特開 2021-86871 半導体レーザー装置

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】特開2021-86871(P2021-86871A)

(43)【公開日】2021年6月3日

(54)【発明の名称】半導体レーザー装置

(51)【国際特許分類】

   H01S 5/022 20210101AFI20210507BHJP

【ＦＩ】

   H01S5/022

【審査請求】有

【請求項の数】5

【出願形態】ＯＬ

【全頁数】11

(21)【出願番号】特願2019-212911(P2019-212911)

(22)【出願日】2019年11月26日

(71)【出願人】

【識別番号】506247435

【氏名又は名称】株式会社エルムテクノロジー

(74)【代理人】

【識別番号】100178331

【弁理士】

【氏名又は名称】津田 宏二

(72)【発明者】

【氏名】栗原 郁夫

【テーマコード（参考）】

5F173

【Ｆターム（参考）】

5F173MB01

5F173MC01

5F173MD84

5F173ME03

5F173ME22

(57)【要約】      （修正有）

【課題】装置を大きくすることなく半導体レーザーを駆動する駆動回路を内部に一体化して備えた半導体レーザー装置を提供する。
【解決手段】半導体レーザー装置１は、レーザーを出力する出力側発光端及び当該出力側発光端の反対側の面に当該レーザーのモニター用のレーザーを出力するモニター側発光端を有するＬＤチップ２３と、モニター側発光端から出射されたレーザーを受光する受光素子５１と、受光素子５１が受光したレーザーの強度を基にＬＤチップ２３からのレーザーの出力を制御する駆動回路と、受光素子５１及び駆動回路が形成される集積回路５０と、を有し、受光素子５１は、モニター側発光端から出射されたレーザーが照射される基板上の照射領域の一部領域に位置された受光面にてモニター側発光端から出力されたレーザーの一部を受光する。
【選択図】図２

【特許請求の範囲】

【請求項1】

レーザーを出力する出力側発光端及び当該出力側発光端の反対側の面に当該レーザーのモニター用のレーザーを出力するモニター側発光端を有する端面発光半導体レーザー部と、
前記モニター側発光端から出射されたレーザーを受光する受光素子と、
前記受光素子が受光したレーザーの強度を基に端面発光半導体レーザー部を駆動し当該端面発光半導体レーザー部からのレーザーの出力を制御する駆動回路と、
前記受光素子及び前記駆動回路が形成される基板と、を有し、
前記受光素子は、前記モニター側発光端から出射されたレーザーが照射される前記基板上の照射領域の一部領域に位置された受光面にて前記モニター側発光端から出力されたレーザーの一部を受光する半導体レーザー装置。

【請求項2】

前記駆動回路は、定電流の基準電流を発生させる基準電流源と、前記基準電流源が発生した基準電流と前記受光素子が受光に応じて出力する電流との差に応じた電圧値が入力されて電圧利得を１以下とした出力をする増幅部と、を有し、
前記端面発光半導体レーザー部は、前記増幅部からの出力電圧に応じた駆動電流によって駆動される請求項１に記載の半導体レーザー装置。

【請求項3】

前記駆動回路は、前記増幅部からの出力を当該増幅部の入力に帰還する帰還部において当該増幅部を発振させる処理を行う請求項２に記載の半導体レーザー装置。

【請求項4】

前記受光素子、前記駆動回路、及び外部に接続するためのボンディングパッドが前記基板上に１つの集積回路として構成され、
前記ボンディングパッドは、当該ボンディングパッドに取り付けられるボンディングワイヤが前記モニター側発光端から前記受光素子に向けて出射されたレーザーをさえぎることなく、かつ当該ボンディングパッドにボンディングワイヤを取り付けるボンディング時にボンディング治具が前記基板の周囲の構造物に干渉しない位置に配置される請求項１乃至３の何れか１項に記載の半導体レーザー装置。

【請求項5】

前記受光素子はフォトトランジスタによって構成される請求項１乃至４の何れか１項に記載の半導体レーザー装置。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、半導体レーザー装置の技術に関する。

【背景技術】

【0002】

半導体レーザー装置は、半導体レーザーを駆動する駆動回路を外部に別途有することを前提としている（特許文献１）。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0003】

