特開 2021-174885出願番号 特願 2020-77798
半導体モジュール及び半導体モジュールの製造方法
公報発行日 2021年11月1
公報URL https://ipforce.jp/patent-jp-A-2021-174885 ログイン済みの方はこのURLへ
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技術分野
半導体モジュール及び半導体モジュールの製造方法
要約特許出願時に添付された[要約書]
【課題】沿面距離を確保して放熱性を向上すること。【解決手段】半導体モジュール（１）は、放熱板（２）と、放熱板の上面に配置された第１絶縁層（３）と、第１絶縁層の上面に配置された回路板（４）と、回路板の上面に配置された半導体素子（６）と、放熱板と第１絶縁層との間において、第１絶縁層の外周端下方を囲うように配置された第２絶縁層（８）と、を備える。
【選択図】図１
発明が解決しようとする課題[発明の詳細な説明]から抜粋
ところで、ＤＣＢ基板等の積層基板に半導体素子を配置した半導体モジュールにおいては、放熱板と積層基板上面の金属層との間に電位差を考慮した沿面距離が確保される必要があり、モジュールが大型化する懸念がある。また、半導体素子から放熱板までの厚み、すなわち放熱経路が長いため、半導体素子の放熱効果が十分に発揮されない可能性も存在する。 本発明はかかる点に鑑みてなされたものであり、沿面距離を確保して放熱性を向上することが可能な半導体モジュール及び半導体モジュールの製造方法を提供することを目的の１つとする。課題を解決するための手段[発明の詳細な説明]から抜粋
本発明の一態様の半導体モジュールは、放熱板と、前記放熱板の上面に配置された第１絶縁層と、前記第１絶縁層の上面に配置された回路板と、前記回路板の上面に配置された半導体素子と、前記放熱板と前記第１絶縁層との間において、前記第１絶縁層の外周端下方を囲うように配置された第２絶縁層と、を備える。
【発明の効果】
本発明によれば、沿面距離を確保して放熱性を向上することが可能である。
この発明についての権利主張の範囲[特許請求の範囲]
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この特許公報に記載されている図面[図面の簡単な説明]から抜粋
【図1】本実施の形態に係る半導体モジュールの断面図である。
【図2】本実施の形態に係る半導体モジュールの一例を示す分解斜視図である。
【図3】図１に示す半導体モジュールのＡ部分近傍における拡大図である。
【図4】第１変形に係る半導体モジュールの部分拡大図である。
【図5】第２変形に係る半導体モジュールの部分拡大図である。
【図6】第３変形に係る半導体モジュールの部分拡大図である。
【図7】第４変形に係る半導体モジュールの部分拡大図である。
【図8】第５変形に係る半導体モジュールの部分拡大図である。
【図9】第６変形に係る半導体モジュールの部分拡大図である。
【図10】第７変形に係る半導体モジュールの部分拡大図である。
選択図 図1出願人が指定した本件の代表的な図
１ ：半導体モジュール
２ ：放熱板
３ ：第１絶縁層
４ ：回路板
５ ：回路板
６ ：半導体素子
７ ：ケース部材
８ ：第２絶縁層
９ ：外部端子
２０ ：冷却フィン
２１ ：冷却器ケース
２２ ：凹部
２３ ：凹凸部
２４ ：第２凹部
３０ ：外周端
７０ ：開口
７１ ：側壁部
７２ ：突起部
９０ ：外側端子部
９１ ：内側端子部
９２ ：金属板
９３ ：外部端子部
９４ ：回路板
９５ ：連結部
Ｂ ：接合材
Ｗ１ ：配線部材
Ｗ２ ：配線部材
Ｗ３ ：配線部材
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