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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】特開2021-2656(P2021-2656A)
(43)【公開日】2021年1月7日
(54)【発明の名称】低周波磁気シールド材及びその製造方法
(51)【国際特許分類】
H05K 9/00 20060101AFI20201204BHJP
H01F 10/12 20060101ALI20201204BHJP
H01F 41/16 20060101ALI20201204BHJP
C23C 4/08 20160101ALI20201204BHJP
C23C 4/11 20160101ALI20201204BHJP
【ＦＩ】
H05K9/00 W
H01F10/12
H01F41/16
C23C4/08
C23C4/11
【審査請求】未請求
【請求項の数】8
【出願形態】ＯＬ
【全頁数】21
(21)【出願番号】特願2020-105411(P2020-105411)
(22)【出願日】2020年6月18日
(31)【優先権主張番号】特願2019-112717(P2019-112717)
(32)【優先日】2019年6月18日
(33)【優先権主張国】JP
(71)【出願人】
【識別番号】393016549
【氏名又は名称】株式会社コダマ
(74)【代理人】
【識別番号】100081673
【弁理士】
【氏名又は名称】河野 誠
(74)【代理人】
【識別番号】100141483
【弁理士】
【氏名又は名称】河野 生吾
(74)【代理人】
【識別番号】100166659
【弁理士】
【氏名又は名称】楠 和也
(72)【発明者】
【氏名】槇原 史朗
(72)【発明者】
【氏名】多野 竜司
(72)【発明者】
【氏名】金津 紘仁
(72)【発明者】
【氏名】島田 みずき
(72)【発明者】
【氏名】児玉 直樹
【テーマコード（参考）】
4K031
5E049
5E321
【Ｆターム（参考）】
4K031AA06
4K031AB02
4K031CB04
4K031CB21
4K031CB31
4K031CB42
4K031DA01
4K031DA04
4K031DA08
5E049AA01
5E049AB03
5E049BA27
5E049FC03
5E321AA21
5E321BB22
5E321BB35
5E321BB51
5E321BB53
5E321BB55
5E321GG07
(57)【要約】
【課題】低周波磁気の磁気シールドが可能な溶射シールド皮膜を提供する。【解決手段】この発明は、基材の少なくとも一部の面に磁気をシールドするシールド皮膜を溶射によって成膜する磁気シールド材及びその製造方法であって、溶射材として低周波域の磁気を吸収することによってシールドする軟磁性材料の粉末を使用してシールド皮膜３を成膜するものであり、軟磁性材料はセンダスト，パーマロイ，珪素鋼その他の金属材料，フェライトその他のセラミックスである。
【選択図】図１
【特許請求の範囲】
【請求項1】
基材の少なくとも一部の面に磁気をシールドするシールド皮膜を溶射によって成膜する磁気シールド材の製造方法であって、
溶射材として低周波域の磁気を吸収することによってシールドする軟磁性材料の粉末を使用してシールド皮膜を成膜する
