特開 2021-192030 外観検査方法

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】特開2021-192030(P2021-192030A)

(43)【公開日】2021年12月16日

(54)【発明の名称】外観検査方法

(51)【国際特許分類】

   G01N 21/85 20060101AFI20211119BHJP

【ＦＩ】

   G01N21/85 Z

【審査請求】未請求

【請求項の数】8

【出願形態】ＯＬ

【全頁数】11

(21)【出願番号】特願2021-82544(P2021-82544)

(22)【出願日】2021年5月14日

(31)【優先権主張番号】特願2020-96955(P2020-96955)

(32)【優先日】2020年6月3日

(33)【優先権主張国】JP

(71)【出願人】

【識別番号】000003067

【氏名又は名称】ＴＤＫ株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】100088155

【弁理士】

【氏名又は名称】長谷川 芳樹

(74)【代理人】

【識別番号】100113435

【弁理士】

【氏名又は名称】黒木 義樹

(74)【代理人】

【識別番号】100124062

【弁理士】

【氏名又は名称】三上 敬史

(72)【発明者】

【氏名】福島 賢嗣

(72)【発明者】

【氏名】小林 勇人

(72)【発明者】

【氏名】佐藤 貴祥

(72)【発明者】

【氏名】藤谷 純

(72)【発明者】

【氏名】小島 達也

【テーマコード（参考）】

2G051

【Ｆターム（参考）】

2G051AA61

2G051AB02

2G051BA02

2G051BA20

2G051BB01

2G051BB07

2G051CA03

2G051CA04

2G051CA06

2G051CB01

2G051CC07

2G051DA13

(57)【要約】

【課題】光照射による干渉縞の発生を抑制する外観検査方法を提供する。
【解決手段】外観検査方法は、チップ素体の一側面に光を照射し当該一側面の外観検査を行う。この外観検査方法では、チップ素体１が載置されるテーブル１０であって、互いに対向する第一面１４ａと第二面１４ｂとを含む基板領域１４を有していると共に、第二面１４ｂから入射し基板領域１４を透過する光の第一面１４ａでの反射が抑制されているテーブル１０を用意し、チップ素体１を、一側面（第三側面３ｃ）が第一面１４ａと対向するように第一面１４ａ上に載置し、一側面に、第二面１４ｂ側から基板領域１４越しに光を照射する。
【選択図】図３

【特許請求の範囲】

【請求項1】

チップ素体の一側面に光を照射し当該一側面の外観検査を行う外観検査方法であって、
前記チップ素体が載置されるテーブルであって、互いに対向する第一面と第二面とを含む基板領域を有していると共に、前記第二面から入射し前記基板領域を透過する光の前記第一面での反射が抑制されているテーブルを用意し、
前記チップ素体を、前記一側面が前記第一面と対向するように前記第一面上に載置し、
前記一側面に、前記第二面側から前記基板領域越しに光を照射する、外観検査方法。

【請求項2】

前記テーブルとして、前記第一面上に反射抑制領域が設けられており、前記反射抑制領域が、前記第二面から入射し前記基板領域を透過する光の前記第一面での反射を抑制するテーブルを用意する、請求項１に記載の外観検査方法。

【請求項3】

前記テーブルとして、前記チップ素体を載置するための載置エリアのみにおいて前記第一面上に前記反射抑制領域が設けられているテーブルを用意する、請求項２に記載の外観検査方法。

【請求項4】

前記テーブルとして、前記載置エリアが前記テーブルの周縁に位置しているテーブルを用意する、請求項３に記載の外観検査方法。

【請求項5】

前記チップ素体は、セラミック焼成体である、請求項１〜４のいずれか一項に記載の外観検査方法。

【請求項6】

前記チップ素体は、外表面に端子電極を形成する前のセラミック焼成体である、請求項５に記載の外観検査方法。

【請求項7】

前記一側面の表面粗さは、０μｍより大きく０．１μｍ以下である、請求項１〜６のいずれか一項に記載の外観検査方法。

【請求項8】

前記光は、赤色光である、請求項１〜７のいずれか一項に記載の外観検査方法。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、外観検査方法に関する。

