特開 2021-163853 コイル部品及び電子機器

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】特開2021-163853(P2021-163853A)

(43)【公開日】2021年10月11日

(54)【発明の名称】コイル部品及び電子機器

(51)【国際特許分類】

   H01F 17/04 20060101AFI20210913BHJP

【ＦＩ】

   H01F17/04 F

【審査請求】未請求

【請求項の数】13

【出願形態】ＯＬ

【全頁数】27

(21)【出願番号】特願2020-63565(P2020-63565)

(22)【出願日】2020年3月31日

(71)【出願人】

【識別番号】000204284

【氏名又は名称】太陽誘電株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】100087480

【弁理士】

【氏名又は名称】片山 修平

(72)【発明者】

【氏名】小城 真一

(72)【発明者】

【氏名】上山 義明

(72)【発明者】

【氏名】野木 謙一郎

【テーマコード（参考）】

5E070

【Ｆターム（参考）】

5E070AA01

5E070AB01

5E070BA12

5E070BB03

(57)【要約】

【課題】樹脂の使用量を低く抑えつつ、信頼性の低下を抑制すること。
【解決手段】金属磁性粒子と、前記金属磁性粒子の間の隙間と、前記隙間を埋める樹脂と、を含む基体部と、前記基体部に内蔵され、複数層の導体で形成されるコイル導体と、を備え、コイル軸に沿った前記基体部の断面において、前記基体部は、前記複数層の導体の間に挟まれる前記基体部の第１領域と、前記コイル軸に直交し、前記導体から内側もしくは外側の少なくても一方の側にある前記基体部の第２領域と、を有し、前記第１領域及び前記第２領域は前記隙間が前記樹脂で埋められる充填部と、前記隙間が前記樹脂で埋められない非充填部を含み、前記充填部と前記非充填部との割合は第１領域で９０％以上が前記充填部であり、前記第２領域で８０％以下が前記充填部である、コイル部品。
【選択図】図３

【特許請求の範囲】

【請求項1】

金属磁性粒子と、前記金属磁性粒子の間の隙間と、前記隙間を埋める樹脂と、を含む基体部と、
前記基体部に内蔵され、複数層の導体で形成されるコイル導体と、を備え、
コイル軸に沿った前記基体部の断面において、前記基体部は、前記複数層の導体の間に挟まれる前記基体部の第１領域と、前記コイル軸に直交し、前記導体から内側もしくは外側の少なくても一方の側にある前記基体部の第２領域と、を有し、前記第１領域及び前記第２領域は前記隙間が前記樹脂で埋められる充填部と、前記隙間が前記樹脂で埋められない非充填部を含み、前記充填部と前記非充填部との割合は第１領域で９０％以上が前記充填部であり、前記第２領域で８０％以下が前記充填部である、コイル部品。

【請求項2】

前記コイル軸に沿った前記基体部の断面において、円形状に近似した大きさとして、前記第１領域の前記非充填部の平均径より前記第２領域の前記非充填部の平均径は大きい、請求項１に記載のコイル部品。

【請求項3】

前記コイル軸に沿った前記基体部の断面において、前記第１領域の前記充填部の平均径は０．８μｍ以下である、請求項１または２に記載のコイル部品。

【請求項4】

前記コイル軸に沿った前記基体部の断面において、円形状に近似した大きさとして、前記第１領域の金属磁性粒子の平均径より前記第２領域の金属磁性粒子の平均径は大きい、請求項１から３のいずれか一項に記載のコイル部品。

【請求項5】

前記コイル軸に沿った前記基体部の断面において、前記第１領域は第１の金属磁性粒子と第３の金属磁性粒子を有し、前記第２領域は第２の金属磁性粒子を有し、
前記第３の金属磁性粒子の平均径より前記第２の金属磁性粒子の平均径は大きく、前記第１の金属磁性粒子の平均径より前記第３の金属磁性粒子の平均径は小さい、請求項１から３のいずれか一項に記載のコイル部品。

【請求項6】

前記コイル軸に沿った前記基体部の断面において、前記基体部は前記導体から前記コイル軸に直交する方向に前記金属磁性粒子が４粒並んだ範囲内に位置する第３領域を有し、前記第３領域は前記隙間が前記樹脂で埋められる充填部と、前記隙間が前記樹脂で埋められない非充填部を含み、前記充填部と前記非充填部との割合は９０％以上が前記充填部である、請求項１から３のいずれか一項に記載のコイル部品。

【請求項7】

前記コイル軸に沿った前記基体部の断面において、円形状に近似した大きさとして、前記第３領域の前記非充填部の平均径より前記第２領域の前記非充填部の平均径は大きい、請求項６に記載のコイル部品。

【請求項8】

前記コイル軸に沿った前記基体部の断面において、前記第３領域の前記充填部の平均径は０．８μｍ以下である、請求項６または７に記載のコイル部品。

【請求項9】

前記コイル軸に沿った前記基体部の断面において、円形状に近似した大きさとして、前記第１領域の第１の金属磁性粒子の平均径及び前記第３領域の第３の金属磁性粒子の平均径より前記第２領域の第２の金属磁性粒子の平均径は大きい、請求項６から８のいずれか一項に記載のコイル部品。

【請求項10】

前記コイル軸に沿った前記基体部の断面において、前記第１領域は第１の金属磁性粒子と第４の金属磁性粒子を有し、前記第２領域は第２の金属磁性粒子を有し、前記第３領域は第３の金属磁性粒子と第５の金属磁性粒子を有し、
前記第４の金属磁性粒子の平均径及び前記第５の金属磁性粒子の平均径は前記第２の金属磁性粒子の平均径よりも小さく、前記第１の金属磁性粒子の平均径は前記第４の金属磁性粒子の平均径より大きく、前記第３の金属磁性粒子の平均径は前記第５の金属磁性粒子の平均径より大きい、請求項６から９のいずれか一項に記載のコイル部品。

【請求項11】

前記コイル軸に沿った前記基体部の断面において、前記第１領域の第１の金属磁性粒子の変形強度は、前記第２領域の第２の金属磁性粒子の変形強度よりも小さい、請求項１から３のいずれか一項に記載のコイル部品。

【請求項12】

前記コイル軸に沿った前記基体部の断面において、前記第１領域の第１の金属磁性粒子の変形強度及び前記第３領域の第３の金属磁性粒子の変形強度は、前記第２領域の第２の金属磁性粒子の変形強度よりも小さい、請求項６から１０のいずれか一項に記載のコイル部品。

【請求項13】

請求項１から１２のいずれか一項に記載のコイル部品と、
前記コイル部品が実装されている回路基板と、を備える、電子機器。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、コイル部品及び電子機器に関する。

【背景技術】

【0002】

フェライトの代わりに直流重畳特性に優れた金属磁性粒子を用いて基体部が形成されたコイル部品が提案されている。金属磁性粒子を用いて基体部を形成する場合、隣接する金属磁性粒子の間に隙間が形成される。コイル部品の強度の向上及び吸湿性の抑制のために、金属磁性粒子の間の隙間に樹脂を充填することが知られている（例えば、特許文献１、２）。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0003】

【特許文献1】特開２００７−０２７３５４号公報

【特許文献2】特開２０１２−２３８８４０号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0004】

金属磁性粒子の間の隙間が空隙のまま存在していると、空隙内に水分等が浸入して基体部に内蔵されたコイル導体に腐食及び／又はマイグレーションが生じて信頼性が低下してしまう。このため、金属磁性粒子の間の隙間には樹脂を充填することが好ましい。その一方で、近年においては資源の利用を抑えて環境負荷を小さくすることの要望が大きい。

【0005】

本発明は、上記課題に鑑みなされたものであり、樹脂の使用量を低く抑えつつ、信頼性の低下を抑制することを目的とする。

【課題を解決するための手段】

【0006】

本発明は、金属磁性粒子と、前記金属磁性粒子の間の隙間と、前記隙間を埋める樹脂と、を含む基体部と、前記基体部に内蔵され、複数層の導体で形成されるコイル導体と、を備え、コイル軸に沿った前記基体部の断面において、前記基体部は、前記複数層の導体の間に挟まれる前記基体部の第１領域と、前記コイル軸に直交し、前記導体から内側もしくは外側の少なくても一方の側にある前記基体部の第２領域と、を有し、前記第１領域及び前記第２領域は前記隙間が前記樹脂で埋められる充填部と、前記隙間が前記樹脂で埋められない非充填部を含み、前記充填部と前記非充填部との割合は第１領域で９０％以上が前記充填部であり、前記第２領域で８０％以下が前記充填部である、コイル部品である。

【0007】

上記構成において、前記コイル軸に沿った前記基体部の断面において、円形状に近似した大きさとして、前記第１領域の前記非充填部の平均径より前記第２領域の前記非充填部の平均径は大きい構成とすることができる。

【0008】

上記構成において、前記コイル軸に沿った前記基体部の断面において、前記第１領域の前記充填部の平均径は０．８μｍ以下である構成とすることができる。

【0009】

上記構成において、前記コイル軸に沿った前記基体部の断面において、円形状に近似した大きさとして、前記第１領域の金属磁性粒子の平均径より前記第２領域の金属磁性粒子の平均径は大きい構成とすることができる。

【0010】

上記構成において、前記コイル軸に沿った前記基体部の断面において、前記第１領域は第１の金属磁性粒子と第３の金属磁性粒子を有し、前記第２領域は第２の金属磁性粒子を有し、前記第３の金属磁性粒子の平均径より前記第２の金属磁性粒子の平均径は大きく、前記第１の金属磁性粒子の平均径より前記第３の金属磁性粒子の平均径は小さい構成とすることができる。

【0011】

上記構成において、前記コイル軸に沿った前記基体部の断面において、前記基体部は前記導体から前記コイル軸に直交する方向に前記金属磁性粒子が４粒並んだ範囲内に位置する第３領域を有し、前記第３領域は前記隙間が前記樹脂で埋められる充填部と、前記隙間が前記樹脂で埋められない非充填部を含み、前記充填部と前記非充填部との割合は９０％以上が前記充填部である構成とすることができる。

【0012】

上記構成において、前記コイル軸に沿った前記基体部の断面において、円形状に近似した大きさとして、前記第３領域の前記非充填部の平均径より前記第２領域の前記非充填部の平均径は大きい構成とすることができる。

【0013】

上記構成において、前記コイル軸に沿った前記基体部の断面において、前記第３領域の前記充填部の平均径は０．８μｍ以下である構成とすることができる。

【0014】

上記構成において、前記コイル軸に沿った前記基体部の断面において、円形状に近似した大きさとして、前記第１領域の第１の金属磁性粒子の平均径及び前記第３領域の第３の金属磁性粒子の平均径より前記第２領域の第２の金属磁性粒子の平均径は大きい構成とすることができる。