ことを特徴とする低周波磁気シールド材の製造方法。
溶射材として低周波域の磁気を吸収することによってシールドする軟磁性材料の粉末を使用してシールド皮膜を成膜する
ことを特徴とする低周波磁気シールド材の製造方法。
【請求項2】
軟磁性材料がセンダスト，パーマロイ，珪素鋼その他の金属材料，フェライトその他のセラミックス材料の１又は２以上を組合わせた材料である
請求項１に記載の低周波磁気シールド材の製造方法。
請求項１に記載の低周波磁気シールド材の製造方法。
【請求項3】
軟磁性材料として粉末状の材料に溶射による酸化又は熱変質を防止する変質防止処理を施したものを使用する
請求項１又は２の何れかに記載の低周波磁気シールド材の製造方法。
請求項１又は２の何れかに記載の低周波磁気シールド材の製造方法。
【請求項4】
溶射方法がプラズマ溶射，減圧プラズマ溶射，ガスフレーム溶射，高速フレーム溶射，コールドスプレー溶射，高周波プラズマ溶射，サスペンション溶射，ウォームスプレー溶射のいずれかである
請求項１乃至３の何れかに記載の低周波磁気シールド材の製造方法。
請求項１乃至３の何れかに記載の低周波磁気シールド材の製造方法。
【請求項5】
プラズマ溶射、ガスフレーム溶射、高速フレーム溶射、サスペンション溶射又はウォームスプレー溶射の何れかを行った後、シールド皮膜表面に還元・緻密化熱処理を施す
請求項１又は２の何れかに記載の低周波磁気シールド材の製造方法。
請求項１又は２の何れかに記載の低周波磁気シールド材の製造方法。
【請求項6】
基材の少なくとも一部の面に磁気をシールドする溶射皮膜からなるシールド皮膜を備え、
該シールド皮膜が低周波域の磁気を吸収することによってシールドする軟磁性材料を含む
ことを特徴とする低周波磁気シールド材。
該シールド皮膜が低周波域の磁気を吸収することによってシールドする軟磁性材料を含む
ことを特徴とする低周波磁気シールド材。
【請求項7】
低周波域が１００ｋHｚ以下である
請求項６に記載の低周波磁気シールド材。
請求項６に記載の低周波磁気シールド材。
【請求項8】
軟磁性材料がパーマロイ，珪素鋼その他の金属材料，フェライトその他のセラミックス材料の１又は２以上を組合わせた材料である
請求項６又は７に記載の低周波磁気シールド材。
請求項６又は７に記載の低周波磁気シールド材。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
この発明は低周波磁気シールド材及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【0002】
一般にＰＣＵやセンサーその他の電子部品又はこれらを備えた通信機器等の電子機器は、外部からの電磁波や磁気により誤作動や情報漏出を防止するために電磁波シールドが施されるが、電磁波シールド材やその製造方法として、溶射皮膜を形成する特許文献１が公知である。
【0003】
また従来の電磁波シールド材は、電磁波を反射させることにより高周波の電磁波はシールドするが、例えば１００ｋＨｚ以下の低周波磁気を透過する欠点があり、これを解消するシールド材として、シート状の低周波磁気シールド材が市販されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0004】
【特許文献1】特開２０１８−６１０３５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0005】