【背景技術】

【0002】

検査対象物の外観を検査する外観検査方法が知られている（たとえば、特許文献１参照）。特許文献１に開示された外観検査方法は、検査対象物に光を照射した状態で、当該検査対象物の外観を検査する方法を提供している。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0003】

【特許文献1】特開２０１４−１２２８６３号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0004】

多面体の検査対象物をテーブルに搭載した状態で各側面の外観検査を行う際には、検査対象物の少なくとも一つの側面は、テーブルに対向している。テーブルと対向する一側面の外観を検査する場合、以下の問題点が生じるおそれがある。すなわち、テーブルに対向している一側面は、テーブル越しに検査されるので、テーブルに対向する一側面を明るく照射するための光は、テーブル越しに検査対象物の一側面に照射される。検査対象物の一側面に照射された光は、当該一側面で反射する。テーブル越しに検査対象物の一側面に向かって照射された光の一部は、検査対象物に対向するテーブルの一面においても反射される。外観検査を行う際には、検査対象物の一側面で反射した光と、テーブルの一面で反射した光とを受光する。これら二つの反射光を受光する場合、二つの反射光が互いに干渉し合うおそれがある。二つの反射光が互いに干渉し合うときには、干渉縞が発生するおそれがある。干渉縞が発生する際には、検査対象物の一側面を明瞭に観測し難い。

【0005】

本発明の一つの態様は、光照射による干渉縞の発生を抑制する外観検査方法を提供することを目的とする。

【課題を解決するための手段】

【0006】

一つの態様に係る外観検査方法は、チップ素体の一側面に光を照射し当該一側面の外観検査を行う外観検査方法である。この外観検査方法では、チップ素体が載置されるテーブルであって、互いに対向する第一面と第二面とを含む基板領域を有していると共に、第二面から入射し基板領域を透過する光の第一面での反射が抑制されているテーブルを用意し、チップ素体を、一側面が第一面と対向するように第一面上に載置し、一側面に、第二面側から基板領域越しに光を照射する。

【0007】

上記一つの態様によれば、第二面側から基板領域越しにチップ素体の一側面に照射された光は、当該一側面で反射する。基板領域の第一面での反射が抑制されているので、第二面から入射し基板領域を透過した光は、第一面に至る際に、当該第一面で反射され難い。したがって、上記一つの態様は、光照射による干渉縞の発生を抑制する。

【発明の効果】

【0008】

本発明によれば、光照射による干渉縞の発生を抑制する外観検査方法が提供される。

【図面の簡単な説明】

【0009】

【図1】図１は、一実施形態に係る外観検査方法の検査対象物であるチップ素体を示す斜視図である。

【図2】図２は、本実施形態に係る外観検査方法を行う外観検査装置を示す上面図である。

【図3】図３は、図２のＩＩＩ−ＩＩＩ線に沿った断面図である。

【図4】図４は、テーブルの基板領域側からチップ素体の一側面に入射した光の経路を示す図である。

【発明を実施するための形態】

【0010】

以下、図１〜図４を参照して、本実施形態に係る外観検査方法について説明する。なお、説明において、同一要素又は同一機能を有する要素には、同一符号を用いることとし、重複する説明は省略する。

【0011】

始めに、図１を参照して、外観検査方法の対象であるチップ素体１について説明する。図１は、一実施形態に係る外観検査方法の検査対象物であるチップ素体を示す斜視図である。本実施形態では、チップ素体１は、セラミック焼成体である。セラミック焼成体は、たとえば、セラミックグリーンシートを複数積層して圧着し、所定温度にて所定時間焼成した後、バレル研磨することで形成される。セラミックグリーンシートは、第一方向Ｄ１に積層して形成されている。グリーンシートの各層が互いに重なり合っている層の境界は、視認できない程度に一体化されている。セラミックグリーンシートには、内部電極となる電極パターンが形成されてもよい。内部電極は、チップ素体１を用いた電子部品が、たとえば、コンデンサ又はインダクタとして機能するための導体である。本実施形態では、チップ素体１は、その外表面に端子電極を形成する前のセラミック焼成体である。

