特開 2021-2657 複合材料を用いた性能強化型ハイブリッドインダクタ及びこれを有する電子部品

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】特開2021-2657(P2021-2657A)

(43)【公開日】2021年1月7日

(54)【発明の名称】複合材料を用いた性能強化型ハイブリッドインダクタ及びこれを有する電子部品

(51)【国際特許分類】

   H01F 17/06 20060101AFI20201204BHJP

   H01F 17/00 20060101ALI20201204BHJP

   H01F 1/34 20060101ALI20201204BHJP

   H01F 1/37 20060101ALI20201204BHJP

【ＦＩ】

   H01F17/06 F

   H01F17/00 D

   H01F1/34 140

   H01F1/37

【審査請求】有

【請求項の数】7

【出願形態】ＯＬ

【全頁数】11

(21)【出願番号】特願2020-106385(P2020-106385)

(22)【出願日】2020年6月19日

(31)【優先権主張番号】10-2019-0073650

(32)【優先日】2019年6月20日

(33)【優先権主張国】KR

(71)【出願人】

【識別番号】520224476

【氏名又は名称】イム， ウク

(74)【代理人】

【識別番号】110002321

【氏名又は名称】特許業務法人永井国際特許事務所

(72)【発明者】

【氏名】イム， ウク

【テーマコード（参考）】

5E041

5E070

【Ｆターム（参考）】

5E041AB01

5E041BB01

5E041BD01

5E041CA01

5E041NN04

5E070AA01

5E070AB06

5E070BA12

5E070BB01

5E070CB03

5E070CB13

(57)【要約】      （修正有）

【課題】誘電体インダクタの基本特性を維持しつつ、フェライトインダクタの長所である高いＱ値を具現可能に設計された複合材料を用いた性能強化型ハイブリッドインダクタを提供する。
【解決手段】ハイブリッドインダクタは、誘電体１２２と磁性体１２４とが混合したハイブリッド誘電体層１２０及びハイブリッド誘電体層１２０内に配置された電極パターンを含む。ハイブリッド誘電体層１２２は、誘電体１２２に磁性体１２４が添加された混合物である。
【選択図】図７

【特許請求の範囲】

【請求項1】

誘電体と磁性体とが混合したハイブリッド誘電体層；及び、
前記ハイブリッド誘電体層内に配置された電極パターン；を含み、
前記ハイブリッド誘電体層は、誘電体に磁性体が添加された混合物であることを特徴とする、複合材料を用いた性能強化型ハイブリッドインダクタ。

【請求項2】

前記誘電体は、セラミック材質であり、
前記磁性体は、フェライト材質であることを特徴とする、
請求項１に記載の複合材料を用いた性能強化型ハイブリッドインダクタ。

【請求項3】

前記ハイブリッド誘電体層は、
前記誘電体に磁性体が添加された混合物を焼結した焼結体であることを特徴とする、
請求項１に記載の複合材料を用いた性能強化型ハイブリッドインダクタ。

【請求項4】

前記ハイブリッド誘電体層は、
前記誘電体９５〜９９．９９９重量％及び磁性体０．００１〜５重量％を含むことを特徴とする、
請求項１に記載の複合材料を用いた性能強化型ハイブリッドインダクタ。

【請求項5】

前記ハイブリッド誘電体層は、
前記誘電体９８〜９９．９９重量％及び磁性体０．０１〜２重量％を含むことを特徴とする、
請求項４に記載の複合材料を用いた性能強化型ハイブリッドインダクタ。

【請求項6】

前記ハイブリッド誘電体層は、複数の層からなり、
前記電極パターンは、前記複数の層からなるハイブリッド誘電体層の一面及び他面のうち少なくとも一つに配置された水平部と、前記複数の層からなるハイブリッド誘電体層を貫通して、前記水平部を連結する少なくとも一つの貫通部を有することを特徴とする、
請求項１に記載の複合材料を用いた性能強化型ハイブリッドインダクタ。

