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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】特開2021-27315(P2021-27315A)
(43)【公開日】2021年2月22日
(54)【発明の名称】半導体パッケージ
(51)【国際特許分類】
H01L 23/29 20060101AFI20210125BHJP
H01L 23/28 20060101ALI20210125BHJP
【ＦＩ】
H01L23/36 A
H01L23/28 Z
【審査請求】未請求
【請求項の数】16
【出願形態】ＯＬ
【全頁数】20
(21)【出願番号】特願2020-16646(P2020-16646)
(22)【出願日】2020年2月3日
(31)【優先権主張番号】10-2019-0096274
(32)【優先日】2019年8月7日
(33)【優先権主張国】KR
(71)【出願人】
【識別番号】594023722
【氏名又は名称】サムソン エレクトロ−メカニックス カンパニーリミテッド．
(74)【代理人】
【識別番号】110000877
【氏名又は名称】龍華国際特許業務法人
(72)【発明者】
【氏名】ジャン、ジュン モク
(72)【発明者】
【氏名】パク、ハン ス
(72)【発明者】
【氏名】チョ、ヒュン クク
【テーマコード（参考）】
4M109
5F136
【Ｆターム（参考）】
4M109AA01
4M109BA04
5F136BA06
5F136BA30
5F136BA32
5F136BC03
5F136BC06
5F136DA08
5F136DA17
5F136DA31
5F136DA44
5F136EA23
5F136FA02
5F136FA03
5F136FA06
5F136FA34
5F136FA52
5F136GA30
(57)【要約】 （修正有）
【課題】欠陥の発生を低減させるとともに、放熱性能を向上させることができる半導体パッケージを提供する。【解決手段】半導体パッケージ１００は、基板１１０と、基板１１０に実装される電子部品１２０と、電子部品１２０の上面に配置される接合材１３０と、接合材１３０を介して電子部品１２０に接合されるヒートスラグ１４０と、ヒートスラグ１４０及び電子部品１２０が埋め込まれる封止材１５０と、を含む。ヒートスラグ１４０の側面は、曲がるように形成される。ヒートスラグ１４０の上面の面積は、ヒートスラグ１４０の下面の面積よりも大きく形成され、ヒートスラグ１４０の側面には、第１曲面１４２と、第１曲面１４２から延長形成され、第１曲面１４２の曲率半径と異なる曲率半径を有する第２曲面１４４が備えられる。
【選択図】図１
【特許請求の範囲】
【請求項1】
基板と、
前記基板に実装される電子部品と、
前記電子部品の上面に配置される接合材と、
前記接合材を介して前記電子部品に接合されるヒートスラグと、
前記ヒートスラグ及び前記電子部品が埋め込まれる封止材と、を含み、
前記ヒートスラグの側面は曲がっている、半導体パッケージ。
前記基板に実装される電子部品と、
前記電子部品の上面に配置される接合材と、
前記接合材を介して前記電子部品に接合されるヒートスラグと、
前記ヒートスラグ及び前記電子部品が埋め込まれる封止材と、を含み、
前記ヒートスラグの側面は曲がっている、半導体パッケージ。
【請求項2】
前記ヒートスラグの上面の面積が前記ヒートスラグの下面の面積よりも大きい、請求項１に記載の半導体パッケージ。
【請求項3】
前記ヒートスラグの側面には第１曲面が備えられる、請求項２に記載の半導体パッケージ。
【請求項4】
前記ヒートスラグの側面には、前記第１曲面から延長され、前記第１曲面の曲率半径と異なる曲率半径を有する第２曲面が備えられる、請求項３に記載の半導体パッケージ。
【請求項5】
前記ヒートスラグの側面には、前記第１曲面から延長される傾斜面が備えられる、請求項３に記載の半導体パッケージ。
【請求項6】
上部から見たとき、前記ヒートスラグの縁は、前記電子部品の縁から外側に突出しない、請求項１から５のいずれか一項に記載の半導体パッケージ。
【請求項7】
前記ヒートスラグの表面のうち少なくとも一面には酸化コーティング層が備えられる、請求項１から６のいずれか一項に記載の半導体パッケージ。
【請求項8】
前記封止材には前記ヒートスラグの上部に配置される開口部が備えられ、
前記開口部は少なくとも一つ以上の孔からなる、請求項７に記載の半導体パッケージ。
前記開口部は少なくとも一つ以上の孔からなる、請求項７に記載の半導体パッケージ。
【請求項9】
前記開口部内には熱伝達部材が配置され、
前記熱伝達部材は、はんだペースト、金属ペースト、及び導電性エポキシ樹脂ペーストのうちいずれか一つの材料からなる、請求項８に記載の半導体パッケージ。
前記熱伝達部材は、はんだペースト、金属ペースト、及び導電性エポキシ樹脂ペーストのうちいずれか一つの材料からなる、請求項８に記載の半導体パッケージ。
【請求項10】
前記熱伝達部材は前記ヒートスラグの上面に接触する、請求項９に記載の半導体パッケージ。
【請求項11】
前記ヒートスラグの上面は前記封止材から外部に露出する、請求項１から１０のいずれか一項に記載の半導体パッケージ。
【請求項12】
前記ヒートスラグは上面から延長形成される複数個の放熱フィンを備える、請求項１から１１のいずれか一項に記載の半導体パッケージ。
【請求項13】
前記放熱フィンの上面は前記封止材から外部に露出する、請求項１２に記載の半導体パッケージ。
【請求項14】
前記ヒートスラグは銅材料からなる、請求項１から１３のいずれか一項に記載の半導体パッケージ。
【請求項15】
基板と、
前記基板に実装される電子部品と、
前記電子部品の上面に配置される接合材と、
前記接合材を介して前記電子部品に接合されるヒートスラグと、
前記ヒートスラグ及び前記電子部品が埋め込まれる封止材と、を含み、
前記ヒートスラグの側面には、第１曲面、及び第１曲面から延長形成され、傾斜して形成される傾斜面が備えられる、半導体パッケージ。
前記基板に実装される電子部品と、
前記電子部品の上面に配置される接合材と、
前記接合材を介して前記電子部品に接合されるヒートスラグと、
前記ヒートスラグ及び前記電子部品が埋め込まれる封止材と、を含み、
前記ヒートスラグの側面には、第１曲面、及び第１曲面から延長形成され、傾斜して形成される傾斜面が備えられる、半導体パッケージ。
【請求項16】
前記ヒートスラグの上面の面積が前記ヒートスラグの下面の面積よりも大きい、請求項１５に記載の半導体パッケージ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、半導体パッケージに関するものである。