【0012】

チップ素体１は、略直方体形状を有し、互いに対向している第一側面３ａ及び第三側面３ｃを有している。第一側面３ａ及び第三側面３ｃは、第一方向Ｄ１で対向しており、チップ素体１の外表面の一部を成している。チップ素体１は、互いに対向している第二側面３ｂ及び第四側面３ｄを更に有している。第二側面３ｂと第四側面３ｄとは、第一方向Ｄ１に交差する第二方向Ｄ２で対向しており、チップ素体１の外表面の一部を成している。第二方向Ｄ２は、略直方体形状のチップ素体１において、たとえば、その短手方向である。チップ素体１は、互いに対向している第五側面３ｅ及び第六側面３ｆを更に有している。第五側面３ｅと第六側面３ｆとは、第一方向Ｄ１及び第二方向Ｄ２に交差する第三方向Ｄ３で対向しており、チップ素体１の外表面の一部を成している。第三方向Ｄ３は、略直方体形状のチップ素体１において、たとえば、その長手方向である。本実施形態では、第一方向Ｄ１、第二方向Ｄ２、及び第三方向Ｄ３は、互いに直交している。

【0013】

第一側面３ａ及び第三側面３ｃは、第二側面３ｂと第四側面３ｄとを接続するように、第二方向Ｄ２に延びている。第一側面３ａ及び第三側面３ｃは、第五側面３ｅと第六側面３ｆとを接続するように、第三方向Ｄ３に延びている。第二側面３ｂ及び第四側面３ｄは、第一側面３ａと第三側面３ｃとを接続するように、第一方向Ｄ１に延びている。第二側面３ｂ及び第四側面３ｄは、第五側面３ｅと第六側面３ｆとを接続するように、第三方向Ｄ３に延びている。第五側面３ｅ及び第六側面３ｆは、第一側面３ａと第三側面３ｃとを接続するように、第一方向Ｄ１に延びている。第五側面３ｅ及び第六側面３ｆは、第二側面３ｂと第四側面３ｄとを接続するように、第二方向Ｄ２に延びている。

【0014】

チップ素体１の第一方向Ｄ１の長さは、たとえば、約１．２ｍｍである。チップ素体１の第二方向Ｄ２の長さは、たとえば、約１．２ｍｍである。チップ素体１の第三方向Ｄ３の長さは、たとえば、約２．０ｍｍである。チップ素体１の稜部は、チップ素体１を形成する際のバレル研磨工程によって面取りされており、丸みを帯びた状態となっている。

【0015】

チップ素体１の各側面（第一側面３ａから第六側面３ｆ）は、その全域において平坦ではなく、一部に傷、窪み、及び欠陥を有することがある。チップ素体１の各側面の表面粗さは、０μｍより大きく０．１μｍ以下であってもよい。各側面の表面粗さとしては、最大高さ（Ｒｚ）が用いられる。最大高さ（Ｒｚ）は、ＪＩＳ Ｂ ０６０１：２００１（ＩＳＯ ４２８７：１９９７）に定義されている。

【0016】

続いて、図２を参照して、本実施形態に係る外観検査方法について説明する。図２は、外観検査方法を行う外観検査装置５を示す上面図である。外観検査装置５は、検査対象物であるチップ素体１の外観検査方法を行う装置として構成されている。外観検査装置５は、チップ素体１の各側面（第一側面３ａから第六側面３ｆ）を撮像し、各側面における傷、窪み、及び欠陥の有無を検出する。

【0017】

外観検査装置５は、テーブル１０と、チップ素体１をテーブル１０上に供給する供給ユニット２０と、チップ素体１の各側面を撮像する複数の撮像ユニット３０と、撮像を終えたチップ素体１を回収する回収ユニット４０とを備えている。本実施形態では、テーブル１０は、チップ素体１が載置される部材であり、回転方向Ｒに回転する。供給ユニット２０から供給されたチップ素体１は、テーブル１０の回転によって、複数の撮像ユニット３０による撮像が行われるテーブル１０上に順に搬送される。全ての撮像ユニット３０による撮像を終えたチップ素体１は、テーブル１０の回転によって、回収ユニット４０の近くまで搬送される。