【0015】

上記構成において、前記コイル軸に沿った前記基体部の断面において、前記第１領域は第１の金属磁性粒子と第４の金属磁性粒子を有し、前記第２領域は第２の金属磁性粒子を有し、前記第３領域は第３の金属磁性粒子と第５の金属磁性粒子を有し、前記第４の金属磁性粒子の平均径及び前記第５の金属磁性粒子の平均径は前記第２の金属磁性粒子の平均径よりも小さく、前記第１の金属磁性粒子の平均径は前記第４の金属磁性粒子の平均径より大きく、前記第３の金属磁性粒子の平均径は前記第５の金属磁性粒子の平均径より大きい構成とすることができる。

【0016】

上記構成において、前記コイル軸に沿った前記基体部の断面において、前記第１領域の第１の金属磁性粒子の変形強度は、前記第２領域の第２の金属磁性粒子の変形強度よりも小さい構成とすることができる。

【0017】

上記構成において、前記コイル軸に沿った前記基体部の断面において、前記第１領域の第１の金属磁性粒子の変形強度及び前記第３領域の第３の金属磁性粒子の変形強度は、前記第２領域の第２の金属磁性粒子の変形強度よりも小さい構成とすることができる。

【0018】

本発明は、上記に記載のコイル部品と、前記コイル部品が実装されている回路基板と、を備える、電子機器である。

【発明の効果】

【0019】

本発明によれば、樹脂の使用量を低く抑えつつ、信頼性の低下を抑制することができる。

【図面の簡単な説明】

【0020】

【図1】図１は、本願発明の第１の実施形態に係るコイル部品の斜視図である。

【図2】図２（ａ）は、図１のＡ−Ａ断面図、図２（ｂ）は、図２（ａ）の領域Ａの拡大図である。

【図3】図３は、第１の実施形態に係るコイル部品の一部を拡大した断面図である。

【図4】図４（ａ）は、第１の実施形態に係るコイル部品において、樹脂の含侵処理が行われる前の断面図、図４（ｂ）は、樹脂の含侵処理が行われた後の断面図である。

【図5】図５（ａ）は、本願発明の第２の実施形態に係るコイル部品の断面図、図５（ｂ）は、図５（ａ）の領域Ａの拡大図である。

【図6】図６は、第２の実施形態に係るコイル部品の一部を拡大した断面図である。

【図7】図７（ａ）は、第２の実施形態に係るコイル部品において、樹脂の含侵処理が行われる前の断面図、図７（ｂ）は、樹脂の含侵処理が行われた後の断面図である。

【図8】図８は、本願発明の第３の実施形態に係るコイル部品の一部を拡大した断面図である。

【図9】図９は、本願発明の第４の実施形態に係る電子機器を示す斜視図である。

【図10】図１０は、隙間の直径の違いによる樹脂の充填状態の評価結果を示すグラフである。

【発明を実施するための形態】

【0021】

以下、図面を適宜参照しながら、本願発明の実施形態について説明する。但し、本願発明は図示された態様に限定される訳ではない。また、複数の図面において共通する構成要素には当該複数の図面を通じて同一の参照符号が付されている。各図面は、説明の便宜上、必ずしも正確な縮尺で記載されているとは限らない点に留意されたい。

【0022】

［第１の実施形態］
図１は、本願発明の第１の実施形態に係るコイル部品の斜視図である。図２（ａ）は、図１のＡ−Ａ断面図、図２（ｂ）は、図２（ａ）の領域Ａの拡大図である。図２（ｂ）では磁性体層２１及び２２を例に説明するが、その他の磁性体層２３〜２５においても同じである。コイル部品として例えばパワーインダクタに用いられる積層インダクタの場合を例に示す。

【0023】

図１及び図２（ａ）を参照して、コイル部品１００は、基体部１０と、基体部１０に内蔵されたコイル導体３０と、基体部１０の表面に設けられた外部電極５０及び５１と、を備える。基体部１０は概ね直方体の形状に形成されている。コイル部品１００の「長さ」方向、「幅」方向、「厚さ」方向をそれぞれ、「Ｌ」方向、「Ｗ」方向、「Ｔ」方向と図示している。基体部１０は、例えば、長さ寸法（Ｌ軸方向の寸法）が０．６ｍｍ〜４．５ｍｍ、幅寸法（Ｗ軸方向の寸法）が０．３ｍｍ〜３．２ｍｍ、厚さ寸法（Ｔ軸方向の寸法）が０．３ｍｍ〜２．５ｍｍである。

【0024】

基体部１０はカバー層２０、２６と磁性体層２１〜２５とが積層された積層体である。カバー層２０、２６及び磁性体層２１〜２５は、鉄（Ｆｅ）を主成分とする複数の金属磁性粒子と複数の金属磁性粒子の間の隙間に埋め込まれた樹脂とを含んで形成されている。この点については後述する。各磁性体層２１〜２５には導体３１が形成されている。導体３１は磁性体層２１〜２５に埋め込まれ且つ上面が磁性体層２１〜２５の上面と略一致している。

【0025】

各磁性体層２１〜２５に形成された導体３１はビア（不図示）を介して電気的に接続されている。これによりコイル導体３０が形成されている。コイル導体３０は、コイル軸３６の周りを巻回して形成されて、基体部１０に内蔵されている。コイル軸３６はＴ軸方向に延伸している。カバー層２０、２６と磁性体層２１〜２５はＴ軸方向に積層されている。よって、コイル軸３６の方向と、カバー層２０、２６と磁性体層２１〜２５の積層方向と、は概ね一致する。コイル導体３０の一端は外部電極５０に電気的に接続され、コイル導体３０の他端は外部電極５１に電気的に接続されている。導体３１は、導電率の高い金属で形成され、例えば銀（Ａｇ）、パラジウム（Ｐｄ）、銅（Ｃｕ）、アルミニウム（Ａｌ）又はこれらの合金から形成される。

【0026】

図２（ｂ）を参照して、磁性体層２１及び２２は、シート層である第１磁性層４０と、第１磁性層４０上に設けられた導体３１と、第１磁性層４０上にコイル軸３６に直交する方向で導体３１の周り、すなわち導体３１のコイル軸３６側および導体３１のコイル軸３６と反対側に設けられた第２磁性層４１と、を含む。したがって、第１磁性層４０はコイル軸３６に沿った方向で隣り合う導体３１の間に設けられている。第１磁性層４０の厚さは例えば５μｍ〜３０μｍである。導体３１及び第２磁性層４１の厚さは例えば５μｍ〜６０μｍである。

【0027】

図３は、第１の実施形態に係るコイル部品の一部を拡大した断面図である（わかりやすさの都合上、各層の境界を直線で示し、樹脂についても各層の境界部の粒子表面に沿う形ではなく、境界部の直線に沿う形で示している。以下の図も同様）。図３を図２と共に参照して、第１磁性層４０は、コイル軸３６の方向であるＴ方向で導体３１に挟まれた第１領域１１を含み、複数の金属磁性粒子６０を含んで形成されている。第２磁性層４１は、コイル軸３６に直交し、導体３１から内側および外側に、導体３１からＬ方向に複数の金属磁性粒子が４粒並んだ範囲を除いた第２領域を含み、複数の金属磁性粒子６１を含んで形成されている。導体３１から外側の領域は、コイル軸３６に直交する方向であるＬ方向に導体３１と基体部１０の表面１４との間の距離の１／２以上離れ、かつ、導体３１からＬ方向に複数の金属磁性粒子が４粒並んだ範囲を除いた第２領域１２を含む。導体３１から内側の領域は、導体３１から導体３１とコイル軸３６との間のＬ方向の距離の１／２以上離れ、かつ、導体３１からＬ方向に複数の金属磁性粒子が４粒並んだ範囲を除いた第２領域１２ｂ（不図示）を含む。第２領域１２および第２領域１２ｂは、第２領域の内での位置の違い以外は、２つの領域は同じ挙動を示す。このため、本願発明では以下、第２領域の例として、第２領域１２および第２領域１２ｂのうちから、第２領域１２を代表として記載し、第２領域１２ｂをこれに含まれるものとする。金属磁性粒子６０及び６１の表面には絶縁膜が形成されている。絶縁膜としては例えば金属磁性粒子６０及び６１の表面が酸化されることにより形成された酸化膜であってもよい。絶縁膜については図の明瞭化のために図示を省略している。第１磁性層４０において金属磁性粒子６０の間に形成される第１隙間７０に比べ第２磁性層４１において金属磁性粒子６１の間に形成される第２隙間７１は大きい。

【0028】

本願発明においては、様々な形状の隙間の大きさを表すために、隙間の形状を球形状に近似してこの球の直径を用いて表している。隙間が断面視にて表された場合、隙間の形状は円形状に近似されることになり、隙間の大きさはこの円の直径を用いて表される。複数の隙間の大きさについては、その直径の平均径をもって表される。すなわち、第１磁性層４０の複数の第１隙間７０の平均径に比べ、第２磁性層４１の複数の第２隙間７１の平均径は大きくなっている。第１隙間７０及び第２隙間７１の径は、例えば基体部１０の断面を走査型電子顕微鏡により３０００倍〜５０００倍程度で撮影した撮影像から、第１隙間７０及び第２隙間７１の面積を出し、これを同一面積の円形状に近似した場合の直径を算出することで求めることができる。第１隙間７０の平均径及び第２隙間７１の平均径は、例えば数百個（例えば２００個程度）の第１隙間７０及び第２隙間７１の径の平均値から算出することができる。２００個程度の第１隙間７０及び第２隙間７１の平均径を求めることで、第１磁性層４０及び第２磁性層４１の複数の第１隙間７０及び第２隙間７１全体の平均径が定義される。

【0029】

第１隙間７０の平均径に比べ第２隙間７１の平均径を大きくするためには、例えば、図３で示すように、円形状に近似した大きさとして、第１磁性層４０の複数の金属磁性粒子６０の平均径に比べ、第２磁性層４１の複数の金属磁性粒子６１の平均径を大きくすることが挙げられる。金属磁性粒子６０及び６１の粒子径は、例えば基体部１０の断面を走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）により３０００倍〜５０００倍程度で撮影した撮影像により計測することができる。金属磁性粒子６０及び６１の平均径は、例えば数百個（例えば２００個程度）の金属磁性粒子６０及び６１を含む撮影像から求められた粒度分布の５０％値を平均径とすることができる。また、平均径は、２０個〜１００個程度の金属磁性粒子６０及び６１の粒径を計測し、その平均値から算出してもよい。金属磁性粒子６０及び６１が長軸及び短軸を有する形状をしている場合は、長軸寸法Ｌ１と短軸寸法Ｌ２の平均値（Ｌ１＋Ｌ２）／２を金属磁性粒子６０及び６１の粒径としてもよい。長軸は金属磁性粒子６０及び６１の断面にて最大となる径とし、短軸は長軸の長さを二等分した点を含み金属磁性粒子６０及び６１の断面にて最小となる径としてもよい。