これに対し、シート状の低周波磁気シールド材は電子機器類のカバー等の基材表面が平面の場合は使用できるが複雑な凹凸形状のものには使用できない欠点がある。他方、特許文献１等の通常の溶射皮膜を成膜させるものは、基材が凹凸形状のものでも成膜できるが、軟磁性材料（高透磁率磁性材料）として知られるセンダスト等の材料は溶射に伴って酸化や熱変質し、シールド機能が低下する場合がある。
【課題を解決するための手段】
【0006】
上記課題を解決するため、本発明の低周波磁気シールド材の製造方法は、基材の少なくとも一部の面に磁気をシールドするシールド皮膜を溶射によって成膜する磁気シールド材の製造方法であって、溶射材として低周波域の磁気を吸収することによってシールドする軟磁性材料の粉末を使用してシールド皮膜を成膜することを特徴とする。
【0007】
軟磁性材料がセンダスト，パーマロイ，珪素鋼その他の金属材料，フェライトその他のセラミックス材料の１又は２以上を組合わせた材料であるものとしてもよい。
【0008】
軟磁性材料として粉末状の材料に溶射による酸化又は熱変質を防止する変質防止処理を施したものを使用するものとしてもよい。
【0009】
溶射方法がプラズマ溶射，減圧プラズマ溶射，ガスフレーム溶射，高速フレーム溶射，コールドスプレー溶射，高周波プラズマ溶射，サスペンション溶射，ウォームスプレー溶射のいずれかであるものとしてもよい。
【0010】
プラズマ溶射、ガスフレーム溶射、高速フレーム溶射、サスペンション溶射又はウォームスプレー溶射の何れかを行った後、シールド皮膜表面に還元・緻密化熱処理を施すものとしてもよい。
【0011】
一方、本発明の低周波磁気シールド材は、基材の少なくとも一部の面に磁気をシールドする溶射皮膜からなるシールド皮膜を備え、該シールド皮膜が低周波域の磁気を吸収することによってシールドする軟磁性材料を含むことを特徴とする。
【0012】
低周波域が１００ｋHｚ以下であるものとしてもよい。
【0013】
軟磁性材料がパーマロイ，珪素鋼その他の金属材料，フェライトその他のセラミックス材料の１又は２以上を組合わせた材料であるものとしてもよい。
【発明の効果】
【0014】
以上のように構成される本発明によれば、シールド対象とする磁気の周波数を、全域ではなく、低周波域に限定するとともに、軟磁性材料の粉末を溶射材として用いるため、溶射の際に該シールドの機能が低下しないような材料を、溶射材の少なくとも一部を構成する材料として選ぶことが容易になる。このようにして適切な材料で構成された溶射材を、基材の少なくとも一部の面に溶射すれば、所望のシールド皮膜を得ることができるとともに、凹凸等の複雑な形状を有する基材にも容易に対応可能になる。
【図面の簡単な説明】
【0015】
【図1】低周波磁気シールド材の断面図である。
【図2】無電解ニッケルメッキ（Ｎｉ−Ｐ）を施したセンダスト粉末の断面模式図である。
【図3】Ｎｉ−Ｐメッキ後のセンダスト粉末の電子顕微鏡（ＳＥＭ）像である。
【図4】（Ａ）〜（Ｃ）はそれぞれＮｉ−Ｐメッキを施したセンダスト粉末のＮｉ，Ｆｅ，Ｐの分布状態を表したエネルギー分散型Ｘ線分析（ＥＤＸ）画像である。
【図5】Ｎｉ−Ｐメッキ済センダスト粉末をプラズマ溶射して成膜した皮膜のＳＥＭ像である。
【図8】センダスト粉末をコールドスプレー（ＣＳ）溶射した皮膜断面のＳＥＭ像である。
