＤチップのアスペクト比（高さＨ／幅Ｗ）は、例えば、０．１以上１以下である。

【0012】

前記マイクロＬＥＤチップは、電極が配された電極面を有する。

【0013】

例えば、図１に示すように、マイクロＬＥＤチップ１は、第１導電型層１０１、活性層１０２、及び第２導電型層１０３を順に積層してなる積層構造を有している。活性層１０２は、所定の波長帯の光を発する。
青色帯又は緑色帯の光を発するマイクロＬＥＤチップにおいては、第１導電型層１０１、活性層１０２、及び第２導電型層１０３は、例えば、ＩｎＧａＮ系の半導体材料によって構成されている。
赤色帯の光を発するマイクロＬＥＤチップにおいては、第１導電型層１０１、活性層１０２、及び第２導電型層１０３は、例えば、ＡｌＧａＩｎＰ系の半導体材料によって構成されている。
第１電極１０４、及び第２電極１０５は、例えば、Ａｇ（銀）などの高反射性の金属材料を含んで構成されている。なお、マイクロＬＥＤチップ１は、図示しないが、側面と、上面のうち第２電極１０５の未形成領域とを被う絶縁膜を有していてもよい。

【0014】

マイクロＬＥＤチップ１の側面は、例えば、図１に示したように、積層方向と直交する面となっている。なお、光取り出し効率を考慮して、マイクロＬＥＤチップ１の側面が、積層方向と交差する傾斜面となっていてもよい。例えば、図２に示したように、マイクロＬＥＤチップ１は、側面に、当該マイクロＬＥＤチップ１の断面が逆台形状となるような傾斜面を有していてもよい。

【0015】

第１導電型層１０１の下面には第１電極１０４が設けられている。第１電極１０４は、第１導電型層１０１に接するとともに第１導電型層１０１に電気的に接続されている。
一方、第２導電型層１０３の上面には第２電極１０５が設けられている。第２電極１０５は、第２導電型層１０３に接するとともに第２導電型層１０３に電気的に接続されている。
第１電極１０４及び第２電極１０５はそれぞれ、単一の電極によって構成されていてもよいし、複数の電極によって構成されていてもよい。図１又は図２では、第１電極１０４が２つの電極からなり、第２電極１０５が単一の電極からなる。

【0016】

＜異方性導電層＞
前記異方性導電層は、前記マイクロＬＥＤチップの前記電極面の前記電極と、配線基板などの電極との異方性導電接続を行うための部材である。
前記リペア用部品において、前記異方性導電層は、前記マイクロＬＥＤチップの前記電極面に配された前記電極に接して配されている。
前記リペア用部品における前記異方性導電層は、前記電極面の広さに相当する広さを有する。
前記異方性導電層の広さとしては、例えば、前記電極面の広さと略同一の広さである。ここで、略同一の広さとは、前記電極面からほとんどはみ出していない程度の広さであり、例えば、前記電極面の広さの±１０％以内の広さである。

【0017】

前記異方性導電層は、例えば、膜形成樹脂と、硬化性樹脂と、硬化剤と、導電性粒子とを少なくとも含有し、更に必要に応じて、その他の成分を含有する。

【0018】

＜＜膜形成樹脂＞＞
前記膜形成樹脂としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、フェノキシ樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、飽和ポリエステル樹脂、ウレタン樹脂、ブタジエン樹脂、ポリイミド樹脂、ポリアミド樹脂、ポリオレフィン樹脂などが挙げられる。前記膜形成樹脂は、１種単独で使用してもよいし、２種以上を併用してもよい。これらの中でも、製膜性、加工性、接続信頼性の点からフェノキシ樹脂が好ましい。
前記フェノキシ樹脂としては、例えば、ビスフェノールＡとエピクロルヒドリンより合成される樹脂などが挙げられる。
前記フェノキシ樹脂は、適宜合成したものを使用してもよいし、市販品を使用してもよい。

【0019】

前記異方性導電層における前記膜形成樹脂の含有量としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、２０質量％以上７０質量％以下が好ましく、３０質量％以上６０質量％以下がより好ましい。

【0020】

＜＜硬化性樹脂＞＞
前記硬化性樹脂（硬化成分）としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、ラジカル重合性化合物、エポキシ樹脂などが挙げられる。

【0021】

−ラジカル重合性化合物−
前記ラジカル重合性化合物としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、メチルアクリレート、エチルアクリレート、イソプロピルアクリレート、イソブチルアクリレート、エポキシアクリレート、エチレングリコールジアクリレート、ジエチレングリコールジアクリレート、トリメチロールプロパントリアクリレート、ジメチロールトリシクロデカンジアクリレート、テトラメチレングリコールテトラアクリレート、２−ヒドロキシ−１，３−ジアクリロキシプロパン、２，２−ビス［４−（アクリロキシメトキシ）フェニル］プロパン、２，２−ビス［４−（アクリロキシエトキシ）フェニル］プロパン、ジシクロペンテニルアクリレート、トリシクロデカニルアクリレート、トリス（アクリロキシエチル）イソシアヌレート、ウレタンアクリレートなどが挙げられる。これらは、１種単独で使用してもよいし、２種以上を併用してもよい。
また、前記アクリレートをメタクリレートにしたものが挙げられ、これらは、１種単独で使用してもよいし、２種以上を併用してもよい。