【特許文献1】特開2005-150684

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0004】

本発明の目的は、装置を大きくすることなく半導体レーザーを駆動する駆動回路を内部に一体化して備えた半導体レーザー装置を提供することである。

【課題を解決するための手段】

【0005】

前記課題を解決するために、本発明の第１の態様は、レーザーを出力する出力側発光端及び当該出力側発光端の反対側の面に当該レーザーのモニター用のレーザーを出力するモニター側発光端を有する端面発光半導体レーザー部と、前記モニター側発光端から出射されたレーザーを受光する受光素子と、前記受光素子が受光したレーザーの強度を基に端面発光半導体レーザー部を駆動し当該端面発光半導体レーザー部からのレーザーの出力を制御する駆動回路と、前記受光素子及び前記駆動回路が形成される基板と、を有し、前記受光素子は、前記モニター側発光端から出射されたレーザーが照射される前記基板上の照射領域の一部領域に位置された受光面にて前記モニター側発光端から出力されたレーザーの一部を受光する半導体レーザー装置である。

【0006】

本発明の第２の態様では、前記駆動回路は、定電流の基準電流を発生させる基準電流源と、前記基準電流源が発生した基準電流と前記受光素子が受光に応じて出力する電流との差に応じた電圧値が入力されて電圧利得を１以下とした出力をする増幅部と、を有し、前記端面発光半導体レーザー部は、前記増幅部からの出力電圧に応じた駆動電流によって駆動されることが好ましい。

【0007】

本発明の第３の態様では、前記駆動回路は、前記増幅部からの出力を当該増幅部の入力に帰還する帰還部において当該増幅部を発振させる処理を行うことが好ましい。

【0008】

本発明の第４の態様では、前記受光素子、前記駆動回路、及び外部に接続するためのボンディングパッドが前記基板上に１つの集積回路として構成され、前記ボンディングパッドは、当該ボンディングパッドに取り付けられるボンディングワイヤが前記モニター側発光端から前記受光素子に向けて出射されたレーザーをさえぎることなく、かつ当該ボンディングパッドにボンディングワイヤを取り付けるボンディング時にボンディング治具が前記基板の周囲の構造物に干渉しない位置に配置されることが好ましい。

【0009】

本発明の第５の態様では、前記受光素子はフォトトランジスタによって構成されることが好ましい。

【発明の効果】

【0010】

本発明の前記第１の態様によれば、半導体レーザー装置は、受光素子の受光面がモニター側発光端から出力されたレーザーの一部だけを受光するために足りる大きさになるため、受光素子が形成される同一基板上への駆動回路の形成を可能にしつつ、駆動回路の大きさを十分に確保できるようになる。このように、半導体レーザー装置は、装置を大きくすることなく半導体レーザーを駆動する駆動回路を内部に一体化して備えることができる。

【0011】

本発明の前記第２の態様によれば、半導体レーザー装置は、電圧利得が１以下であるために増幅部の発振が抑制されるため、外付けの部品点数を抑えることができる。

【0012】

本発明の前記第３の態様によれば、半導体レーザー装置は、半導体レーザーのノイズ低減のための高周波重畳動作と駆動回路の動作を同時に一つの回路で実現できる。

【0013】

本発明の前記第４の態様によれば、半導体レーザー装置は、受光素子を小さくしつつも当該受光素子でのレーザーの受光量を確保することと、ボンディング時にボンディング治具の動作経路を確保することを実現できる。

【0014】

本発明の前記第５の態様によれば、半導体レーザー装置は、受光の強度に応じた受光電流の出力がより大きいフォトトランジスタを用いることで、受光素子を小さくしつつも、大きい受光電流を確保できる。

【図面の簡単な説明】

【0015】

【図1】図１は、半導体レーザー装置の全体の構成例を示す斜視図である。

【図2】図２は、キャップを外した状態の半導体レーザー装置の全体の構成例を示す斜視図である。

【図3】図３は、集積回路の構成例を示す平面図である。

【図4】図４は、駆動回路の構成例を示す図である。

【図5】図５は、半導体レーザー装置の他の構成例を示す図である。

【図6】図６は、駆動回路の他の構成例を示す図である。

【発明を実施するための形態】

【0016】

本発明の実施形態を図面を参照しつつ説明する。

【0017】

本実施形態では、半導体レーザー装置を挙げている。

【0018】

（構成）
図１及び図２は、本実施形態に係る半導体レーザー装置１の構成例を示す図である。図１は、半導体レーザー装置１の全体の構成例を示す斜視図であり、図２は、キャップ３０を外した状態の半導体レーザー装置１の全体の構成例を示す斜視図である。