【0018】

テーブル１０は、たとえば、円板形状を呈しており、チップ素体１を載置するための載置エリア１２を有している。載置エリア１２は、たとえば、テーブル１０の周縁に位置している。テーブル１０の下方には、たとえば、サーボモータ５０が設けられている。サーボモータ５０の駆動によって、テーブル１０は、中心軸Ｎ１周りに一定の速度で回転方向Ｒに回転するようになっている。テーブル１０の直径は、たとえば、４０ｃｍ〜５０ｃｍである。

【0019】

供給ユニット２０は、ホッパー２２及びフィーダ２４を有している。ホッパー２２は、多数のチップ素体１を収容している。供給ユニット２０では、ホッパー２２の底部が開放されることによって、チップ素体１がフィーダ２４に押し出される。チップ素体１は、フィーダ２４を通して、テーブル１０の載置エリア１２上に供給される。

【0020】

回収ユニット４０は、良品回収部４２と、不良品回収部４４とを備えている。良品回収部４２は、ガス噴射ノズル４３を有し、不良品回収部４４は、ガス噴射ノズル４５を有している。ガス噴射ノズル４３及びガス噴射ノズル４５のノズルは、それぞれ、良品回収部４２及び不良品回収部４４に向けられており、ガス噴射のタイミングは、制御部５２によって制御されている。

【0021】

制御部５２は、撮像ユニット３０からの撮像データと、テーブル１０の回転量とを取得する。制御部５２は、撮像データに基づいて画像処理を行うことにより、チップ素体１の各側面の欠陥の有無を検査する。その検査結果に基づいて、制御部５２は、検査に係る当該チップ素体１が良品であるか否かを判断する。制御部５２は、良品であると判断されたチップ素体１が良品回収部４２の位置まで搬送されたとき、ガス噴射ノズル４３からガスを噴出させて、当該チップ素体１を良品回収部４２に回収させている。制御部５２は、不良品であると判断されたチップ素体１については、当該チップ素体１が不良品回収部４４の位置まで搬送されたとき、ガス噴射ノズル４５からガスを噴出させて、当該チップ素体１を不良品回収部４４に回収させている。

【0022】

続いて、撮像ユニット３０について説明する。撮像ユニット３０は、チップ素体１の各側面（第一側面３ａから第六側面３ｆ）に光を照射すると共に、当該各側面の撮像を行う。本実施形態では、撮像ユニット３０の個数は６つであり、撮像ユニット３０は、第１撮像ユニット３１から第６撮像ユニット３６までからなる。チップ素体１が略直方体形状を呈する場合、一の撮像ユニット３０が、チップ素体１の一側面を撮像する。各撮像ユニット３０は、撮像部と、照射部とによって構成されている。たとえば、第１撮像ユニット３１は、撮像部３１ａと、照射部３１ｂとによって構成されている（他の撮像ユニットも同様）。撮像部３１ａは、たとえば円柱形状のカメラである。カメラは、たとえば、ＣＣＤカメラである。照射部３１ｂは、たとえば、撮像部３１ａの周囲を囲む円環形状の光源である。照射部３１ｂは、撮像部３１ａの光軸と同軸で光を照射する光源であってもよい。光源は、たとえば、ＬＥＤ光源である。

【0023】

各撮像ユニット３０は、供給ユニット２０から回収ユニット４０までの間においてテーブル１０周りに所定の間隔で配置されている。撮像部３２ａ及び照射部３２ｂは、テーブル１０の回転によって搬送されてくるチップ素体１の側面の外観を適度な明るさで撮影できるように調整されている。

