2021-73721 | 知財ポータル「IP Force」

2021073721-残留歪を相殺するＩＩＩ−Ｖ族材料とシリコンウェハとの間の材料界面のエピタキシャル成長方法 図000002

2021073721-残留歪を相殺するＩＩＩ−Ｖ族材料とシリコンウェハとの間の材料界面のエピタキシャル成長方法 図000003

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