【0022】

−エポキシ樹脂−
前記エポキシ樹脂としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、ノボラック型エポキシ樹脂、それらの変性エポキシ樹脂、脂環式エポキシ樹脂などが挙げられる。これらは、１種単独で使用してもよいし、２種以上を併用してもよい。

【0023】

前記異方性導電層における前記硬化性樹脂の含有量としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、２０質量％以上７０質量％以下が好ましく、３０質量％以上６０質量％以下がより好ましい。

【0024】

＜＜硬化剤＞＞
前記硬化剤としては、熱により前記硬化性樹脂を硬化させる作用を有する限り、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、熱ラジカル系硬化剤、熱カチオン系硬化剤などが挙げられる。

【0025】

−ラジカル系硬化剤−
前記ラジカル系硬化剤としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、有機過酸化物などが挙げられる。
前記有機過酸化物としては、例えば、ラウロイルパーオキサイド、ブチルパーオキサイド、ジラウロイルパーオキサイド、ジブチルパーオキサイド、パーオキシジカーボネート、ベンゾイルパーオキサイドなどが挙げられる。
前記ラジカル系硬化剤は、前記硬化性樹脂としてのラジカル重合性化合物と併用することが好ましい。

【0026】

−カチオン系硬化剤−
前記カチオン系硬化剤としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、スルホニウム塩、オニウム塩などが挙げられる。これらの中でも、芳香族スルホニウム塩が好ましい。
前記カチオン系硬化剤は、前記硬化性樹脂としてのエポキシ樹脂と併用することが好ましい。

【0027】

前記異方性導電層における前記硬化剤の含有量としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、１質量％以上１０質量％以下が好ましく、３質量％以上７質量％以下がより好ましい。

【0028】

＜＜導電性粒子＞＞
前記導電性粒子としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、金属粒子、金属被覆樹脂粒子などが挙げられる。

【0029】

前記金属粒子としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、ニッケル、コバルト、銀、銅、金、パラジウム、半田などが挙げられる。これらは、１種単独で使用してもよいし、２種以上を併用してもよい。
これらの中でも、ニッケル、銀、銅が好ましい。これらの金属粒子は、酸化を防ぐ目的で、金、パラジウムを含有していてもよい。更に、表面に金属突起や有機物で絶縁皮膜を施したものを用いてもよい。

【0030】

前記金属被覆樹脂粒子としては、樹脂粒子の表面を金属で被覆した粒子であれば、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、樹脂粒子の表面をニッケル、銀、半田、銅、金、及びパラジウムの少なくともいずれかの金属で被覆した粒子などが挙げられる。更に、表面に金属突起や有機物で絶縁皮膜を施したものを用いてもよい。低抵抗を考慮した接続の場合、樹脂粒子の表面を金で被覆した粒子が好ましい。
前記樹脂粒子への金属の被覆方法としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、無電解めっき法、スパッタリング法などが挙げられる。
前記樹脂粒子の材質としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、スチレン−ジビニルベンゼン共重合体、ベンゾグアナミン樹脂、架橋ポリスチレン樹脂、アクリル樹脂、スチレン−シリカ複合樹脂などが挙げられる。

【0031】

前記導電性粒子は、異方性導電接続の際に、導電性を有していればよい。例えば、金属粒子の表面に絶縁皮膜を施した粒子であっても、異方性導電接続の際に前記粒子が変形し、前記金属粒子が露出するものであれば、前記導電性粒子である。

【0032】

前記導電性粒子の平均粒子径としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、１μｍ以上５０μｍ以下が好ましく、２μｍ以上３０μｍ以下がより好ましく、３μｍ以上１５μｍ以下が特に好ましい。
前記平均粒子径は、任意に１０個の導電性粒子について測定した粒子径の平均値である。
前記粒子径は、例えば、走査型電子顕微鏡観察により測定できる。

【0033】

前記異方性導電層における前記導電性粒子の含有量としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、０．５質量％以上１０質量％以下が好ましく、３質量％以上８質量％以下がより好ましい。

【0034】

＜＜その他の成分＞＞
前記その他の成分としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、シランカップリング剤などが挙げられる。

【0035】

−シランカップリング剤−
前記シランカップリング剤としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、エポキシ系シランカップリング剤、アクリル系シランカップリング剤、チオール系シランカップリング剤、アミン系シランカップリング剤などが挙げられる。
前記シランカップリング剤の含有量としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができる。

【0036】

前記異方性導電層の平均厚みとしては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、１μｍ以上５０μｍ以下が好ましく、３μｍ以上３０μｍ以下がより好ましく、５μｍ以上２０μｍ以下が特に好ましい。
ここで、本明細書において平均厚みとは、任意の箇所を１０箇所測定した際の算術平均値である。