【背景技術】
【0002】
最近、半導体パッケージは、電子部品（例えば、ＩＣ）の高性能化に伴い、放熱性能を向上させた構造に対する要求が増加しつつある。
【0003】
その一方で、放熱を目的に、熱伝導性に優れた金属材料からなるヒートスラグが電子部品に設置されると、部品間の熱膨張係数（ＣＴＥ、Ｃｏｅｆｆｉｃｉｅｎｔ ｏｆ Ｔｈｅｒｍａｌ Ｅｘｐａｎｓｉｏｎ）の差により欠陥が発生するという問題がある。
【0004】
すなわち、電子部品及びヒートスラグが埋め込まれるように配置される封止材（ＥＭＣ）と、ヒートスラグ及びヒートスラグを電子部品に接合させるための接着剤間の熱膨張係数の差によって封止材にクラック（ｃｒａｃｋ）が発生するという問題がある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0005】
【特許文献1】米国特許第８３７５５７６号明細書
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0006】
本発明の目的は、欠陥の発生を低減させるとともに、放熱性能を向上させることができる半導体パッケージを提供することである。
【課題を解決するための手段】
【0007】
本発明による半導体パッケージは、基板と、上記基板に実装される電子部品と、上記電子部品の上面に配置される接合材と、上記接合材を介して上記電子部品に接合されるヒートスラグと、上記ヒートスラグ及び上記電子部品が埋め込まれる封止材と、を含み、上記ヒートスラグの側面は曲がるように形成されることができる。
【発明の効果】
【0008】
欠陥の発生を低減させるとともに、放熱性能を向上させることができるという効果がある。
【図面の簡単な説明】
【0009】
【図1】本発明の第１実施形態による半導体パッケージを示す概略断面図である。
【図2】本発明の第１実施形態による半導体パッケージに備えられるヒートスラグ及び熱伝達部材を示す平面図である。
【図3】従来技術による半導体パッケージに備えられる封止材にクラックが発生する現象を説明するための写真である。
【図4】従来技術による半導体パッケージに備えられる封止材にクラックが発生する現象を説明するための写真である。
【図5】従来技術による半導体パッケージに備えられる封止材にクラックが発生する現象を説明するための写真である。
【図6】ヒートスラグの第１変形実施形態を示す概略断面図である。
【図7】ヒートスラグの酸化コーティング層が形成されない場合のヒートスラグの表面を示す写真である。
【図8】ヒートスラグの酸化コーティング層が形成される場合のヒートスラグの表面を示す写真である。
【図9】本発明の第２実施形態による半導体パッケージを示す概略断面図である。
【図10】本発明の第２実施形態による半導体パッケージのヒートスラグ及び熱伝達部材を示す平面図である。
【図11】本発明の第３実施形態による半導体パッケージを示す概略断面図である。
【図12】本発明の第４実施形態による半導体パッケージを示す概略断面図である。
【図13】本発明の第４実施形態による半導体パッケージに備えられるヒートスラグを示す平面図である。
【図14】本発明の第５実施形態による半導体パッケージを示す概略断面図である。
【図15】本発明の第６実施形態による半導体パッケージを示す概略断面図である。
【図16】本発明の第７実施形態による半導体パッケージを示す概略断面図である。
【図17】ヒートスラグの第２変形実施形態を示す概略断面図である。
【図18】ヒートスラグの第３変形実施形態を示す概略断面図である。
【図19】ヒートスラグの第４変形実施形態を示す概略断面図である。
【図20】ヒートスラグの第５変形実施形態を示す概略断面図である。
【図21】ヒートスラグの第６変形実施形態を示す概略断面図である。
【発明を実施するための形態】
【0010】
以下では、添付の図面を参照して本発明の好ましい実施形態について説明する。しかし、本発明の実施形態は様々な他の形態に変形されることができ、本発明の範囲は以下で説明する実施形態に限定されない。また、本発明の実施形態は、当該技術分野で平均的な知識を有する者に本発明をより完全に説明するために提供されるものである。したがって、図面における要素の形状及び大きさなどはより明確な説明のために拡大縮小表示（又は強調表示や簡略化表示）がされることがあり、図面上の同一の符号で示される要素は同一の要素である。
【0012】
図１及び図２を参照すると、本発明の第１実施形態による半導体パッケージ１００は、一例として、基板１１０、電子部品１２０、接合材１３０、ヒートスラグ１４０、及び封止材１５０を含んで構成されることができる。
【0013】
基板１１０は、平板状を有し、絶縁層（不図示）及び配線層（不図示）を備えることができる。一方、絶縁層の材料としては、エポキシ樹脂のような熱硬化性樹脂、ポリイミドのような熱可塑性樹脂、又はこれら樹脂が無機フィラーとともにガラス繊維（Ｇｌａｓｓ Ｆｉｂｅｒ、Ｇｌａｓｓ Ｃｌｏｔｈ、Ｇｌａｓｓ Ｆａｂｒｉｃ）などの芯材に含浸された樹脂、例えば、プリプレグ（ｐｒｅｐｒｅｇ）、ＡＢＦ（Ａｊｉｎｏｍｏｔｏ Ｂｕｉｌｄ−ｕｐ Ｆｉｌｍ）、ＦＲ−３、ＢＴ（Ｂｉｓｍａｌｅｉｍｉｄｅ Ｔｒｉａｚｉｎｅ）のような絶縁材料を用いることができる。また、配線層の材料としては、銅（Ｃｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、銀（Ａｇ）、スズ（Ｓｎ）、金（Ａｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、鉛（Ｐｂ）、チタン（Ｔｉ）、又はこれらの合金などの導電性物質を用いることができる。
【0014】
一例として、基板１１０は、リジッドプリント回路基板（ｒｉｇｉｄ ｐｒｉｎｔｅｄ ｃｉｒｃｕｉｔ ｂｏａｒｄ）、フレキシブルプリント回路基板（ｆｌｅｘｉｂｌｅ ｐｒｉｎｔｅｄ ｃｉｒｃｕｉｔ ｂｏａｒｄ）、及びリジッドフレキシブルプリント回路基板（ｒｉｇｉｄ−ｆｌｅｘｉｂｌｅ ｐｒｉｎｔｅｄ ｃｉｔｃｕｉｔ ｂｏａｒｄ）のうちいずれか一つであることができる。また、基板１１０は、一例として、単層プリント回路基板（ｓｉｎｇｌｅ−ｌａｙｅｒ ｐｒｉｎｔｅｄ ｃｉｒｃｕｉｔ ｂｏａｒｄ）及び多層プリント回路基板（ｍｕｌｔｉ−ｌａｙｅｒ ｐｒｉｎｔｅｄ ｃｉｒｃｕｉｔ ｂｏａｒｄ）のうちいずれか一つであることができる。
【0015】
