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特開2021-31670疎水基で修飾されたリンフリーデンドリマーの調製方法およびその適用
(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】特開2021-31670(P2021-31670A)
(43)【公開日】2021年3月1日
(54)【発明の名称】疎水基で修飾されたリンフリーデンドリマーの調製方法およびその適用
(51)【国際特許分類】
C08G 73/00 20060101AFI20210201BHJP
C07C 251/24 20060101ALI20210201BHJP
C07C 249/02 20060101ALI20210201BHJP
B01D 65/08 20060101ALI20210201BHJP
B01D 61/10 20060101ALI20210201BHJP
【ＦＩ】
C08G73/00
C07C251/24
C07C249/02
B01D65/08
B01D61/10
【審査請求】有
【請求項の数】6
【出願形態】ＯＬ
【全頁数】15
(21)【出願番号】特願2019-240062(P2019-240062)
(22)【出願日】2019年12月30日
(11)【特許番号】特許第6796235号(P6796235)
(45)【特許公報発行日】2020年12月9日
(31)【優先権主張番号】201910782297.4
(32)【優先日】2019年8月23日
(33)【優先権主張国】CN
(71)【出願人】
【識別番号】515190906
【氏名又は名称】南京大学
(74)【代理人】
【識別番号】100088063
【弁理士】
【氏名又は名称】坪内 康治
(72)【発明者】
【氏名】呂路
(72)【発明者】
【氏名】黄前霖
(72)【発明者】
【氏名】張▲うぇい▼銘
(72)【発明者】
【氏名】潘丙才
【テーマコード（参考）】
4D006
4H006
4J043
【Ｆターム（参考）】
4D006GA03
4D006KA33
4D006KA41
4D006KD03
4D006KD30
4D006PA01
4D006PB02
4H006AA02
4H006AC59
4H006BB14
4H006BB61
4H006BC19
4H006BC31
4J043PA13
4J043QC02
4J043RA02
4J043RA05
4J043SA06
4J043SB01
4J043TA11
4J043TA35
4J043TB01
4J043XA04
4J043ZB13
(57)【要約】 （修正有）
【課題】疎水基で修飾されたリンフリーデンドリマーの調製方法の提供。【解決手段】（１）第ｍ＋０．５世代のＰＡＭＡＭの調製、（２）第ｍ＋１世代のＰＡＭＡＭの調製、（３）疎水基で修飾された第ｍ＋１世代のＰＡＭＡＭの調製、のステップを含み、ベンゾアルデヒド化合物をキャッピング剤として、ＰＡＭＡＭデンドリマーの末端にベンゼン環を導入することにより、形成された表面化学層が良好な疎水性と立体障害を持つようにした、ＰＡＭＡＭデンドリマーの調製方法。（ここで、ｍ＝０，１，２，３である。)
【選択図】なし
【特許請求の範囲】
【請求項1】
疎水基で修飾されたリンフリーデンドリマーの調製方法であって、
（１）第ｍ＋０．５世代のＰＡＭＡＭの調製：物質の量に基づいて、１部の第ｍ世代のＰ
ＡＭＡＭを取って２０〜５００部のメチルアルコールに溶解して混合溶液Ａを得て、第ｍ
世代のＰＡＭＡＭ中のアミノ物質の量の２．１〜３倍のアクリル酸メチルと２０〜５００
部のメチルアルコールを、機械的撹拌を備えたフラスコに加え、氷水浴に入れてから機械
的撹拌をオンにしてそれらを均一に混合させ、窒素の保護下で前記混合液Ａをフラスコに
ゆっくりと加え、続いて氷水浴を油浴に変更し、かつ温度を３０〜４５°Ｃに調整し、２
４〜３６時間撹拌して反応させ、反応後、得られた生成物を分離して精製させ、続いて６
０°Ｃで真空乾燥させ、それにより第ｍ＋０．５世代のＰＡＭＡＭを得て、ｍ＝０，１，
２，３であり、第０世代のＰＡＭＡＭはＨ２Ｎ（ＣＨ２）ｎＮＨ２である、ステップ（１
）と、
（２）第ｍ＋１世代のＰＡＭＡＭの調製：物質の量に基づいて、１部の第ｍ＋０．５世代
のＰＡＭＡＭを取って３０〜６００部のメチルアルコールに溶解して混合溶液Ｂを得て、
第ｍ＋０．５世代のＰＡＭＡＭ中のエステル系物質の量の１．１〜１．５倍のＨ２Ｎ（Ｃ
Ｈ２）ｎＮＨ２と３０〜６００部のメチルアルコールを、機械的撹拌を備えたフラスコに
加え、氷水浴に入れてから機械的撹拌をオンにしてそれらを均一に混合させ、窒素の保護
下で前記混合液Ｂをフラスコに加え、続いて氷水浴を油浴に変更し、かつ温度を３０〜３
５°Ｃに調整し、１２〜４８時間撹拌して反応させ、反応後、得られた生成物を分離して
精製させ、続いて６０°Ｃで真空乾燥させ、それにより第ｍ＋１世代のＰＡＭＡＭを得て
、ｍ＝０，１，２，３である、ステップ（２）と、
（３）疎水基で修飾された第ｍ＋１世代のＰＡＭＡＭの調製：物質の量に基づいて、１部
の第ｍ＋１世代のＰＡＭＡＭを取って２０〜６００部のエタノールに懸濁し、第ｍ＋１世
代のＰＡＭＡＭ中のエステル系物質の量の１．１〜１．５倍のベンゾアルデヒド化合物を
加え、窒素の保護下で１２〜７２時間撹拌および還流し、反応後、得られた生成物を分離
して精製させ、それにより疎水基で修飾された第ｍ＋１世代のリンフリーデンドリマーを
得て、ｍ＝０，１，２，３である、ステップ（３）と、
を含むことを特徴とする、疎水基で修飾されたリンフリーデンドリマーの調製方法。
（１）第ｍ＋０．５世代のＰＡＭＡＭの調製：物質の量に基づいて、１部の第ｍ世代のＰ
ＡＭＡＭを取って２０〜５００部のメチルアルコールに溶解して混合溶液Ａを得て、第ｍ
世代のＰＡＭＡＭ中のアミノ物質の量の２．１〜３倍のアクリル酸メチルと２０〜５００
部のメチルアルコールを、機械的撹拌を備えたフラスコに加え、氷水浴に入れてから機械
的撹拌をオンにしてそれらを均一に混合させ、窒素の保護下で前記混合液Ａをフラスコに
ゆっくりと加え、続いて氷水浴を油浴に変更し、かつ温度を３０〜４５°Ｃに調整し、２
４〜３６時間撹拌して反応させ、反応後、得られた生成物を分離して精製させ、続いて６
０°Ｃで真空乾燥させ、それにより第ｍ＋０．５世代のＰＡＭＡＭを得て、ｍ＝０，１，
２，３であり、第０世代のＰＡＭＡＭはＨ２Ｎ（ＣＨ２）ｎＮＨ２である、ステップ（１
）と、
（２）第ｍ＋１世代のＰＡＭＡＭの調製：物質の量に基づいて、１部の第ｍ＋０．５世代
のＰＡＭＡＭを取って３０〜６００部のメチルアルコールに溶解して混合溶液Ｂを得て、
第ｍ＋０．５世代のＰＡＭＡＭ中のエステル系物質の量の１．１〜１．５倍のＨ２Ｎ（Ｃ
Ｈ２）ｎＮＨ２と３０〜６００部のメチルアルコールを、機械的撹拌を備えたフラスコに
加え、氷水浴に入れてから機械的撹拌をオンにしてそれらを均一に混合させ、窒素の保護