【0024】

第１撮像ユニット３１は、チップ素体１の第一側面３ａの光照射及び撮像を行う。第一側面３ａは、テーブル１０の上方に向いており、第１撮像ユニット３１は、テーブル１０の上方に配置されている。照射部３１ｂは、チップ素体１の第一側面３ａの法線方向に対して、たとえば、０度以上かつ７０度以下の角度で第一側面３ａに向かって光を照射する。撮像部３１ａは、チップ素体１の第一側面３ａの法線方向に対して、たとえば、０度以上かつ１０度以下の角度で第一側面３ａを撮像する。

【0025】

第２撮像ユニット３２は、チップ素体１の第二側面３ｂの光照射及び撮像を行う。第二側面３ｂは、テーブル１０の径方向の外方に向いており、第２撮像ユニット３２は、テーブル１０の径方向の外方に配置されている。照射部３２ｂは、チップ素体１の第二側面３ｂの法線方向に対して、たとえば、０度以上かつ７０度以下の角度で第二側面３ｂに向かって光を照射する。撮像部３２ａは、チップ素体１の第二側面３ｂの法線方向に対して、たとえば、０度以上かつ１０度以下の角度で第二側面３ｂを撮像する。

【0026】

第３撮像ユニット３３は、チップ素体１の第三側面３ｃの光照射及び撮像を行う。第三側面３ｃは、テーブル１０の下方に向いており、第３撮像ユニット３３は、テーブル１０の下方に配置されている。第３撮像ユニット３３による第三側面３ｃの光照射及び撮像は、テーブル１０越しに行われる。照射部３３ｂは、チップ素体１の第三側面３ｃの法線方向に対して、たとえば、０度以上かつ７０度以下の角度で第三側面３ｃに向かって光を照射する。撮像部３３ａは、チップ素体１の第三側面３ｃの法線方向に対して、たとえば、０度以上かつ１０度以下の角度で第三側面３ｃを撮像する。

【0027】

第４撮像ユニット３４は、チップ素体１の第四側面３ｄの光照射及び撮像を行う。第四側面３ｄは、テーブル１０の径方向の内方に向いている。第４撮像ユニット３４は、テーブル１０の上方であって、テーブル１０の径方向において載置エリア１２より内方に配置されている。照射部３４ｂは、チップ素体１の第四側面３ｄの法線方向に対して、たとえば、０度以上かつ７０度以下の角度で第四側面３ｄに向かって光を照射する。撮像部３４ａは、チップ素体１の第四側面３ｄの法線方向に対して、たとえば、０度以上かつ１０度以下の角度で第四側面３ｄを撮像する。第４撮像ユニット３４は、第四側面３ｄの光照射及び撮像を行えるように傾けられている。

【0028】

第５撮像ユニット３５は、チップ素体１の第五側面３ｅの光照射及び撮像を行う。第五側面３ｅは、テーブル１０の回転方向Ｒに向いている。第５撮像ユニット３５は、テーブル１０の上方であって、テーブル１０の回転方向Ｒの反対方向に向くように配置されている。照射部３５ｂは、チップ素体１の第五側面３ｅの法線方向に対して、たとえば、０度以上かつ７０度以下の角度で第五側面３ｅに向かって光を照射する。撮像部３５ａは、チップ素体１の第五側面３ｅの法線方向に対して、たとえば、２０度以上かつ３０度以下の角度で第五側面３ｅを撮像する。第５撮像ユニット３５は、第五側面３ｅの光照射及び撮像を行えるように傾けられている。

【0029】

第６撮像ユニット３６は、チップ素体１の第六側面３ｆの光照射及び撮像を行う。第六側面３ｆは、テーブル１０の回転方向Ｒの反対方向に向いている。第６撮像ユニット３６は、テーブル１０の上方であって、テーブル１０の回転方向Ｒに向くように配置されている。第６撮像ユニット３６は、第六側面３ｆの光照射及び撮像を行えるように傾けられている。照射部３６ｂは、チップ素体１の第六側面３ｆの法線方向に対して、たとえば、０度以上かつ７０度以下の角度で第六側面３ｆに向かって光を照射する。撮像部３６ａは、チップ素体１の第六側面３ｆの法線方向に対して、たとえば、２０度以上かつ３０度以下の角度で第六側面３ｆを撮像する。