【0019】

図１及び図２に示すように、半導体レーザー装置１は、ステム１０、マウント部２０、キャップ３０、リード（ピンともいう。）４１，４２，４３，４４、集積回路５０を有している。

【0020】

ステム１０は、略円盤形状をなしている。ステム１０は、Ｆｅ合金等の金属材料によって形成されている。ステム１０の外周面１１には、位置決め用の切り欠き部１１ａ，１１ｂ，１１ｃが複数形成されている。ステム１０の上面１２に、キャップ３０、マウント部２０、及び集積回路５０が設けられている。また、ステム１０の下面側に、４本のリード４１，４２，４３，４４が配置されている。

【0021】

キャップ３０は、金属製で略楕円の略円筒形状をなしている。キャップ３０は、ステム１０上に設けられているマウント部２０、集積回路５０を覆っている。キャップ３０には、上面３１の中央部分にレーザー光を透過するガラス板が接合されて形成されたガラス窓３２が設けられている。出力側発光端から出射されたレーザー光は、ガラス窓３２を通過して外部に出力される。キャップ３０は、下端部の外周に設けられたフランジ部３３によってステム１０の上面１２に固定されている。

【0022】

４本のリード４１，４２，４３，４４は、ステム１０の中心軸を中心とした円上に等間隔に配置されている。第１乃至第３リード４１，４２，４３は、各端部４１ａ，４２ａ，４３ａがステム１０を貫通してステム１０の上面１２側で露出している。第１乃至第３リード４１，４２，４３は、ガラス材等の絶縁部材４５が介在されてステム１０を貫通しつつ当該ステム１０に取り付けられている。第１乃至第３リード４１，４２，４３の端部４１ａ，４２ａ，４３ａは、マウント部２０の後述の取り付け面２１の前方向、及び前方向の両側にそれぞれ位置している。また、第４リード４４は、図示しない端部がステム１０の下面にロウ材等によって固定されている。これにより、第４リード４４は、ステム１０に電気的に接続されており、ステム１０は、第４リード４４を介して接地されている。ステム１０の上面１２には、この第４リード４４の取り付け位置に略対応して、マウント部２０が設けられている。

【0023】

マウント部２０は、横断面が略扇形状をなし、ステム１０の上面１２に立設されている。マウント部２０は、Ｃｕ等の熱伝導性が良好な金属材料によって形成されている。マウント部２０は、ロウ材等によってステム１０の上面１２に接合されている。マウント部２０には、ステム１０の中心軸側に向いて取り付け面２１が形成されている。マウント部２０の取り付け面２１には、サブマウント部２２が設けられている。集積回路５０は、ステム１０の上面１２において、このマウント部２０の取り付け面２１の前方かつ近傍に設けられている。

【0024】

サブマウント部２２は、ＬＤチップ２３が搭載される部位である。サブマウント部２２におけるステム１０の中心軸側に向く面にＬＤチップ２３が半田等によって取り付けられている。サブマウント部２２は、ＬＤチップ２３の発光時に発生する熱を当該ＬＤチップ２３から外部に放散するための放熱板の機能と、ＬＤチップ２３を支持するための基板の機能とを兼ねている。サブマウント部２２は、例えば、ＡｌＮ、ＳｉＣ、ＣｕＷ等のセラミックで構成されている。サブマウント部２２は、ボンディングワイヤ７５によって集積回路５０と電気的に接続されている。

【0025】

ＬＤチップ２３は、端面発光半導体レーザーである。ＬＤチップ２３は、出力側発光端及びモニター側発光端を有している。出力側発光端は、ステム１０の上面１２が向く方向、すなわち、キャップ３０のガラス窓３２側に向けてレーザー光を出射する。一方、モニター側発光端は、出力側発光端とは反対側、すなわち、ステム１０の上面１２側に向きレーザー光を出射する。ＬＤチップ２３は、モニター側発光端から出射される略楕円錐形状のレーザー光の中心が集積回路５０の受光素子（モニター受光素子ともいう。）５１の受光面５１ａの中心と一致するように位置決めされている。ＬＤチップ２３は、ボンディングワイヤ７１を介してマウント部２０に電気的に接続されている。