下で前記混合液Ｂをフラスコに加え、続いて氷水浴を油浴に変更し、かつ温度を３０〜３
５°Ｃに調整し、１２〜４８時間撹拌して反応させ、反応後、得られた生成物を分離して
精製させ、続いて６０°Ｃで真空乾燥させ、それにより第ｍ＋１世代のＰＡＭＡＭを得て
、ｍ＝０，１，２，３である、ステップ（２）と、
（３）疎水基で修飾された第ｍ＋１世代のＰＡＭＡＭの調製：物質の量に基づいて、１部
の第ｍ＋１世代のＰＡＭＡＭを取って２０〜６００部のエタノールに懸濁し、第ｍ＋１世
代のＰＡＭＡＭ中のエステル系物質の量の１．１〜１．５倍のベンゾアルデヒド化合物を
加え、窒素の保護下で１２〜７２時間撹拌および還流し、反応後、得られた生成物を分離
して精製させ、それにより疎水基で修飾された第ｍ＋１世代のリンフリーデンドリマーを
得て、ｍ＝０，１，２，３である、ステップ（３）と、
を含むことを特徴とする、疎水基で修飾されたリンフリーデンドリマーの調製方法。
【請求項2】
ステップ（１）および（２）における前記Ｈ２Ｎ（ＣＨ２）ｎＮＨ２について、ｎ＝２〜
５である、ことを特徴とする、
請求項１に記載のリンフリーデンドリマーの逆浸透膜スケール防止剤の調製方法。
５である、ことを特徴とする、
請求項１に記載のリンフリーデンドリマーの逆浸透膜スケール防止剤の調製方法。
【請求項3】
ステップ（１）における前記分離と精製ステップは、得られた生成物を４０〜８０°Ｃで
減圧蒸留し、過剰のアクリル酸メチルと溶媒メチルアルコールを除去し、残りの小さな部
分の液体をデキストランゲルカラムで分離するステップである、ことを特徴とする、
請求項１に記載の疎水基で修飾されたリンフリーデンドリマーの調製方法。
減圧蒸留し、過剰のアクリル酸メチルと溶媒メチルアルコールを除去し、残りの小さな部
分の液体をデキストランゲルカラムで分離するステップである、ことを特徴とする、
請求項１に記載の疎水基で修飾されたリンフリーデンドリマーの調製方法。
【請求項4】
ステップ（２）における前記分離と精製ステップは、得られた生成物を４０〜８０°Ｃで
減圧蒸留し、過剰のＨ２Ｎ（ＣＨ２）ｎＮＨ２と溶媒メチルアルコールを除去し、Ｈ２Ｎ
（ＣＨ２）ｎＮＨ２を除去した後、質量比が１０−６：１のトルエンとメチルアルコール
の混合溶液を加えて、残りのＨ２Ｎ（ＣＨ２）ｎＮＨ２と共沸を形成し、残りのＨ２Ｎ（
ＣＨ２）ｎＮＨ２を除去し、再びメチルアルコールを加えてトルエンを除去し、残りの小
さな部分の液体をデキストランゲルカラムで分離するステップである、ことを特徴とする
、
請求項１に記載の疎水基で修飾されたリンフリーデンドリマーの調製方法。
減圧蒸留し、過剰のＨ２Ｎ（ＣＨ２）ｎＮＨ２と溶媒メチルアルコールを除去し、Ｈ２Ｎ
（ＣＨ２）ｎＮＨ２を除去した後、質量比が１０−６：１のトルエンとメチルアルコール
の混合溶液を加えて、残りのＨ２Ｎ（ＣＨ２）ｎＮＨ２と共沸を形成し、残りのＨ２Ｎ（
ＣＨ２）ｎＮＨ２を除去し、再びメチルアルコールを加えてトルエンを除去し、残りの小
さな部分の液体をデキストランゲルカラムで分離するステップである、ことを特徴とする
、
請求項１に記載の疎水基で修飾されたリンフリーデンドリマーの調製方法。
【請求項5】
ステップ（３）における前記分離と精製ステップは、得られた生成物をソックスレー抽出
器に入れ、質量比が２〜８：１のトルエンとエタノールの混合溶媒で１２〜３６時間抽出
するステップである、ことを特徴とする、
請求項１に記載の疎水基で修飾されたリンフリーデンドリマーの調製方法。
器に入れ、質量比が２〜８：１のトルエンとエタノールの混合溶媒で１２〜３６時間抽出
するステップである、ことを特徴とする、
請求項１に記載の疎水基で修飾されたリンフリーデンドリマーの調製方法。
【請求項6】
ステップ（３）における前記ベンゾアルデヒド化合物は、人工ビターアーモンドオイル、
ｏ−ヒドロキシベンズアルデヒド、２−ホルミル安息香酸、またはそれらの混合物であり
、混合物の場合に各成分のモル比は１：１〜１．５：２〜２．５である、ことを特徴とす
る、
請求項１に記載の疎水基で修飾されたリンフリーデンドリマーの調製方法。
ｏ−ヒドロキシベンズアルデヒド、２−ホルミル安息香酸、またはそれらの混合物であり
、混合物の場合に各成分のモル比は１：１〜１．５：２〜２．５である、ことを特徴とす
る、
請求項１に記載の疎水基で修飾されたリンフリーデンドリマーの調製方法。
【請求項7】
ステップ（３）における前記疎水基で修飾された第ｍ＋１世代のリンフリーデンドリマー
は、逆浸透膜スケール防止剤に適用される、ことを特徴とする、
請求項１に記載の疎水基で修飾されたリンフリーデンドリマーの調製方法。
は、逆浸透膜スケール防止剤に適用される、ことを特徴とする、
請求項１に記載の疎水基で修飾されたリンフリーデンドリマーの調製方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、逆浸透膜分離の技術分野に属し、より具体的には、疎水基で修飾されたリンフリーデンドリマーの調製方法およびその適用に関する。
【背景技術】
【0002】
逆浸透膜の分離技術は、設置面積が小さく、脱塩効率が高く、環境に優しく、そして操作しやすいという利点があり、海水淡水化、水道水処理、下水浄化などのプロセスで広く適
用されている。スケーリングは、その工業化の推進と適用を制限する重要な要素となる。
該問題を解決する最も一般的で最も簡単な方法は、動作中にスケール防止剤を追加するこ
とである。一般的なスケール防止剤には、主に、無機ポリリン酸塩、有機ポリリン酸塩、
ホモポリマー分散剤、共重合分散剤およびそれらの複合製品が含まれ、そのスケール抑制
メカニズムは、（１）沈殿の抑制、（２）付着の防止、（３）用量の効果という３つのカ
テゴリに分類される。しかしながら、逆浸透システムでのこれらのスケール防止剤の適用
には、低用量（過量による膜閉塞）、スケール防止性能の低下、および水域の富栄養化な
どの問題があり、現在の市場適用の要件を満たしにくい。
【0003】
デンドリマーは、非常に高い官能基密度、高度に対称的な構造、制御可能な分子サイズと形状により、多くの分野で科学者と起業家の注目を集めている。特に逆浸透分離の技術分
野ではかなりの利点があり、関連する研究報告書が徐々に増えている。中国特許のリンフ
リー逆浸透スケール防止剤ＥＤＡ−ＰＡＭＡＭおよびその調製方法（ＣＮ１０９２６４８
７６Ａ）には、ポリアミド−アミンデンドリマーの逆浸透スケール防止剤としての適用が
開示されるが、その末端基とスケールを引き起こすイオンの間の弱い相互作用のため、薬
剤の使用量が大きくなり、それにより適用コストが高くなり、その商業的適用がある程度
制限される。さらに、アミノ基は親水性官能基であり、ほとんどの逆浸透膜は親水性材料
であるため、スケール防止剤が膜表面に付着して浸透圧を高めるという問題を容易に引き
起こしやすい。中国特許の逆浸透膜スケール防止剤と応用（ＣＮ１０２３９７７５５Ａ）
、およびデンドリマーポリアミド−アミンオクタメチレンホスホン酸の調製とその適用（