【0030】

図３は、図２のＩＩＩ−ＩＩＩ線に沿った断面図である。この図では、テーブル１０と、テーブル１０上に載置されたチップ素体１と、チップ素体１の第三側面３ｃの光照射及び撮像を行う第３撮像ユニット３３とが示されている。第三側面３ｃは、テーブル１０と対向し、テーブル１０越しに光が照射されるチップ素体１の一側面の一例である。テーブル１０は、載置エリア１２において、基板領域１４を有し、基板領域１４は、互いに対向する第一面１４ａと第二面１４ｂとを含んでいる。基板領域１４は、透明なガラス又は合成樹脂からなる。本明細書において、「透明」とは、撮像ユニットの照射部から出射される光に対して透明であることを意味する。本実施形態では、第二面１４ｂから入射し基板領域１４を透過する光の第一面１４ａでの反射が抑制されているテーブル１０が用意されている。

【0031】

チップ素体１は、その一側面が第一面１４ａと対向するように第一面１４ａ上に載置されている。本実施形態では、第一面１４ａと対向する一側面は、第三側面３ｃである。一側面が第一面１４ａ上に載置されている形態としては、一側面が間接的に第一面１４ａ上に載置されている形態も含む。チップ素体１と基板領域１４との間に別の部材が配置されていてもよい。第３撮像ユニット３３において、照射部３３ｂは、一側面（第三側面３ｃ）に、第二面１４ｂ側から基板領域１４越しに光を照射する。撮像部３３ａは、第三側面３ｃによって反射された光を基板領域１４越しに受光する。照射部３３ｂからの光は、白色光であってもよく、赤色光であってもよい。

【0032】

テーブル１０は、載置エリア１２において、基板領域１４の第一面１４ａ上に反射抑制領域１６を更に有している。本実施形態では、テーブル１０として、反射抑制領域１６が、第二面１４ｂから入射し基板領域１４を透過する光の第一面１４ａでの反射を抑制するテーブル１０が用意されている。チップ素体１は、その一側面が第一面１４ａと対向するように反射抑制領域１６上に載置されていてもよい。反射抑制領域１６は、透明な材料からなる。反射抑制領域１６は、たとえば、基板領域１４上に反射防止フィルム又は反射防止コーティングを設けることによって形成される。図３は、基板領域１４上に反射防止フィルム又は反射防止コーティングが形成された例を示している。反射防止フィルムは、基板領域１４上に貼付されたシート状の部材である。反射防止コーティングは、コーティング剤を基板領域１４上に塗布して形成された膜状の部材である。反射防止フィルム及び反射防止コーティングは、たとえば、ガラスより屈折率の小さな材料からなる誘電体層からなる。誘電体としては、ＴｉＯ_２、Ｔａ_２Ｏ_５、Ａｌ_２Ｏ_３、ＳｉＯ_２、又はＭｇＦ_２がある。

【0033】

反射抑制領域１６は、基板領域１４自体の表面及びその近傍領域の組成を変化させることによって、当該基板領域１４上に形成されてもよい。この場合、基板領域１４の一部が、反射抑制領域１６に変化し、その結果、基板領域１４上に反射抑制領域１６が設けられる。基板領域１４と反射抑制領域１６とは、一体化されている。基板領域１４は、たとえば、基板領域１４の表面に対する、レーザ光の照射又は化学物質の付与によって、反射抑制領域１６に変化してもよい。化学物質の付与では、たとえば、化学物質を塗布してもよく、化学物質を蒸着してもよい。

