特開 2021-192575出願番号 特願 2020-98911
電力変換装置
公報発行日 2021年12月16
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※ 共同出願を含む
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技術分野
電力変換装置
要約特許出願時に添付された[要約書]
【課題】半導体モジュールの、経時変化する熱抵抗を監視することが可能な電力変換装置を提供する。【解決手段】電力変換装置１は、制御信号を出力する制御回路４と、前記制御信号に基づいてオンオフするスイッチング素子が設けられた半導体チップと、前記半導体チップの温度を検出する第１温度センサ２３とを備える。制御回路４は、第１温度センサ２３が検出した第１温度と、半導体モジュール２の温度を示す第２温度と、前記スイッチング素子の消費電力とに基づいて、半導体モジュール２の熱抵抗を監視する。
【選択図】図１
発明が解決しようとする課題[発明の詳細な説明]から抜粋
しかしながら、特許文献１に開示された技術によれば、半導体モジュールの劣化の判断が既知の熱抵抗に基づくため、劣化に伴う熱抵抗の変化は考慮されない。従って、時間の経過に伴い、スイッチング素子の接合温度の測定精度が劣化する。 また、特許文献２に開示された技術によれば、スイッチング素子の接合温度を直接監視することできるが、半導体モジュールの、経時変化する熱抵抗を監視することはできない。 本発明の目的は、半導体モジュールの、経時変化する熱抵抗を監視することが可能な電力変換装置を提供することである。課題を解決するための手段[発明の詳細な説明]から抜粋
目的を達成するための一の発明は、制御信号を出力する制御回路と、前記制御信号に基づいてオンオフするスイッチング素子が設けられた半導体チップと、前記半導体チップの温度を検出する第１温度センサとを備え、前記制御回路は、前記第１温度センサが検出した第１温度と、前記半導体モジュールの温度を示す第２温度と、前記スイッチング素子の消費電力とに基づいて、前記半導体モジュールの熱抵抗を監視する、電力変換装・・・ 続きを知財ポータルサイト IP Force にログインして見る
【発明の効果】
本発明によれば、半導体モジュールの、経時変化する熱抵抗を監視することが可能な電力変換装置を提供することができる。
この発明についての権利主張の範囲[特許請求の範囲]
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この特許公報に記載されている図面[図面の簡単な説明]から抜粋
【図1】電力変換装置の構成の一例を示す図である。
【図2】演算装置に実現される機能ブロックの一例を示す図である。
【図3】インバーター回路の一例を示す回路図である。
【図4】ＰＷＭ方信号を説明する図である。
【図5】半導体モジュールの構成の一例を示す図である。
【図6】制御回路が熱抵抗を監視する処理を説明するフローチャートである。
【図7】監視される熱抵抗の推移を説明する図である。
【図8】インバーター回路の一例を示す回路図である。
【図9】ＰＷＭ制御においてスイッチング素子に流れる電流を説明する図である。
選択図 図1出願人が指定した本件の代表的な図
１ 電力変換装置
２ 半導体モジュール
２０半導体チップ
２１ 駆動回路
２２ インバーター回路
２２０ ＩＧＢＴ
２２１ 還流ダイオード
２２２ 抵抗
２２３ 第１電源線
２２４ 第２電源線
２３ 第１温度センサ
２４、２４ａ、２４ｂ 第２温度センサ
２５ ＩＦ回路
２６ ベース板
２７ 積層基板
２７ａ 絶縁板
２７ｂ 放熱板
２７ｃ 導電パターン
２８ 外部端子
２９ ケース
３０ シリコーンゲル
３１ はんだ
４ 制御回路
４０ 演算回路
４００ 取得部
４０１ 第１計算部
４０２ 第２計算部
４０３ 第１判定部
４０４ 第２判定部
４０５ 第１制御処理部
４０６ 第２制御処理部
４１ 記憶回路
４２ 制御信号出力回路
４３ ＩＦ回路
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