【0026】

集積回路５０は、ステム１０の上面１２で当該ステム１０の中心領域に設けられている。

【0027】

図３は、集積回路５０の構成例を示す平面図である。

【0028】

図２及び図３に示すように、集積回路（基板）５０には、受光素子５１と駆動回路６０とが集積されている。また、集積回路５０には、ボンディングパッド５２，５３，５４，５５，５６が形成されている。

【0029】

受光素子５１は、受光量（受光の強さ）に応じた電流（以下、受光電流という。）を出力する。受光素子５１は、フォトトランジスタから構成されている。例えば、フォトトランジスタは、受光量に対して、より大きい受光電流を出力する特性を有している。さらに、フォトトランジスタは、フォトダイオードに比べて入射光に対する受光電流の出力の応答速度が遅い特性を有している。受光素子５１の受光面５１ａは、面積が極力小さくなるように形成されている。具体的には、受光素子５１は、ＬＤチップ２３のモニター側発光端から出射されるレーザー光の一部だけを積極的に受光するように小さく形成されている。これにより、受光素子５１は、ＬＤチップ２３のモニター側発光端から出射されるレーザー光が照射される集積回路５０上の照射領域の一部の領域に位置された受光面５１ａにて当該レーザー光の一部を受光する。集積回路５０の面積は、例えば、０．２５平方ｍｍ〜１平方ｍｍ程度である。

【0030】

ボンディングパッド５２，５３，５４，５５，５６は、集積回路５０を外部に電気的接続をするための部位になる。本例では、ボンディングパッド５２，５３，５４，５５，５６は、５カ所形成されている。ボンディングパッド５２，５３，５４，５５，５６には、ボンディングワイヤ７２，７３，７４，７５，７６が電気的に接続されており、ボンディングワイヤ７２，７３，７４，７５，７６が外部の構成と電気的に接続されている。本例では、図２に示すように、各ボンディングパッド５２，５３，５４，５５，５６は、ボンディングワイヤ７２，７３，７４，７５，７６を介して、ステム１０、第１乃至第３リード４１，４２，４３、サブマウント部２２と電気的に接続されている。

【0031】

集積回路５０におけるボンディングパッド５２，５３，５４，５５，５６の位置については、図３に示すように、ボンディングパッド５２，５３，５４，５５，５６は、受光素子５１及び駆動回路６０の外周に略等間隔に形成されている。具体的には、ボンディングパッド５２，５３，５４，５５，５６は、当該ボンディングパッド５２，５３，５４，５５，５６に取り付けられるボンディングワイヤ７２，７３，７４，７５，７６がモニター側発光端から受光素子５１に向けて出射されたレーザー光をさえぎることなく、かつ当該ボンディングパッド５２，５３，５４，５５，５６にボンディングワイヤ７２，７３，７４，７５，７６を取り付けるボンディング時にボンディング治具が基板の周囲の構造物、例えば、マウント部２０に干渉しない位置に配置されている。そのため、ボンディングパッド５２，５３，５４，５５，５６は、マウント部２０からある程度の距離を確保して配置されている。

【0032】

駆動回路６０は、ＬＤチップ２３の出力を制御するＡＰＣ（Auto Power Control）駆動回路である。

【0033】

図４は、駆動回路６０の構成例を示す図である。駆動回路６０は、基準電流源６１、及び増幅回路（増幅器）６２を有している。

【0034】

基準電流源６１は、基準電源及び基準抵抗を有し、定電流を発生するように構成されている。

【0035】

増幅回路６２は、ボルテージフォロア増幅回路であり、すなわち、電圧利得が１以下になっている。この増幅回路６２は、基準電流源６１からの定電流、及び受光素子５１からの電流（受光電流）がそれぞれ入力されている。ここで、基準電流源６１からの定電流値に対して受光素子５１からの電流値が大きいほど、基準電流源６１と受光素子５１のカソードとの接続点の電位値は小さくなる。この場合、増幅回路６２の出力電圧値も小さくなり、当該増幅回路６２が出力するＬＤチップ２３の駆動電流値は小さくなる。一方、基準電流源６１からの定電流に対して受光素子５１からの電流が小さいほど、基準電流源６１と受光素子５１のカソードとの接続点の電位値は大きくなる。この場合、増幅回路６２の出力電圧値も大きくなり、当該増幅回路６２が出力する駆動電流値は大きくなる。