【0030】

金属磁性粒子６０及び６１は、例えば鉄を主成分とする軟磁性粒子であり、合金粒子であってもよいし、純鉄粒子であってもよい。複数の金属磁性粒子６０は同種且つ同組成の磁性粒子である。複数の金属磁性粒子６１は同種且つ同組成の磁性粒子である。金属磁性粒子６０と金属磁性粒子６１は同種且つ同組成の磁性粒子であってもよい。鉄を主成分とするとは、金属磁性粒子６０及び６１を構成する元素の合計量に対する鉄の割合が５０ｗｔ％（重量パーセント）以上の場合であり、８０ｗｔ％以上の場合でもよく、９０ｗｔ％以上の場合でもよい。例えば、金属磁性粒子６０及び６１は、鉄とシリコンを含む合金粒子であってもよいし、鉄と鉄よりもイオン化傾向が大きい（鉄よりも酸化し易い）１種類以上の金属元素Ｍとを含む合金粒子であってもよい。金属元素Ｍとして、例えばクロム（Ｃｒ）、アルミニウム（Ａｌ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、チタン（Ｔｉ）、及びマンガン（Ｍｎ）等が挙げられる。一例として、金属磁性粒子６０及び６１は、鉄とシリコンと鉄よりもイオン化傾向が大きい１種類以上の金属元素Ｍ（例えばクロム及びアルミニウムの少なくとも一方）との合金粒子であってもよい。鉄の割合は８５ｗｔ％〜９９ｗｔ％、シリコンの割合は０．５ｗｔ％〜７ｗｔ％、金属元素Ｍの割合は０．５ｗｔ％〜８ｗｔ％であってもよい。金属磁性粒子６０及び６１は、酸素（Ｏ）及び／又は炭素（Ｃ）等の意図しない不純物を含んでいてもよい。不純物の割合は１ｗｔ％以下であってもよい。また、金属磁性粒子６０及び６１は、コバルト（Ｃｏ）、ニッケル（Ｎｉ）、銅（Ｃｕ）、硫黄（Ｓ）、リン（Ｐ）、及び／又はホウ素（Ｂ）等を含んでいてもよい。金属磁性粒子６０及び６１の組成比は、例えば基体部１０の断面を走査型電子顕微鏡により３０００倍から２００００倍程度で撮影し、エネルギー分散型Ｘ線分析（ＥＤＳ）によるＺＡＦ法で算出することができる。

【0031】

金属磁性粒子６０の間の第１隙間７０及び金属磁性粒子６１の間の第２隙間７１の少なくとも一部には樹脂５２が充填されている。すなわち、第１磁性層４０は、第１隙間７０が樹脂５２で埋められた充填部７４ａと、第１隙間７０が樹脂５２で埋められていない非充填部７４ｂと、を含む。第２磁性層４１は、第２隙間７１が樹脂５２で埋められた充填部７５ａと、第２隙間７１が樹脂５２で埋められていない非充填部７５ｂと、を含む。第１隙間７０、第２隙間７１は、それぞれ第１磁性層４０、第２磁性層４１の内部に複数存在し、部分的につながり、一部は基体部１０の表面まで空隙がつながっている。この空隙を通して、樹脂５２は含侵処理によって充填される。ここで、第１磁性層４０における第１隙間７０の平均径に比べ第２磁性層４１における第２隙間７１の平均径が大きいため、樹脂５２は含侵処理時、つながった空隙を通り、より狭い第１隙間７０から優先的に充填されるようになる。第１磁性層４０の第１隙間７０への樹脂５２の充填率は、第２磁性層４１の第２隙間７１への樹脂５２の充填率よりも高くなる。円形状に近似した大きさとして、第１磁性層４０の非充填部７４ｂの平均径より第２磁性層４１の非充填部７５ｂの平均径は大きい。充填部及び非充填部の平均径は上述した隙間の平均径と同じ方法によって求めることができる。

【0032】

樹脂５２の充填率とは、第１磁性層４０の複数の第１隙間７０のうち樹脂５２で充填されている第１隙間７０の体積の割合及び第２磁性層４１の複数の第２隙間７１のうち樹脂５２で充填されている第２隙間７１の体積の割合である。例えば、２００個程度の第１隙間７０のうち樹脂５２で充填された第１隙間７０の体積の割合及び２００個程度の第２隙間７１のうち樹脂５２で充填された第２隙間７１の体積の割合で求めることができる。第１磁性層４０の第１隙間７０への樹脂５２の充填率は９０ｖｏｌ％以上となり、第２磁性層４１の第２隙間７１への樹脂５２の充填率は８０ｖｏｌ％以下となっている。第１隙間７０及び第２隙間７１に樹脂５２が充填されているか否かは、例えば基体部１０の断面を走査型電子顕微鏡により１０００倍〜５０００倍程度で撮影した撮影像においてコントラスト（明度）の違いとして認識できる。第１隙間７０及び第２隙間７１の各々の体積は、例えば基体部１０の断面を走査型電子顕微鏡により３０００倍〜５０００倍程度で撮影した撮影像から、第１隙間７０及び第２隙間７１をその面積と同じ面積の円形状に近似した場合の直径を算出し、それをもとに第１隙間７０及び第２隙間７１を球形に近似した体積を算出することで求めることができる。

【0033】

樹脂５２として例えば有機樹脂又はシリコーン樹脂等が挙げられる。例えば、樹脂５２は、シリコーン系樹脂、エポキシ系樹脂、アクリル系樹脂、フェノール系樹脂、イミド系樹脂、アミド系樹脂、シリケート系樹脂、ウレタン系樹脂、ポリエステル系樹脂、及びポリエチレン系樹脂のうち少なくとも１種を用いることができる。

【0034】

［製造方法］
第１の実施形態のコイル部品の製造方法の一例を説明する。まず、例えばポリエチレンテレフタレートフィルム（ＰＥＴフィルム）等のフィルム上に、例えばドクターブレード法等によって金属磁性粒子６０を含む磁性体ペーストを塗布し、これを熱風乾燥機等の乾燥機で乾燥させることで第１磁性層４０を形成する。必要に応じて第１磁性層４０の所定の位置に例えばレーザを用いて貫通孔を形成する。第１磁性層４０上に例えばスクリーン印刷等の印刷法によって銀ペースト又は銅ペースト等の導体ペーストを塗布し、これを熱風乾燥機等の乾燥機で乾燥させることで導体３１の前駆体を形成する。第１磁性層４０上に例えばスクリーン印刷等の印刷法によって金属磁性粒子６１を含む磁性体ペーストを塗布し、これを乾燥機で乾燥させることで導体３１の前駆体の周りに第２磁性層４１を形成する。その後、フィルムを剥離する。これにより磁性体層２１〜２５が形成される。

【0035】

ＰＥＴフィルム等のフィルム上に例えばドクターブレード法等によって金属磁性粒子６１を含む磁性体ペーストを塗布し、これを乾燥機で乾燥させて磁性層を形成した後にフィルムを剥離する。これにより、カバー層２０が形成される。

【0036】

ＰＥＴフィルム等のフィルム上に例えばドクターブレード法等によって金属磁性粒子６０を含む磁性体ペーストを塗布し、これを乾燥機で乾燥させて下側磁性層を形成する。下側磁性層上に例えばスクリーン印刷等の印刷法によって金属磁性粒子６１を含む磁性体ペーストを塗布し、これを乾燥機で乾燥させることで上側磁性層を形成する。その後フィルムを剥離する。これにより、カバー層２６が形成される。

【0037】

磁性体層とカバー層を所定の順序で積層して圧着する。圧着した磁性体層及びカバー層をチップ単位に切断した後、酸素を含む雰囲気下で所定温度（例えば６００℃〜９００℃）にて熱処理を行う。この熱処理によって、磁性体層及びカバー層を構成する金属磁性粒子の表面に金属磁性粒子の材料成分の酸化物である絶縁膜が形成され、且つ、複数の金属磁性粒子が絶縁膜を介して互いに結合する。これにより、磁性体層２１〜２５とカバー層２０、２６が積層され、コイル導体３０が内蔵された基体部１０が形成される。複数の金属磁性粒子の間には隙間が形成されている。第１磁性層４０は複数の金属磁性粒子６０を含み、複数の金属磁性粒子６０の間に第１隙間７０が形成される。第２磁性層４１は複数の金属磁性粒子６１を含み、複数の金属磁性粒子６１の間に第２隙間７１が形成される。金属磁性粒子６０及び６１の表面には酸化膜が形成されている。第１磁性層４０において金属磁性粒子６０の間に形成される第１隙間７０に比べ第２磁性層４１において金属磁性粒子６１の間に形成される第２隙間７１は大きい。すなわち、第１磁性層４０の複数の第１隙間７０の平均径に比べ、第２磁性層４１の複数の第２隙間７１の平均径は大きくなっている。

【0038】

液体状態の樹脂材料又は樹脂材料の溶液等といった樹脂材料の液状物に基体部１０を浸漬したり、又は樹脂材料の液状物を基体部１０の表面に塗布したりすることで、基体部１０内の金属磁性粒子間の隙間に樹脂を充填させる含侵処理を行う。その後、基体部１０の表面に、例えばペースト印刷、めっき、又はスパッタリング等の薄膜プロセルで用いられる方法によって外部電極５０、５１を形成する。含侵処理を行わずに外部電極５０、５１を形成した後に、基体部１０内の金属磁性粒子間の隙間に樹脂を充填させる含侵処理を行ってもよい。

【0039】

図４（ａ）は、第１の実施形態に係るコイル部品において、樹脂の含侵処理が行われる前の断面図、図４（ｂ）は、樹脂の含侵処理が行われた後の断面図である。図４（ａ）及び図４（ｂ）を参照して、樹脂５２の含侵処理が行われることで、第１磁性層４０の第１隙間７０と第２磁性層４１の第２隙間７１に樹脂５２が充填される。上述したように、第１隙間７０の平均径が第２隙間７１の平均径よりも小さいため、樹脂５２はより小さい第１隙間７０に優先的に充填される。このため、第１磁性層４０の第１隙間７０が空隙のまま残存している割合は第２磁性層４１の第２隙間７１が空隙のまま残存している割合に比べて小さくなる。したがって、第１磁性層４０の第１隙間７０の樹脂５２の充填率は第２磁性層４１の第２隙間７１の樹脂５２の充填率よりも高くなる。言い換えると、第１磁性層４０での充填部７４ａの割合は第２磁性層４１での充填部７５ａの割合よりも高くなる。充填部の割合と隙間への樹脂の充填率とは同じである。

