特開2021-31766(P2021-31766A)IP Force 特許公報掲載プロジェクト 2022.1.31 β版

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特開2021-31766薄膜形成用成長抑制剤、これを利用した薄膜形成方法及びこれから製造された半導体基板
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  • 特開2021031766-薄膜形成用成長抑制剤、これを利用した薄膜形成方法及びこれから製造された半導体基板 図000009
  • 特開2021031766-薄膜形成用成長抑制剤、これを利用した薄膜形成方法及びこれから製造された半導体基板 図000010
  • 特開2021031766-薄膜形成用成長抑制剤、これを利用した薄膜形成方法及びこれから製造された半導体基板 図000011
  • 特開2021031766-薄膜形成用成長抑制剤、これを利用した薄膜形成方法及びこれから製造された半導体基板 図000012
  • 特開2021031766-薄膜形成用成長抑制剤、これを利用した薄膜形成方法及びこれから製造された半導体基板 図000013
  • 特開2021031766-薄膜形成用成長抑制剤、これを利用した薄膜形成方法及びこれから製造された半導体基板 図000014
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