【0037】

＜基材＞
前記基材は、前記異方性導電層の前記マイクロＬＥＤチップ側と反対側の表面に接して配されている。
前記基材としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、ポリエチレンテレフタレート、ガラスなどが挙げられる。
前記基材には、離型処理が施されていてもよい。

【0038】

前記基材は、例えば、テープ状である。

【0039】

前記基材が、ポリエチレンテレフタレートである場合、前記基材の平均厚みとしては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、１０μｍ以上１００μｍ以下であってもよいし、２０μｍ以上８０μｍ以下であってもよい。
前記基材が、ガラスである場合、前記基材の平均厚みとしては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、０．０５ｍｍ以上１０ｍｍ以下であってもよいし、０．２ｍｍ以上８ｍｍ以下であってもよい。

【0040】

前記リペア用部品は、例えば、前記基材上に、前記異方性導電層と前記マイクロＬＥＤチップとの積層物が離間して複数配されている態様であってもよい。
この場合、前記基材がテープ状であり、前記積層物は、前記基材の長手方向に一列で配されていてもよいし、複数列で配されていてもよい。

【0041】

ここで、図を用いてリペア用部品の一例を説明する。
図３は、本発明のリペア用部品の一例の断面模式図である。
図３のリペア用部品は、マイクロＬＥＤチップ１と、異方性導電層２とを有する。マイクロＬＥＤチップ１は、電極１Ａが配された電極面１Ｂを有する。異方性導電層２は、マイクロＬＥＤチップ１の電極面１Ｂに配された電極１Ａに接して配されている。異方性導電層２の広さは、電極面１Ｂの広さに相当している。
図３においては、電極面１Ｂと、異方性導電層２の電極面１Ｂ側の面２Ａとは、同じ形状、及び同じ面積であるが、まったく同じ形状、及び同じ面積である必要はなく、多少、形状、大きさが異なっていてもよい。

【0042】

なお、図３のリペア用チップでは、電極面１Ｂと、異方性導電層２とが接していないが、リペア用チップは、図４に示すように、異方性導電層２に電極１Ａが埋没し、電極面１Ｂと異方性導電層２とが接していてもよい。

【0043】

図５Ａ及び図５Ｂは、本発明のリペア用部品の他の一例の模式図である。
図５Ａは、断面模式図である。図５Ｂは、上面模式図である。
図５Ａ及び図５Ｂに示すリペア用部品では、テープ状の基材３上に、複数の積層物Ｘが離間して一列で配されている。
積層物Ｘは、マイクロＬＥＤチップ１と、マイクロＬＥＤチップ１の電極面１Ｂに配された電極１Ａに接して配された、電極面１Ｂの広さに相当する広さを有する異方性導電層２とを有する。
図５Ａ及び図５Ｂに示すリペア用部品では、２つの積層物Ｘの間、及び基材３の端部に、マイクロＬＥＤチップ１が配されていない異方性導電層２を有している。これは、後述するリペア用部品の製造方法の一態様に由来する。本発明のリペア用部品では、このようなマイクロＬＥＤチップ１が配されていない異方性導電層２を有していてもよいし、有していなくてもよい。

【0044】

図５Ａ及び図５Ｂに示すリペア用部品では、積層物Ｘにおける異方性導電層２の広さが、マイクロＬＥＤチップ１の電極面の広さと同じであるため、積層物Ｘを基材３から剥がす際に、容易に引き剥がすことができる。

【0045】

（リペア用部品の製造方法）
本発明のリペア用部品の製造方法は、配置工程と、除去工程とを含み、更に必要に応じて、その他の工程を含む。

【0046】

＜配置工程＞
前記配置工程としては、基材上に配された異方性導電層上に、複数のマイクロＬＥＤチップを離間して配置する工程であれば、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができる。

【0047】

＜＜基材＞＞
前記基材としては、例えば、本発明のリペア用部品で説明した前記基材が挙げられる。

【0048】

＜＜異方性導電層＞＞
前記異方性導電層としては、例えば、本発明のリペア用部品で説明した前記異方性導電層が挙げられる。ただし、前記配置工程における前記異方性導電層の広さは、前記電極面の広さに相当する広さではない。

【0049】

＜＜マイクロＬＥＤチップ＞＞
前記マイクロＬＥＤチップとしては、例えば、本発明のリペア用部品で説明した前記マイクロＬＥＤチップが挙げられる。

【0050】

前記異方性導電層上に、前記複数のマイクロＬＥＤチップを離間して配置する方法としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、複数のマイクロＬＥＤチップを離間して把持できる部材を用いて、前記異方性導電層上に、前記複数のマイクロＬＥＤチップを離間して配置することなどが挙げられる。

【0051】

＜除去工程＞
前記除去工程としては、前記マイクロＬＥＤチップの前記異方性導電層側の面の周囲に位置する前記異方性導電層を除去する工程であれば、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、レーザーを照射することにより行われることが好ましい。