【0036】

駆動回路６０は、このように、基準電流源６１からの定電流値に対して受光素子５１からの電流値が大きくなると、ＬＤチップ２３の駆動電流値を小さくし、その逆に、基準電流源６１からの定電流値に対して受光素子５１からの電流値が小さくなると、ＬＤチップ２３の駆動電流値を大きくし、当該駆動電流値が一定になるようにしている。これにより、ＬＤチップ２３から出射されるレーザー光の強さが一定に維持される。

【0037】

また、高周波重畳が必要とされる場合、駆動回路６０は、増幅回路６２からの出力を当該増幅回路６２の入力に帰還する帰還部において当該増幅回路６２を発振させる処理が可能である。そのための構成として、駆動回路６０は、１００％負帰還の帰還路に特定周波数において位相利得が発振条件を満たすように回路素子である帰還回路６３を挿入し、増幅回路６２を発振させている。

【0038】

例えば、帰還回路６３は、増幅回路６２の帯域幅の３ｄＢ減衰周波数と同じ３ｄＢ減衰周波数の２段のＣＲ遅延回路である。これにより、３ｄＢ減衰周波数近傍において正帰還となり発振条件を満たすことができ、増幅回路６２は発振する。これにより、ＡＰＣの制御ループにおいて、受光素子５１の周波数特性により発振高周波が帰還されずレーザー出力の平均値を一定に維持する負帰還動作が実現される。

【0039】

（本実施形態における効果）
（１）半導体レーザー装置１は、受光素子５１の受光面（受光部）５１ａがＬＤチップ２３のモニター側発光端から出力されたレーザー光の一部だけを受光するために足りる大きさのため、従来の受光素子の受光面の面積よりも小さくなる。

【0040】

これにより、本実施形態に係る半導体レーザー装置１は、受光素子５１が形成される同一基板上への駆動回路６０の形成を可能にしつつ、駆動回路６０の大きさを十分に確保できるようになる。このように、半導体レーザー装置１は、装置を大きくすることなく半導体レーザーを駆動する駆動回路６０を一体化することができる。

【0041】

さらに、半導体レーザー装置１は、低価格、小形軽量の半導体レーザー装置として提供される。

【0042】

また、受光素子５１の受光面５１ａの面積を小さくすることは、当該受光素子５１が出力する受光電流の減少を招く。しかし、半導体レーザー装置１は、駆動回路６０が受光素子５１と同じ集積回路において形成されて同一基板上において構成されているため、外部ノイズの影響が減りＳ／Ｎ比を確保できる。これにより、ＬＤチップ２３の駆動電流値への受光電流の減少の影響に対し担保を確保できる。さらに、半導体レーザー装置１は、増幅回路６２によって、受光電流の減少分を補うことができる。

【0043】

（２）半導体レーザー装置１は、電圧利得が１以下であるために増幅部の発振が抑制されるため、外付けの部品点数を抑えることができる。

【0044】

例えば、従来の半導体レーザー装置では、受光素子の受光電流を電流電圧変換回路により電圧変換しその電圧が基準電圧と同じになるように、ＬＤチップの駆動電流を増減させる回路が使用されている。しかし、このような構成では、増幅する回路の発振を防ぐために、モノリシック集積化が困難な大容量のコンデンサが必要となり、外部にそのコンデンサを接続する必要があった。その結果、従来の半導体レーザー装置は、外付けの部品のための外部接続端子が必要となり、コスト高となっていた。

【0045】

これに対して、本実施形態に係る半導体レーザー装置１は、増幅部の発振が抑制されるため、外部のコンデンサ等が不要となり、外付けの部品点数を抑えることができる。

【0046】

（３）半導体レーザー装置１は、増幅部を発振させることで、半導体レーザーのノイズ低減のための高周波重畳動作と駆動回路の動作を同時に一つの回路で実現できる。

【0047】

（４）半導体レーザー装置１は、ボンディングパッド５２，５３，５４，５５，５６を適切に配置したことで、受光素子を小さくしつつも当該受光素子でのレーザーの受光量を確保することと、ボンディング時にボンディング治具の動作経路を確保することを実現できる。

【0048】

（５）半導体レーザー装置１は、受光素子５１として受光強度に対して受光電流の出力がより大きいフォトトランジスタを用いることで、受光素子５１を小さくしつつも、大きい受光電流値を確保できる。