【0034】

本実施形態では、載置エリア１２における基板領域１４は、テーブル１０に含まれる周縁の一領域であり、その一領域上に反射抑制領域１６が形成されている。テーブル１０は、一領域である基板領域１４に透明性を有していればよいが、当該テーブル１０の全領域において透明性を有していてもよい。テーブル１０は、当該テーブル１０の全領域に反射抑制領域１６を有していてもよい。テーブル１０は、載置エリア１２以外の基部エリア１３に、基体領域１８を有している。基体領域１８は、基板領域１４と同時に形成され基板領域１４と一体の領域であってよい。この場合、基板領域１４と基体領域１８とが同時に形成された後に、基板領域１４のみに反射抑制領域１６が形成されてもよい。基体領域１８は、基板領域１４と別々に形成され、その形成後に基板領域１４と一体化されていてもよい。この場合、基板領域１４のみに反射抑制領域１６が形成され、反射抑制領域１６が形成された基板領域１４と、反射抑制領域が形成されない基体領域１８とが、互いに一体化されてもよい。基板領域１４は、基体領域１８を構成する材料と同一の材料から成っていてもよい。

【0035】

本実施形態では、基板領域１４の屈折率は、たとえば、１．４５〜１．５５である。反射抑制領域１６の屈折率は、たとえば、１．３０〜１．４０である。反射抑制領域１６の厚さは、たとえば、１００μｍ〜２５０μｍである。

【0036】

図４の（ａ）は、本実施形態に係るテーブル１０の基板領域１４側からチップ素体１の一側面（第三側面３ｃ）に入射した光の経路を示す図である。上述したように、チップ素体１の第三側面３ｃは、その全域において平坦ではなく、一部に窪み４を有することがある。この図では、チップ素体１の第三側面３ｃに存在する窪み４を拡大して示している。窪み４は、反射抑制領域１６の最外面１６ａから窪んだところまでの深さｄを有している。反射抑制領域１６の最外面１６ａは、載置エリア１２におけるテーブル１０の最上面である。深さｄの大きさは、窪み４の形状に応じて変化する。

【0037】

図４の（ａ）に示す例では、基板領域１４の上に反射抑制領域１６が配置している。反射抑制領域１６は、ＭｇＦ_２コーティング膜からなる。反射抑制領域１６が配置されているので、基板領域１４の第二面１４ｂから当該基板領域１４内に入射した光（入射光Ｌ１）に対しては、反射抑制領域１６に対向している基板領域１４の第一面１４ａにおける反射が抑制されている。反射抑制領域１６が配置されている場合、第二面１４ｂから入射し基板領域１４を透過した入射光Ｌ１は、第三側面３ｃによって反射された反射光Ｌ２を生成するが、第一面１４ａでの反射光を生成し難い。

【0038】

反射抑制領域１６の最外面１６ａは、所定の表面粗さを有する凹凸を含んでいてもよい。基板領域１４の第一面１４ａは、所定の表面粗さを有する凹凸を含んでいてもよい。最外面１６ａの表面粗さは、第一面１４ａの表面粗さより大きくてもよい。最外面１６ａの表面粗さが第一面１４ａの表面粗さ以下である構成では、チップ素体１が、テーブル１０の回転に伴い、最外面１６ａ上を動くおそれがある。この場合、撮像ユニット３０は、チップ素体１の各側面を適切に撮像しがたい。これに対して、最外面１６ａの表面粗さが第一面１４ａの表面粗さより大きい構成では、チップ素体１は、最外面１６ａ上で動きがたいので、撮像ユニット３０は、チップ素体１の各側面を適切に撮像する。
最外面１６ａ及び第一面１４ａの表面粗さは、たとえば、最大高さ（Ｒｚ）で規定される。最大高さ（Ｒｚ）は、ＪＩＳ Ｂ ０６０１：２００１（ＩＳＯ ４２８７：１９９７）に定義されている。最外面１６ａの表面粗さは、たとえば、１２〜２０μｍである。最外面１６ａの表面粗さの一例は、１４μｍである。第一面１４ａの表面粗さは、たとえば、２〜１０μｍである。第一面１４ａの表面粗さの一例は、６μｍである。

【0039】

図４の（ｂ）は、比較例に係るテーブル１０ｐの基板領域１４側からチップ素体１の一側面（第三側面３ｃ）に入射した光の経路を示す図である。この図でも、分かりやすく説明するために、窪み４を拡大して示している。窪み４は、基板領域１４の第一面１４ａから窪んだところまでの深さｄを有している。窪み４には、空気が入り込んでいる。基板領域１４の第一面１４ａは、載置エリア１２におけるテーブル１０ｐの最上面である。

