【図1】本発明の第１窒化物半導体積層物を示す断面図である。

【図2】本発明の第１窒化物半導体積層物の製造方法または窒化物半導体自立基板の製造方法を示すフローチャートである。

【図3】（ａ）および（ｂ）は、第１実施形態の保護層形成工程での基板の載置状態を示す断面図である。

【図4】保護層形成工程後の基板を示す断面図である。

【図5】気相成長装置の概略構成図であり、反応容器内で結晶成長ステップを実行中の様子を示している。

【図6】気相成長装置の概略構成図であり、反応容器の炉口を開放させた状態を示している。

【図7】スライス工程を示す断面図である。

【図8】本発明の第２窒化物半導体積層物を示す断面図である。

【図9】本発明の第２半導体装置を示す断面図である。

【図10】本発明の第２窒化物半導体積層物の製造方法または半導体装置の製造方法を示すフローチャートである。

【図11】（ａ）は、イオン注入工程を示す断面図であり、（ｂ）は、活性化アニール工程を示す断面図である。

【図12】本発明の第２実施形態の変形例に係る半導体装置を示す断面図である。