一方、基板１１０には、配線層と連結される複数の外部端子（不図示）が備えられることができる。外部端子は、はんだボール（ｓｏｌｄｅｒ ｂａｌｌ）、導電性バンプ（ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ ｂｕｍｐ）、ピングリッドアレイ（ｐｉｎ ｇｒｉｄ ａｒｒａｙ）、リードグリッドアレイ（ｌｅａｄｇｒｉｄ ａｒｒａｙ）、銅ピラー（ｃｏｐｐｅｒ ｐｉｌｌａｒ）、又はこれらの組み合わせであることができる。
【0016】
また、基板１１０の下面にはアンテナ１１２が備えられることができる。アンテナ１１２は、Ｗｉ−Ｆｉ（登録商標）用のアンテナや５Ｇ用のアンテナなどであってもよく、基板１１０の下面にパターニングによって形成されることができる。一方、アンテナ１１２は、基板１１０の下面に複数個が相互離隔配置されることができる。また、複数個のアンテナ１１２は相互連結されることができる。
【0017】
電子部品１２０は基板１１０に実装される。また、電子部品１２０は、接続部材１０２を介して基板１１０に実装されることができる。一例として、接続部材１０２としては、はんだボール（ｓｏｌｄｅｒ ｂａｌｌ）又は銅ピラー（ｃｏｐｐｅｒ ｐｉｌｌａｒ）などが用いられることができる。一方、電子部品１２０は、無線通信用超高周波チップ（ＲＦＩＣ、Ｒａｄｉｏ Ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ Ｃｉｒｃｕｉｔ）であることができる。また、電子部品１２０は、一例として直方体状を有することができる。但し、これに限定されず、電子部品１２０の形状は多様に変更可能である。
【0018】
接合材１３０は、電子部品１２０の上面に配置される。一方、接合材１３０は、ヒートスラグを電子部品１２０に接合する役割を果たす。また、接合材１３０は、優れた熱伝達特性を有する熱伝達物質（Ｔｈｅｒｍａｌ Ｉｎｔｅｒｆａｃｅ Ｍａｔｅｒｉａｌ、ＴＩＭ）の熱伝導性接着剤（Ｔｈｅｒｍａｌｌｙ Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ Ａｄｈｅｓｉｖｅ）であることができる。但し、これに限定されず、接合材１３０は、熱伝導性コンパウンド（Ｔｈｅｒｍａｌｌｙ Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ Ｃｏｍｐｏｕｎｄ）、熱伝導性ゲル（Ｔｈｅｒｍａｌｌｙ Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ Ｇｅｌ）又はプリプレグ（ｐｒｅｐｒｅｇ）のうち少なくとも一つを含有することができる。一例として、接合材１３０は、液状又はペースト状の物質を硬化させて形成したものであってもよい。
【0019】
ヒートスラグ１４０は、接合材１３０を介して電子部品１２０に接合される。一方、ヒートスラグ１４０は、電子部品１２０から伝達された熱を発散する役割を果たす。一例として、ヒートスラグ１４０は、熱伝導率に優れた銅（Ｃｕ）材料からなることができる。但し、これに限定されず、ヒートスラグ１４０は、金（Ａｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、ニッケル（Ｎｉ）、ステンレス鋼（Ｓｔａｉｎｌｅｓｓ Ｓｔｅｅｌ）材料からなるか、又は銅（Ｃｕ）、金（Ａｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、ニッケル（Ｎｉ）、ステンレス鋼（Ｓｔａｉｎｌｅｓｓ Ｓｔｅｅｌ）のうち少なくとも二つの合金材料からなることができる。
【0020】
一方、ヒートスラグ１４０の側面は曲がるように形成される。さらに、ヒートスラグ１４０の上面の面積は、ヒートスラグ１４０の下面の面積よりも大きく形成される。一例として、ヒートスラグ１４０の側面には、第１曲面１４２が備えられることができる。また、ヒートスラグ１４０の側面には、第１曲面１４２から延長形成され、第１曲面１４２の曲率半径と異なる曲率半径を有する第２曲面１４４が備えられることができる。
【0021】
このように、ヒートスラグ１４０の側面が曲がるように形成することにより、封止材１５０が破損することを低減させることができる。すなわち、ヒートスラグ１４０の側面が曲がるように形成することにより、封止材１５０に発生するクラック（ｃｒａｃｋ）による不良の発生を低減させることができる。
【0022】
これについての詳細な説明は後述する。
【0023】
一方、ヒートスラグ１４０は、電子部品１２０の側面から外側に突出して配置されない。より詳細には、ヒートスラグ１４０の上面縁は、電子部品１２０の側面から外側に突出しない。換言すると、上部から見たとき、ヒートスラグ１４０の上面縁は、電子部品１２０の上面縁から突出しない。すなわち、上部から見たとき、ヒートスラグ１４０の上面縁は、電子部品１２０の上面縁に接するか、又は電子部品の上面縁内に配置されることができる。つまり、ヒートスラグ１４０は、電子部品１２０の側面から延長された平面によって形成される空間内に配置されるか、又はヒートスラグ１４０の上面縁が電子部品１２０の側面から延長される平面に接するように配置されることができる。
【0024】
これにより、基板１１０に実装される他の部品とヒートスラグ１４０が干渉することを防止することができる。
【0025】
但し、これに限定されず、ヒートスラグ１４０の上端部は、電子部品１２０の側面から外側に突出するように配置されることができる。一例として、電子部品１２０の周囲に配置される部品（半導体チップなど）の高さがヒートスラグ１４０の上端部よりも低い場合、ヒートスラグ１４０の上端部が電子部品１２０の側面から外側に突出するように配置されても、電子部品１２０の周囲に配置される部品とヒートスラグ１４０は干渉しなくてもよい。一例として、ヒートスラグ１４０の全厚さが３００μｍであり、電子部品１２０の周囲に配置される部品の上面と電子部品１２０の上面の垂直距離が１６０μｍである場合、ヒートスラグ１４０の上端部は、電子部品１２０の側面から外側に突出することができる。このように、ヒートスラグ１４０の上端部が電子部品１２０の側面から外側に突出しても、ヒートスラグ１４０がハーフエッチング（ｈａｌｆ−Ｅｔｃｈｉｎｇ）により曲がるように形成されるため、ヒートスラグ１４０と電子部品１２０の周囲に配置される部品との干渉を防止することができる。
【0026】
このように、ヒートスラグ１４０の上端部が電子部品１２０の側面から突出するように配置される場合には、ヒートスラグ１４０の上端部のサイズが大きくなり得るため、熱放出効率が増加することができる。
【0027】