【0040】

本比較例では、図４の（ａ）のテーブル１０と異なり、基板領域１４の上に反射抑制領域が配置されていない。反射抑制領域がないので、第二面１４ｂから入射し基板領域１４を透過した入射光Ｌ１は、基板領域１４の第一面１４ａでの反射を起こし易い。基板領域１４を透過した入射光Ｌ１は、第三側面３ｃによって反射された反射光Ｌ２と、基板領域１４の第一面１４ａで反射された反射光Ｌ３とを生成する。

【0041】

窪み４の空気内から第三側面３ｃにまで進んだ入射光Ｌ１は、空気と第三側面３ｃとの界面での固定端反射によって反射光Ｌ２を生成する。反射光Ｌ２の位相は、入射光Ｌ１の位相と比べて、半波長分に相当するπだけずれている。第二面１４ｂから基板領域１４内を進み第一面１４ａにまで進んだ入射光Ｌ１は、第一面１４ａでの自由端反射によって反射光Ｌ３を生成する。反射光Ｌ３の位相は、入射光Ｌ１の位相からずれていない。したがって、反射光Ｌ２と反射光Ｌ３とは、深さｄの大きさに応じて、互いに強め合うときと、互いに弱め合うときとがある。図４の（ｂ）に示されるように、深さｄの大きさは、窪み４の形状に応じて変化しているので、反射光Ｌ２と反射光Ｌ３とは、互いに強め合うときと互いに弱め合うときとが繰り返された干渉縞を形成する。撮像部３３ａが感受する光は、反射光Ｌ２と反射光Ｌ３との二つの光であるので、第三側面３ｃを撮像した画像のうち、窪み４に対応する部分には干渉縞が加わることとなる。

【0042】

以上説明したように、本実施形態に係る外観検査方法では、第二面１４ｂ側から基板領域１４越しにチップ素体１の一側面（第三側面３ｃ）に照射された光は、当該一側面で反射する。基板領域１４の第一面１４ａでの反射が抑制されているので、第二面１４ｂから入射し基板領域１４を透過した光（入射光Ｌ１）は、第一面１４ａに至る際に、当該第一面１４ａで反射され難い。本実施形態に係る外観検査方法は、光照射による干渉縞の発生を抑制する。

【0043】

本実施形態では、テーブル１０として、第一面１４ａ上に反射抑制領域１６が設けられており、反射抑制領域１６が、第二面１４ｂから入射し基板領域１４を透過する光の第一面１４ａでの反射を抑制するテーブル１０が用意されている。この場合、光照射による干渉縞の発生が確実に抑制される。

【0044】

本実施形態では、チップ素体１は、セラミック焼成体である。この場合、セラミック焼成体の一側面（第三側面３ｃ）の外観検査において、干渉縞の発生がより確実に抑制される。

【0045】

本実施形態では、チップ素体１は、外表面に端子電極を形成する前のセラミック焼成体である。この場合、端子電極を有しないセラミック焼成体に対して、干渉縞の発生がより確実に抑制される。

【0046】

本実施形態では、一側面（第三側面３ｃ）の表面粗さは、０μｍより大きく０．１μｍ以下である。この場合、チップ素体１の第三側面３ｃでの光（入射光Ｌ１）の散乱を低減した上で、干渉縞の発生が抑制される。

【0047】

本実施形態では、光（入射光Ｌ１）は、赤色光である。この場合、チップ素体１の一側面（第三側面３ｃ）における色むらが容易に検出される。

【0048】

以上、本発明の実施形態について説明してきたが、本発明は必ずしも上述した実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で様々な変更が可能である。

【符号の説明】

【0049】

１…チップ素体、３ｃ…第三側面（一側面）、１０…テーブル、１４…基板領域、１４ａ…第一面、１４ｂ…第二面、１６…反射抑制領域、Ｌ１…入射光（光）。

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】