【請求項7】

ハイブリッドインダクタ；及び、
前記ハイブリッドインダクタに連結された少なくとも一つの電子素子；を含み、
前記ハイブリッドインダクタは、誘電体と磁性体とが混合したハイブリッド誘電体層；及び前記ハイブリッド誘電体層内に配置された電極パターン；を含み、
前記ハイブリッド誘電体層は、誘電体に磁性体が添加された混合物であることを特徴とする、複合材料を用いた性能強化型ハイブリッドインダクタを有する電子部品。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、ハイブリッドインダクタの具現技術に関し、より具体的には、複合材料を用いた性能強化型ハイブリッドインダクタ及びこれを有する電子部品に関する。

【背景技術】

【0002】

電子回路における受動素子として使用されるインダクタ（Ｌ）、キャパシタ（Ｃ）及び抵抗（Ｒ）は、各々の固有機能と役割を有したりするが、相互結合して新しい回路的機能を行ったりもする。

【0003】

例えば、キャパシタは、基本的に直流を遮断し、交流信号は通過させる役割を行うものの、時定数回路、時間遅延回路、ＲＣフィルター及びＬＣフィルターを構成したりし、キャパシタ自体でノイズ（Ｎｏｉｓｅ）を除去する役割を行ったもする。

【0004】

インダクタの場合、高周波ノイズ（Ｎｏｉｓｅ）の除去、インピーダンスの整合等の機能を行う。

【0005】

このようなインダクタは、磁性体素材を用いた磁性体インダクタと、誘電体素材を用いた誘電体インダクタとに分けられて、製品化されている。

【0006】

以下では、添付の図面を参照して、従来のインダクタについてより具体的に説明する。

【0007】

図１は、従来のインダクタの特性を説明するための模式図であり、図２は、従来の誘電体インダクタと磁性体インダクタの特性を示した模式図である。

【0008】

図１及び図２に示したように、従来のインダクタは、誘電体を用いた高周波用誘電体インダクタと、磁性体を用いた低周波用フェライトインダクタとに分けられる。

【0009】

誘電体インダクタは、透磁率が１であるため、高いインダクタンス値を得にくい点があるものの、損失が相対的に小さいため、高い周波数における高い品質係数値を有するインダクタを容易に具現するという長所がある。

【0010】

一方、磁性体インダクタは、透磁率が高いため、同じ空間における高いインダクタンスを具現することが容易であるものの、磁性体の損失が大きいため、高い品質係数値を得にくく、高周波動作も難しい短所がある。

【0011】

このように、誘電体インダクタと磁性体インダクタは、可用周波数が確実と異なり、求められる特性も異なるため、適用分野が両分して開発されており、現在、製品も両分されている。

【0012】

一方、図３は、磁性体と誘電体が交互に積層したインダクタ構造を示した図面であり、図４は、コモンモードフィルター構造を示した模式図で、図５は、コモンモードフィルター製品を示した写真である。

【0013】

図３に示したように、磁性体と誘電体が交互に積層した複合構造のインダクタが示されている。

【0014】

図４及び図５には、複合構造のインダクタを用いたコモンモード（ｃｏｍｍｏｎ ｍｏｄｅ）ノイズを制御するコモンモードフィルター（ｃｏｍｍｏｎ ｍｏｄｅ ｆｉｌｔｅｒ）構造と製品を示した。

【0015】

このようなコモンモードフィルターは、高速差動信号ライン間での不均衡により発生するコモンモードノイズを除去する。また、コモンモードフィルターは、スマートフォンを初め、モバイル機器やデジタル機器の数〜数百ＧＨｚの高周波帯域で円滑なデータを処理するための必須部品である。

【0016】

このようなコモンモードフィルターは、磁性体と誘電体が積層した複合構造を利用したが、透磁率の特性を利用するインダクタは、磁性体構造内に具現され、誘電率の特性を利用するキャパシタは、誘電体構造に具現されている。

【0017】

すなわち、複合構造を利用したものの、ここで具現されたインダクタは、磁性体インダクタに相当するものである。このように、従来技術は、磁性体又は誘電体の一種類の素材としてインダクタを具現してきたところ、磁性体又は誘電体の固有特性に起因するインダクタ特性のみを示すだけである。

【0018】

関連する先行文献としては、韓国公開特許公報第１０−２０１４−０１３１４１８号（２０１４年１１月１３日に公開）があり、同文献にはハイブリッド型パワーインダクタ及びその製造方法が記載されている。

