【図1】本発明の一つの半導体装置１００の一例を示す上面図である。

【図2】図１における領域Ａの拡大図である。

【図3】図２におけるｂ−ｂ断面の一例を示す図である。

【図4】図１におけるｃ−ｃ断面の一例を示す図である。

【図5】図４に示したｄ−ｄ線における、キャリア濃度分布、ドナー濃度分布、および、欠陥密度分布の一例を示している。

【図6】エッジ終端構造部９０における等電位面の一例を示す図である。

【図7】図４に示したｄ−ｄ線における、キャリア濃度分布、ドナー濃度分布、および、欠陥密度分布の他の例を示している。

【図8】図１におけるｃ−ｃ断面の他の例を示す図である。

【図9】図１におけるｃ−ｃ断面の他の例を示す図である。

【図10】図９のｅ−ｅ線における水素濃度分布の一例を示す図である。

【図11】図９のｅ−ｅ線における水素濃度分布の他の例を示す図である。

【図12】図１におけるｃ−ｃ断面の他の例を示す図である。

【図13】ウェル領域１１およびガードリング９２の近傍を拡大した断面図である。

【図14】第２高濃度領域２０２の他の構造例を示す図である。

【図15】第２高濃度領域２０２の他の例を示す図である。

【図16A】半導体装置１００の一部の製造工程を説明する図である。

【図16B】半導体装置１００の一部の製造工程を説明する図である。

【図17A】エミッタ電極５２および外周ゲート配線１３０の近傍における断面図である。

【図17B】エミッタ電極５２および外周ゲート配線１３０の近傍における断面図である。

【図18】エッジ終端構造部９０の近傍における断面の他の例を示す図である。

【図19】エミッタ電極５２および外周ゲート配線１３０の近傍における断面の他の例を示す図である。

【図20】図１におけるｃ−ｃ断面の他の例を示す図である。

【図21】図１におけるｃ−ｃ断面の他の例を示す図である。

【図22】図１におけるｃ−ｃ断面の他の例を示す図である。

【図23】図１におけるｃ−ｃ断面の他の例を示す図である。

【図24A】図１におけるｃ−ｃ断面の他の例を示す図である。

【図24B】図１におけるｃ−ｃ断面の他の例を示す図である。

【図25A】図１におけるｃ−ｃ断面の他の例を示す図である。

【図25B】図１におけるｃ−ｃ断面の他の例を示す図である。

【図26】図２４Ａにおいて説明した第１高濃度領域３０４の形成方法の一例を示す図である。

【図27】図２５Ａまたは図２５Ｂにおいて説明した第１高濃度領域３０４の形成方法の一例を示す図である。

【図28】図１におけるｃ−ｃ断面の他の例を示す図である。

【図29】図１におけるｃ−ｃ断面の他の例を示す図である。

【図30】図１におけるｃ−ｃ断面の他の例を示す図である。

【図31】図１におけるｃ−ｃ断面の他の例を示す図である。

【図32】図１におけるｃ−ｃ断面の他の例を示す図である。

【図33】図１におけるｃ−ｃ断面の他の例を示す図である。

【図34】図４または図３３に示したｄ−ｄ線における、キャリア濃度分布の一例を示している。

【図35】図３３に示した第２高濃度領域２０２へのＮ型ドーパントのドーズ量（／ｃｍ^２）と、半導体装置１００の耐圧（Ｖ）との関係を示す図である。

【図36】Ｎ型ドーパントのドーズ量（／ｃｍ^２）と、半導体装置１００の耐圧（Ｖ）との関係の他の例を示す図である。

【図37】半導体装置１００の製造工程の一例を示すフローチャートである。

【図38A】第１水素注入段階Ｓ５０８の一例を示す図である。

【図38B】遮蔽部材３５１を通した水素イオン注入の一例を示す図である。

【図39】第１水素注入段階Ｓ５０８の他の例を示す図である。

【図40】半導体装置１００の製造工程の他の例を示すフローチャートである。

【図41】図１におけるｃ−ｃ断面の他の例を示す図である。