ＣＮ１０３２４２３６５Ａ）はそれぞれ、逆浸透スケール防止剤としてのポリアミド−ア
ミンデンドリマーと有機ホスホン酸化合物の適用、および逆浸透スケール防止剤としての
ポリアミド−アミンデンドリマーグラフト化亜リン酸の適用を開示し、両方のスケール防
止剤には優れたスケール防止性能があるが、どちらもリン元素を含有し、そして水域の富
栄養化などの二次汚染という問題を容易に引き起こしやすい。したがって、逆浸透膜のス
ケーリングイオンの特性および逆浸透膜の構造特性ならびにデンドリマーの構造特性に応
じて、機能官能基とスケーリングイオンとの相互作用が強く、疎水性末端基をもつリンフ
リーデンドリマーの逆浸透膜スケール防止剤を開発することは非常に重要である。
【発明の概要】
【0004】
上記技術的問題に対処して、本発明は、デンドリマーの分子サイズと形状が制御可能であり、そして変性しやすいなどの特性を使用して、機能官能基とスケーリングイオンとの相
互作用が強く、疎水性末端基をもつリンフリーデンドリマーの調製方法および逆浸透膜ス
ケール防止剤におけるその適用を提供する。さらに、本発明の疎水基で修飾されたリンフ
リーデンドリマーは、リンを含まず、リン元素によって引き起こされる水域の富栄養化な
どの二次汚染問題も回避することができる。
【0005】
本発明の技術的解決手段：疎水基で修飾されたリンフリーデンドリマーの調製方法であって、以下のステップを含む
。
（１）第ｍ＋０．５世代のＰＡＭＡＭの調製：物質の量に基づいて、１部の第ｍ世代のＰ
ＡＭＡＭを取って２０〜５００部のメチルアルコールに溶解して混合溶液Ａを得る。第ｍ
世代のＰＡＭＡＭ中のアミノ物質の量の２．１〜３倍のアクリル酸メチルと２０〜５００
部のメチルアルコールを、機械的撹拌を備えたフラスコに加え、氷水浴に入れてから機械
的撹拌をオンにしてそれらを均一に混合させる。窒素の保護下で前記混合液Ａをフラスコ
にゆっくりと加え、続いて氷水浴を油浴に変更し、かつ温度を３０〜４５°Ｃに調整し、
２４〜３６時間撹拌して反応させ、反応後、得られた生成物を分離して精製させ、続いて
６０°Ｃで真空乾燥させ、それにより第ｍ＋０．５世代のＰＡＭＡＭを得て、ここで、ｍ
＝０，１，２，３であり、第０世代のＰＡＭＡＭはＨ２Ｎ（ＣＨ２）ｎＮＨ２である。
（２）第ｍ＋１世代のＰＡＭＡＭの調製：物質の量に基づいて、１部の第ｍ＋０．５世代
のＰＡＭＡＭを取って３０〜６００部のメチルアルコールに溶解して混合溶液Ｂを得る。
第ｍ＋０．５世代のＰＡＭＡＭ中のエステル系物質の量の１．１〜１．５倍のＨ２Ｎ（Ｃ
Ｈ２）ｎＮＨ２と３０〜６００部のメチルアルコールを、機械的撹拌を備えたフラスコに
加え、氷水浴に入れてから機械的撹拌をオンにしてそれらを均一に混合させる。窒素の保
護下で前記混合液Ｂをフラスコにゆっくりと加え、続いて氷水浴を油浴に変更し、かつ温
度を３０〜３５°Ｃに調整し、１２〜４８時間撹拌して反応させ、反応後、得られた生成
物を分離して精製させ、続いて６０°Ｃで真空乾燥させ、それにより第ｍ＋１世代のＰＡ
ＭＡＭを得て、ここで、ｍ＝０，１，２，３である。
（３）疎水基で修飾された第ｍ＋１世代のＰＡＭＡＭの調製：物質の量に基づいて、１部
の第ｍ＋１世代のＰＡＭＡＭを取って２０〜６００部のエタノールに懸濁し、第ｍ＋１世
代のＰＡＭＡＭ中のエステル系物質の量の１．１〜１．５倍のベンゾアルデヒド化合物を
加え、窒素の保護下で１２〜７２時間撹拌および還流し、反応後、得られた生成物を分離
して精製させ、それにより疎水基で修飾された第ｍ＋１世代のリンフリーデンドリマーを
得て、ここで、ｍ＝０，１，２，３である。
【0006】
さらに、ステップ（１）および（２）における前記Ｈ２Ｎ（ＣＨ２）ｎＮＨ２について、ｎ＝２〜５である。
【0007】
さらに、ステップ（１）における前記分離と精製ステップは、得られた生成物を４０〜８０°Ｃで減圧蒸留し、過剰のアクリル酸メチルと溶媒メチルアルコールを除去し、残りの
小さな部分の液体をデキストランゲルカラムで分離するステップである。
さらに、ステップ（２）における前記分離と精製ステップは、得られた生成物を４０〜８
０°Ｃで減圧蒸留し、過剰のＨ２Ｎ（ＣＨ２）ｎＮＨ２と溶媒メチルアルコールを除去し
、ほとんどのＨ２Ｎ（ＣＨ２）ｎＮＨ２を除去した後、質量比が１０−６：１のトルエン
とメチルアルコールの混合溶液を加えて、残りのＨ２Ｎ（ＣＨ２）ｎＮＨ２と共沸を形成
し、残りのＨ２Ｎ（ＣＨ２）ｎＮＨ２を除去し、再びメチルアルコールを加えてトルエン
を除去し、残りの小さな部分の液体をデキストランゲルカラムで分離するステップである
。
さらに、ステップ（３）における前記分離と精製ステップは、得られた生成物をソックス
レー抽出器に入れ、質量比が２〜８：１のトルエンとエタノールの混合溶媒で１２〜３６
時間抽出するステップである。
【0008】
さらに、ステップ（３）における前記ベンゾアルデヒド化合物は、人工ビターアーモンドオイル、ｏ−ヒドロキシベンズアルデヒド、２−ホルミル安息香酸、またはそれらの混合
物であり、ここで、混合物の場合に各成分のモル比は１：１〜１．５：２〜２．５である
。
さらに、ステップ（３）における前記疎水基で修飾された第ｍ＋１世代のリンフリーデン
ドリマーは、逆浸透膜スケール防止剤に適用される。
【0009】
上記技術的内容における本発明は、長年の実用的な実践と経験に基づいて得られたものであり、最高の技術的手段および方法を用いて組み合わせて最適化され、最高の技術的効果
が得られ、それは技術的特徴の単純な重ね合わせおよびパッチワークではないため、本発
明は重要な意味を持つ。
【0010】
本発明の有益な効果：（１）本発明は、ＰＡＭＡＭデンドリマーの分子サイズと形状が制御可能であり、そして
表面特性が変性しやすいなどの特徴により、ベンゾアルデヒド化合物をキャッピング剤と
して、末端にベンゼン環を導入することにより、形成された表面化学層は、良好な疎水性
と立体障害を持つようにし、スケール防止剤が逆浸透膜の表面に付着して浸透圧を増加さ
せるという問題を効果的に回避でき、それによりスケール防止剤の使用を増やし、スケー
ル防止性能と膜洗浄のサイクルを改善することに役立ち、同時に、ベンゼン環にはスケー
リングイオンとの相互作用が強い機能官能基が含まれ、スケール防止性能をさらに向上さ
せることができる。内部分岐構造は、親水性官能基アミドによってサポートされる極性空
間であり、それにより、スケーリングイオンの引力を助長し、分岐ユニットの官能基と末
端の官能基からなる化学環境で制御され、逆浸透膜の濃縮水側で一緒に懸濁および分散さ
れ、そして最終的に濃縮水とともに膜システムから排出されることに役立ち、これにより
、これらの物質が逆浸透膜に堆積することによって引き起こされる汚染を回避するため、
優れたスケール防止性能を備える。
（２）本発明によって調製された疎水基で修飾されたリンフリーデンドリマーはリンを含