【図11】Ｎｉ−Ｐメッキしたセンダスト粉末をプラズマ溶射したものと測定限界値との低周波磁気の磁気シールド性の測定値を比較したグラフである。
【図12】無処理のセンダスト粉末をコールドスプレー（ＣＳ）溶射したものと測定限界値との低周波磁気の磁気シールド性の測定値を比較したグラフである。
【図13】Ｎｉ−Ｐメッキ済みのパーマロイの粒子の一例を示すＳＥＭ画像である。
【図14】（Ａ）乃至（Ｅ）はＮｉ−Ｐメッキ済みパーマロイをＥＤＸ分析したＣ，Ｏ，Ｐ，Ｆｅ及びＮｉの分布状態を点で示す画像である。
【図17】はＮｉ−Ｐメッキ済みのパーマロイ粉末をプラズマ溶射して成膜した皮膜のＳＥＭ像である。
【図22】Ｎｉ−Ｐメッキ済みのパーマロイ粉末をプラズマ溶射したものと測定限界値との低周波磁気の磁気シールド性の測定値を比較したグラフである。
【図23】はＮｉ−Ｐメッキをしていないパーマロイの粒子の一例を示すＳＥＭ画像である。
【図24】（Ａ）乃至（Ｆ）はＮｉ−ＰメッキをしていないパーマロイをＥＤＸ分析したＣ，Ｏ，Ｓｉ，Ｓ，Ｆｅ及びＮｉの分布状態を点で示す画像である。
【図25】Ｎｉ−Ｐメッキをしていないパーマロイ粉末をプラズマ溶射して成膜した皮膜のＳＥＭ像である。
【図29】Ｎｉ−Ｐメッキをしていないパーマロイ粉末をプラズマ溶射したものと測定限界値との低周波磁気の磁気シールド性の測定値を比較したグラフである。
【図30】Ｎｉ−Ｐメッキ済みの鉄基アモルファス系の粒子の一例を示すＳＥＭ画像である。
【図31】（Ａ）乃至（Ｆ）はＮｉ−Ｐメッキ済みの鉄基アモルファス系の粒子をＥＤＸ分析したＣ，Ｏ，Ｓｉ，Ｐ，Ｆｅ及びＮｉの分布状態を点で示す画像である。
【図32】Ｎｉ−Ｐメッキ済みの鉄基アモルファス系粉末をプラズマ溶射して成膜した皮膜のＳＥＭ像である。
【図37】Ｎｉ−Ｐメッキ済みの鉄基アモルファス系粉末をプラズマ溶射したものと測定限界値との低周波磁気の磁気シールド性の測定値を比較したグラフである。
【図38】Ｎｉ−Ｐメッキをしていない鉄基アモルファス系の粒子の一例を示すＳＥＭ画像である。
【図39】（Ａ）乃至（Ｅ）はＮｉ−Ｐメッキをしていない鉄基アモルファス系をＥＤＸ分析したＣ，Ａｌ，Ｓｉ，Ｃｒ及びＦｅの分布状態を点で示す画像である。
【図40】Ｎｉ−Ｐメッキをしない鉄基アモルファス系粉末をプラズマ溶射したものと測定限界値との低周波磁気の磁気シールド性の測定値を比較したグラフである。
【発明を実施するための形態】
【0016】
この発明は図１に示すように、電子機器等の収容し又は外部からシールドするカバーや外箱、シールド板等を構成する低周波磁気シールド用のシールド材１は、これらの本体を構成する基材２の少なくとも一部の面（具体的には、外面又は内面の一部又は全部）に例えば１００ｋＨｚ程度の低周波電磁波の磁気を吸収することによってシールドする軟磁性材料からなる皮膜３を形成するものである。前記軟磁性材料としては、センダスト，パーマロイ，珪素鋼その他の金属材料，フェライトその他のセラミックス材料の１又は２以上を組合せた材料を用いる
【0017】
さらに具体的には、上記皮膜が粉末状の軟磁性材料を溶射することにより形成（成膜）され、その溶射材としては表１に示すものを使用する。同表は本発明を適用した低周波磁気シールド材の製造方法で用いる溶射材の例と、溶射材の夫々に溶射方法の例とを、本願発明者らの知見及び実験により確認したもので、ここではセンダスト，パーマロイ，フェライトと珪素鋼と、これらに採用可能な溶射方法を示している。なお、本願発明は、表１に示すものに限定されるものでないことは、後述する実施例４，６に示す通りであり、低周波磁気シールドに適した材料である軟磁性材料の粉末であれば、様々な材料を選択可能である。
