特開 2021-36553出願番号 特願 2019-157624
窒化物半導体発光素子及び窒化物半導体発光素子の製造方法
出願人 学校法人 名城大学（識別番号 599002043）
2026年 特許公開件数ランキング 756位 31件（※）
2026年 特許取得件数ランキング 1042位 21件（※）
出願人 スタンレー電気株式会社（識別番号 2303）
2026年 特許公開件数ランキング 242位 110件（※）
2026年 特許取得件数ランキング 306位 77件（※）
公報発行日 2021年3月4
公報URL https://ipforce.jp/patent-jp-A-2021-36553 ログイン済みの方はこのURLへ
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※ 共同出願を含む
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技術分野
窒化物半導体発光素子及び窒化物半導体発光素子の製造方法に関するものである。
要約特許出願時に添付された[要約書]
【課題】素子の品質が良好な窒化物半導体発光素子及びその製造方法を提供する。【解決手段】本発明の窒化物半導体発光素子は、窒化物半導体によって形成されたトンネル接合層１４を備えた窒化物半導体発光素子であって、トンネル接合層１４を形成するためにｐ型不純物が添加されたｐ++型ＧａＮ層１４Ａと、ｐ++型ＧａＮ層１４Ａの表面に積層され、トンネル接合層１４を形成するためにｎ型不純物が添加されたｎ++型ＧａＮ層１４Ｂとが積層された積層部１５を有し、積層部１５は部分的に高抵抗化された高抵抗化部１４Ｃを具備している。
【選択図】図１
発明が解決しようとする課題[発明の詳細な説明]から抜粋
こうして形成した窒化物半導体発光素子は、第１メサと第１メサの周囲とで段差が形成されることになる。この段差は、赤色や赤外等の長波長領域（１〜２μｍ）では光を閉じ込めるように機能するが、青色や紫外等の短波長領域（０．５μｍ以下）では光を散乱させてしまう。 本発明は、従来の実情に鑑みてなされたものであって、トンネル接合を用いた電流狭窄構造を採用しつつ、短波長領域の発光波長の光を散乱させることがない窒化物半導体発光素子及び窒化物半導体発光素子の製造方法を提供することを解決すべき課題としている。課題を解決するための手段[発明の詳細な説明]から抜粋
第１発明の窒化物半導体発光素子は、
窒化物半導体によって形成されたトンネル接合層を備えた窒化物半導体発光素子であって、
前記トンネル接合層を形成するためにｐ型不純物が添加されたｐ型層と、前記ｐ型層の表面に積層され、前記トンネル接合層を形成するためにｎ型不純物が添加されたｎ型層とが積層された積層部を有し、
前記積層部は部分的に高抵抗化された高抵抗化部を具備していることを特徴とする。・・・ 続きを知財ポータルサイト IP Force にログインして見る
この発明についての権利主張の範囲[特許請求の範囲]
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この特許公報に記載されている図面[図面の簡単な説明]から抜粋
【図1】図１は、実施例１〜３の窒化物半導体発光素子の層の構造を示す模式図である。
【図2】図２は、実施例１〜３及び比較例１の窒化物半導体発光素子の電流−電圧特性を示す図である。
【図3】図３は、実施例４の窒化物半導体発光素子の層の構造を示す模式図である。
【図4】（Ａ）は、実施例４の窒化物半導体発光素子の活性層が発光する光の強度を示し、（Ｂ）は、実施例４の窒化物半導体発光素子の活性層が発光した様子を上方から見た画像を示す。
【図5】図５は、実施例５の窒化物半導体発光素子の層の構造を示す模式図である。
選択図 図1出願人が指定した本件の代表的な図
１４，１１４，２１４…トンネル接合層
１４Ａ，１１４Ａ，２１４Ａ…ｐ++型ＧａＮ層（ｐ型層）
１４Ｂ，１１４Ｂ，２１４Ｂ…ｎ++型ＧａＮ層（ｎ型層）
１４Ｃ，１１４Ｃ，２１４Ｃ…高抵抗化部
１５，１１５，２１５…積層部
１１４Ｄ，２１４Ｄ…非高抵抗化部
Ｅ１…下部電極（電極）
Ｅ２…上部電極（電極）
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