【0052】

レーザーの波長としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、２６６ｎｍが樹脂をレーザーアブレーション除去しやすい点で好ましい。

【0053】

レーザー照射におけるレーザーエネルギー強度としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、５％以上１００％以下が好ましく、５％以上５０％以下がより好ましい。
レーザーエネルギー強度とは、レーザー照射強度１０，０００ｍＪ／ｃｍ^２を１００としたときの出力パーセントで表した強度である。例えば、レーザーエネルギー強度１０％とは、レーザー照射強度１，０００ｍＪ／ｃｍ^２を意味する。
また、レーザーの照射回数としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、１回〜１０回が好ましい。
レーザー照射における総レーザー照射強度としては、５００ｍＪ／ｃｍ^２以上１０，０００ｍＪ／ｃｍ^２以下が好ましく、１，０００ｍＪ／ｃｍ^２以上５，０００ｍＪ／ｃｍ^２以下がより好ましい。
ここで、総レーザー照射強度とは、レーザー照射の際のｎ回のレーザー照射強度の総和として算出される照射強度である。ここで「ｎ」は、レーザーの照射回数を示す。
異方性導電層を除去するためのレーザー照射装置として、ＬＭＴ−２００（東レエンジニアリング社製）、Ｃ．ＭＳＬ−ＬＬＯ１．００１（タカノ社製）、ＤＦＬ７５６０Ｌ（ＤＩＳＣＯ社製）などのパルスレーザーでアブレーション可能な装置を使用できる。

【0054】

以下、図６Ａ〜図６Ｇを用いて、リペア用部品の製造方法の一例を説明する。
まず、テープ状の基材３上に異方性導電層２が配された異方性導電フィルムを用意する（図６Ａ及び図６Ｂ）。図６Ａは異方性導電フィルムの断面模式図である。図６Ｂは異方性導電フィルムの上面模式図である。
次に、異方性導電層２上に、複数のマイクロＬＥＤチップ１を離間して配置する（図６Ｃ及び図６Ｄ）。図６Ｃは断面模式図である。図６Ｄは上面模式図である。図６Ｃ及び図６Ｄでは、複数のマイクロＬＥＤチップがテープ状の基材の長手方向に一列で配されているが、複数列で配されてもよい。マイクロＬＥＤチップ１は、電極１Ａを有する。マイクロＬＥＤチップ１は、電極１Ａが異方性導電層２に接するように、異方性導電層２上に配される。
次に、レーザー照射源５０からレーザー５１を照射する。レーザー５１は、マイクロＬＥＤチップ１側から、マイクロＬＥＤチップ１の異方性導電層２側の面（電極面）の周囲に位置する異方性導電層２に照射される（図６Ｅ）。図６Ｆに、マイクロＬＥＤチップ１の異方性導電層２側の面の周囲の一部に位置する異方性導電層２が除去された状態を示す。同様の操作を繰り返し、マイクロＬＥＤチップ１の異方性導電層２側の面の周囲に位置する異方性導電層２を除去すると、図５Ａ及び図５Ｂに示すリペア用部品が得られる。

【0055】

以下、図７Ａ〜図７Ｉを用いて、リペア用部品の製造方法の他の一例を説明する。
まず、テープ状の基材３上に異方性導電層２が配された異方性導電フィルムを用意する（図７Ａ及び図７Ｂ）。図７Ａは異方性導電フィルムの断面模式図である。図７Ｂは異方性導電フィルムの上面模式図である。
次に、異方性導電層２上に、複数のマイクロＬＥＤチップ１を離間して配置する（図７Ｃ及び図７Ｄ）。図７Ｃは断面模式図である。図７Ｄは上面模式図である。図７Ｃ及び図７Ｄでは、複数のマイクロＬＥＤチップがテープ状の基材の長手方向に一列で配されているが、複数列で配されてもよい。マイクロＬＥＤチップ１は、電極１Ａを有する。マイクロＬＥＤチップ１は、電極１Ａが異方性導電層２に接するように、異方性導電層２上に配される。
次に、レーザー照射源５０からレーザー５１を照射する。レーザー５１は、マイクロＬＥＤチップ１側から、マイクロＬＥＤチップ１の異方性導電層２側の面（電極面）の周囲に位置する異方性導電層２に照射される（図７Ｅ）。ここで、レーザー５１のスポット径が、除去したい異方性導電層２に対して大きいので、レーザー５１は、フォトマスク５２を介して異方性導電層２に照射される。フォトマスク５２は、マイクロＬＥＤチップ１の形状に相当する光非透過領域５２Ａとその周囲に開口部を有する。そうすることで、マイクロＬＥＤチップ１の異方性導電層２側の面（電極面）の周囲に位置する異方性導電層２が除去される（図７Ｆ及び図７Ｇ）。同様の操作を繰り返し、マイクロＬＥＤチップ１の異方性導電層２側の面の周囲に位置する異方性導電層２を除去すると、図７Ｈ及び図７Ｉに示すリペア用部品が得られる。図７Ｈは断面模式図である。図７Ｉは上面模式図である。