封止材１５０には、電子部品１２０及びヒートスラグ１４０が埋め込まれて配置される。一方、封止材１５０は、電子部品１２０及びヒートスラグ１４０を外部の衝撃から保護するように、所定の強度を有することができる。一例として、封止材１５０は、エポキシモールディングコンパウンド（Ｅｐｏｘｙ ｍｏｌｄｉｎｇ ｃｏｍｐｏｕｎｄ、ＥＭＣ）からなることができる。一方、封止材１５０には、ヒートスラグ１４０の上部に配置される開口部１５２が備えられる。開口部１５２は、複数個の貫通孔からなることができる。一方、開口部１５２内には熱伝達部材１６０が配置され、熱伝達部材１６０は、はんだペースト（Ｓｏｌｄｅｒ Ｐａｓｔｅ）、金属ペースト（Ｍｅｔａｌ Ｐａｓｔｅ）、及び導電性エポキシペースト（Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ Ｅｐｏｘｙ Ｐａｓｔｅ）のうちいずれか一つの材料からなることができる。
【0028】
そして、熱伝達部材１６０の一端部は、封止材１５０の外部に突出するように配置されることができる。
【0029】
一方、基板１１０には、電子部品１２０に隣接して配置される受動素子１７０が実装されることができる。受動素子１７０は、インダクタ素子などであることができる。一例として、受動素子１７０は、ヒートスラグ１４０との干渉を防止するために、電子部品１２０の厚さよりも小さい厚さを有することができる。
【0030】
ここで、本発明の効果についてより詳細に説明する。
【0031】
図３、図４、及び図５に示すように、従来のヒートスラグ１０は、側面が垂直に配置され、下端部が接合材２０に埋め込まれて配置され、上端部は封止材３０に埋め込まれて配置される。すなわち、ヒートスラグ１０の側面下端部は接合材２０に接触し、ヒートスラグ１０の側面上端部は封止材３０に接触する。
【0032】
ところが、ヒートスラグ１０、接合材２０、及び封止材３０の熱膨張係数（Ｃｏｅｆｆｉｃｉｅｎｔ ｏｆ Ｔｈｅｒｍａｌ Ｅｘｐａｎｓｉｏｎ）は、下表のとおりである。
【0033】
【表1】
【0034】
このように、ヒートスラグ１０、接合材２０、及び封止材３０の熱膨張係数（ＣＴＥ）が異なるため、図３に示すように、接合材２０がヒートスラグ１０から分離する現象（ｄｅｌａｍｉｎａｔｉｏｎ）が発生する。その結果、封止材３０にクラック（ｃｒａｃｋ）が発生することが分かる。
【0035】
また、図４及び図５に示すように、封止材３０にクラック（ｃｒａｃｋ）が発生することが分かる。これは、ヒートスラグ１０と封止材３０の熱膨張係数（ＣＴＥ）差に起因したものである。より詳細には、ヒートスラグ１０と封止材３０の熱膨張係数（ＣＴＥ）の差により、封止材３０とヒートスラグ１０の接触面にはストレスが加わる。これは、封止材３０とヒートスラグ１０の側面との接触面積が小さいためであり、ここにストレスが集中する。その結果、封止材３０にクラックが発生し、クラックは封止材３０の上部側に進展する。
【0036】
結果として、封止材３０に発生したクラックにより不良が発生する。
【0037】
これに対し、本発明の第１実施形態による半導体パッケージ１００に備えられるヒートスラグ１４０は、側面が曲がるように形成される。これにより、ヒートスラグ１４０と封止材１５０の接触面積が大きくなる。したがって、ヒートスラグ１４０と封止材１５０の熱膨張係数の差により、ヒートスラグ１４０と封止材１５０の接触面に加わるストレスが分散する。これにより、封止材１５０にクラックが発生することを抑制することができる。さらに、ヒートスラグ１４０の上面の面積がヒートスラグ１４０の下面の面積よりも大きく形成される。これにより、接合材１３０とヒートスラグ１４０が分離する現象（ｄｅｌａｍｉｎａｔｉｏｎ）が発生しても、接合材１３０とヒートスラグ１４０が分離する現象（ｄｅｌａｍｉｎａｔｉｏｎ）が発生する領域の上部にヒートスラグ１４０の上端部が配置されることから、封止材１５０にクラックが発生した場合にも、ヒートスラグ１４０の上端部によってクラックが上部側に進展しない。
【0038】
一方、電子部品１２０で発生した熱は、接合材１３０、ヒートスラグ１４０、熱伝達部材１６０を介して封止材１５０の外部に伝達されることができる。これにより、放熱性能を向上させることができる。
【0039】
上記のように、ヒートスラグ１４０の側面が曲がるように形成されるため、不良の発生を低減させることができる。
【0040】
図６はヒートスラグの第１変形実施形態を示す概略断面図である。
【0041】
図６を参照すると、ヒートスラグ２４０は、表面に酸化コーティング層２４６が備えられる。酸化コーティング層２４６は、黒色酸化（Ｂｌａｃｋ Ｏｘｉｄｅ）表面処理を介して形成されることができる。これにより、図７に示すように、酸化コーティング層２４６が備えられないヒートスラグ２４０の表面と比較して、図８に示すように、酸化コーティング層２４６の表面の比表面積が増加することができる。換言すると、図８に示すように、酸化コーティング層２４６の表面の表面粗さが悪くなるため、封止材１５０（図１参照）との接触面積が増加することができる。さらに、酸化コーティング層２４６と封止材１５０の間で酸素結合が行われるため、封止材１５０とヒートスラグ２４０の接合力が増加することができる。
【0042】
また、ヒートスラグ２４０の側面は曲がるように形成される。
【0043】
一方、ヒートスラグ２４０は、図１に示された本発明の第１実施形態による半導体パッケージ１００のヒートスラグ１４０の代替として半導体パッケージに採用されることができる。
【0045】
図９及び図１０を参照すると、本発明の第２実施形態による半導体パッケージ３００は、一例として、基板１１０、電子部品１２０、接合材１３０、ヒートスラグ２４０、及び封止材３５０を含んで構成されることができる。
【0046】
一方、基板１１０、電子部品１２０、及び接合材１３０は、上記した本発明の第１実施形態による半導体パッケージ１００に備えられる構成と実質的に同一であり、ヒートスラグ２４０は、上記したヒートスラグの変形実施形態で説明した構成と実質的に同一であるため、ここでは詳細な説明を省略する。
【0047】
封止材３５０には、電子部品１２０及びヒートスラグ２４０が埋め込まれて配置される。一方、封止材３５０は、電子部品１２０及びヒートスラグ２４０を外部の衝撃から保護するように、所定の強度を有することができる。一例として、封止材３５０は、エポキシモールディングコンパウンド（Ｅｐｏｘｙ ｍｏｌｄｉｎｇ ｃｏｍｐｏｕｎｄ、ＥＭＣ）からなることができる。一方、封止材３５０には、ヒートスラグ２４０の上部に配置される開口部３５２が備えられる。開口部３５２は、一つの四角状の孔からなることができる。一方、開口部３５２内には熱伝達部材３６０が配置され、熱伝達部材３６０は、はんだペースト（Ｓｏｌｄｅｒ Ｐａｓｔｅ）、金属ペースト（Ｍｅｔａｌ Ｐａｓｔｅ）、及び導電性エポキシペースト（Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ Ｅｐｏｘｙ Ｐａｓｔｅ）のうちいずれか一つの材料からなることができる。