まず、逆浸透膜スケール防止剤として使用して、リン元素によって引き起こされる水域の
富栄養化などの二次汚染という問題を効果的に解決することができる。
【発明を実施するための形態】
【0012】
以下は、具体的な実施形態を参照して本発明をさらに説明されるが、保護範囲はそれに限定されない。
実施例１
疎水基で修飾された第１世代のリンフリーデンドリマー（Ｇ１−ＰＡＭＡＭ−人工ビター
アーモンドオイル）の調製：
（１）第ｍ＋０．５世代のＰＡＭＡＭの調製：物質の量に基づいて、１部の第０世代のＰ
ＡＭＡＭ（Ｈ２Ｎ（ＣＨ２）２ＮＨ２）を取って２０部のメチルアルコールに溶解して混
合溶液Ａを得た。第０世代のＰＡＭＡＭ中のアミノ物質の量の２．１倍のアクリル酸メチ
ルと２０部のメチルアルコールを、機械的撹拌を備えたフラスコに加え、氷水浴に入れて
から機械的撹拌をオンにしてそれらを均一に混合させた。窒素の保護下で前記混合液Ａを
フラスコにゆっくりと加え、続いて氷水浴を油浴に変更し、かつ温度を３０°Ｃに調整し
、２４時間撹拌して反応させ、反応後、得られた生成物を４０°Ｃで減圧蒸留し、過剰の
アクリル酸メチルと溶媒メチルアルコールを除去し、残りの小さな部分の液体をデキスト
ランゲルカラムで分離して精製させ、続いて６０℃で真空乾燥させ、第０．５世代のＰＡ
ＭＡＭを得た。
（２）第１．０世代のＰＡＭＡＭの調製：物質の量に基づいて、１部の第０．５世代のＰ
ＡＭＡＭを取って３０部のメチルアルコールに溶解して混合溶液Ｂを得た。第ｍ＋０．５
世代のＰＡＭＡＭ中のエステル系物質の量の１．１倍のＨ２Ｎ（ＣＨ２）ｎＮＨ２と３０
部のメチルアルコールを、機械的撹拌を備えたフラスコに加え、氷水浴に入れてから機械
的撹拌をオンにしてそれらを均一に混合させた。窒素の保護下で前記混合液Ｂをフラスコ
にゆっくりと加え、続いて氷水浴を油浴に変更し、かつ温度を３０°Ｃに調整し、１２時
間撹拌して反応させ、反応後、得られた生成物を４０°Ｃで減圧蒸留し、過剰のＨ２Ｎ（
ＣＨ２）２ＮＨ２と溶媒メチルアルコールを除去し、ほとんどのＨ２Ｎ（ＣＨ２）２ＮＨ
２を除去した後、質量比が６：１のトルエンとメチルアルコールの混合溶液を加えて、残
りのＨ２Ｎ（ＣＨ２）２ＮＨ２と共沸を形成し、残りのＨ２Ｎ（ＣＨ２）２ＮＨ２を除去
し、再びメチルアルコールを加えてトルエンを除去し、残りの小さな部分の液体をデキス
トランゲルカラムで分離して精製させ、続いて６０℃で真空乾燥させ、第１世代のＰＡＭ
ＡＭを得た。
（３）疎水基で修飾された第１世代のＰＡＭＡＭの調製：物質の量に基づいて、１部の第
１世代のＰＡＭＡＭを取って２０部のエタノールに懸濁し、第１世代のＰＡＭＡＭ中のエ
ステル系物質の量の１．１倍の人工ビターアーモンドオイルを加え、窒素の保護下で１２
時間撹拌および還流し、反応後、得られた生成物をソックスレー抽出器に入れ、質量比が
２：１のトルエンとエタノールの混合溶媒で１２時間抽出して分離と精製し、疎水基で修
飾された第１世代のリンフリーデンドリマー（Ｇ１−ＰＡＭＡＭ−人工ビターアーモンド
オイル）を得た。
【0013】
実施例２疎水基で修飾された第２世代のリンフリーデンドリマー（Ｇ２−ＰＡＭＡＭ−０−ヒドロ
キシベンズアルデヒド）の調製：
（１）第１．５世代のＰＡＭＡＭの調製：物質の量に基づいて、１部の実施例１で精製さ
れた第１世代のＰＡＭＡＭを取って６５部のメチルアルコールに溶解して混合溶液Ａを得
た。第１世代のＰＡＭＡＭ中のアミノ物質の量の２．４倍のアクリル酸メチルと１３０部
のメチルアルコールを、機械的撹拌を備えたフラスコに加え、氷水浴に入れてから機械的
撹拌をオンにしてそれらを均一に混合させた。窒素の保護下で前記混合液Ａをフラスコに
ゆっくりと加え、続いて氷水浴を油浴に変更し、かつ温度を３７°Ｃに調整し、３０時間
撹拌して反応させ、反応後、得られた生成物を５０°Ｃで減圧蒸留し、過剰のアクリル酸
メチルと溶媒メチルアルコールを除去し、残りの小さな部分の液体をデキストランゲルカ
ラムで分離して精製させ、続いて６０℃で真空乾燥させ、第１．５世代のＰＡＭＡＭを得
た。
（２）第２世代のＰＡＭＡＭの調製：物質の量に基づいて、１部の第１．５世代のＰＡＭ
ＡＭを取って７５部のメチルアルコールに溶解して混合溶液Ｂを得た。第１．５世代のＰ
ＡＭＡＭ中のエステル系物質の量の１．２倍のＨ２Ｎ（ＣＨ２）３ＮＨ２と９０部のメチ
ルアルコールを、機械的撹拌を備えたフラスコに加え、氷水浴に入れてから機械的撹拌を
オンにしてそれらを均一に混合させた。窒素の保護下で前記混合液Ｂをフラスコにゆっく
りと加え、続いて氷水浴を油浴に変更し、かつ温度を３２°Ｃに調整し、２０時間撹拌し
て反応させ、反応後、得られた生成物を５０°Ｃで減圧蒸留し、過剰のＨ２Ｎ（ＣＨ２）
２ＮＨ２と溶媒メチルアルコールを除去し、ほとんどのＨ２Ｎ（ＣＨ２）２ＮＨ２を除去
した後、質量比が８：１のトルエンとメチルアルコールの混合溶液を加えて、残りのＨ２
Ｎ（ＣＨ２）ｎＮＨ２と共沸を形成し、残りのＨ２Ｎ（ＣＨ２）２ＮＨ２を除去し、再び
メチルアルコールを加えてトルエンを除去し、残りの小さな部分の液体をデキストランゲ
ルカラムで分離して精製させ、続いて６０℃で真空乾燥させ、第２世代のＰＡＭＡＭを得
た。
（３）疎水基で修飾された第２世代のＰＡＭＡＭの調製：物質の量に基づいて、１部の第
２世代のＰＡＭＡＭを取って６４部のエタノールに懸濁し、第２世代のＰＡＭＡＭ中のエ
ステル系物質の量の１．２倍の０−ヒドロキシベンズアルデヒドを加え、窒素の保護下で
２４時間撹拌および還流し、反応後、得られた生成物をソックスレー抽出器に入れ、質量
比が４：１のトルエンとエタノールの混合溶媒で２０時間抽出して分離と精製し、疎水基
で修飾された第２世代のリンフリーデンドリマー（Ｇ２−ＰＡＭＡＭ−０−ヒドロキシベ
ンズアルデヒド）を得た。
【0014】
実施例３疎水基で修飾された第３世代のリンフリーデンドリマー（Ｇ３−ＰＡＭＡＭ−２−ホルミ
ル安息香酸）の調製：
（１）第２．５世代のＰＡＭＡＭの調製：物質の量に基づいて、１部の実施例２で精製さ
れた第２世代のＰＡＭＡＭを取って１７５部のメチルアルコールに溶解して混合溶液Ａを
得た。第２世代のＰＡＭＡＭ中のアミノ物質の量の２．７倍のアクリル酸メチルと３００
部のメチルアルコールを、機械的撹拌を備えたフラスコに加え、氷水浴に入れてから機械
的撹拌をオンにしてそれらを均一に混合させた。窒素の保護下で前記混合液Ａをフラスコ
にゆっくりと加え、続いて氷水浴を油浴に変更し、かつ温度を３７°Ｃに調整し、３０時
間撹拌して反応させ、反応後、得られた生成物を６０°Ｃで減圧蒸留し、過剰のアクリル
酸メチルと溶媒メチルアルコールを除去し、残りの小さな部分の液体をデキストランゲル
カラムで分離して精製させ、続いて６０℃で真空乾燥させ、第２．５世代のＰＡＭＡＭを
得た。
（２）第３世代のＰＡＭＡＭの調製：物質の量に基づいて、１部の第２．５世代のＰＡＭ
ＡＭを取って２１０部のメチルアルコールに溶解して混合溶液Ｂを得た。第２．５世代の