【0056】

（リペア方法、及び発光装置の製造方法）
本発明のリペア方法は、除去工程と、載置工程とを含み、更に必要に応じて、検査工程、加熱押圧工程などのその他の工程を含む。
本発明の発光装置の製造方法は、除去工程と、載置工程とを含み、更に必要に応じて、検査工程、加熱押圧工程などのその他の工程を含む。
前記リペア方法は、例えば、発光装置の製造の際に実施される。
前記発光装置は、例えば、表示装置（マイクロＬＥＤディスプレイ）、照明装置（ＬＥＤ照明）などに利用できる。

【0057】

前記リペア方法及び前記発光装置の製造方法においては、リペア用部品におけるマイクロＬＥＤチップの電極と、配線基板の電極とが、異方性導電層を介して異方性導電接続される。

【0058】

＜除去工程＞
前記除去工程としては、発光板から、不良のマイクロＬＥＤチップを除去する工程であれば、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができる。

【0059】

前記発光板から、前記不良のマイクロＬＥＤチップを除去する方法としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、前記不良のマイクロＬＥＤチップを治具により掴んで、上方に引き上げる方法などが挙げられる。

【0060】

＜＜発光板＞＞
前記発光板は、配線基板と、複数のマイクロＬＥＤチップとを有する。
前記配線基板は、電極を有する。
前記複数のマイクロＬＥＤチップは、電極が配された電極面を有する。
前記発光板においては、前記配線基板の前記電極と前記マイクロＬＥＤチップの前記電極とが電気的に接続されている。
前記発光板においては、前記配線基板の電極と前記マイクロＬＥＤチップの前記電極とは、異方性導電層を介して異方性導電接続されていることが好ましい。

【0061】

−配線基板−
前記配線基板としては、複数の電極を有する限り、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができる。
前記配線基板の材質、形状、大きさ、構造としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、ガラス基板、ガラスエポキシ基板、ポリイミドフィルム基板などが挙げられる。

【0062】

前記配線基板における前記電極の材質、形状、大きさ、構造としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができる。

【0063】

−マイクロＬＥＤチップ−
前記マイクロＬＥＤチップは、電極が配された電極面を有する。
前記マイクロＬＥＤチップとしては、例えば、本発明のリペア用部品で説明した
前記マイクロＬＥＤチップが挙げられる。

【0064】

＜載置工程＞
前記載置工程としては、前記発光板における除去された前記不良のマイクロＬＥＤチップがあった位置に、リペア用部品を載置する工程であれば、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、マイクロＬＥＤチップを把持できる部材を用いて、前記不良のマイクロＬＥＤチップがあった位置に、前記リペア用部品を載置する方法などが挙げられる。

【0065】

＜＜リペア用部品＞＞
前記リペア用部品は、マイクロＬＥＤチップと、異方性導電層とを有し、更に必要に応じて、基材などのその他の部材を有する。

【0066】

前記マイクロＬＥＤチップは、電極が配された電極面を有する。
前記マイクロＬＥＤチップとしては、例えば、本発明のリペア用部品で説明した前記マイクロＬＥＤチップが挙げられる。

【0067】

前記リペア用部品において、前記異方性導電層は、前記マイクロＬＥＤチップの前記電極面に配された前記電極に接して配されている。
前記リペア用部品における前記異方性導電層は、前記電極面の広さに相当する広さを有する。
前記異方性導電層の広さとしては、例えば、前記電極面の広さと略同一の広さである。ここで、略同一の広さとは、前記電極面からほとんどはみ出していない程度の広さであり、例えば、前記電極面の広さの±１０％以内の広さである。
前記異方性導電層としては、例えば、本発明のリペア用部品で説明した前記異方性導電層が挙げられる。

【0068】

＜検査工程＞
前記検査工程としては、前記発光板に配された前記複数のマイクロＬＥＤチップのいずれが前記不良のマイクロＬＥＤであるかどうかを確認する工程であれば、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、前記発光板に配された前記複数のマイクロＬＥＤチップに通電し、マイクロＬＥＤチップの発光状態を観察することにより検査する方法などが挙げられる。

【0069】

＜加熱及び押圧工程＞
前記加熱工程としては、前記載置工程の後に、前記リペア用部品を加熱及び押圧する工程であれば、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、加熱押圧部材を用いて行われる。

【0070】

前記加熱押圧部材としては、例えば、加熱機構を有する押圧部材などが挙げられる。前記加熱機構を有する押圧部材としては、例えば、ヒートツールなどが挙げられる。

【0071】

前記リペア方法及び前記表示装置の製造方法においては、前記リペア用部品における前記マイクロＬＥＤチップの前記電極と、前記配線基板の前記電極とが、硬化した前記異方性導電層を介して異方性導電接続される。前記異方性導電接続は、例えば、前記加熱押圧工程を行うことで実施される。前記異方性導電層が加熱及び押圧されることで、前記マイクロＬＥＤチップの前記電極と、前記配線基板の前記電極とが、前記異方性導電層中の導電性粒子を介して電気的に接続され、かつ、前記異方性導電層が加熱により硬化することで、前記マイクロＬＥＤチップと前記配線基板とが接着される。