【0048】
そして、熱伝達部材３６０の一端部は、封止材３５０の外部に突出するように配置されることができる。
【0049】
図１１は本発明の第３実施形態による半導体パッケージを示す概略断面図である。
【0050】
図１１を参照すると、本発明の第３実施形態による半導体パッケージ４００は、基板１１０、電子部品１２０、接合材１３０、ヒートスラグ４４０、及び封止材４５０を含んで構成されることができる。
【0051】
一方、基板１１０、電子部品１２０、及び接合材１３０は、上記した本発明の第１実施形態による半導体パッケージ１００に備えられる構成と実質的に同一であるため、ここでは詳細な説明を省略する。
【0052】
ヒートスラグ４４０は、接合材１３０を介して電子部品１２０に接合される。一方、ヒートスラグ４４０は、電子部品１２０から伝達された熱を発散する役割を果たす。一例として、ヒートスラグ４４０は、熱伝導率に優れた銅（Ｃｕ）材料からなることができる。但し、これに限定されず、ヒートスラグ４４０は、金（Ａｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、ニッケル（Ｎｉ）、ステンレス鋼（Ｓｔａｉｎｌｅｓｓ Ｓｔｅｅｌ）材料からなるか、又は銅（Ｃｕ）、金（Ａｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、ニッケル（Ｎｉ）、ステンレス鋼（Ｓｔａｉｎｌｅｓｓ Ｓｔｅｅｌ）のうち少なくとも二つの合金材料からなることができる。
【0053】
一方、ヒートスラグ４４０の側面は曲がるように形成される。さらに、ヒートスラグ４４０の上面の面積は、ヒートスラグ４４０の下面の面積よりも大きく形成される。一例として、ヒートスラグ４４０の側面には、第１曲面４４２が備えられることができる。また、ヒートスラグ４４０の側面には、第１曲面４４２から延長形成され、第１曲面４４２の曲率半径と異なる曲率半径を有する第２曲面４４４が備えられることができる。
【0054】
このように、ヒートスラグ４４０の側面が曲がるように形成することにより、封止材４５０が破損することを低減させることができる。換言すると、ヒートスラグ４４０の側面が曲がるように形成することにより、封止材４５０に発生するクラック（ｃｒａｃｋ）による不良の発生を低減させることができる。
【0055】
一方、ヒートスラグ４４０は、電子部品１２０の側面から外側に突出して配置されない。より詳細には、ヒートスラグ４４０の上面縁は、電子部品１２０の側面から外側に突出しない。換言すると、上部から見たとき、ヒートスラグ４４０の上面縁は、電子部品１２０の上面縁から突出しない。すなわち、上部から見たとき、ヒートスラグ４４０の上面縁は、電子部品１２０の上面縁に接するか、又は電子部品の上面縁内に配置されることができる。つまり、ヒートスラグ４４０は、電子部品１２０の側面から延長された平面によって形成される空間内に配置されるか、又はヒートスラグ４４０の上面縁が電子部品１２０の側面から延長される平面に接するように配置されることができる。
【0056】
これにより、ヒートスラグ４４０により、基板１１０に実装される他の部品との干渉を防止することができる。
【0057】
一方、ヒートスラグ４４０の側面及び底面には、酸化コーティング層４４６が備えられることができる。すなわち、ヒートスラグ４４０の上面には、酸化コーティング層４４６が備えられない。さらに、ヒートスラグ４４０の上面は、封止材４５０から外部に露出する。
【0058】
封止材４５０には、電子部品１２０及びヒートスラグ４４０が埋め込まれて配置される。一方、封止材４５０は、電子部品１２０及びヒートスラグ４４０を外部の衝撃から保護するように、所定の強度を有することができる。一例として、封止材４５０は、エポキシモールディングコンパウンド（Ｅｐｏｘｙ ｍｏｌｄｉｎｇ ｃｏｍｐｏｕｎｄ、ＥＭＣ）からなることができる。一方、上記のように、ヒートスラグ４４０の上面が封止材４５０から外部に露出する。これについてより詳細に説明すると、表面全体に酸化コーティング層４４６が形成されたヒートスラグ４４０は、製造工程時に封止材４５０に埋め込まれるように配置される。その後、研磨工程［例えば、ハーフエッチング（Ｈａｌｆ−ｅｔｃｈｉｎｇ）工程又は化学機械研磨（ＣＭＰ）工程］によって封止材４５０の上端部が研磨される。この際、ヒートスラグ４４０の上面に備えられる酸化コーティング層４４６が除去される。これにより、酸化コーティング層４４６が備えられないヒートスラグ４４０の上面が封止材４５０から露出することができる。
【0060】
図１２及び図１３を参照すると、本発明の第４実施形態による半導体パッケージ５００は、基板１１０、電子部品１２０、接合材１３０、ヒートスラグ５４０、及び封止材５５０を含んで構成されることができる。
【0061】
一方、基板１１０、電子部品１２０、及び接合材１３０は、上記した本発明の第１実施形態による半導体パッケージ１００に備えられる構成と実質的に同一であるため、ここでは詳細な説明を省略する。
【0062】
ヒートスラグ５４０は、接合材１３０を介して電子部品１２０に接合される。一方、ヒートスラグ５４０は、電子部品１２０から伝達された熱を発散する役割を果たす。一例として、ヒートスラグ５４０は、熱伝導率に優れた銅（Ｃｕ）材料からなることができる。但し、これに限定されず、ヒートスラグ５４０は、金（Ａｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、ニッケル（Ｎｉ）、ステンレス鋼（Ｓｔａｉｎｌｅｓｓ Ｓｔｅｅｌ）材料からなるか、又は銅（Ｃｕ）、金（Ａｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、ニッケル（Ｎｉ）、ステンレス鋼（Ｓｔａｉｎｌｅｓｓ Ｓｔｅｅｌ）のうち少なくとも二つの合金材料からなることができる。
【0063】
ヒートスラグ５４０は、本体５４１及び複数個の放熱フィン５４８を備えることができる。複数個の放熱フィン５４８は、本体５４１の上面から延長形成される。
【0064】
本体５４１の側面は曲がるように形成される。さらに、本体５４１の上面の面積は、本体５４１の下面の面積よりも大きく形成される。一例として、本体５４１の側面には、第１曲面５４２が備えられることができる。また、本体５４１の側面には、第１曲面５４２から延長形成され、第１曲面５４２の曲率半径と異なる曲率半径を有する第２曲面５４４が備えられることができる。
【0065】