【0040】

図３を参照して、第１磁性層４０はコイル軸３６の方向であるＴ方向で隣り合う導体３１の間に設けられていることから、コイル軸３６の方向で導体３１に挟まれた基体部１０の第１領域１１は第１磁性層４０で形成されている。第２磁性層４１はコイル軸３６に直交する方向であるＬ方向で導体３１の周りに設けられていることから、導体３１からコイル軸３６に直交する方向に導体３１と基体部１０の表面１４との距離の１／２以上離れ、かつ、導体３１からＬ方向に複数の金属磁性粒子が４粒並んだ範囲を除いた基体部１０の第２領域１２は第２磁性層４１で形成されている。第１実施形態の変形例として、図３では、第１磁性層４０は第１領域１１とその他の領域からなるが、これを、第１磁性層４０は第１領域１１のみからなり残りを異なる磁性層とすることもできる。この場合でも、第１領域１１と第２領域１２は第１の実施形態と同様であるから、同じ作用効果を示す。第２領域１２は前述したとおり第２領域１２ｂであってもよい。

【0041】

第１の実施形態によれば、図３のように、コイル軸３６に沿った基体部１０の断面において、導体３１の間に挟まれて、導体３１に直接接触している基体部１０の第１領域１１において、第１隙間７０が樹脂５２で埋め込まれている充填部７４ａの割合は９０ｖｏｌ％以上となっている。隣り合う又は近接する複数の第１隙間７０が連続し、これが基体部１０の表面まで連続する場合、この複数の第１隙間７０はオープンポアを形成する。しかし、第１の実施形態によれば、複数の第１隙間７０のうち樹脂５２で埋め込まれている充填部７４ａの割合が９０ｖｏｌ％以上であるから、樹脂５２の埋め込まれている第１隙間７０が、その連続している複数の第１隙間７０のうちで、１つでも存在する割合は非常に高くなる。このことは、複数の樹脂５２の埋め込まれていない非充填部７４ｂが連続することにより発生するオープンポアの生成が抑制されていることになる。基体部１０の第１領域１１は導体３１に挟まれて位置し導体３１に直接接触しているため、導体３１を構成する銀又は銅等の導体金属がオープンポアを通して基体部１０の外部の大気に接することを抑制できる。これにより、外部から大気中の酸素や水分が侵入し、導体３１を構成する銀又は銅等の導体金属に腐食及び／又はマイグレーションが発生することを効果的に抑制できる。

【0042】

さらに、導体３１を構成する銀又は銅等の導体金属は、金属磁性粒子６０に比べて、イオン化傾向が高いことから、導体３１を構成する銀又は銅等の導体金属がイオン化し易くマイグレーションを発生させるが、非金属である樹脂５２は導体３１を構成する銀又は銅等の導体金属をイオン化しないので、マイグレーションを発生させ難い。基体部１０の第１領域１１は、導体３１に挟まれて位置するため、コイル部品の使用時の通電に伴い、その挟まれた導体３１同士に電位差が発生する領域である。この電位差により、導体３１を構成する銀又は銅等の導体金属がイオン化し易くなるので、第１領域１１は基体部１０の他の領域に比べるとマイグレーションが発生し易い。このため、マイグレーションの発生し易い基体部１０の第１領域１１において、複数の第１隙間７０の大部分に樹脂５２が埋め込まれていることによって、マイグレーションの発生を効果的に抑制することができ、効果的にコイル部品の信頼性の低下を抑制できる。すなわち、基体部１０の第１領域１１に存在する複数の第１隙間７０のうち樹脂５２が埋め込まれた充填部７４ａの割合は、これを高くすることで、マイグレーションが発生することを効果的に抑制でき、コイル部品の信頼性の低下を抑制できる。このように、オープンポアの生成を抑制し、腐食及び／又はマイグレーションの発生を抑えて信頼性の低下を抑制するために、樹脂５２の充填率は高い方が好ましい。そこで、基体部１０の第１領域１１に存在する複数の第１隙間７０のうち樹脂５２が埋め込まれた充填部７４ａの割合を９０ｖｏｌ％以上とする。これにより、信頼性の低下を抑制することができる。

【0043】

コイル軸３６に沿った基体部１０の断面において、導体３１からコイル軸３６に直交する方向に、複数の金属磁性粒子が４粒並んだ範囲を除き、導体３１からコイル軸３６に直交する方向に導体３１と基体部１０の表面１４との距離の１／２以上離れた基体部１０の第２領域１２に存在する複数の第２隙間７１のうち樹脂５２が埋め込まれた充填部７５ａの割合は８０ｖｏｌ％以下となっている。第２領域１２は前述したとおり第２領域１２ｂであってもよい。基体部１０の第２領域１２は導体３１に直接接触せずに、離れているため、樹脂５２の充填率が高くても導体３１の腐食及び／又はマイグレーションの発生を抑える効果は小さい。すなわち基体部１０の第１領域１１の第１隙間７０が樹脂５２に高い割合で埋め込まれてさえいれば、基体部１０の第２領域１２の第２隙間７１は樹脂５２に埋め込まれている割合を低くすることができる。樹脂５２の使用量を低く抑えることは環境負荷を小さくすることであり、そのためには、基体部１０の第２領域１２においては樹脂５２の充填率は低い方が好ましい。そこで、基体部１０の第２領域１２に存在する複数の第２隙間７１のうち樹脂５２が埋め込まれた充填部７５ａの割合を８０ｖｏｌ％以下とする。これにより、従来、基体部の全ての隙間部分に一律に樹脂を含侵させている場合に比べて、樹脂５２の使用量を低く抑えて環境負荷を小さくすることができる。

【0044】

信頼性の低下を抑制する点から、基体部１０の第１領域１１の複数の第１隙間７０のうち樹脂５２が埋め込まれた充填部７４ａの割合は、９２ｖｏｌ％以上である場合が好ましく、９４ｖｏｌ％以上である場合がより好ましく、９６ｖｏｌ％以上である場合が更に好ましい。一方、環境負荷を小さくする点から、基体部１０の第２領域１２の複数の第２隙間７１のうち樹脂５２が埋め込まれた充填部７５ａの割合は、５０ｖｏｌ％以下の場合が好ましく、４０ｖｏｌ％以下の場合がより好ましく、３０ｖｏｌ％以下の場合が更に好ましい。

【0045】

コイル軸３６に沿った基体部１０の断面において、基体部１０の第１領域１１における複数の第１隙間７０の平均径より基体部１０の第２領域１２における複数の第２隙間７１の平均径は大きい場合が好ましい。これにより、樹脂５２はより小さな第１隙間７０に優先的に充填されるため、基体部１０の第１領域１１の充填部７４ａの割合を９０ｖｏｌ％以上とし、基体部１０の第２領域１２の充填部７５ａの割合を８０ｖｏｌ％以下にすることができる。この点から、第１隙間７０の平均径に比べ、第２隙間７１の平均径は１．５倍以上が好ましく、２倍以上がより好ましく、３倍以上が更に好ましい。第１隙間７０に優先的に樹脂５２が充填することから、コイル軸３６に沿った基体部１０の断面において、円形状に近似した大きさとして、第１領域１１の非充填部７４ｂの平均径より第２領域１２の非充填部７５ｂの平均径は大きいことが好ましく、１．５倍以上大きいことがより好ましく、２倍以上大きいことが更に好ましく、３倍以上が更により好ましい。

【0046】

通常の樹脂含侵の場合、硬化前の樹脂の溶液の粘度が低いと、濡れ性は良くなるが、隙間の内部の容積を全て埋めきれず、隙間に壁面部のみに樹脂が存在することになり、充填性に劣ってしまう。逆に、硬化前の樹脂の溶液の粘度が高い場合、濡れ性が劣化することにより、やはり隙間への充填性に劣ってしまう。このため隙間を埋めるための樹脂の粘度及び濡れ性は自ずとある範囲に収まるようになり、また、これを用いる場合の隙間の大きさの範囲も自ずとある範囲に決まってくるようになる。これは硬化前の樹脂の溶液の粘度や濡れ性が最適範囲でありさえすれば樹脂の種類にはよらない。例えば、基体部１０の第１領域１１における複数の第１隙間７０は円形状に近似した場合の直径が０．８μｍ以下である場合が好ましい。複数の第１隙間７０の直径が０．８μｍ以下とは、複数の第１隙間７０のうち９５％以上の隙間の直径が０．８μｍ以下であればよく、９９％以上の隙間の直径が０．８μｍ以下の場合が好ましい。上述のような樹脂５２を用いて第１隙間７０を埋める場合、後述のように０．８μｍを超えると第１隙間７０を９０ｖｏｌ％以上埋めきれなくなる。基体部１０の第１領域１１における複数の第１隙間７０と基体部１０の第２領域１２における複数の第２隙間７１が同時に存在しても、第１隙間７０の大きさに対して第２隙間７１の大きさが大きいことにより、第１隙間７０に樹脂５２が優先的に充填され、第１領域１１の充填部７４ａの割合を９０ｖｏｌ％以上とすることができる。したがって、コイル軸３６に沿った基体部１０の断面において、第１領域１１の充填部７４ａの平均径は０．８μｍ以下である場合が好ましい。

【0047】

コイル軸３６に沿った基体部１０の断面において、円形状に近似した大きさとして、基体部１０の第１領域１１の金属磁性粒子６０の平均径より基体部１０の第２領域１２の金属磁性粒子６１の平均径は大きい場合が好ましい。これは、基体部１０の第１領域１１の第１隙間７０の平均径に比べ基体部１０の第２領域１２の第２隙間７１の平均径を大きくすることができる一つの好適例である。よって、基体部１０の第１領域１１の充填部７４ａの割合を９０ｖｏｌ％以上とし、基体部１０の第２領域１２の充填部７５ａの割合を８０ｖｏｌ％以下にすることができる。基体部１０の第２領域１２において充填部７５ａの割合を低くして環境負荷を改善する点から、金属磁性粒子６０の平均径に比べ、金属磁性粒子６１の平均径は１．５倍以上が好ましく、２倍以上が好ましく、２．５倍以上がより好ましく、３倍以上が更に好ましい。

【0048】

第１隙間７０の平均径に比べ第２隙間７１の平均径を大きくする方法は、第１磁性層４０の金属磁性粒子６０の平均径に比べ、第２磁性層４１の金属磁性粒子６１の平均径を大きくする以外の方法で行ってもよい。例えば、第１磁性層４０に含まれる金属磁性粒子の変形強度を第２磁性層４１に含まれる金属磁性粒子の変形強度より小さくしてもよい。例えば、第１磁性層４０の金属磁性粒子の組成はクロム：１．５ｗｔ％、シリコン：３．５ｗｔ％、鉄：９５ｗｔ％とし、第２磁性層４１の金属磁性粒子の組成はクロム：１．５ｗｔ％、シリコン：６．５ｗｔ％、鉄：９２ｗｔ％とする。この場合、第１磁性層４０の金属磁性粒子の平均径は、前記第２磁性層４１の金属磁性粒子の平均径と同じであってもよいし、小さい場合でもよいし、大きい場合でもよい。