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0019】

本発明の目的は、誘電体インダクタの基本特性を維持しつつ、フェライトインダクタの長所である高いＱ値を具現可能に設計された複合材料を用いた性能強化型ハイブリッドインダクタ及びこれを有する電子部品を提供することである。

【課題を解決するための手段】

【0020】

上記目的を達成するための本発明の実施例による複合材料を用いた性能強化型ハイブリッドインダクタは、誘電体と磁性体とが混合したハイブリッド誘電体層；及び前記ハイブリッド誘電体層内に配置された電極パターン；を含み、前記ハイブリッド誘電体層は、誘電体に磁性体が添加された混合物であることを特徴とする。

【0021】

前記誘電体は、セラミック材質であり、前記磁性体は、フェライト材質であることを特徴とする。

【0022】

また、前記ハイブリッド誘電体層は、前記誘電体に磁性体が添加された混合物を焼結した焼結体であるのが好ましい。

【0023】

前記ハイブリッド誘電体層は、前記誘電体９５〜９９．９９９重量％及び磁性体０．００１〜５重量％を含んでいてもよい。

【0024】

このとき、前記ハイブリッド誘電体層は、前記誘電体９８〜９９．９９重量％及び磁性体０．０１〜２重量％を含むことがより好ましい。

【0025】

前記ハイブリッド誘電体層は、複数の層からなり、前記電極パターンは、前記複数の層からなるハイブリッド誘電体層の一面及び他面のうち少なくとも一つに配置された水平部と、前記複数の層からなるハイブリッド誘電体層を貫通して、前記水平部を連結する少なくとも一つの貫通部を有し得る。

【0026】

上記目的を達成するための本発明の実施例による複合材料を用いた性能強化型ハイブリッドインダクタを有する電子部品は、インダクタ；及び前記インダクタに連結された少なくとも一つの電子素子；を含み、前記インダクタは、誘電体と磁性体とが混合したハイブリッド誘電体層；及び前記ハイブリッド誘電体層内に配置された電極パターン；を含み、前記ハイブリッド誘電体層は、誘電体に磁性体が添加された混合物であることを特徴とする。

【発明の効果】

【0027】

本発明による複合材料を用いた性能強化型ハイブリッドインダクタ及びこれを有する電子部品は、誘電体インダクタの基本特性を維持しつつ、フェライトインダクタの長所である高いＱ値を示す最適の誘電体及び磁性体の組成比を想到した。

【0028】

この結果、本発明による複合材料を用いた性能強化型ハイブリッドインダクタ及びこれを有する電子部品は、誘電体及び磁性体とが混合したハイブリッド誘電体層への材料変更によって誘電体インダクタの基本特性を維持しつつ、フェライトインダクタの長所である高いＱ値を有し得るため、５Ｇ移動通信に適した高周波及び低損失の特性を共に満たすことができる。

【0029】

これによって、本発明による複合材料を用いた性能強化型ハイブリッドインダクタ及びこれを有する電子部品は、インダクタ単品で具現することができるだけでなく、インダクタ、キャパシタ等の電子素子が複数集積したモジュールや部品、例えば、帯域通過フィルター、共振器、電力増幅器、発振器等の回路構成に適用されて、回路全体の性能を改善するために活用されうる。

【図面の簡単な説明】

【0030】

【図1】従来のインダクタ特性を説明するための模式図。

【図2】従来の誘電体インダクタと磁性体インダクタの特性を示した模式図。

【図3】磁性体と誘電体が交互に積層したインダクタ構造を示した図面。

【図4】コモンモードフィルター構造を示した模式図。

【図5】コモンモードフィルター製品を示した写真。

【図6】本発明の実施例による複合材料を用いた性能強化型ハイブリッドインダクタを示した斜視図。

【図7】図６のハイブリッド誘電体層を説明するための模式図。

【図8】実施例１〜５及び比較例１に従って製造されたインダクタを撮影して示した写真。

【図9】実施例１〜４に従って製造されたハイブリッド誘電体層に対する電極反応実験の結果を示した写真。

【図10】実施例１〜５及び比較例１に従って製造されたインダクタに対する周波数別インダクタンス値を測定した結果を示したグラフ。

【図11】実施例１〜５及び比較例１に従って製造されたインダクタに対する周波数別Ｑ値を測定した結果を示したグラフ。

【発明を実施するための形態】

【0031】

本発明の利点及び特徴、そしてそれらを達成する方法は、添付の図面と共に詳細に後述されている実施例を参照すれば明確になる。しかし、本発明は、以下に開示する実施例に限定されるものではなく、互いに異なる様々な形態に具現されるものであり、ただし、本実施例は、本発明の開示を完全にして、本発明の属する技術分野における通常の知識を有する者に発明の範疇を完全に知らせるために提供されるものであり、本発明は、請求項の範疇によって定義されるだけである。全明細書における同じ参照符号は、同じ構成要素を指す。