【0018】
【表1】
【0019】
表１中のメッキは粒度−１００／＋３５０ｍｅｓｈの粉状の材料に対し、Ｎｉ−Ｐメッキ（無電解ニッケルメッキ＝変質防止処理）を施したものとメッキしないもの（無処理）の例を上下に分けて示しており、「〇印」は皮膜に本発明のシールド効果が認められるもの、「×印」は成膜が不可であるもの、「△（〇）印」は皮膜に本発明のシールド効果が認められないか、或いは認められ難いが、溶射後ＨＩＰ（熱間等方圧加圧加工）処理による還元・緻密処理（表面改質処理）を施すか、溶射材を構成する材料を適切に選定するか、或いは、溶射の工程自体やその前後の工程において別処理を行うことによって、目的にかなった使用が可能な成膜が得られることを示している。
【0020】
上記無電解ニッケルメッキ以外にも無電解金属メッキとしてＣｕ，Ａｇ,Ｎｉ−Ｐ，Ｎｉ−Ｃｏ−Ｐ，Ｎｉ−W-P，Ｃｏ−Ｐ等を用いること、メカニカルコーティング、メカノフュージョン、真空蒸着等の変質防止処理の採用が可能である。
【0021】
本例のＨＩＰ処理（熱間等方圧加圧法）は一般的にＡｒガス雰囲気で数１００〜２０００℃の高温と数１０〜２００ＭＰａの等方的な圧力を同時に加えて処理をするもので、皮膜の表面の緻密化のための改質と酸化物を還元する効果が期待できる。
【0022】
また溶射前のＮｉ−Ｐメッキは溶射による軟磁性材料の酸化と熱変質を防止するための処理である。
【0023】
上記軟磁性材料と溶射方法の内センダストをプラズマ溶射及びコールドスプレーした実施例につき以下説明する。
【0024】
［実施例1］本例ではセンダストは大同特殊鋼株式会社製の粒度−１００＋３５０ｍｅｓｈで表２に示す組成のものを使用し、溶射方法との関係で酸化や熱変質により軟磁性を損なうのを防止するためＮｉ−Ｐメッキしたもの（メッキ金属化率２８．６ｗｔ％）を用いた。
【0025】
【表2】
【0026】
またプラズマ溶射ガンとしては、９ＭＢプラズマ溶射ガン（Ｏｅｒｌｉｋｏｎ Ｍｅｔｃｏ）を使用し溶射を行った。
【0027】
プラズマ溶射は、出力：３２．５ｋＷ、供給ガス：ＡｒとＨ2の混合ガスの条件で行った。
【0028】
図２は本発明の実施例で使用したセンダストの内、Ｎｉ−Ｐメッキを施したもののセンダスト粒の模式図で、メッキ後のセンダスト４は、中心部のセンダスト粒４ｂに対し、その外周にＮｉ−Ｐメッキのメッキ層４ａが被覆形成されており、メッキ後の粒径は大きいもので５０〜１５０ｍｍ，小径のもので数〜数十μｍ程度である。
【0029】
図３は上記メッキ済センダストの粒子の１例を示すＳＥＭ像である。図４（Ａ）〜（Ｃ）は上記センダストをＥＤＸ（エネルギー分散型Ｘ線）分析したＮｉ，Ｆｅ，Ｐの分布状態を点で示す画像で、この検出データではセンダストに含まれているＡｌ，Ｓｉの分布が見られなかった。
【0032】
図６（Ａ）〜（Ｅ）はＦｅ，Ｓｉ，Ａｌ，Ｎｉ，Ｐのそれぞれの分布状態を点で示すＥＤＸデータ画像で、同図（Ａ）〜（Ｃ）において主としてセンダスト成分が、（Ｄ），（Ｅ）においてＮｉ−Ｐメッキ成分がそれぞれ分布していることを示している。
【0033】