このように、本体５４１の側面が曲がるように形成することにより、封止材５５０が破損することを低減させることができる。換言すると、本体５４１の側面が曲がるように形成することにより、封止材５５０に発生するクラック（ｃｒａｃｋ）による不良の発生を低減させることができる。
【0066】
一方、ヒートスラグ５４０は、電子部品１２０の側面から外部に突出して配置されない。すなわち、上部から見たとき、本体５４１の上面縁が電子部品１２０の上面縁から突出しない。
【0067】
これにより、ヒートスラグ５４０と基板１１０に実装される他の部品との干渉を防止することができる。
【0068】
封止材５５０には、電子部品１２０及びヒートスラグ５４０が埋め込まれて配置される。一方、封止材５５０は、電子部品１２０及びヒートスラグ５４０を外部の衝撃から保護するように、所定の強度を有することができる。一例として、封止材５５０は、エポキシモールディングコンパウンド（Ｅｐｏｘｙ ｍｏｌｄｉｎｇ ｃｏｍｐｏｕｎｄ、ＥＭＣ）からなることができる。一方、ヒートスラグ５４０の放熱フィン５４８は、封止材５５０から露出することなく、封止材５５０の内部に埋め込まれて配置されることができる。
【0069】
図１４は本発明の第５実施形態による半導体パッケージを示す概略断面図である。
【0070】
図１４を参照すると、本発明の第５実施形態による半導体パッケージ６００は、基板１１０、電子部品１２０、接合材１３０、ヒートスラグ５４０、及び封止材６５０を含んで構成されることができる。
【0071】
一方、基板１１０、電子部品１２０、及び接合材１３０は、上記した本発明の第１実施形態による半導体パッケージ１００に備えられる構成と実質的に同一であるため、ここでは詳細な説明を省略する。
【0072】
また、ヒートスラグ５４０は、上記した本発明の第４実施形態による半導体パッケージ５００に備えられる構成と実質的に同一であるため、ここでは詳細な説明を省略する。
【0073】
封止材６５０には、電子部品１２０及びヒートスラグ５４０が埋め込まれて配置される。一方、封止材６５０は、電子部品１２０及びヒートスラグ５４０を外部の衝撃から保護するように、所定の強度を有することができる。一例として、封止材６５０は、エポキシモールディングコンパウンド（Ｅｐｏｘｙ ｍｏｌｄｉｎｇ ｃｏｍｐｏｕｎｄ、ＥＭＣ）からなることができる。一方、ヒートスラグ５４０の放熱フィン５４８の上面は、封止材６５０から外部に露出する。
【0074】
図１５は本発明の第６実施形態による半導体パッケージを示す概略断面図である。
【0075】
図１５を参照すると、本発明の第６実施形態による半導体パッケージ７００は、基板１１０、電子部品１２０、接合材１３０、ヒートスラグ７４０、及び封止材１５０を含んで構成されることができる。
【0076】
一方、基板１１０、電子部品１２０、接合材１３０、及び封止材１５０は、上記した本発明の第１実施形態による半導体パッケージ１００に備えられる構成と実質的に同一であるため、ここでは詳細な説明を省略する。
【0077】
ヒートスラグ７４０は、接合材１３０を介して電子部品１２０に接合される。一方、ヒートスラグ７４０は、電子部品１２０から伝達された熱を発散する役割を果たす。一例として、ヒートスラグ７４０は、熱伝導率に優れた銅（Ｃｕ）材料からなることができる。但し、これに限定されず、ヒートスラグ７４０は、金（Ａｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、ニッケル（Ｎｉ）、ステンレス鋼（Ｓｔａｉｎｌｅｓｓ Ｓｔｅｅｌ）材料からなるか、又は銅（Ｃｕ）、金（Ａｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、ニッケル（Ｎｉ）、ステンレス鋼（Ｓｔａｉｎｌｅｓｓ Ｓｔｅｅｌ）のうち少なくとも二つの合金材料からなることができる。
【0078】
一方、ヒートスラグ７４０の側面は少なくとも一つの段差を有するように形成される。さらに、ヒートスラグ７４０の上面の面積は、ヒートスラグ７４０の下面の面積よりも大きく形成される。一例として、ヒートスラグ７４０の側面には、第１面７４２、及び第１面７４２の外側に配置され、第１面７４２と段差を有する第２面７４４が備えられることができる。
【0079】
一方、ヒートスラグ７４０は、プレス工程などによって形成されることができる。
【0080】
このように、ヒートスラグ７４０の側面が段差付けられるように形成することにより、封止材１５０が破損することを低減させることができる。換言すると、ヒートスラグ７４０の側面が段差付けられるように形成することにより、封止材１５０に発生するクラック（ｃｒａｃｋ）による不良の発生を低減させることができる。
【0081】
また、ヒートスラグ７４０には酸化コーティング層７４６が形成される。これにより、ヒートスラグ７４０の表面の比表面積が増加することができる。換言すると、ヒートスラグ７４０の表面の表面粗さが悪くなるため、封止材１５０との接触面積が増加することができる。さらに、酸化コーティング層７４６と封止材１５０の間で酸素結合が行われるため、封止材１５０とヒートスラグ７４０の接合力が増加することができる。
【0082】
一方、ヒートスラグ７４０は、電子部品１２０から突出して配置されない。より詳細には、ヒートスラグ７４０の上面縁は、電子部品１２０の側面から外側に突出しない。換言すると、上部から見たとき、ヒートスラグ７４０の上面縁は、電子部品１２０の上面縁から突出しない。すなわち、上部から見たとき、ヒートスラグ７４０の上面縁は、電子部品１２０の上面縁に接するか、又は電子部品の上面縁内に配置されることができる。つまり、ヒートスラグ７４０は、電子部品１２０の側面から延長された平面によって形成される空間内に配置されるか、又はヒートスラグ７４０の上面縁が電子部品１２０の側面から延長される平面に接するように配置されることができる。
【0083】
これにより、基板１１０に実装される他の部品とヒートスラグ７４０が干渉することを防止することができる。
【0084】
但し、これに限定されず、ヒートスラグ７４０の上端部は、電子部品１２０の側面から外側に突出するように配置されることができる。一例として、電子部品１２０の周囲に配置される部品（半導体チップなど）の高さがヒートスラグ７４０の上端部よりも低い場合には、ヒートスラグ７４０の上端部が電子部品１２０の側面から外側に突出するように配置されても、電子部品１２０の周囲に配置される部品とヒートスラグ７４０が干渉しない。一例として、ヒートスラグ７４０の全厚さが３００μｍであり、電子部品１２０の周囲に配置される部品の上面と電子部品１２０の上面との垂直距離が１６０μｍである場合、ヒートスラグ７４０の上端部は、電子部品１２０の側面から外側に突出することができる。このように、ヒートスラグ７４０の上端部が電子部品１２０の側面から外側に突出しても、ヒートスラグ７４０がプレス加工により段差付けられるように形成されるため、ヒートスラグ７４０と電子部品１２０の周囲に配置される部品との干渉を防止することができる。
