特開 2021-184449出願番号 特願 2020-90098
半導体装置
公報発行日 2021年12月2
公報URL https://ipforce.jp/patent-jp-A-2021-184449 ログイン済みの方はこのURLへ
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※ 共同出願を含む
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技術分野
要約特許出願時に添付された[要約書]
【課題】温度変化に伴う内部応力を緩衝することができる。【解決手段】半導体装置１０は、半導体チップ１３ａ，１３ｂと、おもて面に収納領域１６ｈが開口され、収納領域１６ｈに半導体チップ１３ａ，１３ｂを収納するケース１５と、収納領域１６ｈの内壁部に設けられた緩衝部材１９と、緩衝部材１９を介して内壁部に設けられた低膨張部材１８と、低膨張部材１８が内壁部に設けられた収納領域１６ｈの内部を封止する封止部材２１と、を有する。この際、緩衝部材１９は、ケース１５及び封止部材２１よりも弾性率が小さく、低膨張部材１８は、ケース１５及び封止部材２１よりも線膨張係数が小さい。温度変化に伴って半導体装置１０に内部応力が発生し、この内部応力を受けた低膨張部材１８がケース１５（枠部１６）の内壁部を押圧しても、低膨張部材１８と枠部１６の内壁部との間の緩衝部材１９が低膨張部材１８からの押圧を緩衝する。
【選択図】図１
発明が解決しようとする課題[発明の詳細な説明]から抜粋
の半導体装置に含まれるケースと封止部材とでは異なる樹脂が用いられ、ケースと封止部材とでは線膨張係数が異なる。このため、半導体装置は温度変化に伴って内部応力が発生してしまう。すると、半導体装置の内部の部品間で剥離が発生してしまうことから、半導体装置のパワーサイクル耐量が低下してしまう。したがって、半導体装置の温度変化に対する信頼性の低下を招いてしまう。 本発明はこのような点に鑑みてなされたものであり、温度変化に伴う内部応力を緩衝することができる半導体装置を提供することを目的とする。課題を解決するための手段[発明の詳細な説明]から抜粋
この発明についての権利主張の範囲[特許請求の範囲]
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この特許公報に記載されている図面[図面の簡単な説明]から抜粋
【図1】第１の実施の形態の半導体装置の側断面図である。
【図2】第１の実施の形態の半導体装置の要部平面図である。
【図3】第１の実施の形態の半導体装置の製造方法を示すフローチャートである。
【図4】第１の実施の形態の半導体装置の製造方法に含まれるケース取り付け工程後を説明するための図（その１）である。
【図5】第１の実施の形態の半導体装置の製造方法に含まれるケース取り付け工程後を説明するための図（その２）である。
【図6】第１の実施の形態の半導体装置の製造方法に含まれる外部接続端子取り付け工程後を説明するための断面図（その１）である。
【図7】第１の実施の形態の半導体装置の製造方法に含まれる外部接続端子取り付け工程後を説明するための断面図（その２）である。
【図8】第１の実施の形態の半導体装置に含まれる低膨張部材を説明するための図である。
【図9】第１の実施の形態の半導体装置の製造方法に含まれる低膨張部材取り付け工程後を説明するための図である。
【図10】第２の実施の形態の半導体装置に含まれる低膨張部材を説明するための図である。
【図11】第２の実施の形態の半導体装置に含まれる外部接続端子取り付け工程を説明するための図である。
【図12】第２の実施の形態の半導体装置の要部平面図である。
【図13】第３の実施の形態の半導体装置の要部平面図である。
選択図 図1出願人が指定した本件の代表的な図
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