発明が解決しようとする課題[発明の詳細な説明]から抜粋

上述した３レベルインバータを構成する各スイッチング素子を、第１のスイッチ部および第２のスイッチ部の組と第３のスイッチ部の組とに分け、各組を２個のパッケージに収めると、小規模な３レベルインバータを構成することが可能である。しかし、このような構成にすると、第１のスイッチ部と第２のスイッチ部との共通接続ノード（すなわち、出力ノード）と、第３のスイッチ部とを結ぶ配線が長くなることにより配線の浮遊インダクタンスが大きくなる。そして、この浮遊インダクタンスの発生するサージ電圧が３レベルインバータを構成するスイッチング素子の定格電圧を越えると半導体スイッチング素子が破壊に至る可能性がある。なお、この問題については、説明の重複を避けるため、本発明の実施形態の説明において、その詳細を明らかにする。 この発明は以上に説明した課題に鑑みてなされたものであり、３レベルインバータ等の電力変換装置において、浮遊インダクタンスの発生するサージ電圧によってスイッチング素子が破壊されるのを回避することを目的とする。

課題を解決するための手段[発明の詳細な説明]から抜粋

この発明において、第１および第２のスイッチ部の一方のスイッチ部がＯＮからＯＦＦに転じると、サージ電圧により他方のスイッチ部の環流ダイオードが短時間ＯＮとなる。その際、還流ダイオードに逆回復が発生すると、サージ電圧が大きなものとなって、電力変換装置を構成する素子を破壊に至らしめる可能性がある。この発明では、第１のスイッチ部および第２のスイッチ部の環流ダイオードがＳｉＣダイオードまたはショットキーバリアダイオードにより構成されている。従って、第１および第２のスイッチ部の一方のスイッチ部がＯＮからＯＦＦに転じる際、他方のスイッチ部の環流ダイオードに逆回復が発生し難い。従って、電力変換装置の素子の破壊を回避することができる。