図７（Ａ）〜（Ｃ）は、図５における異なる部位（スペクトル３，同２，同５で示される３カ所）の各部位のＳＥＭ（上図）とＥＤＸ（下図）（Ｘ線回析パターン）を示しており、図７ではＦｅ−Ｓｉ−Ａｌ（センダスト）領域、Ｎｉ−Ｐ領域の他にＦｅとＮｉが一部合金化したと判断できる箇所が見受けられる。また図７（Ｃ）では、センダストとＮｉ−Ｐが合金化されていると解される組成になっており、この部分はパーマロイ（Ｆｅ５０，Ｎｉ５０）に近い合金と解される。
【0034】
［実施例２］この例では無処理のセンダスト粉末（メッキなし）をＣＳ（コールドスプレー）により溶射膜の成膜を行った。成膜条件は、作動ガス：Ｎ2 ガス圧力：３．０ＭＰａ ガス圧力：４００℃ 溶射距離：１５ｍｍである。
図８〜図１０は、無処理のセンダスト粉末（メッキなし）をＣＳ（コールドスプレー）溶射した皮膜に関する画像で、図８は成膜された皮膜断面のＳＥＭ像で、皮膜部分の白色の粒状部分がセンダストを表し、その下部の白色部分が基材を表している（黒色部分はモールド固定材）。
【0035】
図９（Ａ）〜（Ｅ）は、図８の皮膜部分のＯ，Ｍｇ，Ａｌ，Ｓｉ，Ｆｅの分布状態を白点の分布で表しており、同図（Ａ）にはＯ（酸素）が殆ど表れていないため、酸化物がないことを示しており、酸化による変質を抑えていることがわかる。
【0036】
図１０（Ａ），（Ｂ）は図８に示す皮膜断面中のスペクトル２，スペクトル３で表される異なる部位と、各部のセンダスト粒子（白色の粒状部分）のＥＤＸ（Ｘ線回析パターン図）であり、いずれの箇所にもＦｅ，Ａｌ，Ｓｉは検出されているものの、Ｏはなく、酸化物がないことを示しており、酸化による変質を抑えていることがわかる。
【0037】
図１１，図１２は上記実施例１，同２の溶射皮膜の磁気シールド効果を、低周波磁気の磁気シールドの測定限界値と対比したものである。ちなみに、磁気シールド効果の測定方法にはＫＥＣ法を用いた。いずれの例も在来のシート状低周波磁気シールド材と概ね同等のシールド効果を発揮できるので、十分実用に耐えることが明らかになった。図１１，図１２中、上側の線ａ０が測定限界値を、下側の線ａ１，ａ２がそれぞれ実測値を示す。
【0038】
［実施例３］本例では、山陽特殊製鋼株式会社製のパーマロイ（軟磁性材料）であって且つ４５〜１０６μｍの粒径を有する粉末を溶射材として用いた。該パーマロイの組成は表３に示す通りである。また、溶射に伴う酸化や熱変質等によって軟磁性が損なわれることを防止するため、前記パーマロイの表面にＮｉ−Ｐメッキを施した。さらに、このパーマロイを溶射する前の工程において、密着性向上を目的として、Ｚｎが９９．９９ｗｔ％以上含まれた溶射材（以下、単にＺｎ）を成膜面に予め溶射し、その後、この成膜面に前記パーマロインを溶射した。
【0039】
【表3】
【0040】
図１３はＮｉ−Ｐメッキ済みのパーマロイの粒子の一例を示すＳＥＭ画像であり、図１４（Ａ）乃至（Ｅ）はＮｉ−Ｐメッキ済みパーマロイをＥＤＸ分析したＣ，Ｏ，Ｐ，Ｆｅ及びＮｉの分布状態を点で示す画像である。図１５（Ａ）は図１３に示すＳＥＭ像の所定の分析位置を示し、（Ｂ）は（Ａ）に示す分析位置に対応したＥＤＸ画像であり、図１６（Ａ）は図１３に示すＳＥＭ像の図１５とは異なる所定の分析位置を示し、（Ｂ）は（Ａ）に示す分析位置に対応したＥＤＸ画像である。
【0041】
前記Ｚｎの溶射は、アーク溶射ガンとしてＭ−９０００溶射ガン（ＴＡＦＡ）を用いたアーク溶射により行う。前記Ｚｎで構成された皮膜の厚みが５０〜１００μｍとなるように当該溶射は行った。