【0072】

前記加熱の温度としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、１５０℃以上２００℃以下が好ましい。
前記押圧の圧力としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、０．１ＭＰａ以上５０ＭＰａ以下が好ましい。
前記加熱及び押圧の時間としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、０．５秒間以上１２０秒間以下が挙げられる。

【0073】

以下、図８Ａ〜図８Ｅを用いて、リペア方法の一例を説明する。なお、この方法は、発光装置の製造方法の一例でもある。

【0074】

図８Ａは、発光板１０の概略断面図である。
発光板１０は、複数の電極１１Ａを有する配線基板１１と、電極１Ａが配された電極面を有する複数のマイクロＬＥＤチップとを有する。図８Ａに示す発光板１０の５つのマイクロＬＥＤチップのうちの１つは、不良のマイクロＬＥＤチップ１Ｙである。配線基板１１の電極１１Ａと、マイクロＬＥＤチップ１、１Ｙの電極１Ａとは、硬化した異方性導電層１２を介して異方性導電接続されている。

【0075】

発光板１０における複数のマイクロＬＥＤチップに対して、不良のマイクロＬＥＤチップがないかどうかを検査する。
検査によって見つかった不良のマイクロＬＥＤチップ１Ｙを、図８Ｂに示すように、発光板１０から除去する。その際、不良のマイクロＬＥＤチップ１Ｙとともに、不良のマイクロＬＥＤチップ１Ｙの電極面１Ｂに接触する硬化した異方性導電層１２も除去することが好ましい。不良のマイクロＬＥＤチップ１Ｙの周囲の硬化した異方性導電層１２にレーザーを照射して、不良のマイクロＬＥＤチップ１Ｙの周囲の硬化した異方性導電層１２をレーザーにより除去しておく。そうすると、不良のマイクロＬＥＤチップ１Ｙの電極面１Ｂに接触する硬化した異方性導電層１２を、不良のマイクロＬＥＤチップ１Ｙとともに、容易に発光板１０から除去できる。
なお、不良のマイクロＬＥＤチップ１Ｙを、発光板１０から除去する際に、不良のマイクロＬＥＤチップ１Ｙの電極面１Ｂに接触する硬化した異方性導電層１２が発光板１０に残った場合には、当該硬化した異方性導電層１２を発光板１０から除去することが好ましい。除去の方法としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、物理的に削り取ってもよいし、レーザーを照射して除去してもよい。

【0076】

次に、図８Ｃ及び図８Ｄに示すように、発光板１０における除去された不良のマイクロＬＥＤチップ１Ｙがあった位置に、リペア用部品１００を載置する。
リペア用部品１００は、マイクロＬＥＤチップ１Ｘと、異方性導電層２とを有する。マイクロＬＥＤチップ１Ｘは、電極１Ａが配された電極面１Ｂを有する。異方性導電層２は、マイクロＬＥＤチップ１の電極面１Ｂに配された電極１Ａに接して配されている。異方性導電層２の広さは、電極面１Ｂの広さに相当している。
リペア用部品１００は、例えば、図５Ａ及び図５Ｂに示すリペア用部品から取り出した積層物Ｘである。

【0077】

次に、リペア用部品１００を加熱及び押圧する。そうすることにより、図８Ｅに示すように、リペア用部品１００におけるマイクロＬＥＤチップ１Ｘの電極１Ａと、配線基板１１の電極１１Ａとが、硬化した異方性導電層１２を介して異方性導電接続される。
以上により、リペアが完了する。

【0078】

（発光装置）
本発明の発光装置は、発光板を有し、更に必要に応じて、その他部品を有する。
前記発光板は、配線基板と、複数のマイクロＬＥＤチップと、異方性導電層と、本発明の前記リペア用部品とを有し、更に必要に応じて、その他の部品を有する。
前記配線基板は、電極を有する。
前記マイクロＬＥＤチップは、電極が配された電極面を有する。
前記異方性導電層は、前記配線基板の前記電極と前記マイクロＬＥＤチップの前記電極とを異方性導電接続している。言い換えれば、前記配線基板の前記電極と前記マイクロＬＥＤチップの前記電極とは、前記異方性導電層を介して異方性導電接続されている。
前記リペア用部品と前記配線基板とは、前記リペア用部品の前記異方性導電層を介して異方性導電接続されている。

【0079】

前記配線基板としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、本発明のリペア方法、及び発光装置の製造方法において説明した前記配線基板が挙げられる。
前記マイクロＬＥＤチップとしては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、本発明のリペア用部品で説明した前記マイクロＬＥＤチップが挙げられる。
前記配線基板の前記電極と前記マイクロＬＥＤチップの前記電極とを異方性導電接続している前記異方性導電層としては、その大きさ、形状、材質、構造としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができる。前記異方性導電層の材質としては、例えば、本発明のリペア用部品で説明した前記異方性導電層の材質などが挙げられる。