【0085】
このように、ヒートスラグ７４０の上端部が電子部品１２０の側面から突出するように配置される場合には、ヒートスラグ７４０の上端部のサイズが大きくなり得るため、熱放出効率が増加することができる。
【0086】
封止材１５０には、電子部品１２０及びヒートスラグ７４０が埋め込まれて配置される。一方、封止材１５０は、電子部品１２０及びヒートスラグ７４０を外部の衝撃から保護するように、所定の強度を有することができる。一例として、封止材１５０は、エポキシモールディングコンパウンド（Ｅｐｏｘｙ ｍｏｌｄｉｎｇ ｃｏｍｐｏｕｎｄ、ＥＭＣ）からなることができる。一方、封止材１５０には、ヒートスラグ７４０の上部に配置される開口部１５２が備えられる。開口部１５２は、複数個の貫通孔からなることができる。一方、開口部１５２内には熱伝達部材１６０が配置され、熱伝達部材１６０は、はんだペースト（Ｓｏｌｄｅｒ Ｐａｓｔｅ）、金属ペースト（Ｍｅｔａｌ Ｐａｓｔｅ）、及び導電性エポキシペースト（Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ Ｅｐｏｘｙ Ｐａｓｔｅ）のうちいずれか一つの材料からなることができる。
【0087】
また、熱伝達部材１６０の一端部は、封止材１５０の外部に突出するように配置されることができる。
【0088】
図１６は本発明の第７実施形態による半導体パッケージを示す概略断面図である。
【0089】
図１６を参照すると、本発明の第７実施形態による半導体パッケージ８００は、基板１１０、電子部品１２０、接合材１３０、ヒートスラグ２４０、及び封止材８５０を含んで構成されることができる。
【0090】
一方、基板１１０、電子部品１２０、及び接合材１３０は、上記した本発明の第１実施形態による半導体パッケージ１００に備えられる構成と実質的に同一であるため、ここでは詳細な説明を省略する。
【0091】
ヒートスラグ２４０は、表面に酸化コーティング層２４６が備えられる。酸化コーティング層２４６は、黒色酸化（Ｂｌａｃｋ Ｏｘｉｄｅ）表面処理を介して形成されることができる。これにより、図７に示すように、酸化コーティング層２４６が備えられないヒートスラグ２４０の表面と比較して、図８に示すように、酸化コーティング層２４６の表面の比表面積が増加することができる。換言すると、図８に示すように、酸化コーティング層２４６の表面の表面粗さが悪くなるため、封止材１５０（図１参照）との接触面積が増加することができる。さらに、酸化コーティング層２４６と封止材１５０の間で酸素結合が行われるため、封止材１５０とヒートスラグ２４０の接合力が増加することができる。
【0092】
また、ヒートスラグ２４０の側面は曲がるように形成される。
【0093】
封止材８５０には、電子部品１２０及びヒートスラグ２４０が埋め込まれて配置される。一方、封止材８５０は、電子部品１２０及びヒートスラグ２４０を外部の衝撃から保護するように、所定の強度を有することができる。一例として、封止材８５０は、エポキシモールディングコンパウンド（Ｅｐｏｘｙ ｍｏｌｄｉｎｇ ｃｏｍｐｏｕｎｄ、ＥＭＣ）からなることができる。一方、ヒートスラグ２４０は、封止材８５０に埋め込まれて配置される。すなわち、ヒートスラグ２４０は、封止材８５０の外部に露出しない。
【0094】
図１７はヒートスラグの第２変形実施形態を示す概略断面図である。
【0095】
図１７を参照すると、ヒートスラグ９４０は、熱伝導率に優れた銅（Ｃｕ）材料からなることができる。但し、これに限定されず、ヒートスラグ９４０は、金（Ａｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、ニッケル（Ｎｉ）、ステンレス鋼（Ｓｔａｉｎｌｅｓｓ Ｓｔｅｅｌ）材料からなるか、又は銅（Ｃｕ）、金（Ａｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、ニッケル（Ｎｉ）、ステンレス鋼（Ｓｔａｉｎｌｅｓｓ Ｓｔｅｅｌ）のうち少なくとも二つの合金材料からなることができる。
【0096】
一方、ヒートスラグ９４０の側面は曲がるように形成される。さらに、ヒートスラグ９４０の上面の面積は、ヒートスラグ９４０の下面の面積よりも大きく形成される。一例として、ヒートスラグ９４０の側面には、第１曲面９４２が備えられることができる。また、ヒートスラグ９４０の側面には、第１曲面９４２から延長形成される傾斜面９４４が備えられることができる。
【0097】
このように、ヒートスラグ９４０の側面が曲がるように形成することにより、封止材１５０（図１参照）が破損することを低減させることができる。換言すると、ヒートスラグ９４０の側面が曲がるように形成することにより、封止材１５０に発生するクラック（ｃｒａｃｋ）による不良の発生を低減させることができる。
【0098】
一方、ヒートスラグ９４０は、上記で説明した半導体パッケージの各実施形態に備えられるヒートスラグの代替として採用されることができる。
【0099】
図１８はヒートスラグの第３変形実施形態を示す概略断面図である。
【0100】
図１８を参照すると、ヒートスラグ１０４０は、熱伝導率に優れた銅（Ｃｕ）材料からなることができる。但し、これに限定されず、ヒートスラグ１０４０は、金（Ａｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、ニッケル（Ｎｉ）、ステンレス鋼（Ｓｔａｉｎｌｅｓｓ Ｓｔｅｅｌ）材料からなるか、又は銅（Ｃｕ）、金（Ａｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、ニッケル（Ｎｉ）、ステンレス鋼（Ｓｔａｉｎｌｅｓｓ Ｓｔｅｅｌ）のうち少なくとも二つの合金材料からなることができる。
【0101】
一方、ヒートスラグ１０４０の側面は曲がるように形成される。さらに、ヒートスラグ１０４０の上面の面積は、ヒートスラグ１０４０の下面の面積よりも大きく形成される。一例として、ヒートスラグ１０４０の側面には、第１面１０４１、第１面１０４１から延長形成される第１曲面１０４２、第１曲面１０４２から延長形成され、水平に配置される第２面１０４３、及び第２面１０４３から延長形成され、第１面１０４１と段差を有する第３面１０４４が備えられることができる。
【0102】
