【図1】実施の形態にかかる炭化珪素半導体装置の構造を示す断面図である。

【図2】実施の形態にかかる炭化珪素半導体装置の実施例１のゲート構造を示す断面図である。

【図3】ＳｉＯ₂中のホウ素の拡散障壁エネルギーのＳｉＯ₂密度依存性を示すグラフである。

【図4】実施の形態にかかる炭化珪素半導体装置の実施例２のゲート構造を示す断面図である。

【図5】実施例１のゲート絶縁膜の製造途中の状態を示す断面図である（その１）。

【図6】実施例１のゲート絶縁膜の製造途中の状態を示す断面図である（その２）。

【図7】実施例１のゲート絶縁膜の製造途中の状態を示す断面図である（その３）。

【図8】実施例１のゲート絶縁膜の製造途中の状態を示す断面図である（その４）。

【図9】実施例１のゲート絶縁膜の製造途中の状態を示す断面図である（その５）。

【図10】実施例２のゲート絶縁膜の製造途中の状態を示す断面図である（その１）。

【図11】実施例２のゲート絶縁膜の製造途中の状態を示す断面図である（その２）。

【図12】実施例２のゲート絶縁膜の製造途中の状態を示す断面図である（その３）。

【図13】実施例２のゲート絶縁膜の製造途中の状態を示す断面図である（その４）。

【図14】実施例２のゲート絶縁膜の製造途中の状態を示す断面図である（その５）。

【図15】比較例１のゲート構造を示す断面図である。

【図16】比較例２のゲート構造を示す断面図である。

【図17】比較例１のゲート絶縁膜の製造途中の状態を示す断面図である。

【図18】比較例２のゲート絶縁膜の製造途中の状態を示す断面図である（その１）。

【図19】比較例２のゲート絶縁膜の製造途中の状態を示す断面図である（その２）。

【図20】実施例１、２および比較例１、２の移動度および閾値変動の表である。