特開 2021-191208出願番号 特願 2020-97980
半導体装置
公報発行日 2021年12月13
公報URL https://ipforce.jp/patent-jp-A-2021-191208 ログイン済みの方はこのURLへ
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※ 共同出願を含む
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技術分野
要約特許出願時に添付された[要約書]
【課題】出力端子を増やすことなくアラーム信号およびワーニング信号を区別して送出できるようにする。【解決手段】制御回路３０ａは、アラーム検出回路として、制御電圧低下検出回路３２、過電流検出回路３３およびチップ温度検出回路３４を有し、アラームが検出されたときには、アラーム信号生成回路３５がアラーム要因ごとにパルス幅の異なる単発のアラーム信号ＡＬＭを生成し、オア回路５０およびＭＯＳＦＥＴ３６ａを介してアラーム信号出力端子４３ａから出力される。制御回路３０ａは、また、ワーニング検出回路として、温度ワーニング検出回路３９を有し、この温度ワーニング検出回路３９が、パワー半導体素子２０のチップ温度の上昇を検出したとき、パルス生成回路４９がワーニング信号ＷＮＧを生成し、オア回路５０およびＭＯＳＦＥＴ３６ａを介してアラーム信号出力端子４３ａから出力される。
【選択図】図１
発明が解決しようとする課題[発明の詳細な説明]から抜粋
しかしながら、上述した従来の半導体装置では、アラームが発生したのかワーニングが発生したのかを区別して外部の装置へ通知するための出力端子を別々に設ける必要があり、制御端子の数が増えてしまうという課題があった。 本発明はこのような点に鑑みてなされたものであり、出力端子を増やすことなくアラーム信号およびワーニング信号を区別して送出できる半導体装置を提供することを目的とする。課題を解決するための手段[発明の詳細な説明]から抜粋
この発明についての権利主張の範囲[特許請求の範囲]
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この特許公報に記載されている図面[図面の簡単な説明]から抜粋
【図1】第１の実施の形態に係る半導体装置の構成例を示す回路ブロック図である。
【図2】アラーム信号生成回路の構成例を示す回路図である。
【図3】パルス生成回路の構成例を示す回路図である。
【図4】半導体装置の過熱保護動作を示すタイミングチャートである。
【図5】アラーム発生時の動作を示すタイミングチャートである。
【図6】温度ワーニング発生時の動作を示すタイミングチャートである。
【図7】第２の実施の形態に係る半導体装置の構成例を示す回路ブロック図である。
【図8】パル生成回路の構成例を示す回路図である。
【図9】制御電圧低下ワーニング発生時または温度ワーニング発生時の動作を示すタイミングチャートである。
【図10】第２の実施の形態の半導体装置におけるパルス生成回路の変形例を示す回路図である。
【図11】制御電圧低下ワーニングおよび温度ワーニングの同時発生時の動作を示すタイミングチャートである。
【図12】従来の半導体装置の構成例を示す回路ブロック図である。
【図13】従来の半導体装置の過熱保護動作を示すタイミングチャートである。
選択図 図1出願人が指定した本件の代表的な図
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