【0049】

このように、基体部１０の第１領域１１の金属磁性粒子（第１磁性層４０の金属磁性粒子）の変形強度を基体部１０の第２領域１２の金属磁性粒子（第２磁性層４１の金属磁性粒子）の変形強度より小さくしてもよい。この場合、圧着工程において基体部１０の第１領域１１の金属磁性粒子は基体部１０の第２領域１２の金属磁性粒子よりも潰れ易くなり、基体部１０の第１領域１１の第１隙間７０の平均径が基体部１０の第２領域１２の第２隙間７１の平均径よりも小さくなる。よって、基体部１０の第１領域１１での充填部７４ａの割合を９０ｖｏｌ％以上とし、基体部１０の第２領域１２での充填部７５ａの割合を８０ｖｏｌ％以下にすることができ、樹脂５２の使用量を低く抑えつつ、信頼性の低下を抑制できる。ここで用いる変形強度とは、金属磁性粒子が圧縮される場合の変形に要する強度を表す。金属磁性粒子の変形強度は、当該金属磁性粒子の変形のし難さを表す指標であり、例えば、ＪＩＳ Ｚ ８８４４：２０１９に従って測定される。金属磁性粒子の変形強度は、例えば株式会社島津製作所製の微小圧縮試験機（ＭＣＴ−２１１型）を用いて測定することができる。なお、変形強度は、塑性変形が起こる場合の変形強度を意味してもよく、弾性変形が起こる場合の変形強度を意味してもよい。

【0050】

第１隙間７０の平均径に比べ第２隙間７１の平均径を大きくすることを、第１磁性層４０の形成に用いる磁性体ペースト中のバインダー量を第２磁性層４１の形成に用いる磁性体ペースト中のバインダー量よりも少なくすることで行ってもよい。この場合、第１磁性層４０の金属磁性粒子の平均径は、第２磁性層４１の金属磁性粒子の平均径と同じであってもよいし、異なっていてもよい。第１磁性層４０の形成に用いる磁性体ペースト中のバインダー量を第２磁性層４１の形成に用いる磁性体ペースト中のバインダー量よりも少なくすることで、バインダーは熱処理によって除去されることから、第１磁性層４０の第１隙間７０は第２磁性層４１の第２隙間７１よりも小さくなる。すなわち、基体部１０の第１領域１１の第１隙間７０の平均径に比べて基体部１０の第２領域１２の第２隙間７１の平均径が大きくなる。よって、基体部１０の第１領域１１での充填部７４ａの割合を９０ｖｏｌ％以上とし、基体部１０の第２領域１２での充填部７５ａの割合を８０ｖｏｌ％以下にすることができ、樹脂５２の使用量を低く抑えつつ、信頼性の低下を抑制できる。

【0051】

［第２の実施形態］
図５（ａ）は、本願発明の第２の実施形態に係るコイル部品の断面図、図５（ｂ）は、図５（ａ）の領域Ａの拡大図である。図５（ｂ）では、磁性体層２１ａ及び２２ａを例に説明するが、その他の磁性体層２３ａ〜２５ａにおいても同じである。図５（ａ）及び図５（ｂ）を参照して、磁性体層２１ａ及び２２ａは、第１磁性層４０と、第１磁性層４０上に設けられた導体３１と、第１磁性層４０上にコイル軸３６に直交する方向で導体３１の周り、すなわち導体３１の内側と外側、すなわちコイル軸３６側およびコイル軸３６と反対側に設けられた第３磁性層４２と、第３磁性層４２を挟んで導体３１とは反対側に設けられた第２磁性層４１と、を含む。

【0052】

図６は、第２の実施形態に係るコイル部品の一部を拡大した断面図である。図６を参照して、第１磁性層４０は、第１の実施形態と同じくコイル軸３６の方向であるＴ方向で導体３１に挟まれた第１領域１１を含み、複数の金属磁性粒子６０を含んで形成されている。第２磁性層４１は、第１の実施形態と同じく複数の金属磁性粒子６１を含んで形成されている。第３磁性層４２は複数の金属磁性粒子６２を含んで形成されている。第３磁性層４２は、導体３１からコイル軸３６に直交する方向であるＬ方向に金属磁性粒子６２が４粒以上並んで設けられていて、導体３１からコイル軸３６に直交する方向であるＬ方向に金属磁性粒子６２が４粒並んだ範囲内に位置する第３領域１３を含む。導体３１からコイル軸３６に直交する方向に導体３１と基体部１０の表面との間の距離の１／２以上離れ、第３磁性層４２に含まれない箇所は第２磁性層４１の第２領域１２となっている。第２領域１２は前述したとおり第２領域１２ｂであってもよい。

【0053】

複数の金属磁性粒子６０の間の第１隙間７０の平均径及び複数の金属磁性粒子６２の間の第３隙間７２の平均径の双方に比べ、複数の金属磁性粒子６１の間の第２隙間７１の平均径はどちらに対しても大きい。このため、樹脂５２はより狭い第１隙間７０及び第３隙間７２に優先的に充填される。すなわち、第１磁性層４０は、第１隙間７０が樹脂５２で埋められた充填部７４ａと、第１隙間７０が樹脂５２で埋められていない非充填部７４ｂと、を含む。第２磁性層４１は、第２隙間７１が樹脂５２で埋められた充填部７５ａと、第２隙間７１が樹脂５２で埋められていない非充填部７５ｂと、を含む。第３磁性層４２は、第３隙間７２が樹脂５２で埋められた充填部７６ａと、第３隙間７２が樹脂５２で埋められていな非充填部７６ｂと、を含む。第１磁性層４０の第１隙間７０及び第３磁性層４２の第３隙間７２の樹脂５２の充填率は、第２磁性層４１の第２隙間７１の樹脂５２の充填率よりも高くなっている。第１磁性層４０の第１隙間７０及び第３磁性層４２の第３隙間７２の樹脂５２の充填率は９０ｖｏｌ％以上となり、第２磁性層４１の第２隙間７１の樹脂５２の充填率は８０ｖｏｌ％以下となっている。

【0054】

金属磁性粒子６２は、金属磁性粒子６０及び６１と同じく、例えば鉄を主成分とする軟磁性粒子であり、合金粒子であってもよいし、純鉄粒子であってもよい。複数の金属磁性粒子６２は同種且つ同組成の磁性粒子である。金属磁性粒子６０〜６２は同種且つ同組成の磁性粒子であってもよい。複数の金属磁性粒子６０の平均径及び複数の金属磁性粒子６２の平均径の双方に比べ、複数の金属磁性粒子６１の平均径はどちらに対しても大きい。複数の金属磁性粒子６０の平均径と複数の金属磁性粒子６２の平均径は同じであってもよいし異なっていてもよい。同じには製造誤差程度に異なる場合も含まれる（以下においても同じ）。第２の実施形態に係るコイル部品のその他の構成は第１の実施形態に係るコイル部品と同じであるため説明を省略する。第２実施形態の変形例として、図６では、第１磁性層４０は第１領域１１とその他の領域からなるが、これを、第１磁性層４０は第１領域１１のみからなり残りを異なる磁性層とすることもできる。この場合でも、第１領域１１と第２領域１２及び第３領域１３は第２実施形態と同様であるから、同じ作用効果を示す。第２領域１２は前述したとおり第２領域１２ｂであってもよい。

【0055】

［製造方法］
第２の実施形態のコイル部品の製造方法の一例を説明する。まず、ＰＥＴフィルム等のフィルム上に、例えばドクターブレード法等によって金属磁性粒子６０を含む磁性体ペーストを塗布し、これを熱風乾燥機等の乾燥機で乾燥させることで第１磁性層４０を形成する。必要に応じて第１磁性層４０の所定の位置に例えばレーザを用いて貫通孔を形成する。第１磁性層４０上に例えばスクリーン印刷等の印刷法によって銀ペースト又は銅ペースト等の導体ペーストを塗布し、これを熱風乾燥機等の乾燥機で乾燥させることで導体３１の前駆体を形成する。第１磁性層４０上に例えばスクリーン印刷等の印刷法によって金属磁性粒子６２を含む磁性体ペーストを塗布し、これを乾燥機で乾燥させることで導体３１の前駆体の周りに第３磁性層４２を形成する。第１磁性層４０上に例えばスクリーン印刷等の印刷法によって金属磁性粒子６１を含む磁性体ペーストを塗布し、これを乾燥機で乾燥させることで第３磁性層４２の周りに第２磁性層４１を形成する。その後、フィルムを剥離する。これにより磁性体層２１ａ〜２５ａが形成される。磁性体層２１ａ〜２５ａを形成する工程以外は、第１の実施形態の製造方法で説明した工程と同じであるため説明を省略する。

【0056】

図７（ａ）は、第２の実施形態に係るコイル部品において、樹脂の含侵処理が行われる前の断面図、図７（ｂ）は、樹脂の含侵処理が行われた後の断面図である。図７（ａ）及び図７（ｂ）を参照して、樹脂５２の含侵処理が行われることで、第１磁性層４０の第１隙間７０と第２磁性層４１の第２隙間７１と第３磁性層４２の第３隙間７２とにおいて少なくとも一部に樹脂５２が充填される。上述したように、第１磁性層４０の第１隙間７０及び第３磁性層４２の第３隙間７２の平均径の双方に比べ、第２磁性層４１の第２隙間７１の平均径はどちらに対しても大きい。このために、樹脂５２は第１磁性層４０の第１隙間７０及び第３磁性層４２の第３隙間７２に優先的に充填される。よって、第１磁性層４０の第１隙間７０及び第３磁性層４２の第３隙間７２が空隙のまま残存している割合は、第２磁性層４１の第２隙間７１が空隙のまま残存している割合よりも小さくなる。したがって、第１磁性層４０の第１隙間７０及び第３磁性層４２の第３隙間７２の樹脂５２の充填率は、第２磁性層４１の第２隙間７１の樹脂５２の充填率よりも高くなる。言い換えると、第１磁性層４０での充填部７４ａの割合及び第３磁性層４２での充填部７６ａの割合は第２磁性層４１での充填部７５ａの割合よりも高くなる。

【0057】

図６を参照して、コイル軸３６の方向であるＴ方向で導体３１に挟まれた基体部１０の第１領域１１は第１磁性層４０で形成されている。導体３１からコイル軸３６に直交する方向であるＬ方向に金属磁性粒子６２が４粒並んだ範囲内に位置する基体部１０の第３領域１３は第３磁性層４２で形成されている。導体３１からコイル軸３６に直交する方向であるＬ方向に導体３１と基体部１０の表面との距離の１／２以上離れ、第３磁性層４２に含まれない基体部１０の第２領域１２は第２磁性層４１で形成されている。