【0032】

以下に添付する図面を参照して本発明の好ましい実施例による複合材料を用いた性能強化型ハイブリッドインダクタ及びこれを有する電子部品について詳説すれば、次のとおりである。

【0033】

図６は、本発明の実施例による複合材料を用いた性能強化型ハイブリッドインダクタを示した斜視図であり、図７は、図６のハイブリッド誘電体層を説明するための模式図である。

【0034】

図６及び図７を参照すれば、本発明の実施例による複合材料を用いた性能強化型ハイブリッドインダクタ１００は、誘電体インダクタの基本特性を維持しつつ、フェライトインダクタの長所である高いＱ値を具現可能に設計された。

【0035】

５Ｇ移動通信用受動部品のうち一つとして使用されるインダクタ１００は、Ｑ値が非常に重要な部品であり、回路を設計する際、インダクタ１００のＱ値が回路のＱ値を決定する最大要素であるため、本発明では、誘電体及び磁性体とが混合したハイブリッド誘電体層１２０への材料変更によって誘電体インダクタの基本特性を維持しつつ、高いＱ値を有するインダクタ１００を開発した。

【0036】

これによって、本発明の実施例による複合材料を用いた性能強化型ハイブリッドインダクタ１００は、５Ｇ移動通信に適した高周波及び低損失の特性を共に満たすことができる。

【0037】

このため、本発明の実施例による複合材料を用いた性能強化型ハイブリッドインダクタ１００は、ハイブリッド誘電体層１２０及び電極パターン１４０を含む。

【0038】

ハイブリッド誘電体層１２０は、誘電体１２２と磁性体１２４とが混合したものが用いられる。ここで、ハイブリッド誘電体層１２０は、誘電体１２２に磁性体１２４が添加された混合物であることがより好ましい。

【0039】

このとき、誘電体１２２は、セラミック材質が用いられる。一例として、誘電体１２２は、ＺｎＯを主成分とするセラミック材質が用いられてもよく、各種添加剤（例えば、Ｂｉ、Ｓｂ、Ａｇ、Ｍｎ、Ｃｏ、Ｚｒ、Ｃｒ、Ａｌ等の酸化物）をさらに添加して、必要とするインダクタ特性を具現して、接合性及び収縮率を制御することができるようになる。これによって、誘電体１２２は、セラミック材質の単独からなるか、又はセラミック材質に各種添加剤がさらに添加された混合物を用いることができる。

【0040】

そして、磁性体１２４は、フェライト材質が用いられる。一例として、磁性体１２４は、Ｆｅ−Ｎｉ−Ｚｎを主成分とするフェライト（ｆｅｒｒｉｔｅ）材質が用いられてもよく、構成成分及び含量を調節して、必要とするインダクタンスを制御することができる。また、磁性体１２４は、各種添加剤（例えば、Ｂｉ、Ｃｏ、Ｓｉ、又はＣｕ等の酸化物）をさらに添加して、接合性及び塑性時の収縮率を制御することができるようになる。これによって、磁性体１２４は、フェライト材質の単独からなるか、又はフェライト材質に各種添加剤がさらに添加された混合物を用いることができる。

【0041】

前述したハイブリッド誘電体層１２０は、誘電体１２２に磁性体１２４が添加された混合物を焼結した焼結体であることがより好ましい。

【0042】

このようなハイブリッド誘電体層１２０は、誘電体１２２の９５〜９９．９９９重量％及び磁性体１２４の０．００１〜５重量％を含むのが好ましく、より好ましい範囲としては、誘電体１２２の９８〜９９．９９重量％及び磁性体１２４の０．０１〜２重量％を提示することができる。

