【図1】本発明の半導体装置１００の上面を部分的に示す図である。

【図2a】図１におけるｄ−ｄ'断面の一例を示す図である。

【図2b】図１におけるｄ−ｄ'断面の他の一例を示す図である。

【図2c】図１におけるｄ−ｄ'断面の他の一例を示す図である。

【図2d】図１におけるｄ−ｄ'断面の他の一例を示す図である。

【図2e】図２ｄにおけるｎ−ｎ'断面における結晶欠陥層８９の濃度分布を示す図である。

【図2f】本発明の半導体装置１５０の断面の一例を示す図である。

【図2g】本発明の半導体装置１５０の断面の他の一例を示す図である。

【図3】図２ａのｅ−ｅ'断面およびｆ−ｆ'断面におけるドーピング濃度分布の一例を示す図である。

【図4】ターンオン時におけるコレクタ電流Ｉｃの波形例を示す図である。

【図5】図２ａのｅ−ｅ'断面およびｆ−ｆ'断面におけるドーピング濃度分布の他の例を示す図である。

【図6】第１の蓄積領域１６−１、第２の蓄積領域１６−２および第３の蓄積領域１６−３を備える半導体装置１００におけるターンオン時の電子電流および変位電流を示す図である。

【図7a】図１におけるｄ−ｄ'断面の他の例を示す図である。

【図7b】図７ａにおけるｅ−ｅ'断面、ｆ−ｆ'断面およびｇ−ｇ'断面におけるドーピング濃度分布の一例を示す図である。

【図8】図１におけるｄ−ｄ'断面の他の例を示す図である。

【図9】フローティング領域８４の配置例を説明する断面図である。

【図10】ダイオード部８０におけるフローティング領域８４の配置例を示す上面図である。

【図11】ダイオード部８０におけるフローティング領域８４の配置例を示す上面図である。

【図12】ダイオード部８０におけるフローティング領域８４の他の配置例を示す上面図である。

【図13】図１におけるｄ−ｄ'断面の他の例を示す図である。

【図14】図１におけるｄ−ｄ'断面の他の例を示す図である。

【図15】ライフタイムキラー８８の他の配置例を示す図である。

【図16】ダイオード部８０の構成の一例を示す図である。

【図17】ダイオード部８０の構成の他の例を示す図である。

【図18】半導体装置１００の他の例を示す図である。

【図19】本発明の他の半導体装置２００の上面を部分的に示す図である。

【図20】図１９におけるｄ−ｄ'断面の一例を示す図である。

【図21a】本発明の他の半導体装置３００の上面を部分的に示す図である。

【図21b】図２１ａにおけるｓ−ｓ'断面の一例を示す図である。

【図21c】図２１ａにおけるｔ−ｔ'断面の一例を示す図である。

【図22】比較例の半導体装置３５０の断面図である。

【図23a】本発明の他の半導体装置３００の上面を部分的に示す図である。

【図23b】図２３ａにおけるｕ−ｕ'断面の一例を示す図である。

【図23c】図２３ａにおけるｖ−ｖ'断面の一例を示す図である。

【図24】本発明の他の半導体装置３００の上面を部分的に示す図である。

【図25】本発明の他の半導体装置３００の上面を部分的に示す図である。

【図26】本発明の半導体チップ１２０の一例を示す図である。

【図27a】図２６における領域Ａの拡大図である。

【図27b】図２７ａにおける領域Ｂ１の拡大図である。

【図27c】図２７ｂにおける領域Ｂ２の拡大図である。

【図27d】図２７ｂにおけるｈ−ｈ'断面の一例を示す図である。

【図27e】図２７ｂにおけるｊ−ｊ'断面の一例を示す図である。

【図28a】図２６における領域Ａの他の拡大図である。

【図28b】図２８ａにおける領域Ｃ１の拡大図である。

【図28c】図２８ｂにおける領域Ｃ２の拡大図である。

【図28d】図２８ｂにおけるｋ−ｋ'断面の一例を示す図である。

【図28e】図２８ｂにおけるｍ−ｍ'断面の一例を示す図である。