【0058】

第２の実施形態によれば、コイル軸３６に沿った基体部１０の断面において、基体部１０の第１領域１１の複数の第１隙間７０のうち樹脂５２が埋め込まれた充填部７４ａの割合は９０ｖｏｌ％以上となっていることに加え、基体部１０の第３領域１３の複数の第３隙間７２のうち樹脂５２が埋め込まれた充填部７６ａの割合は９０ｖｏｌ％以上となっている。基体部１０の第１領域１１及び第３領域１３は導体３１近傍に位置するため、第１領域１１の充填部７４ａの割合及び第３領域１３の充填部７６ａの割合を９０ｖｏｌ％以上とすることで、導体３１の腐食及び／又はマイグレーションの発生が抑えられ、信頼性の低下を抑制することができる。基体部１０の第２領域１２の複数の第２隙間７１のうち樹脂５２が埋め込まれた充填部７５ａの割合は８０ｖｏｌ％以下となっている。基体部１０の第２領域１２は導体３１から離れているために導体３１の腐食及び／又はマイグレーションの発生を抑える効果は小さいことから、第２領域１２の充填部７５ａの割合を８０ｖｏｌ％以下にすることで、樹脂５２の使用量が低減されて環境負荷を小さくすることができる。

【0059】

コイル軸３６に沿った基体部１０の断面において、基体部１０の第１領域１１における複数の第１隙間７０の平均径及び第３領域１３における複数の第３隙間７２の平均径に比べ、基体部１０の第２領域１２における複数の第２隙間７１の平均径は大きい場合が好ましい。これにより、樹脂５２はより小さな第１隙間７０及び第３隙間７２に優先的に充填されるため、基体部１０の第１領域１１の充填部７４ａの割合及び第３領域１３の充填部７６ａの割合を９０ｖｏｌ％以上とし、基体部１０の第２領域１２の充填部７５ａの割合を８０ｖｏｌ％以下にすることができる。この点から、第１隙間７０及び第３隙間７２の平均径に比べ、第２隙間７１の平均径は１．５倍以上が好ましく、２倍以上がより好ましく、３倍以上が更に好ましい。第１隙間７０及び第３隙間７２に優先的に樹脂５２が充填することから、コイル軸３６に沿った基体部１０の断面において、円形状に近似した大きさとして、第１領域１１の非充填部７４ｂの平均径及び第３領域１３の非充填部７６ｂの平均径より第２領域１２の非充填部７５ｂの平均径は大きいことが好ましく、１．５倍以上大きいことがより好ましく、２倍以上大きいことが更に好ましく、３倍以上が更により好ましい。

【0060】

コイル軸３６に沿った基体部１０の断面において、第３領域１３の複数の第３隙間７２は円形状に近似した場合の直径が０．８μｍ以下である場合が好ましい。複数の第３隙間７２の直径が０．８μｍ以下とは、複数の第３隙間７２のうち９５％以上の隙間の直径が０．８μｍ以下であればよく、９９％以上の隙間の直径が０．８μｍ以下の場合が好ましい。これにより、第３隙間７２に樹脂５２が優先的に充填され、第３領域１３の充填部７６ａの割合を９０ｖｏｌ％以上とすることができる。したがって、コイル軸３６に沿った基体部１０の断面において、第３領域１３の充填部７６ａの平均径は０．８μｍ以下である場合が好ましい。

【0061】

コイル軸３６に沿った基体部１０の断面において、円形状に近似した大きさとして、基体部１０の第１領域１１の金属磁性粒子６０の平均径及び第３領域１３の金属磁性粒子６２の平均径は、第２領域１２の金属磁性粒子６１の平均径よりも小さい場合が好ましい。これにより、基体部１０の第１領域１１の第１隙間７０の平均径及び基体部１０の第３領域１３の第３隙間７２の平均径を基体部１０の第２領域１２の第２隙間７１の平均径よりも小さくすることができる。よって、基体部１０の第１領域１１の充填部７４ａの割合及び第３領域１３の充填部７６ａの割合を９０ｖｏｌ％以上とし、基体部１０の第２領域１２の充填部７５ａの割合を８０ｖｏｌ％以下にすることができる。基体部１０の第２領域１２の充填部７５ａの割合を低くして環境負荷を改善する点から、金属磁性粒子６０の平均径及び金属磁性粒子６２の平均径に比べ、金属磁性粒子６１の平均径は１．５倍以上が好ましく、２倍以上が好ましく、２．５倍以上がより好ましく、３倍以上が更に好ましい。

【0062】

［第３の実施形態］
図８は、本願発明の第３の実施形態に係るコイル部品の一部を拡大した断面図である。図８を参照して、第３の実施形態のコイル部品では、第１磁性層４０ａは複数の金属磁性粒子６３と複数の金属磁性粒子６３よりも平均径が小さい複数の金属磁性粒子６４とを含む。第２磁性層４１は第１の実施形態と同じく複数の金属磁性粒子６１を含む。複数の金属磁性粒子６４の平均径は複数の金属磁性粒子６１の平均径よりも小さい。複数の金属磁性粒子６３の平均径は、複数の金属磁性粒子６１の平均径より小さい場合でもよいし、大きい場合でもよいし、同じ場合でもよい。

【0063】

第１磁性層４０ａはコイル軸３６に沿った方向であるＴ方向に隣り合う導体３１の間に設けられていることから、コイル軸３６の方向で導体３１に挟まれた基体部１０の第１領域１１は第１磁性層４０ａで形成されている。第２磁性層４１はコイル軸３６に直交する方向で導体３１の周りに設けられていることから、導体３１からコイル軸３６に直交する方向に導体３１と基体部１０の表面１４との距離の１／２以上離れ、かつ、導体３１からＬ方向に複数の金属磁性粒子が４粒並んだ範囲を除いた基体部１０の第２領域１２は第２磁性層４１で形成されている。第２領域１２は前述したとおり第２領域１２ｂであってもよい。第３実施形態の変形例として、図８では、第１磁性層４０ａは第１領域１１とその他の領域からなるが、これを、第１磁性層４０ａは第１領域１１のみからなり残りを異なる磁性層とすることもできる。この場合でも、第１領域１１と第２領域１２は第３の実施形態と同様であるから、同じ作用効果を示す。

【0064】

複数の金属磁性粒子６３及び複数の金属磁性粒子６４の間の第１隙間７０の平均径に比べ、複数の金属磁性粒子６１の間の第２隙間７１の平均径は大きい。このため、樹脂５２はより狭い第１隙間７０に優先的に充填されるようになり、第１磁性層４０ａの第１隙間７０の樹脂５２の充填率は、第２磁性層４１の第２隙間７１の樹脂５２の充填率よりも高くなっている。言い換えると、第１磁性層４０ａでの充填部７４ａの割合は第２磁性層４１での充填部７５ａの割合よりも高くなる。第１磁性層４０ａの充填部７４ａの割合は９０ｖｏｌ％以上となり、第２磁性層４１の充填部７５ａの割合は８０ｖｏｌ％以下となっている。

【0065】

金属磁性粒子６３及び金属磁性粒子６４は、金属磁性粒子６１と同じく、例えば鉄を主成分とする軟磁性粒子であり、合金粒子であってもよいし、純鉄粒子であってもよい。金属磁性粒子６３と金属磁性粒子６４は種類又は組成の少なくとも一方が異なっている。金属磁性粒子６３及び金属磁性粒子６４の一方と金属磁性粒子６１とは同種且つ同組成の磁性粒子であってもよい。第３の実施形態に係るコイル部品のその他の構成は第１の実施形態に係るコイル部品と同じであるため説明を省略する。また、第３の実施形態に係るコイル部品は、フィルム上に金属磁性粒子６３と金属磁性粒子６４を含む磁性体ペーストを塗布して第１磁性層４０ａを形成する点以外は、第１の実施形態で説明した製造方法と同じ方法によって形成できる。

【0066】

第３の実施形態によれば、コイル軸３６に沿った基体部１０の断面において、基体部１０の第１領域１１は金属磁性粒子６３と金属磁性粒子６４とを有し、第２領域１２は金属磁性粒子６１を有する。第１領域１１の金属磁性粒子６４の平均径よりも第２領域１２の金属磁性粒子６１の平均径は大きく、第１領域１１の金属磁性粒子６３の平均径より金属磁性粒子６４の平均径は小さい。これにより、基体部１０の第１領域１１の第１隙間７０の平均径に比べ基体部１０の第２領域１２の第２隙間７１の平均径を大きくすることができる。よって、基体部１０の第１領域１１の充填部７４ａの割合を９０ｖｏｌ％以上とし、基体部１０の第２領域１２の充填部７５ａの割合を８０ｖｏｌ％以下にすることができ、樹脂５２の使用量を低く抑えつつ、信頼性の低下を抑制できる。金属磁性粒子６４の平均径は、金属磁性粒子６１の平均径の０．６倍以下が好ましく、０．５倍以下がより好ましく、０．４倍以下が更に好ましい。

【0067】

第３の実施形態の変形例において、第２の実施形態のように、導体３１と第２磁性層４１との間に第３磁性層が設けられてもよい。この場合、基体部１０の第１領域１１に金属磁性粒子６３と金属磁性粒子６３及び金属磁性粒子６１よりも平均径が小さい金属磁性粒子６４とが存在し第１隙間７０が存在することに加え、基体部１０の第３領域１３に複数の金属磁性粒子とこれよりも平均径が小さく且つ金属磁性粒子６１よりも平均径が小さい複数の金属磁性粒子が存在し、第２隙間７１よりも小さな第３隙間７２が存在すればよい。

【0068】

第３の実施形態の変形例では、第１領域１１における第１隙間７０の平均径及び第３領域１３における第３隙間７２の平均径に比べ、第２領域１２における第２隙間７１の平均径は大きい。このため、樹脂５２はより狭い第１隙間７０及び第３隙間７２に優先的に充填されるようになり、第１隙間７０及び第３隙間７２の樹脂５２の充填率は、第２隙間７１の樹脂５２の充填率よりも高くなる。第１領域１１の充填部７４ａの割合及び第３領域１３の充填部７６ａの割合は９０ｖｏｌ％以上となり、第２領域１２の充填部７５ａの割合は８０ｖｏｌ％以下となっている。第３の実施形態の変形例に係るコイル部品のその他の構成は第２の実施形態に係るコイル部品と同じであるため説明を省略する。第３実施形態の変形例においても、第１磁性層４０ａは第１領域１１のみからなり残りを異なる磁性層とすることもできる。この場合でも、第１領域１１と第２領域１２と第３領域１３は第３実施形態の変形例と同様であるから、同じ作用効果を示す。

【0069】

第１の実施形態から第３の実施形態及びその様々な例の形態では、コイル部品として複数の磁性体層が積層されることで、基体部にコイル導体が内蔵された積層インダクタの場合を例に示したがこの場合に限られない。例えば、コイル導体を金型のキャビティ内に配置した後にキャビティ内に所望の領域が形成されるように、複合磁性材料を充填させることで基体部にコイル導体が内蔵されて形成されたコイル部品の場合でもよい。このようなコイル部品は、各々の領域毎に分けた金型を用い、順番に、異なる複合磁性材料を充填し、成型することを繰り返すことで作成してもよい。