【0042】
Ｎｉ−Ｐメッキ済みの前記パーマロイの溶射は、９ＭＢプラズマ溶射ガン（Ｏｅｒｌｉｋｏｎ Ｍｅｔｃｏ）を用いたプラズマ溶射によって行った。該プラズマ溶射は、電流５００Ａ、電圧６５Ｖ、出力３２．５ｋＷとし、雰囲気ガスとしてＡｒ及びＨ２の混合ガスを用いた条件下で行った。前記パーマロイから構成された皮膜の厚みが、前記Ｚｎの皮膜の厚みに加えて２００μｍ増えるように、当該溶射を行った。
【0043】
図１７はＮｉ−Ｐメッキ済みのパーマロイ粉末をプラズマ溶射して成膜した皮膜のＳＥＭ像であり、図１８（Ａ）乃至（Ｆ）は図１７に示す皮膜のＣ，Ｏ，Ｐ，Ｆｅ、Ｎｉ及びＺｎの分布状態を示すＥＤＸ画像である。
【0044】
図１９（Ａ）は図１７に示す皮膜断面と同一のＳＥＭ像の所定の分析位置を示し、（Ｂ）は（Ａ）に示す分析位置に対応したＥＤＸ画像であり、図２０（Ａ）は図１７に示す皮膜断面と同一のＳＥＭ像の図１９とは異なる所定の分析位置を示し、（Ｂ）は（Ａ）に示す分析位置に対応したＥＤＸ画像であり、図２１（Ａ）は図１７に示す皮膜断面と同一のＳＥＭ像の図１９及び図２０とは異なる所定の分析位置を示し、（Ｂ）は（Ａ）に示す分析位置に対応したＥＤＸ画像である。
【0045】
図２２はＮｉ−Ｐメッキ済みのパーマロイ粉末をプラズマ溶射したものと測定限界値との低周波磁気の磁気シールド性の測定値を比較したグラフである。ちなみに、該測定値はＫＥＣ法により測定したものである。同図中の上側の線ａ０が測定限界値であり、下側の線ａ３が実測値であり、在来のシート状低周波磁気シールド材と概ね同等のシールド効果が確認された。
【0046】
［実施例４］本実施例は、表面にＮｉ−Ｐメッキをしていない状態の前記パーマロイ粉末を溶射材として用いること以外、実施例３と同一の条件とした。図２３はＮｉ−Ｐメッキをしていないパーマロイの粒子の一例を示すＳＥＭ画像であり、図２４（Ａ）乃至（Ｆ）はＮｉ−ＰメッキをしていないパーマロイをＥＤＸ分析したＣ，Ｏ，Ｓｉ，Ｓ，Ｆｅ及びＮｉの分布状態を点で示す画像である。
【0047】
図２５はＮｉ−Ｐメッキをしていないパーマロイ粉末をプラズマ溶射して成膜した皮膜のＳＥＭ像であり、図２６（Ａ）乃至（Ｄ）は図２５に示す皮膜のＣ，Ｏ，Ｆｅ及びＮｉの分布状態を示すＥＤＸ画像である。
【0048】
図２７（Ａ）は図２５に示す皮膜断面と同一のＳＥＭ像の所定の分析位置を示し、（Ｂ）は（Ａ）に示す分析位置に対応したＥＤＸ画像であり、図２８（Ａ）は図２５に示す皮膜断面と同一のＳＥＭ像の図２７とは異なる所定の分析位置を示し、（Ｂ）は（Ａ）に示す分析位置に対応したＥＤＸ画像である。これら２つの図面からは略同一の結果が確認された。
【0049】
図２９はＮｉ−Ｐメッキをしていないパーマロイ粉末をプラズマ溶射したものと測定限界値との低周波磁気の磁気シールド性の測定値を比較したグラフである。ちなみに、該測定値はＫＥＣ法により測定したものである。同図中の上側の線ａ０が測定限界値であり、下側の線ａ４が実測値であり、在来のシート状低周波磁気シールド材と概ね同等のシールド効果が確認された。すなわち、変質防止処理や還元・緻密化熱処理を行わなくても、適切な溶射材を選択し、適切に処理すれば、十分なシールド効果が確保できることが確認された。
【0050】