ＰＡＭＡＭ中のエステル系物質の量の１．３倍のＨ２Ｎ（ＣＨ２）２ＮＨ２と２１０部の
メチルアルコールを、機械的撹拌を備えたフラスコに加え、氷水浴に入れてから機械的撹
拌をオンにしてそれらを均一に混合させた。窒素の保護下で前記混合液Ｂをフラスコにゆ
っくりと加え、続いて氷水浴を油浴に変更し、かつ温度を３４°Ｃに調整し、３６時間撹
拌して反応させ、反応後、得られた生成物を６０°Ｃで減圧蒸留し、過剰のＨ２Ｎ（ＣＨ
２）２ＮＨ２と溶媒メチルアルコールを除去し、ほとんどのＨ２Ｎ（ＣＨ２）２ＮＨ２を
除去した後、質量比が９：１のトルエンとメチルアルコールの混合溶液を加えて、残りの
Ｈ２Ｎ（ＣＨ２）２ＮＨ２と共沸を形成し、残りのＨ２Ｎ（ＣＨ２）ｎＮＨ２を除去し、
再びメチルアルコールを加えてトルエンを除去し、残りの小さな部分の液体をデキストラ
ンゲルカラムで分離して精製させ、続いて６０℃で真空乾燥させ、第３世代のＰＡＭＡＭ
を得た。
（３）疎水基で修飾された第３世代のＰＡＭＡＭの調製：物質の量に基づいて、１部の第
３世代のＰＡＭＡＭを取って２０４部のエタノールに懸濁し、第３世代のＰＡＭＡＭ中の
エステル系物質の量の１．３倍の２−ホルミル安息香酸を加え、窒素の保護下で４８時間
撹拌および還流し、反応後、得られた生成物をソックスレー抽出器に入れ、質量比が６：
１のトルエンとエタノールの混合溶媒で２８時間抽出して分離と精製し、疎水基で修飾さ
れた第３世代のリンフリーデンドリマー（Ｇ３−ＰＡＭＡＭ−２−ホルミル安息香酸）を
得た。
【0015】
実施例４疎水基で修飾された第４世代のリンフリーデンドリマー（Ｇ４−ＰＡＭＡＭ−２−ホルミ
ル安息香酸）の調製：
（１）第３．５世代のＰＡＭＡＭの調製：物質の量に基づいて、１部の実施例３で精製さ
れた第３世代のＰＡＭＡＭを取って５００部のメチルアルコールに溶解して混合溶液Ａを
得た。第３世代のＰＡＭＡＭ中のアミノ物質の量の３倍のアクリル酸メチルと５００部の
メチルアルコールを、機械的撹拌を備えたフラスコに加え、氷水浴に入れてから機械的撹
拌をオンにしてそれらを均一に混合させた。窒素の保護下で前記混合液Ａをフラスコにゆ
っくりと加え、続いて氷水浴を油浴に変更し、かつ温度を４５°Ｃに調整し、３６時間撹
拌して反応させ、反応後、得られた生成物を６０°Ｃで減圧蒸留し、過剰のアクリル酸メ
チルと溶媒メチルアルコールを除去し、残りの小さな部分の液体をデキストランゲルカラ
ムで分離と精製し、続いて６０℃で真空乾燥させ、第３．５世代のＰＡＭＡＭを得た。
（２）第４世代のＰＡＭＡＭの調製：物質の量に基づいて、１部の第３．５世代のＰＡＭ
ＡＭを取って６００部のメチルアルコールに溶解して混合溶液Ｂを得た。第３．５世代の
ＰＡＭＡＭ中のエステル系物質の量の１．５倍のＨ２Ｎ（ＣＨ２）５ＮＨ２と６００部の
メチルアルコールを、機械的撹拌を備えたフラスコに加え、氷水浴に入れてから機械的撹
拌をオンにしてそれらを均一に混合させた。窒素の保護下で前記混合液Ｂをフラスコにゆ
っくりと加え、続いて氷水浴を油浴に変更し、かつ温度を３５°Ｃに調整し、４８時間撹
拌して反応させ、反応後、得られた生成物を６０°Ｃで減圧蒸留し、過剰のＨ２Ｎ（ＣＨ
２）２ＮＨ２と溶媒メチルアルコールを除去し、ほとんどのＨ２Ｎ（ＣＨ２）２ＮＨ２を
除去した後、質量比が１０：１のトルエンとメチルアルコールの混合溶液を加えて、残り
のＨ２Ｎ（ＣＨ２）２ＮＨ２と共沸を形成し、残りのＨ２Ｎ（ＣＨ２）２ＮＨ２を除去し
、再びメチルアルコールを加えてトルエンを除去し、残りの小さな部分の液体をデキスト
ランゲルカラムで分離して精製させ、続いて６０℃で真空乾燥させ、第４世代のＰＡＭＡ
Ｍを得た。
（３）疎水基で修飾された第４世代のＰＡＭＡＭの調製：物質の量に基づいて、１部の第
４世代のＰＡＭＡＭを取って６００部のエタノールに懸濁し、第４世代のＰＡＭＡＭ中の
エステル系物質の量の１．３倍の２−ホルミル安息香酸を加え、窒素の保護下で７２時間
撹拌および還流し、反応後、得られた生成物をソックスレー抽出器に入れ、質量比が８：
１のトルエンとエタノールの混合溶媒で３６時間抽出して分離と精製し、疎水基で修飾さ
れた第４世代のリンフリーデンドリマー（Ｇ４−ＰＡＭＡＭ−２−ホルミル安息香酸）を
得た。
【0016】
実施例５本実施例は、実施例３と基本的に同じであり、違いは、ステップ（３）における２−ホル
ミル安息香酸を、人工ビターアーモンドオイル、ｏ−ヒドロキシベンズアルデヒド、およ
び２−ホルミル安息香酸のモル比１：１．２：２．３で混合して調製したベンゾアルデヒ
ド化合物に置き換えたことである。
ここで、前記人工ビターアーモンドオイルは、以下のとおり調製され、フェニルメタンを
原料とし、３８％の過酸化水素を酸化剤とし、触媒を添加した後、無溶媒条件下で、４２
°Ｃで撹拌して２．５時間反応した後ろ過し、分離後に人工ビターアーモンドオイルを得
た。使用される材料のモル比はフェニルメタン：過酸化水素＝１：３．５であり、触媒の
使用量はフェニルメタンの質量の５．５％であった。前記触媒には塩化スズおよびコバル
トを含み、２つの重量比は２：１であった。このようにして得られた人工ビターアーモン
ドオイルは、良好な安定性を有し、リサイクルすることができる。反応システム全体は環
境に優しく効率的であり、反応条件は穏やかであり、生成物の選択性は高く、溶媒がなく
環境に優しい。また、ＰＡＭＡＭは非常に優れた変換効果があり、その変換効率が保証さ
れる。
さらに、より良い技術的効果を達成するために、上記実施例における技術的解決手段は、
様々な実際の適用要件を満たすように任意に組み合わせることができる。
上記実施例１〜５における前記アクリル酸メチルは、以下のとおり調製され、ジメトキシ
メタンおよび一酸化炭素を含むガスを、モレキュラーシーブ触媒を搭載した反応器で反応
することにより、メチルアクリレートを生成した。前記反応は、３６０°Ｃの反応温度お
よび１３ＭＰａの反応圧力で実施され、前記ガス中のジメトキシメタンの体積割合は４５
％であった。前記モレキュラーシーブ触媒はＭＯＲモルデナイトモレキュラーシーブから
選択され、前記モレキュラーシーブ触媒は水熱処理により得られ、前記モレキュラーシー
ブ触媒はバインダーを含み、前記バインダーは酸化マグネシウムであり、そしてバインダ
ーの含有量は触媒の総重量の５５ｗｔ％であった。調製されたアクリル酸メチルは付加価
値が高く、Ｈ２Ｎ（ＣＨ２）ｎＮＨ２と反応して、良好な性能の生成物を得ることが容易
であり、収率が大幅に向上させた。
上記実施例１〜５におけるＨ２Ｎ（ＣＨ２）２ＮＨ２は、Ｈ２Ｎ（ＣＨ２）３ＮＨ２、Ｈ
２Ｎ（ＣＨ２）４ＮＨ２、Ｈ２Ｎ（ＣＨ２）５ＮＨ２で置き換えることもできる。
上記実施例から、本発明により調製された疎水基で修飾されたデンドリマーはリンを含ま
ず、逆浸透膜スケール防止剤として使用して、リン元素によって引き起こされる水域の富
栄養化などの二次汚染という問題を効果的に解決できることがわかる。さらに、ポリマー