【0070】

［第４の実施形態］
図９は、本願発明の第４の実施形態に係る電子機器を示す斜視図である。図９では、図の明瞭化のために、半田８２にハッチングを付している。図９を参照して、電子機器４００は、回路基板８０と、回路基板８０に実装されたコイル部品１００と、を備える。コイル部品１００は、外部電極５０、５１が半田８２によって回路基板８０の電極８１に接合されることで、回路基板８０に実装されている。これにより、樹脂５２の使用量を低く抑えつつ、信頼性の低下が抑制されたコイル部品１００を備えた電子機器４００が得られる。なお、図９では、回路基板８０に第１の実施形態のコイル部品１００が実装されている場合を例に示したが、第２の実施形態から第３の実施形態及びその様々な例の形態のコイル部品が実装されている場合でもよい。

【実施例】

【0071】

以下、本願発明を実施例及び比較例によってより具体的に説明するが、本願発明はこれらの実施例に記載された態様に限定されるわけではない。

【0072】

まず、金属磁性粒子の平均粒子径及び変形強度、並びに磁性体ペーストのバインダー量を異ならせた８つの条件でそれぞれ基体部を作製し、作製した基体部の金属磁性粒子間に形成された隙間の大きさを測定した。

【0073】

［条件１］
平均粒子径が２μｍで組成比がシリコン：３．５ｗｔ％、クロム：１．５ｗｔ％を含む鉄を主成分とする金属磁性粉にトルエン（溶剤）とポリビニルブチラール（バインダー）を添加した磁性体ペーストを用いて基体部を作製した。

【0074】

［条件２］
平均粒子径が４μｍで組成比は条件１と同じ金属磁性粉にトルエンとポリビニルブチラールを添加した磁性体ペーストを用いて基体部を作製した。バインダーの量は条件１と同じにした。

【0075】

［条件３］
平均粒子径が６μｍで組成比は条件１と同じ金属磁性粉にトルエンとポリビニルブチラールを添加した磁性体ペーストを用いて基体部を作製した。バインダーの量は条件１と同じにした。

【0076】

［条件４］
平均粒子径が２μｍで組成比は条件１と同じにトルエンとポリビニルブチラールを添加した磁性体ペーストを用いて基体部を作製した。バインダーの量は条件１の２倍とした。

【0077】

［条件５］
平均粒子径が２μｍで組成比は条件１と同じ金属磁性粉にトルエンとポリビニルブチラールを添加した磁性体ペーストを用いて基体部を作製した。バインダーの量は条件１の１／２とした。

【0078】

［条件６］
平均粒子径が２μｍで組成比がシリコン：６．５ｗｔ％、クロム：１．５ｗｔ％を含む鉄を主成分とする金属磁性粉にトルエンとポリビニルブチラールとを添加した磁性体ペーストを用いて基体部を作製した。バインダーの量は条件１と同じにした。条件１に比べて金属磁性粒子のシリコンの量が多いことから、条件６で用いた金属磁性粒子の変形強度は条件１で用いた金属磁性粒子の変形強度に比べて１０％ほど高かった。

【0079】

［条件７］
平均粒子径が２μｍで組成比がシリコン：２．５ｗｔ％、クロム：１．５ｗｔ％を含む鉄を主成分とする金属磁性粉にトルエンとポリビニルブチラールとを添加した磁性体ペーストを用いて基体部を作製した。バインダーの量は条件１と同じにした。条件１に比べて金属磁性粒子のシリコンの量が少ないことから、条件６で用いた金属磁性粒子の変形強度は条件１で用いた金属磁性粒子の変形強度に比べて低かった。

【0080】

［条件８］
平均粒子径が４μｍで組成比は条件６と同じ金属磁性粉にトルエンとポリビニルブチラールを添加した磁性体ペーストを用いて基体部を作製した。バインダーの量は条件１と同じにした。条件８においても条件６と同様、条件８で用いた金属磁性粒子の変形強度は条件２で用いた金属磁性粒子の変形強度に比べて高かった。

【0081】

［条件９］
平均粒子径が４μｍで組成比は条件７と同じ金属磁性粉にトルエンとポリビニルブチラールを添加した磁性体ペーストを用いて基体部を作製した。バインダーの量は条件１と同じにした。条件９においても条件７と同様、条件９で用いた金属磁性粒子の変形強度は条件２で用いた金属磁性粒子の変形強度に比べて低かった。

【0082】

条件１〜条件９で作製した基体部の断面を走査型電子顕微鏡により３０００〜５０００倍で観察し、金属磁性粒子の間に形成された複数の隙間のうちの２００個を同じ面積の円形状に近似して直径を算出して隙間の直径とした。

【0083】

得られた結果を表１に示す。表１では隙間の直径の累積割合を示している。バインダー量及び変形強度は条件１を基準とし、条件１と同じ場合を基準と記載し、条件１と異なる場合は異なる点を記載している。

【表1】

【0084】

条件１〜条件３の結果から、金属磁性粒子の平均粒子径を小さくすることで、金属磁性粒子間の隙間が小さくなることが確認された。金属磁性粒子の平均粒子径が２μｍである条件１では隙間の９９％以上が直径０．８μｍ以下になり、平均粒子径が４μｍである条件２では隙間の７２％が直径０．８μｍ以下になり、平均粒子径が６μｍである条件３では隙間の３３％が直径０．８μｍになることが確認された。

【0085】

条件４、５の結果から、磁性体ペーストに用いるバインダー量を少なくすることで、金属磁性粒子間の隙間が小さくなることが確認された。金属磁性粒子の平均粒子径が２μｍでバインダー量が多い条件４では隙間の９３％が直径０．８μｍ以下になり、平均粒子径が２μｍでバインダー量が少ない条件５では隙間の９９％以上が直径０．８μｍ以下になることが確認された。

【0086】

条件６〜条件９の結果から、金属磁性粒子の変形強度を低くすることで、金属磁性粒子間の隙間が小さくなることが確認された。金属磁性粒子の平均粒子径が２μｍで変形強度が高い条件６では隙間の８９％が直径０．８μｍ以下になり、金属磁性粒子の平均粒子径が２μｍで変形強度が低い条件７では隙間の９９％以上が直径０．７μｍ以下になることが確認された。金属磁性粒子の平均粒子径が４μｍで変形強度が高い条件８では隙間の６６％が直径０．８μｍ以下になり、金属磁性粒子の平均粒子径が４μｍで変形強度が低い条件９では隙間の９６％が直径０．８μｍ以下になることが確認された。

【0087】

表１の結果から、金属磁性粒子の平均粒子径を２μｍ以下にすることで、金属磁性粒子間に形成される隙間のほぼ全てを直径０．８μｍ以下にできることが確認された。

【0088】

フィルム上にドクターブレード法によって各々の条件の磁性体ペーストを塗布し、これを熱風乾燥機等の乾燥機で乾燥させることで磁性体層を形成した。複数の磁性体層を積層して圧着した。圧着した積層体を所望の大きさに切断した後、酸素を含む雰囲気下で所定温度にて熱処理を行った。これにより複数の金属磁性粒子の間に隙間が形成された基体部が形成された。このような方法で作製した基体部にシリコーン樹脂溶液を真空減圧条件下にて含浸させた。含浸処理した基体部の断面を走査型電子顕微鏡により３０００〜５０００倍で撮影し、金属粒子間の複数の隙間においてシリコーン樹脂が含浸した含浸部位と含浸していない未含浸部位とを観察した。含浸部位および未含浸部位の直径は、それぞれの部位の面積を基に円形状に近似した場合の直径から算出した。その結果を図１０に示す。図１０は、隙間の直径の違いによる樹脂の充填状態の評価結果を示すグラフである。

【0089】

図１０のグラフから、直径が０．８μｍ以下の隙間は優先的に樹脂が充填されることが確認された。

【0090】

［実施例１］
実施例１のコイル部品は図２（ｂ）と同様の断面構造をしている。実施例１のコイル部品は以下の方法により作製した。フィルムの表面にドクターブレード法を用いて上述の条件１の磁性体ペースト（平均粒子径が２μｍの金属磁性粉を使用）を塗布し、熱風乾燥機で乾燥させて、フィルム上に第１磁性層を形成した。必要に応じて第１磁性層の所定位置にレーザを用いて貫通孔を形成した後、銀粒子とブチルカルビトールとエチルセルロースとからなる導体ペーストを第１磁性層の表面に印刷し、熱風乾燥機で乾燥させて導体パターンの前駆体を形成した。

【0091】

第１磁性層上で導体パターンの周囲に上述の条件３の磁性体ペースト（平均粒子径が６μｍの金属磁性粉を使用）を塗布し、これを熱風乾燥機で乾燥させて第２磁性層を形成した。その後、フィルムを剥離して、導体パターンが設けられた磁性体層を形成した。

【0092】

フィルムの表面に上述の条件３の磁性体ペースト（平均粒子径が６μｍの金属磁性粉を使用）を塗布し、これを熱風乾燥機で乾燥させた後にフィルムを剥離して、下側のカバー層を形成した。

【0093】

フィルムの表面に上述の条件１の磁性体ペースト（平均粒子径が２μｍの金属磁性粉を使用）を塗布し、これを熱風乾燥機で乾燥させて、下側磁性層を形成した。下側磁性層上に上述の条件３の磁性体ペースト（平均粒子径が６μｍの金属磁性粉を使用）を塗布し、これを熱風乾燥機で乾燥させて、上側磁性層を形成した。その後、フィルムを剥離して、上側のカバー層を形成した。

【0094】

磁性体層とカバー層を所定の順序で積層してプレス機により熱圧着した。圧着した磁性体層及びカバー層をチップ単位に切断した後に脱バインダー処理を行い、その後、酸素を含む雰囲気下で８００℃にて熱処理を行った。これにより、コイル導体を内蔵した基体部を得た。次いで、基体部にシリコーン樹脂溶液を真空にて含浸させ、金属磁性粒子間の隙間にシリコーン樹脂を充填した。次いで、基体部の表面に銀（Ａｇ）粒子とブチルカルビトールとエチルセルロースとからなる導体ペーストを塗布し、焼き付け処理を行った。その後、ニッケル−錫めっきを施すことで、基体部の表面に外部電極を形成した。

【0095】

［実施例２］
実施例２のコイル部品は図５（ｂ）と同様の断面構造をしている。実施例２のコイル部品は以下の方法により作製した。フィルムの表面にドクターブレード法を用いて上述の条件１の磁性体ペースト（平均粒子径が２μｍの金属磁性粉を使用）を塗布し、熱風乾燥機で乾燥させて、フィルム上に第１磁性層を形成した。必要に応じて第１磁性層の所定位置にレーザを用いて貫通孔を形成した後、銀粒子とブチルカルビトールとエチルセルロースとからなる導体ペーストを第１磁性層の表面に印刷し、熱風乾燥機で乾燥させて導体パターンの前駆体を形成した。