このように、ヒートスラグ１０４０の側面が曲がるように形成することにより、封止材１５０（図１参照）が破損することを低減させることができる。換言すると、ヒートスラグ１０４０の側面が曲がるように形成することにより、封止材１５０に発生するクラック（ｃｒａｃｋ）による不良の発生を低減させることができる。
【0103】
一方、ヒートスラグ１０４０は、上記で説明した半導体パッケージの各実施形態に備えられるヒートスラグの代替として採用されることができる。
【0104】
図１９はヒートスラグの第４変形実施形態を示す概略断面図である。
【0105】
図１９を参照すると、ヒートスラグ１１４０は、熱伝導率に優れた銅（Ｃｕ）材料からなることができる。但し、これに限定されず、ヒートスラグ１１４０は、金（Ａｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、ニッケル（Ｎｉ）、ステンレス鋼（Ｓｔａｉｎｌｅｓｓ Ｓｔｅｅｌ）材料からなるか、又は銅（Ｃｕ）、金（Ａｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、ニッケル（Ｎｉ）、ステンレス鋼（Ｓｔａｉｎｌｅｓｓ Ｓｔｅｅｌ）のうち少なくとも二つの合金材料からなることができる。
【0106】
一方、ヒートスラグ１１４０の側面は曲がるように形成される。さらに、ヒートスラグ１１４０の上面の面積は、ヒートスラグ１１４０の下面の面積よりも大きく形成される。一例として、ヒートスラグ１１４０の側面には、第１曲面１１４１、第１曲面１１４１から延長形成され、第１曲面１１４１と異なる曲率半径を有する第２曲面１１４２、第２曲面１１４２から延長形成され、水平に配置される第１面１１４３、及び第１面１１４３から延長形成される第２面１１４４が備えられることができる。
【0107】
このように、ヒートスラグ１１４０の側面が曲がるように形成することにより、封止材１５０（図１参照）が破損することを低減させることができる。換言すると、ヒートスラグ１１４０の側面が曲がるように形成することにより、封止材１５０に発生するクラック（ｃｒａｃｋ）による不良の発生を低減させることができる。
【0108】
一方、ヒートスラグ１１４０は、上記で説明した半導体パッケージの各実施形態に備えられるヒートスラグの代替として採用されることができる。
【0109】
図２０はヒートスラグの第５変形実施形態を示す概略断面図である。
【0110】
図２０を参照すると、ヒートスラグ１２４０は、熱伝導率に優れた銅（Ｃｕ）材料からなることができる。但し、これに限定されず、ヒートスラグ１２４０は、金（Ａｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、ニッケル（Ｎｉ）、ステンレス鋼（Ｓｔａｉｎｌｅｓｓ Ｓｔｅｅｌ）材料からなるか、又は銅（Ｃｕ）、金（Ａｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、ニッケル（Ｎｉ）、ステンレス鋼（Ｓｔａｉｎｌｅｓｓ Ｓｔｅｅｌ）のうち少なくとも二つの合金材料からなることができる。
【0111】
一方、ヒートスラグ１２４０の側面は曲がるように形成される。さらに、ヒートスラグ１２４０の上面の面積は、ヒートスラグ１２４０の下面の面積よりも大きく形成される。一例として、ヒートスラグ１２４０の側面には、第１曲面１２４１、第１曲面１２４１から延長形成され、第１曲面１２４１と異なる曲率半径を有する第２曲面１２４２、及び第２曲面１２４２から延長形成され、第２曲面１２４２と異なる曲率半径を有する第３曲面１２４３が備えられることができる。
【0112】
このように、ヒートスラグ１２４０の側面が曲がるように形成することにより、封止材１５０（図１参照）が破損することを低減させることができる。換言すると、ヒートスラグ１２４０の側面が曲がるように形成することにより、封止材１５０に発生するクラック（ｃｒａｃｋ）による不良の発生を低減させることができる。
【0113】
一方、ヒートスラグ１２４０は、上記で説明した半導体パッケージの各実施形態に備えられるヒートスラグの代替として採用されることができる。
【0114】
図２１はヒートスラグの第６変形実施形態を示す概略断面図である。
【0115】
図２１を参照すると、ヒートスラグ１３４０は、熱伝導率に優れた銅（Ｃｕ）材料からなることができる。但し、これに限定されず、ヒートスラグ１３４０は、金（Ａｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、ニッケル（Ｎｉ）、ステンレス鋼（Ｓｔａｉｎｌｅｓｓ Ｓｔｅｅｌ）材料からなるか、又は銅（Ｃｕ）、金（Ａｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、ニッケル（Ｎｉ）、ステンレス鋼（Ｓｔａｉｎｌｅｓｓ Ｓｔｅｅｌ）のうち少なくとも二つの合金材料からなることができる。
【0116】
一方、ヒートスラグ１３４０の側面は段差付けられるように形成される。さらに、ヒートスラグ１３４０の上面の面積は、ヒートスラグ１３４０の下面の面積よりも大きく形成される。一例として、ヒートスラグ１３４０の側面には、第１面１３４１、第１面１３４１から延長形成される第１水平面１３４２、第１水平面１３４２から延長形成され、第１面１３４１と段差を有する第２面１３４３、第２面１３４３から延長形成される第２水平面１３４４、及び第２水平面１３４４から延長形成され、第１、第２面１３４１，１３４３と段差を有する第３面１３４５が備えられることができる。
【0117】
このように、ヒートスラグ１３４０の側面が段差付けられるように形成することにより、封止材１５０（図１参照）が破損することを低減させることができる。換言すると、ヒートスラグ１３４０の側面が段差付けられるように形成することにより、封止材１５０に発生するクラック（ｃｒａｃｋ）による不良の発生を低減させることができる。
【0118】
一方、ヒートスラグ１３４０は、上記で説明した半導体パッケージの各実施形態に備えられるヒートスラグの代替として採用されることができる。
【0119】
以上、本発明の実施形態について詳細に説明したが、本発明の範囲はこれに限定されず、特許請求の範囲に記載された本発明の技術的思想から外れない範囲内で多様な修正及び変形が可能であるということは、当技術分野の通常の知識を有する者には明らかである。
【符号の説明】
【0120】
１００、３００、４００、５００、６００、７００、８００ 半導体パッケージ１１０ 基板
１２０ 電子部品
１３０ 接合材
１４０、２４０、４４０、５４０、７４０、９４０、１０４０、１１４０、１２４０、１３４０ ヒートスラグ
１５０、３５０、４５０、５５０、６５０、８５０ 封止材
１６０、３６０ 熱伝達部材