【実施例】

【0080】

以下、本発明の具体的な実施例について説明する。なお、本発明は、これらの実施例に限定されるものではない。

【0081】

（使用部材）
＜マイクロＬＥＤチップ＞
デクセリアルズ社製マイクロＬＥＤチップ
サイズ：１８μｍ×４０μｍ
電極サイズ：１５μｍ×１５μｍ

【0082】

＜異方性導電フィルム１（ＡＣＦ１）＞
ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート：２０ｍｍ×２０ｍｍ、平均厚み５０μｍ）上に異方性導電層（平均厚み８μｍ）が形成された異方性導電フィルム（デクセリアルズ社製の粒子配列型異方性導電フィルム、ＰＡＦ７００シリーズ）

【0083】

＜異方性導電フィルム２（ＡＣＦ２）＞
ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート：２０ｍｍ×２０ｍｍ、平均厚み５０μｍ）上に異方性導電層（平均厚み８μｍ）が形成された異方性導電フィルム（デクセリアルズ社製のラジカル硬化系異方性導電フィルム）
−異方性導電層−
・主構成成分
・・アクリレート化合物
・・膜形成樹脂（フェノキシ樹脂）
・・過酸化物系硬化剤
・・導電性粒子（平均粒子径３μｍ）：粒子通常分散タイプ

【0084】

＜異方性導電フィルム３（ＡＣＦ３）＞
ガラス（３０ｍｍ×３０ｍｍ、平均厚み１ｍｍ）上に異方性導電層（平均厚み８μｍ）が形成された異方性導電フィルム（デクセリアルズ社製のカチオン硬化系異方性導電フィルム）
−異方性導電層−
・主構成成分
・・エポキシ樹脂
・・膜形成樹脂（フェノキシ樹脂）
・・カチオン系硬化剤
・・導電性粒子（平均粒子径３μｍ）：粒子通常分散タイプ

【0085】

（実施例１）
異方性導電フィルム１及び上記マイクロＬＥＤチップを用い、図６Ａ〜図６Ｆを用いて説明したリペア用部品の製造方法と同様にして、図５Ａ及び図５Ｂに示すリペア用部品を作製した。
レーザーの照射には、パルスレーザー照射でアブレーション可能な装置を用いた。その際のレーザーの照射条件は、以下の通りである。
・レーザー照射条件
・・レーザー種類：ＹＡＧ Ｌａｓｅｒ
・・レーザー波長：２６６ｎｍ
・・レーザーエネルギー強度：１０％
・・レーザー照射回数：１回

【0086】

得られたリペア用部品について、以下の評価を行った。結果を表１に示した。

【0087】

＜ＡＣＦ除去可否＞
レーザー照射後にレーザー照射部の異方性導電層の除去有無を金属顕微鏡で確認し、以下の評価基準で判断した。
〔評価基準〕
○：除去すべき箇所の異方性導電層が完全に除去されている。
△：除去すべき箇所の異方性導電層がわずかに残っている。
×：除去すべき箇所の異方性導電層が全く除去できていない。

【0088】

＜ピックアップ性＞
得られたリペア用部品から、積層物Ｘをピックアップした。
具体的には、以下のようにして行った。図５Ａに示すリペア用部品において、積層物ＸのマイクロＬＥＤチップ１の上面を吸着ノズルに吸着させた。その後、吸着ノズルを上方に移動させ、基材３（ＰＥＴ）から積層物Ｘをピックアップした。
ピックアップを１０個の積層物Ｘに対して行った。その際の様子を金属顕微鏡で観察し、以下の評価基準で評価した。
〔評価基準〕
○：１０個全ての積層物Ｘがピックアップされた。即ち、１０個全ての積層物Ｘにおいて、マイクロＬＥＤチップに接する異方性導電層２は、基材３に残らなかった。
△：１個〜９個の積層物Ｘのピックアップにおいて、マイクロＬＥＤチップ１に接する異方性導電層２が基材３に残るものがあった。
×：１０個全ての積層物Ｘのピックアップにおいて、マイクロＬＥＤチップ１のみがピックアップされ、マイクロＬＥＤチップ１に接していた異方性導電層２は、基材３に残った。

【0089】

＜ＬＥＤ点灯性＞
評価用配線基板として、以下の基板を用いた。
・基板仕様：ガラス基板＋ＩＴＯ配線、パターン／スペース＝５０μｍ／８μｍ
作製したリペア用部品からピックアップ性評価と同様の方法でピックアップした積層物Ｘを、電極１Ａが評価用配線基板の電極と対向するように、評価用配線基板上に載置した。その後、ボンダー装置を用いて以下の加熱押圧条件で積層物Ｘを評価用配線基板に押し付け、異方性導電接続させた。
・加熱押圧条件：１５０℃、１０ｓｅｃ、１０ＭＰａ
その後、評価用配線基板に電流を流して、ＬＥＤの点灯の有無を目視で確認した。
合計１０個のリペア用部品について、上記の操作を行った。
以下の評価基準で評価した。
〔評価基準〕
○：１０個全てのＬＥＤが点灯した。
△：１〜９個のＬＥＤが点灯した。
×：１０個全てのＬＥＤが不点灯であった。