末端基にはベンゼン環が含まれ、良好な疎水性と立体障害を持ち、スケール防止剤が逆浸
透膜の表面に付着して浸透圧を増加させるという問題を効果的に回避することができる。
【0017】
試験例逆浸透膜スケール防止剤のスケール防止性能の試験方法
（１）炭酸カルシウムスケール防止性能の測定
５００ｍｌのメスフラスコに、３ｍｌの４０ｍｇ／Ｌ塩化カルシウム溶液、５ｍｌの５０
ｍｇ／Ｌ重炭酸ナトリウム溶液、適量のスケール防止剤を順に加え、脱イオン水を加えて
均一に振った。メスフラスコを多孔性の恒温水槽に入れ、温度を８５°Ｃに設定し、１０
時間加熱した後にメスフラスコを取り出し、取り出されたメスフラスコを自然に冷却させ
た後、上澄みを取り出して、その中のカルシウムイオン含有量を分析および測定した。空
白試験対照を行った。
ピペットを使用して、１０ｍｌの試験溶液、５０ｍｌの脱イオン水、５ｍｌの２０％水酸
化カリウム溶液を量り、三角フラスコに順に入れ、三角フラスコに適量のカルセインイン
ジケータを加えると、溶液が緑色になり、次に、ＥＤＴＡ標準溶液で滴定すると、緑色が
徐々に消えることがわかり、緑色が完全に消えて、たまたま赤紫色になったとき、滴定の
終わりになった。カルシウムイオン（Ｃａ２＋）濃度Ｘは、次の式に従って計算でき、
費されるＥＤＴＡ溶液の体積、ｍＬであり、Ｖは総体積、ｍＬであり、Ｍはカルシウムイ
オンのモル質量、ｇ／ｍｏｌである。
炭酸カルシウムスケール防止率θの計算方法
θ＝[(Ca12+-Ca22+)/(Ca02+-Ca22+)]×100％
式中、Ｃａ０２＋は、スケール防止剤なしの理論的カルシウムイオン濃度、ｍｇ／Ｌであ
り、Ｃａ１２＋は、スケール防止剤を加えた試験後のサンプル中の残存カルシウムイオン
濃度、ｍｇ／Ｌであり、Ｃａ２２＋は、スケール防止剤と同じ条件下で行われた空白試験
のカルシウムイオン濃度、ｍｇ／Ｌである。
【0018】
（２）シリコン防止性能の測定シリコ塩酸の静的防止方法を使用して、脱イオン水でＳｉＯ２濃度が６００ｍｇ／Ｌのケ
イ酸ナトリウム溶液を調製し、適量のスケール防止剤を加えた後、塩酸と水酸化ナトリウ
ムで溶液のｐＨを７．０±０．１に調整し、続いて一定量の塩化カルシウムを加え、溶液
中のカルシウムイオン濃度を５００ｍｇ／Ｌになった。次に、ｐＨ値を７．０±０．１に
調整し、多孔質の恒温水槽に入れ、定期的に一定量の水サンプルを取ってろ過し、分光光
度法を使用してケイ酸塩イオンの含有量を決定し、スケール防止率を計算した。計算式：
スケール防止剤の添加量と試験結果を表１に示すとおりである。
実施例１〜５で調製されたポリマーに対する測定結果を表１に示す。
【0019】
表１ 実施例１〜５で調製されたポリマーのスケール防止性能の試験結果【0020】
本発明の疎水基で修飾されたリンフリーデンドリマーを逆浸透膜スケール防止剤として使用すると、スケーリングイオンが引きつけられ、分岐ユニットの官能基と末端の官能基か
らなる化学環境内に制御され、逆浸透膜の濃縮水側で一緒に懸濁および分散され、そして
最終的に濃縮水とともに膜システムから排出され、これにより、これらの物質が逆浸透膜
に堆積することによって引き起こされる汚染を回避し、同時に、末端にベンゼン環を導入
することにより、形成された表面化学層が良好な疎水性と立体障害を持つようにし、スケ
ール防止剤が逆浸透膜の表面に付着して浸透圧を増加させるという問題を効果的に回避で
き、それによりスケール防止剤の使用を増やし、スケール防止性能と膜洗浄のサイクルを
改善することに役立つ。さらに、ベンゼン環にはスケーリングイオンとの相互作用が強い
機能官能基が含まれ、スケール防止性能をさらに向上させることができ、それにより、優
れたスケール防止性能がある。
【0021】
上記は、本発明の好ましい実施例に過ぎず、本発明を他の形態に限定することを意図するものではなく、当業者は、上記で開示された技術内容を使用して、同等の変更を伴う同等
の実施形態を変更または修正することができる。しかし、本発明の技術的解決手段から逸
脱しない限り、本発明の技術的本質に従って上記実施例に対して行われた単純な変更、同
等の変化、および修正は、依然として本発明の技術的解決手段の保護範囲に属する。
【図1】
【手続補正書】
【提出日】2020年4月7日
【手続補正1】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項1】
疎水基で修飾されたリンフリーデンドリマーの調製方法であって、
（１）第ｍ＋０．５世代のＰＡＭＡＭの調製：物質の量に基づいて、１部の第ｍ世代のＰ
ＡＭＡＭを取って２０〜５００部のメチルアルコールに溶解して混合溶液Ａを得て、第ｍ
世代のＰＡＭＡＭ中のアミノ物質の量の２．１〜３倍のアクリル酸メチルと２０〜５００
部のメチルアルコールを、機械的撹拌を備えたフラスコに加え、氷水浴に入れてから機械
的撹拌をオンにしてそれらを均一に混合させ、窒素の保護下で前記混合液Ａをフラスコに
ゆっくりと加え、続いて氷水浴を油浴に変更し、かつ温度を３０〜４５°Ｃに調整し、２
４〜３６時間撹拌して反応させ、反応後、得られた生成物を分離して精製させ、続いて６
０°Ｃで真空乾燥させ、それにより第ｍ＋０．５世代のＰＡＭＡＭを得て、ｍ＝０，１，
２，３であり、第０世代のＰＡＭＡＭはＨ２Ｎ（ＣＨ２）ｎＮＨ２である、ステップ（１
）と、
（２）第ｍ＋１世代のＰＡＭＡＭの調製：物質の量に基づいて、１部の第ｍ＋０．５世代
のＰＡＭＡＭを取って３０〜６００部のメチルアルコールに溶解して混合溶液Ｂを得て、
第ｍ＋０．５世代のＰＡＭＡＭ中のエステル系物質の量の１．１〜１．５倍のＨ２Ｎ（Ｃ
Ｈ２）ｎＮＨ２と３０〜６００部のメチルアルコールを、機械的撹拌を備えたフラスコに
加え、氷水浴に入れてから機械的撹拌をオンにしてそれらを均一に混合させ、窒素の保護
下で前記混合液Ｂをフラスコに加え、続いて氷水浴を油浴に変更し、かつ温度を３０〜３
５°Ｃに調整し、１２〜４８時間撹拌して反応させ、反応後、得られた生成物を分離して
精製させ、続いて６０°Ｃで真空乾燥させ、それにより第ｍ＋１世代のＰＡＭＡＭを得て
、ｍ＝０，１，２，３である、ステップ（２）と、
（３）疎水基で修飾された第ｍ＋１世代のＰＡＭＡＭの調製：物質の量に基づいて、１部
の第ｍ＋１世代のＰＡＭＡＭを取って２０〜６００部のエタノールに懸濁し、第ｍ＋１世
代のＰＡＭＡＭ中のエステル系物質の量の１．１〜１．５倍のベンズアルデヒド化合物を
加え、窒素の保護下で１２〜７２時間撹拌および還流し、反応後、得られた生成物を分離
して精製させ、それにより疎水基で修飾された第ｍ＋１世代のリンフリーデンドリマーを
得て、ｍ＝０，１，２，３である、ステップ（３）と、
を含むことを特徴とする、疎水基で修飾されたリンフリーデンドリマーの調製方法。
（１）第ｍ＋０．５世代のＰＡＭＡＭの調製：物質の量に基づいて、１部の第ｍ世代のＰ
ＡＭＡＭを取って２０〜５００部のメチルアルコールに溶解して混合溶液Ａを得て、第ｍ