【0096】

第１磁性層上で導体パターンの周囲に上述の条件１の磁性体ペースト（平均粒子径が２μｍの金属磁性粉を使用）を塗布し、これを熱風乾燥機で乾燥させて第３磁性層を形成した。第１磁性層上で導体パターン及び第３磁性層が設けられていない領域に上述の条件３の磁性体ペースト（平均粒子径が６μｍの金属磁性粉を使用）を塗布し、これを熱風乾燥機で乾燥させて第２磁性層を形成した。その後、フィルムを剥離して、導体パターンが設けられた磁性体層を形成した。磁性体層の製造工程以外は実施例１と同じ製造工程を行った。

【0097】

［実施例３］
実施例３のコイル部品は図５（ｂ）と同様の断面構造をしている。実施例３のコイル部品は以下の方法により作製した。フィルムの表面にドクターブレード法を用いて上述の条件１の磁性体ペースト（平均粒子径が２μｍの金属磁性粉を使用）を塗布し、熱風乾燥機で乾燥させて、フィルム上に第１磁性層を形成した。必要に応じて第１磁性層の所定位置にレーザを用いて貫通孔を形成した後、銀粒子とブチルカルビトールとエチルセルロースとからなる導体ペーストを第１磁性層の表面に印刷し、熱風乾燥機で乾燥させて導体パターンの前駆体を形成した。

【0098】

第１磁性層上で導体パターンの周囲に上述の条件２の磁性体ペースト（平均粒子径が４μｍの金属磁性粉を使用）を塗布し、これを熱風乾燥機で乾燥させて第３磁性層を形成した。第１磁性層上で導体パターン及び第３磁性層が設けられていない領域に上述の条件３の磁性体ペースト（平均粒子径が６μｍの金属磁性粉を使用）を塗布し、これを熱風乾燥機で乾燥させて第２磁性層を形成した。その後、フィルムを剥離して、導体パターンが設けられた磁性体層を形成した。磁性体層の製造工程以外は実施例１と同じ製造工程を行った。

【0099】

［実施例４］
実施例４のコイル部品は図５（ｂ）と同様の断面構造をしている。実施例４のコイル部品は以下の方法により作製した。フィルムの表面にドクターブレード法を用いて上述の条件１の磁性体ペースト（平均粒子径が２μｍの金属磁性粉を使用）を塗布し、熱風乾燥機で乾燥させて、フィルム上に第１磁性層を形成した。必要に応じて第１磁性層の所定位置にレーザを用いて貫通孔を形成した後、銀粒子とブチルカルビトールとエチルセルロースとからなる導体ペーストを第１磁性層の表面に印刷し、熱風乾燥機で乾燥させて導体パターンの前駆体を形成した。

【0100】

第１磁性層上で導体パターンの周囲に上述の条件４の磁性体ペースト（平均粒子径が２μｍの金属磁性粉を使用、バインダー量は多い）を塗布し、これを熱風乾燥機で乾燥させて第３磁性層を形成した。第１磁性層上で導体パターン及び第３磁性層が設けられていない領域に上述の条件３の磁性体ペースト（平均粒子径が６μｍの金属磁性粉を使用）を塗布し、これを熱風乾燥機で乾燥させて第２磁性層を形成した。その後、フィルムを剥離して、導体パターンが設けられた磁性体層を形成した。磁性体層の製造工程以外は実施例１と同じ製造工程を行った。

【0101】

［比較例１］
比較例１のコイル部品は図１（ｂ）と同様の断面構造をしている。比較例１のコイル部品は以下の方法により作製した。フィルムの表面にドクターブレード法を用いて上述の条件１の磁性体ペースト（平均粒子径が２μｍの金属磁性粉を使用）を塗布し、熱風乾燥機で乾燥させて、フィルム上に第１磁性層を形成した。必要に応じて第１磁性層の所定位置にレーザを用いて貫通孔を形成した後、銀粒子とブチルカルビトールとエチルセルロースとからなる導体ペーストを第１磁性層の表面に印刷し、熱風乾燥機で乾燥させて導体パターンの前駆体を形成した。

【0102】

第１磁性層上で導体パターンの周囲に上述の条件１の磁性体ペースト（平均粒子径が２μｍの金属磁性粉を使用）を塗布し、これを熱風乾燥機で乾燥させて第２磁性層を形成した。その後、フィルムを剥離して、導体パターンが設けられた磁性体層を形成した。磁性体層の製造工程以外は実施例１と同じ製造工程を行った。

【0103】

［比較例２］
比較例２のコイル部品は図１（ｂ）と同様の断面構造をしている。比較例２のコイル部品は以下の方法により作製した。フィルムの表面にドクターブレード法を用いて上述の条件３の磁性体ペースト（平均粒子径が６μｍの金属磁性粉を使用）を塗布し、熱風乾燥機で乾燥させて、フィルム上に第１磁性層を形成した。必要に応じて第１磁性層の所定位置にレーザを用いて貫通孔を形成した後、銀粒子とブチルカルビトールとエチルセルロースとからなる導体ペーストを第１磁性層の表面に印刷し、熱風乾燥機で乾燥させて導体パターンの前駆体を形成した。

【0104】

第１磁性層上で導体パターンの周囲に上述の条件３の磁性体ペースト（平均粒子径が６μｍの金属磁性粉を使用）を塗布し、これを熱風乾燥機で乾燥させて第２磁性層を形成した。その後、フィルムを剥離して、導体パターンが設けられた磁性体層を形成した。磁性体層の製造工程以外は実施例１と同じ製造工程を行った。

【0105】

実施例１から実施例４、比較例１、及び比較例２のコイル部品の寸法は、長さ寸法を１．８ｍｍ、幅寸法を１．０ｍｍ、厚さ寸法を１．０ｍｍとした。

【0106】

実施例１から実施例４、比較例１、及び比較例２のコイル部品に対して、信頼性試験及び基体部内の含侵樹脂量の測定を行った。
［信頼性試験］
実施例１から実施例４、比較例１、及び比較例２各々２０個の試料に対して、８５℃／８５ＲＨで５００時間の耐湿性試験を行った。耐湿性試験の前後でのＱ値をキーサイト・テクノロジー社製のＲＦインピーダンス／マテリアル・アナライザＥ４９９１Ａを用いて測定し、Ｑ値の低下率が１０％以内で収まった個数を求めた。
［含浸樹脂量の測定］
実施例１から実施例４、比較例１、及び比較例２の試料に対して、含浸処理した基体部の断面を走査型電子顕微鏡により３０００〜５０００倍で撮影し、金属粒子間の複数の隙間においてシリコーン樹脂が含浸した含浸部位と含浸していない未含浸部位とをコントラスト（明度）の観察により識別し、各々の面積を算出した。各々の隙間における面積を同じ面積の円形状に換算した時の直径を、その空隙の径とし、各々の空隙の径に対して含浸部位と未含浸部位の面積合計を１００とした場合の面積の比率を算定した。基体部の複数の層、領域のそれぞれについて、シリコーン樹脂が含浸した含浸部位から算出された面積比率と、各々の複数の層、領域のそれぞれの大きさに基づいて、基体部全体の樹脂の充填量を算出した。

【0107】

得られた結果を表２に示す。表２では、信頼性試験の結果として、Ｑ値の低下率が１０％以内で収まらなかった個数が０個の場合を「◎」、１〜２個の場合を「〇」、２個以上の場合を「×」としている。含浸樹脂量については、実施例１における樹脂量を規定量と置きこれを「◎」、規定量から１０％以内の増量を「〇」、規定量から１０％を超える増量を「×」としている。また、表２では、コイル軸に垂直な方向でコイル導体から順に位置する第１磁性層、第３磁性層、第２磁性層の順に記載している。

【表2】

【0108】

表２のように、第１磁性層が条件１の磁性体ペーストを用いて形成され、第２磁性層が条件３の磁性体ペーストを用いた形成された実施例１から実施例４は、信頼性試験が良好で且つ基体部内の樹脂量が少ない結果が得られた。実施例１から実施例４では、条件１の磁性体ペーストで第１磁性層を形成していることから、第１磁性層における隙間の９９％以上が直径０．８μｍ以下になり、第１磁性層における隙間の樹脂充填率が９０％以上になった。第１磁性層はコイル軸の方向で導体の間に位置することから、第１磁性層における樹脂充填率が９０％以上になったことで、導体の腐食及び／又はマイグレーションの発生が抑えられ、信頼性試験で良好な結果が得られたと考えられる。また、実施例１から実施例４では、条件３の磁性体ペーストで第２磁性層を形成していることから、第２磁性層における隙間のうち直径０．８μｍ以下の隙間は３３％となり、第２磁性層における隙間の樹脂充填率が８０％以下になった。このため、基体部内の樹脂量が少なくなったと考えられる。

【0109】

実施例１から実施例４の結果から、基体部１０の第１領域１１の複数の第１隙間７０のうち樹脂５２が埋め込まれた第１隙間７０の割合（すなわち充填部７４ａの割合）を９０％以上とし、基体部１０の第２領域１２の複数の第２隙間７１のうち樹脂５２が埋め込まれた第２隙間７１の割合（すなわち充填部７５ａの割合）を８０％以下とすることで、樹脂５２の使用量を低く抑えつつ、信頼性の低下を抑制できることが確認された。

【0110】

実施例２では、条件１の磁性体ペーストで第３磁性層を形成していることから、第３磁性層における隙間の９９％以上が直径０．８μｍ以下になり、第３磁性層における隙間の樹脂充填率が９０％以上になった。第３磁性層はコイル軸に交差する方向で導体の近傍に位置することから、第３磁性層における樹脂充填率が９０％以上になったことで、導体の腐食及び／又はマイグレーションの発生がより抑えられ、信頼性試験で更に良好な結果が得られたと考えられる。

【0111】

実施例２の結果から、基体部１０の第３領域１３の複数の第３隙間７２のうち樹脂５２が埋め込まれた第３隙間７２の割合（すなわち充填部７６ａの割合）を９０％以上とすることで、樹脂５２の使用量を低く抑えつつ、信頼性の低下を更に抑制できることが確認された。

【0112】

以上、本願発明の実施形態について詳述したが、本願発明はかかる特定の実施形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載された本願発明の要旨の範囲内において、種々の変形・変更が可能である。

【符号の説明】

【0113】

１０ 基体部
１１ 第１領域
１２ 第２領域
１３ 第３領域
１４ 表面
２０、２６ カバー層
２１〜２５、２１ａ〜２５ａ 磁性体層
３０ コイル導体
３１ 導体
３６ コイル軸
４０、４０ａ 第１磁性層
４１ 第２磁性層
４２ 第３磁性層
５０、５１ 外部電極
５２ 樹脂
６０〜６４ 金属磁性粒子
７０ 第１隙間
７１ 第２隙間
７２ 第３隙間
７４ａ、７５ａ、７６ａ 充填部
７４ｂ、７５ｂ、７６ｂ 非充填部
８０ 回路基板
８１ 電極
８２ 半田
１００ コイル部品
４００ 電子機器

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】