［実施例５］本例では、エプソンアトミックス株式会社製の鉄基アモルファス系（軟磁性材料）であって且つ１５０μｍ以下の粒径を有する粉末を溶射材として用いた。該鉄基アモルファス系の組成は表４に示す通りである。また、溶射に伴う酸化や熱変質等によって軟磁性が損なわれることを防止するため、前記パーマロイの表面にＮｉ−Ｐメッキを施した。
【0051】
【表4】
【0052】
図３０はＮｉ−Ｐメッキ済みの鉄基アモルファス系の粒子の一例を示すＳＥＭ画像であり、図３１（Ａ）乃至（Ｆ）はＮｉ−Ｐメッキ済みの鉄基アモルファス系の粒子をＥＤＸ分析したＣ，Ｏ，Ｓｉ，Ｐ，Ｆｅ及びＮｉの分布状態を点で示す画像である。
【0053】
前記鉄基アモルファスの溶射は、９ＭＢプラズマ溶射ガン（Ｏｅｒｌｉｋｏｎ Ｍｅｔｃｏ）を用いたプラズマ溶射によって行った。該プラズマ溶射は、電流５００Ａ、電圧６５Ｖ、出力３２．５ｋＷとし、雰囲気ガスとしてＡｒ及びＨ２の混合ガスを用いた条件下で行った。前記鉄基アモルファスから構成された皮膜の厚みが２００μｍになるように、当該溶射を行う。
【0054】
図３２はＮｉ−Ｐメッキ済みの鉄基アモルファス系粉末をプラズマ溶射して成膜した皮膜のＳＥＭ像であり、図３３（Ａ）乃至（Ｈ）は図３２に示す皮膜のＣ，Ｏ，Ｓｉ，Ｐ，Ｃｒ，Ｆｅ、Ｎｉ及びＡｌの分布状態を示すＥＤＸ画像である。
【0055】
図３４（Ａ）は図３２に示す皮膜断面と同一のＳＥＭ像の所定の分析位置を示し、（Ｂ）は（Ａ）に示す分析位置に対応したＥＤＸ画像であり、図３５（Ａ）は図３２に示す皮膜断面と同一のＳＥＭ像の図３４とは異なる所定の分析位置を示し、（Ｂ）は（Ａ）に示す分析位置に対応したＥＤＸ画像であり、図３６（Ａ）は図３２に示す皮膜断面と同一のＳＥＭ像の図３４及び図３５とは異なる所定の分析位置を示し、（Ｂ）は（Ａ）に示す分析位置に対応したＥＤＸ画像である。
【0056】
図３７はＮｉ−Ｐメッキ済みの鉄基アモルファス系粉末をプラズマ溶射したものと測定限界値との低周波磁気の磁気シールド性の測定値を比較したグラフである。ちなみに、該測定値はＫＥＣ法により測定したものである。同図中の上側の線ａ０が測定限界値であり、下側の線ａ５が実測値であり、在来のシート状低周波磁気シールド材と概ね同等のシールド効果が確認された。
【0057】
［実施例６］本実施例は、表面にＮｉ−Ｐメッキをしていない状態の前記鉄基アモルファス系粉末を溶射材として用いること以外、実施例５と同一の条件とした。
【0058】
図３８はＮｉ−Ｐメッキをしていない鉄基アモルファス系の粒子の一例を示すＳＥＭ画像であり、図３９（Ａ）乃至（Ｅ）はＮｉ−Ｐメッキをしていない鉄基アモルファス系をＥＤＸ分析したＣ，Ａｌ，Ｓｉ，Ｃｒ及びＦｅの分布状態を点で示す画像である。
【0059】
図４０はＮｉ−Ｐメッキをしない鉄基アモルファス系粉末をプラズマ溶射したものと測定限界値との低周波磁気の磁気シールド性の測定値を比較したグラフである。ちなみに、該測定値はＫＥＣ法により測定したものである。同図中の上側の線ａ０が測定限界値であり、下側の線ａ６が実測値であり、在来のシート状低周波磁気シールド材と概ね同等のシールド効果が確認された。すなわち、変質防止処理や還元・緻密化熱処理を行わなくても、適切な溶射材を選択し、適切に処理すれば、十分なシールド効果が得られることが、ここでも確認された。
【符号の説明】
【0060】
１ シールド材２ 基材
３ シールド皮膜
４ Ｎｉ−Ｐメッキ済センダスト粒
４ａ センダスト粒
４ｂ メッキ層