世代のＰＡＭＡＭ中のアミノ物質の量の２．１〜３倍のアクリル酸メチルと２０〜５００
部のメチルアルコールを、機械的撹拌を備えたフラスコに加え、氷水浴に入れてから機械
的撹拌をオンにしてそれらを均一に混合させ、窒素の保護下で前記混合液Ａをフラスコに
ゆっくりと加え、続いて氷水浴を油浴に変更し、かつ温度を３０〜４５°Ｃに調整し、２
４〜３６時間撹拌して反応させ、反応後、得られた生成物を分離して精製させ、続いて６
０°Ｃで真空乾燥させ、それにより第ｍ＋０．５世代のＰＡＭＡＭを得て、ｍ＝０，１，
２，３であり、第０世代のＰＡＭＡＭはＨ２Ｎ（ＣＨ２）ｎＮＨ２である、ステップ（１
）と、
（２）第ｍ＋１世代のＰＡＭＡＭの調製：物質の量に基づいて、１部の第ｍ＋０．５世代
のＰＡＭＡＭを取って３０〜６００部のメチルアルコールに溶解して混合溶液Ｂを得て、
第ｍ＋０．５世代のＰＡＭＡＭ中のエステル系物質の量の１．１〜１．５倍のＨ２Ｎ（Ｃ
Ｈ２）ｎＮＨ２と３０〜６００部のメチルアルコールを、機械的撹拌を備えたフラスコに
加え、氷水浴に入れてから機械的撹拌をオンにしてそれらを均一に混合させ、窒素の保護
下で前記混合液Ｂをフラスコに加え、続いて氷水浴を油浴に変更し、かつ温度を３０〜３
５°Ｃに調整し、１２〜４８時間撹拌して反応させ、反応後、得られた生成物を分離して
精製させ、続いて６０°Ｃで真空乾燥させ、それにより第ｍ＋１世代のＰＡＭＡＭを得て
、ｍ＝０，１，２，３である、ステップ（２）と、
（３）疎水基で修飾された第ｍ＋１世代のＰＡＭＡＭの調製：物質の量に基づいて、１部
の第ｍ＋１世代のＰＡＭＡＭを取って２０〜６００部のエタノールに懸濁し、第ｍ＋１世
代のＰＡＭＡＭ中のエステル系物質の量の１．１〜１．５倍のベンズアルデヒド化合物を
加え、窒素の保護下で１２〜７２時間撹拌および還流し、反応後、得られた生成物を分離
して精製させ、それにより疎水基で修飾された第ｍ＋１世代のリンフリーデンドリマーを
得て、ｍ＝０，１，２，３である、ステップ（３）と、
を含むことを特徴とする、疎水基で修飾されたリンフリーデンドリマーの調製方法。
【請求項2】
ステップ（１）における前記分離と精製ステップは、得られた生成物を４０〜８０°Ｃで
減圧蒸留し、過剰のアクリル酸メチルと溶媒メチルアルコールを除去し、残りの小さな部
分の液体をデキストランゲルカラムで分離するステップである、ことを特徴とする、
請求項１に記載の疎水基で修飾されたリンフリーデンドリマーの調製方法。
減圧蒸留し、過剰のアクリル酸メチルと溶媒メチルアルコールを除去し、残りの小さな部
分の液体をデキストランゲルカラムで分離するステップである、ことを特徴とする、
請求項１に記載の疎水基で修飾されたリンフリーデンドリマーの調製方法。
【請求項3】
ステップ（２）における前記分離と精製ステップは、得られた生成物を４０〜８０°Ｃで
減圧蒸留し、過剰のＨ２Ｎ（ＣＨ２）ｎＮＨ２と溶媒メチルアルコールを除去し、Ｈ２Ｎ
（ＣＨ２）ｎＮＨ２を除去した後、質量比が１０−６：１のトルエンとメチルアルコール
の混合溶液を加えて、残りのＨ２Ｎ（ＣＨ２）ｎＮＨ２と共沸を形成し、残りのＨ２Ｎ（
ＣＨ２）ｎＮＨ２を除去し、再びメチルアルコールを加えてトルエンを除去し、残りの小
さな部分の液体をデキストランゲルカラムで分離するステップである、ことを特徴とする
、
請求項１に記載の疎水基で修飾されたリンフリーデンドリマーの調製方法。
減圧蒸留し、過剰のＨ２Ｎ（ＣＨ２）ｎＮＨ２と溶媒メチルアルコールを除去し、Ｈ２Ｎ
（ＣＨ２）ｎＮＨ２を除去した後、質量比が１０−６：１のトルエンとメチルアルコール
の混合溶液を加えて、残りのＨ２Ｎ（ＣＨ２）ｎＮＨ２と共沸を形成し、残りのＨ２Ｎ（
ＣＨ２）ｎＮＨ２を除去し、再びメチルアルコールを加えてトルエンを除去し、残りの小
さな部分の液体をデキストランゲルカラムで分離するステップである、ことを特徴とする
、
請求項１に記載の疎水基で修飾されたリンフリーデンドリマーの調製方法。
【請求項4】
ステップ（３）における前記分離と精製ステップは、得られた生成物をソックスレー抽出
器に入れ、質量比が２〜８：１のトルエンとエタノールの混合溶媒で１２〜３６時間抽出
するステップである、ことを特徴とする、
請求項１に記載の疎水基で修飾されたリンフリーデンドリマーの調製方法。
器に入れ、質量比が２〜８：１のトルエンとエタノールの混合溶媒で１２〜３６時間抽出
するステップである、ことを特徴とする、
請求項１に記載の疎水基で修飾されたリンフリーデンドリマーの調製方法。
【請求項5】
ステップ（３）における前記ベンズアルデヒド化合物は、人工ビターアーモンドオイル、
ｏ−ヒドロキシベンズアルデヒド、２−ホルミル安息香酸、またはそれらの混合物であり
、混合物の場合に各成分のモル比は１：１〜１．５：２〜２．５である、ことを特徴とす
る、
請求項１に記載の疎水基で修飾されたリンフリーデンドリマーの調製方法。
ｏ−ヒドロキシベンズアルデヒド、２−ホルミル安息香酸、またはそれらの混合物であり
、混合物の場合に各成分のモル比は１：１〜１．５：２〜２．５である、ことを特徴とす
る、
請求項１に記載の疎水基で修飾されたリンフリーデンドリマーの調製方法。
【請求項6】
ステップ（３）における前記疎水基で修飾された第ｍ＋１世代のリンフリーデンドリマー
は、逆浸透膜スケール防止剤に適用される、ことを特徴とする、
請求項１に記載の疎水基で修飾されたリンフリーデンドリマーの調製方法。
は、逆浸透膜スケール防止剤に適用される、ことを特徴とする、
請求項１に記載の疎水基で修飾されたリンフリーデンドリマーの調製方法。
【手続補正書】
【提出日】2020年7月8日
【手続補正1】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項1】
疎水基で修飾されたリンフリーデンドリマーの調製方法であって、
（１）第ｍ＋０．５世代のＰＡＭＡＭの調製：物質の量に基づいて、１部の第ｍ世代のＰ
ＡＭＡＭを取って２０〜５００部のメチルアルコールに溶解して混合溶液Ａを得て、第ｍ
世代のＰＡＭＡＭ中のアミノ物質の量の２．１〜３倍のアクリル酸メチルと２０〜５００
部のメチルアルコールを、機械的撹拌を備えたフラスコに加え、氷水浴に入れてから機械
的撹拌をオンにしてそれらを均一に混合させ、窒素の保護下で前記混合液Ａをフラスコに
ゆっくりと加え、続いて氷水浴を油浴に変更し、かつ温度を３０〜４５°Ｃに調整し、２
４〜３６時間撹拌して反応させ、反応後、得られた生成物を分離して精製させ、続いて６
０°Ｃで真空乾燥させ、それにより第ｍ＋０．５世代のＰＡＭＡＭを得て、ｍ＝０，１，
２，３であり、第０世代のＰＡＭＡＭはＨ２Ｎ（ＣＨ２）ｎＮＨ２であり、ｎ＝２〜５で
ある、ステップ（１）と、
（２）第ｍ＋１世代のＰＡＭＡＭの調製：物質の量に基づいて、１部の第ｍ＋０．５世代
のＰＡＭＡＭを取って３０〜６００部のメチルアルコールに溶解して混合溶液Ｂを得て、
第ｍ＋０．５世代のＰＡＭＡＭ中のエステル系物質の量の１．１〜１．５倍のＨ２Ｎ（Ｃ
