技術分野
パワーユニットおよび電力変換装置
要約特許出願時に添付された[要約書]
【課題】パワー半導体デバイスの高速スイッチング性能を十分発揮した、小型、低損失、耐振性の高いパワーユニットを提供することを目的とする。
【解決手段】第1配線基板と、第2配線基板と、前記第1配線基板に設けられ、前記第1配線基板および前記第2配線基板を電気的に接続する第1接続部材および第2接続部材を備え、前記第1接続部材および前記第2接続部材は前記第1配線基板の異なる電位部に接続されて、前記第1接続部材および前記第2接続部材は前記第2配線基板を挟み込むように設けるパワーユニット。
【選択図】図1
発明が解決しようとする課題[発明の詳細な説明]から抜粋
近年炭化ケイ素(SiC)や窒化ガリウム(GaN)といったワイドバンドギャップ(Wide−band−Gap(WBG))パワー半導体の実用化が加速している。ワイドバンドギャップ(Wide−band−Gap(WBG))パワー半導体の低損失性を最大限に発揮するために、できるだけ配線の長さを短くして、パワー半導体とゲート駆動回路部を低インダクタンスで接続する必要がある。
パワー半導体デバイスの高速スイッチング性能を十分発揮した、小型、低損失、耐振性の高いパワーユニットを提供することを目的とする。
課題を解決するための手段[発明の詳細な説明]から抜粋
本開示の一の態様によれば、第1配線基板と、第2配線基板と、前記第1配線基板に設けられ、前記第1配線基板および前記第2配線基板を電気的に接続する第1接続部材および第2接続部材を備え、前記第1接続部材および前記第2接続部材は前記第1配線基板の異なる電位部に接続されて、前記第1接続部材および前記第2接続部材は前記第2配線基板を挟み込むように設けるパワーユニットを提供する。
【発明の効果】
本発明の各実施形態によれば、パワー半導体デバイスの高速スイッチング性能を十分発揮した、小型、低損失、耐振性の高いパワーユニットを提供することができる。
この発明についての権利主張の範囲[特許請求の範囲]
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この特許公報に記載されている図面[図面の簡単な説明]から抜粋
【図1】図1は、第1実施形態のパワーユニットの斜視図である。
【図2】図2は、第1実施形態のパワーユニットの半導体パッケージおよび冷却器の斜視図である。
【図3】図3は、第1実施形態のパワーユニットの半導体パッケージおよび冷却器の斜視図である。
【図4】図4は、第1実施形態のパワーユニットの配線回路基板およびゲート駆動回路基板の側面図である。
【図5】図5は、第1実施形態のパワーユニットの配線回路基板およびゲート駆動回路基板の側面図である。
【図6】図6は、第1実施形態のパワーユニットの配線回路基板およびゲート駆動回路基板の上面図である。
【図7】図7は、第1実施形態のパワーユニットの配線回路基板およびゲート駆動回路基板の分解斜視図である。
【図8】図8は、第2実施形態のパワーユニットの配線回路基板およびゲート駆動回路基板の側面図である。
【図9】図9は、第2実施形態のパワーユニットの配線回路基板およびゲート駆動回路基板の分解斜視図である。
【図10】図10は、第3実施形態のパワーユニットの配線回路基板およびゲート駆動回路基板の側面図である。
【図11】図11は、第3実施形態のパワーユニットの配線回路基板およびゲート駆動回路基板の分解斜視図である。
1 パワーユニット
21 半導体パッケージ
22 半導体パッケージ
30 冷却器
40、140、240 配線回路基板
40AS1、40AS2、40BS1、40BS2 回路パターン
41、141、241 第1ゲート用端子台
45、145、245 第1ソース用端子台
42、142、242 第2ゲート用端子台
46、146、246 第2ソース用端子台
50、150、250 ゲート駆動回路基板
61、62、161、162 ガード部材
65、66、165、166、265、266 固定ネジ
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