【0043】

磁性体１２４がハイブリッド誘電体層１２０の全体重量の０．００１重量％未満で微量添加される場合には、誘電体インダクタと類似に低用量及び高周波の特性を示し、低いＱ値を示し得る。逆に、磁性体１２４がハイブリッド誘電体層１２０の全体重量の５重量％を超えて多量添加される場合には、フェライトインダクタと同様、高用量及び低周波の特性を示し、誘電体１２２が含有された長所を発揮することができない問題がある。

【0044】

このように、本発明では、ハイブリッド誘電体層１２０の磁性体１２４の分率を最適含量比で制御することによって、誘電体インダクタの特性を維持しつつ、フェライト誘電体の長所である高いＱ値を得ることができる。

【0045】

電極パターン１４０は、ハイブリッド誘電体層１２０内に配置される。このような電極パターン１４０は、銅（Ｃｕ）、タングステン（Ｗ）、コバルト（Ｃｏ）、ニッケル（Ｎｉ）、チタン（Ｔｉ）、アルミニウム（Ａｌ）、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）及びクロム（Ｃｒ）のうち１種以上の材質で形成されうるが、これに制限されるものではなく、伝導性を有する金属物質であれば制限なく用いることができる。

【0046】

ここで、ハイブリッド誘電体層１２０は、複数の層からなり得る。この場合、電極パターン１４０は、水平部１４２及び貫通部１４４を有し得る。電極パターン１４０の水平部１４２は、複数の層からなるハイブリッド誘電体層１２０の一面及び他面のうち少なくとも一つに配置される。電極パターン１４０の貫通部１４４は、複数の層からなるハイブリッド誘電体層１２０を貫通して、水平部１４２を連結するように少なくとも一つが配置される。

【0047】

一方、本発明の実施例による複合材料を用いた性能強化型ハイブリッドインダクタを有する電子部品は、ハイブリッドインダクタ及び電子素子を含む。

【0048】

ここで、電子素子は、ハイブリッドインダクタに少なくとも一つが連結される。

【0049】

このとき、ハイブリッドインダクタは、図７及び図８を参照して説明したハイブリッドインダクタと実質的に同様なものが用いられる。

【0050】

すなわち、ハイブリッドインダクタは、誘電体と磁性体とが混合したハイブリッド誘電体層及び前記ハイブリッド誘電体層内に配置された電極パターンを含む。このとき、ハイブリッド誘電体層は、誘電体に磁性体が添加された混合物が用いられる。

【0051】

今まで考察したように、本発明の実施例による複合材料を用いた性能強化型ハイブリッドインダクタ及びこれを有する電子部品は、誘電体インダクタの基本特性を維持しつつ、フェライトインダクタの長所である高いＱ値を示す最適の誘電体及び磁性体の組成比を想到した。

【0052】

この結果、本発明の実施例による複合材料を用いた性能強化型ハイブリッドインダクタ及びこれを有する電子部品は、誘電体及び磁性体とが混合したハイブリッド誘電体層への材料変更によって誘電体インダクタの基本特性を維持しつつ、フェライトインダクタの長所である高いＱ値を有し得るため、５Ｇ移動通信に適した高周波及び低損失の特性を共に満たすことができる。

【0053】

これによって、本発明の実施例による複合材料を用いた性能強化型ハイブリッドインダクタ及びこれを有する電子部品は、インダクタの単品で具現することができるだけでなく、インダクタ、キャパシタ等の電子素子が複数集積したモジュールや部品、例えば、帯域通過フィルター、共振器、電力増幅器、発振器等の回路構成に適用されて、回路全体の性能を改善するために活用されうる。

【0054】

実施例
以下では、本発明の好ましい実施例を介して本発明の構成及び作用をさらに詳説する。ただし、これは、本発明の好ましい例示として提示されたものであり、どのような意味でも、これによって本発明が制限されると解釈されてはならない。