Ｈ２）ｎＮＨ２と３０〜６００部のメチルアルコールを、機械的撹拌を備えたフラスコに
加え、氷水浴に入れてから機械的撹拌をオンにしてそれらを均一に混合させ、窒素の保護
下で前記混合液Ｂをフラスコに加え、続いて氷水浴を油浴に変更し、かつ温度を３０〜３
５°Ｃに調整し、１２〜４８時間撹拌して反応させ、反応後、得られた生成物を分離して
精製させ、続いて６０°Ｃで真空乾燥させ、それにより第ｍ＋１世代のＰＡＭＡＭを得て
、ｍ＝０，１，２，３である、ステップ（２）と、
（３）疎水基で修飾された第ｍ＋１世代のＰＡＭＡＭの調製：物質の量に基づいて、１部
の第ｍ＋１世代のＰＡＭＡＭを取って２０〜６００部のエタノールに懸濁し、第ｍ＋１世
代のＰＡＭＡＭ中のエステル系物質の量の１．１〜１．５倍のベンズアルデヒド化合物を
加え、窒素の保護下で１２〜７２時間撹拌および還流し、反応後、得られた生成物を分離
して精製させ、それにより疎水基で修飾された第ｍ＋１世代のリンフリーデンドリマーを
得て、ｍ＝０，１，２，３である、ステップ（３）と、
を含むことを特徴とする、疎水基で修飾されたリンフリーデンドリマーの調製方法。
（１）第ｍ＋０．５世代のＰＡＭＡＭの調製：物質の量に基づいて、１部の第ｍ世代のＰ
ＡＭＡＭを取って２０〜５００部のメチルアルコールに溶解して混合溶液Ａを得て、第ｍ
世代のＰＡＭＡＭ中のアミノ物質の量の２．１〜３倍のアクリル酸メチルと２０〜５００
部のメチルアルコールを、機械的撹拌を備えたフラスコに加え、氷水浴に入れてから機械
的撹拌をオンにしてそれらを均一に混合させ、窒素の保護下で前記混合液Ａをフラスコに
ゆっくりと加え、続いて氷水浴を油浴に変更し、かつ温度を３０〜４５°Ｃに調整し、２
４〜３６時間撹拌して反応させ、反応後、得られた生成物を分離して精製させ、続いて６
０°Ｃで真空乾燥させ、それにより第ｍ＋０．５世代のＰＡＭＡＭを得て、ｍ＝０，１，
２，３であり、第０世代のＰＡＭＡＭはＨ２Ｎ（ＣＨ２）ｎＮＨ２であり、ｎ＝２〜５で
ある、ステップ（１）と、
（２）第ｍ＋１世代のＰＡＭＡＭの調製：物質の量に基づいて、１部の第ｍ＋０．５世代
のＰＡＭＡＭを取って３０〜６００部のメチルアルコールに溶解して混合溶液Ｂを得て、
第ｍ＋０．５世代のＰＡＭＡＭ中のエステル系物質の量の１．１〜１．５倍のＨ２Ｎ（Ｃ
Ｈ２）ｎＮＨ２と３０〜６００部のメチルアルコールを、機械的撹拌を備えたフラスコに
加え、氷水浴に入れてから機械的撹拌をオンにしてそれらを均一に混合させ、窒素の保護
下で前記混合液Ｂをフラスコに加え、続いて氷水浴を油浴に変更し、かつ温度を３０〜３
５°Ｃに調整し、１２〜４８時間撹拌して反応させ、反応後、得られた生成物を分離して
精製させ、続いて６０°Ｃで真空乾燥させ、それにより第ｍ＋１世代のＰＡＭＡＭを得て
、ｍ＝０，１，２，３である、ステップ（２）と、
（３）疎水基で修飾された第ｍ＋１世代のＰＡＭＡＭの調製：物質の量に基づいて、１部
の第ｍ＋１世代のＰＡＭＡＭを取って２０〜６００部のエタノールに懸濁し、第ｍ＋１世
代のＰＡＭＡＭ中のエステル系物質の量の１．１〜１．５倍のベンズアルデヒド化合物を
加え、窒素の保護下で１２〜７２時間撹拌および還流し、反応後、得られた生成物を分離
して精製させ、それにより疎水基で修飾された第ｍ＋１世代のリンフリーデンドリマーを
得て、ｍ＝０，１，２，３である、ステップ（３）と、
を含むことを特徴とする、疎水基で修飾されたリンフリーデンドリマーの調製方法。
【請求項2】
ステップ（１）における前記分離と精製ステップは、得られた生成物を４０〜８０°Ｃで
減圧蒸留し、過剰のアクリル酸メチルと溶媒メチルアルコールを除去し、残りの小さな部
分の液体をデキストランゲルカラムで分離するステップである、ことを特徴とする、
請求項１に記載の疎水基で修飾されたリンフリーデンドリマーの調製方法。
減圧蒸留し、過剰のアクリル酸メチルと溶媒メチルアルコールを除去し、残りの小さな部
分の液体をデキストランゲルカラムで分離するステップである、ことを特徴とする、
請求項１に記載の疎水基で修飾されたリンフリーデンドリマーの調製方法。
【請求項3】
ステップ（２）における前記分離と精製ステップは、得られた生成物を４０〜８０°Ｃで
減圧蒸留し、過剰のＨ２Ｎ（ＣＨ２）ｎＮＨ２（ｎ＝２〜５である）と溶媒メチルアルコ
ールを除去し、Ｈ２Ｎ（ＣＨ２）ｎＮＨ２を除去した後、質量比が１０−６：１のトルエ
ンとメチルアルコールの混合溶液を加えて、残りのＨ２Ｎ（ＣＨ２）ｎＮＨ２と共沸を形
成し、残りのＨ２Ｎ（ＣＨ２）ｎＮＨ２を除去し、再びメチルアルコールを加えてトルエ
ンを除去し、残りの小さな部分の液体をデキストランゲルカラムで分離するステップであ
る、ことを特徴とする、
請求項１に記載の疎水基で修飾されたリンフリーデンドリマーの調製方法。
減圧蒸留し、過剰のＨ２Ｎ（ＣＨ２）ｎＮＨ２（ｎ＝２〜５である）と溶媒メチルアルコ
ールを除去し、Ｈ２Ｎ（ＣＨ２）ｎＮＨ２を除去した後、質量比が１０−６：１のトルエ
ンとメチルアルコールの混合溶液を加えて、残りのＨ２Ｎ（ＣＨ２）ｎＮＨ２と共沸を形
成し、残りのＨ２Ｎ（ＣＨ２）ｎＮＨ２を除去し、再びメチルアルコールを加えてトルエ
ンを除去し、残りの小さな部分の液体をデキストランゲルカラムで分離するステップであ
る、ことを特徴とする、
請求項１に記載の疎水基で修飾されたリンフリーデンドリマーの調製方法。
【請求項4】
ステップ（３）における前記分離と精製ステップは、得られた生成物をソックスレー抽出
器に入れ、質量比が２〜８：１のトルエンとエタノールの混合溶媒で１２〜３６時間抽出
するステップである、ことを特徴とする、
請求項１に記載の疎水基で修飾されたリンフリーデンドリマーの調製方法。
器に入れ、質量比が２〜８：１のトルエンとエタノールの混合溶媒で１２〜３６時間抽出
するステップである、ことを特徴とする、
請求項１に記載の疎水基で修飾されたリンフリーデンドリマーの調製方法。
【請求項5】
ステップ（３）における前記ベンズアルデヒド化合物は、人工ビターアーモンドオイル、
ｏ−ヒドロキシベンズアルデヒド、２−ホルミル安息香酸、またはそれらの混合物であり
、混合物の場合に各成分のモル比は１：１〜１．５：２〜２．５である、ことを特徴とす
る、
請求項１に記載の疎水基で修飾されたリンフリーデンドリマーの調製方法。
ｏ−ヒドロキシベンズアルデヒド、２−ホルミル安息香酸、またはそれらの混合物であり
、混合物の場合に各成分のモル比は１：１〜１．５：２〜２．５である、ことを特徴とす
る、
請求項１に記載の疎水基で修飾されたリンフリーデンドリマーの調製方法。
【請求項6】
ステップ（３）における前記疎水基で修飾された第ｍ＋１世代のリンフリーデンドリマー
は、逆浸透膜スケール防止剤に適用される、ことを特徴とする、
請求項１に記載の疎水基で修飾されたリンフリーデンドリマーの調製方法。
は、逆浸透膜スケール防止剤に適用される、ことを特徴とする、
請求項１に記載の疎水基で修飾されたリンフリーデンドリマーの調製方法。