特開2021-161009IP Force 特許公報全文掲載

技術分野

フラン環を選択的に導入した含酸素炭素材料の製造方法

要約特許出願時に添付された[要約書]

【課題】構造が精密に制御された含酸素炭素材料を、温和な条件で簡便に製造する方法を提供する。
【解決手段】本発明の実施形態による含酸素炭素材料の製造方法は、構造式(a)で表されるジベンゾフラン環構造を有する縮環化合物(A)を加熱する加熱工程(I)を含む。
【化1】

【選択図】図1

発明が解決しようとする課題[発明の詳細な説明]から抜粋

本発明の課題は、構造が精密に制御された含酸素炭素材料を、温和な条件で簡便に製造する方法を提供することにある。

課題を解決するための手段[発明の詳細な説明]から抜粋

本発明の実施形態による含酸素炭素材料の製造方法は、 構造式(a)で表されるジベンゾフラン環構造を有する縮環化合物(A)を加熱する加熱工程(I)を含む。
【発明の効果】
本発明によれば、構造が精密に制御された含酸素炭素材料を、温和な条件で簡便に製造する方法を提供することができる。

この発明についての権利主張の範囲[特許請求の範囲]

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この特許公報に記載されている図面[図面の簡単な説明]から抜粋

【図1】ジナフト[2,1−b:1’,2’―d]フラン(DN2112F)のC1sXPS分析のXPSスペクトル図である。

【図2】ジナフト[2,1−b:1’,2’―d]フラン(DN2112F)のラマン分光分析のラマンスペクトル図である。

【図3】ジナフト[2,1−b:1’,2’―d]フラン(DN2112F)のIR分析のIRスペクトル図である。

【図4】ジナフト[1,2−b:2’,1’―d]フラン(DN1221F)のC1sXPS分析のXPSスペクトル図である。

【図5】ジナフト[1,2−b:2’,1’―d]フラン(DN1221F)のラマン分光分析のラマンスペクトル図である。

【図6】ジナフト[1,2−b:2’,1’―d]フラン(DN1221F)のIR分析のIRスペクトル図である。

【図7】ジナフト[2,3−b:2’,3’―d]フラン(DN2323F)のC1sXPS分析のXPSスペクトル図である。

【図8】ジナフト[2,3−b:2’,3’―d]フラン(DN2323F)のラマン分光分析のラマンスペクトル図である。

【図9】ジナフト[2,3−b:2’,3’―d]フラン(DN2323F)のIR分析のIRスペクトル図である。

【図10】ジベンゾフラン(DBF)のC1sXPS分析のXPSスペクトル図である。

【図11】ジベンゾフラン(DBF)のラマン分光分析のラマンスペクトル図である。

【図12】ジベンゾフラン(DBF)のIR分析のIRスペクトル図である。

選択図 図1出願人が指定した本件の代表的な図

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