【0055】

ここに記載していない内容は、この技術分野における熟練者であれば、技術的に十分に類推することができるため、その説明を省略する。

【0056】

１．インダクタ製造
実施例１
誘電体９９．５ｗｔ％及びフェライト０．５ｗｔ％で組成されたハイブリッド誘電体層を用いてハイブリッドインダクタを製造した。

【0057】

実施例２
誘電体９９．０ｗｔ％及びフェライト１．０ｗｔ％で組成されたハイブリッド誘電体層を用いてハイブリッドインダクタを製造した。

【0058】

実施例３
誘電体９８．５ｗｔ％及びフェライト１．５ｗｔ％で組成されたハイブリッド誘電体層を用いてハイブリッドインダクタを製造した。

【0059】

実施例４
誘電体９８．０ｗｔ％及びフェライト２．０ｗｔ％で組成されたハイブリッド誘電体層を用いてハイブリッドインダクタを製造した。

【0060】

実施例５
誘電体９７．５ｗｔ％及びフェライト２．５ｗｔ％で組成されたハイブリッド誘電体層を用いてハイブリッドインダクタを製造した。

【0061】

比較例１
誘電体１００ｗｔ％で組成された誘電体層を用いて誘電体インダクタを製造した。

【0062】

２．物性評価
図８は、実施例１〜５及び比較例１によるインダクタを撮影して示した写真である。

【0063】

図８に示したように、実施例１〜５及び比較例１に従って製造されたインダクタを撮影した実測写真が示されている。

【0064】

このとき、実施例１〜５に従って製造されたインダクタは、磁性体が０．５ｗｔ％、１．０ｗｔ、１．５ｗｔ％、２．０ｗｔ％及び３．０ｗｔ％でそれぞれ組成されたハイブリッド誘電体層を用いたものであり、比較例１に従って製造されたインダクタは、誘電体１００ｗｔ％で組成された誘電体層を用いたものである。

【0065】

一方、図９は、実施例１〜４に従って製造されたハイブリッド誘電体層に対する電極反応実験の結果を示した写真である。

【0066】

図９に示したように、実施例１〜４に従って製造されたハイブリッド誘電体層は、誘電体９９．５ｗｔ％及び磁性体０．５ｗｔ％、誘電体９９ｗｔ％及び磁性体１．０ｗｔ、誘電体９８．５ｗｔ％及び磁性体１．５ｗｔ％と、誘電体９８ｗｔ％及び磁性体２．０ｗｔ％でそれぞれ組成される最適分率に制御されることによって、クラックの発生なしに電極パターンと同時塑性が行われることを確認することができる。

【0067】

一方、図１０は、実施例１〜５及び比較例１に従って製造されたインダクタに対する周波数別インダクタンス値を測定した結果を示したグラフである。

【0068】

図１０に示したように、実施例１〜４に従って製造されたインダクタの場合、比較例１に従って製造されたインダクタに比べて、０〜１２００ＭＨｚの周波数帯域におけるインダクタンス値がほとんど上昇したことを確認することができる。ただし、磁性体が３ｗｔ％で多量添加された実施例５の場合には、比較例１に従って製造されたインダクタに類似するインダクタンス値を示していることを確認した。

【0069】

図１１は、実施例１〜５及び比較例１に従って製造されたインダクタに対する周波数別Ｑ値を測定した結果を示したグラフである。

【0070】

図１１に示したように、実施例１〜４に従って製造されたインダクタの場合、比較例１によって製造されたインダクタに比べて、０〜１２００ＭＨｚの周波数帯域におけるＱ値がほとんど上昇したことを確認することができる。ただし、磁性体が３ｗｔ％で多量添加された実施例５の場合には、比較例１に従って製造されたインダクタに類似するＱ値を示していることを確認した。

【0071】

特に、比較例１に従って製造されたインダクタのＱ最大値は、１４と測定されたが、実施例３に従って製造されたインダクタのＱ最大値は、１７．２と測定され、実施例３に従って製造されたインダクタのＱ最大値が約２０％程上昇したことを確認した。

【0072】

以上では、本発明の実施例を中心に説明したが、本発明の属する技術分野における通常の知識を有する技術者の水準で多様な変更や変形を加えることができる。このような変更と変形は、本発明が提供する技術思想の範囲を脱しない限り、本発明に属すると言える。よって、本発明の権利範囲は、以下に記載する請求の範囲によって判断すべきである。

【符号の説明】

【0073】

１００ ハイブリッドインダクタ
１２０ ハイブリッド誘電体層
１２２ 誘電体
１２４ 磁性体
１４０ 電極パターン
１４２ 電極パターンの水平部
１４４ 電極パターンの貫通部

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】

【図11】