【0090】

（実施例２〜８、１０〜１１）
実施例１において、異方性導電フィルムの種類、レーザー波長、レーザーエネルギー強度、及びレーザー照射回数を、表１及び表２に示す異方性導電フィルムの種類、レーザー波長、レーザーエネルギー強度、及びレーザー照射回数に変えた以外は、実施例１と同様にして、リペア用部品を作製した。

【0091】

得られたリペア用部品について実施例１と同様にして評価した。結果を表１及び表２に示した。

【0092】

（実施例９）
異方性導電フィルム１及び上記マイクロＬＥＤチップを用い、図７Ａ〜図７Ｇを用いて説明したリペア用部品の製造方法と同様にして、図５Ａ及び図５Ｂに示すリペア用部品を作製した。
レーザーの照射には、パルスレーザー照射でアブレーション可能な装置を用いた。その際のレーザーの照射条件は、以下の通りである。
・レーザー照射条件
・・レーザー種類：ＹＡＧ Ｌａｓｅｒ
・・レーザー波長：２６６ｎｍ
・・レーザーエネルギー強度：１０％
・・レーザー照射回数：１回

【0093】

得られたリペア用部品について実施例１と同様にして評価した。結果を表２に示した。

【0094】

（比較例１）
異方性導電フィルム１上に、上記マイクロＬＥＤチップを載置し、リペア用部品を作製した。即ち、比較例１のリペア用部品においては、異方性導電層の広さは、マイクロＬＥＤチップの電極面の広さに相当する広さではない。

【0095】

得られたリペア用部品について、以下の評価を行った。結果を表２に示した。

【0096】

＜ピックアップ性＞
得られたリペア用部品からマイクロＬＥＤチップをピックアップした。
具体的には、以下のようにして行った。リペア用部品のマイクロＬＥＤチップの上面を吸着ノズルに吸着させた。その後、吸着ノズルを上方に移動させ、基材（ＰＥＴ）からマイクロＬＥＤチップをピックアップした。
ピックアップを１０個のマイクロＬＥＤチップに対して行った。その際の様子を金属顕微鏡で観察し、以下の評価基準で評価した。
〔評価基準〕
○：１０個全てのマイクロＬＥＤチップが、異方性導電層とともにピックアップされた。即ち、１０個全てのマイクロＬＥＤチップのピックアップにおいて、異方性導電層は、基材に残らなかった。
△：１個〜９個のマイクロＬＥＤチップのピックアップにおいて、異方性導電層が基材に残るものがあった。
×：１０個全てのマイクロＬＥＤチップのピックアップにおいて、マイクロＬＥＤチップのみがピックアップされ、異方性導電層は、基材に残った。

【0097】

＜ＬＥＤ点灯性＞
ピックアップ性が「×」であった。即ち、ピックアップしたマイクロＬＥＤチップには異方性導電層が付着してなかった。そのため、ピックアップしたマイクロＬＥＤを実施例１で用いた評価用配線基板に異方性導電接続させることができなかった。そのため、実施例１で行ったＬＥＤ点灯性の評価を行うことができなかった。

【0098】

【表1】

【0099】

【表2】

比較例１と比べて、実施例１〜１０では、ピックアップ性が優れていた。
レーザー照射における総レーザー照射強度が、１，０００ｍＪ／ｃｍ^２以上５，０００ｍＪ／ｃｍ^２以下である実施例１、３〜５、７〜１１においては、ＡＣＦの除去性、ピックアップ性、及びＬＥＤ点灯性の全てが非常に優れていた。

【産業上の利用可能性】

【0100】

本発明のリペア用部品は、不良のマイクロＬＥＤチップを容易に交換可能であることから、表示装置の製造に好適に用いることができる。

【符号の説明】

【0101】

１ マイクロＬＥＤチップ
１Ｙ 不良のマイクロＬＥＤチップ
１Ａ 電極
１Ｂ 電極面
２ 異方性導電層
２Ａ 面
３ 基材
１０ 発光板
１１ 配線基板
１１Ａ 電極
１２ 硬化した異方性導電層
５０ レーザー照射源
５１ レーザー
５２ フォトマスク
１００ リペア用部品
Ｘ 積層物

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5A】

【図5B】

【図6A】

【図6B】

【図6C】

【図6D】

【図6E】

【図6F】

【図7A】

【図7B】

【図7C】

【図7D】

【図7E】

【図7F】

【図7G】

【図7H】

【図7I】

【図8A】

【図8B】

【図8C】

【図8D】

【図8E】