特開2021-195280ＩＩＩ族窒化物結晶、ＩＩＩ族窒化物基板、及びＩＩＩ族窒化物結晶の製造方法

発明の名称　ＩＩＩ族窒化物結晶、ＩＩＩ族窒化物基板、及びＩＩＩ族窒化物結晶の製造方法

出願人　パナソニック株式会社　（識別番号 5821）

　　　　特許公開件数ランキング 450 位（29件）（共同出願を含む）

　　　　特許取得件数ランキング 220 位（54件）（共同出願を含む）

公報番号　特開-2021-195280

公報発行日　2021年12月27

公報URL　https://ipforce.jp/patent-jp-A-2021-195280

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