【0049】

（６）半導体レーザー装置１は、モニター側発光端から出射される楕円錐形状のレーザー光の中心が受光素子５１の受光面５１ａの中心と一致するように位置決めされて、受光素子５１がレーザー光の光束中心付近に配置されている。これにより、半導体レーザー装置１は、レーザー光の光束中心と受光素子５１の相対位置がダイボンディングの際の位置誤差によってずれても、当該レーザー光を受光素子５１が十分受光できる。

【0050】

なお、前記の実施形態において、増幅回路６０は、例えば、増幅部を構成している。

【0051】

（変形例等）
前記の実施形態の他の例として、半導体レーザー装置１は、樹脂モールドにより形成される樹脂モールド型のパッケージの半導体レーザー装置として構成されることもできる。

【0052】

図５は、半導体レーザー装置１の他の構成例を示す図である。図５に示すように、半導体レーザー装置１は、サブマウント基板上１００に、受光素子１１１と駆動回路１１２とを一体化した集積回路１１０が配置されており、その集積回路１１上にＬＤチップ１２０が配置されている。集積回路１１０には、受光素子５１及び駆動回路６０の外周にボンディングパッド１３１，１３２，１３３，１３４，１３５が形成されている。半導体レーザー装置１は、適宜、各リード１４１，１４２，１４３等とボンディングパッド１３１，１３２，１３３，１３４，１３５等とがボンディングワイヤ１５１，１５２，１５３，１５４，１５５によって電気的に接続されている。そして、半導体レーザー装置１において、受光素子１１１は、ＬＤチップ２３のモニター側発光端から出射されるレーザー光の一部だけを積極的に受光するように小さく形成されている。また、半導体レーザー装置１は、サブマウント基板を廃して集積回路１１０のみの構成とされることもできる。

【0053】

また、前記の実施形態の他の例として、受光素子５１がフォトダイオードとされることができる。

【0054】

また、前記の実施形態の他の例として、駆動回路６０は、図６に示すように、高周波重畳を必要としない場合に、帰還回路に周波数依存性を有しない構成とされることもできる。

【0055】

また、本発明の実施形態を開示したが、当業者によっては本発明の範囲を逸脱することなく変更が加えられうることは明白である。すべてのこのような修正及び等価物が次の請求項に含まれることが意図されている。

【符号の説明】

【0056】

１ 半導体レーザー装置、１０ ステム、２０ マウント部、２３ ＬＤチップ、４１，４２，４３，４４ リード、５０ 集積回路、５１ 受光素子、５１ａ 受光面、６０ 駆動回路、６１ 基準電流源、６２ 増幅回路、６３ 帰還回路

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【手続補正書】

【提出日】2020年4月10日

【手続補正1】

【補正対象書類名】特許請求の範囲

【補正対象項目名】全文

【補正方法】変更

【補正の内容】

【特許請求の範囲】

【請求項1】

レーザーを出力する出力側発光端及び当該出力側発光端の反対側の面に当該レーザーのモニター用のレーザーを出力するモニター側発光端を有する端面発光半導体レーザー部と、
前記モニター側発光端から出射されたレーザーを受光する受光素子と、
前記受光素子が受光したレーザーの強度を基に端面発光半導体レーザー部を駆動し当該端面発光半導体レーザー部からのレーザーの出力を制御する駆動回路と、
前記受光素子及び前記駆動回路が形成される基板と、を有し、
前記受光素子は、前記モニター側発光端から出射されたレーザーが照射される前記基板上の照射領域の一部領域だけに位置された受光面にて前記モニター側発光端から出力されたレーザーの一部を受光する半導体レーザー装置。

【請求項2】

前記駆動回路は、定電流の基準電流を発生させる基準電流源と、前記基準電流源が発生した基準電流と前記受光素子が受光に応じて出力する電流との差に応じた電圧値が入力されて電圧利得を１以下とした出力をする増幅部と、を有し、
前記端面発光半導体レーザー部は、前記増幅部からの出力電圧に応じた駆動電流によって駆動される請求項１に記載の半導体レーザー装置。

【請求項3】

前記駆動回路は、前記増幅部からの出力を当該増幅部の入力に帰還する帰還部において当該増幅部を発振させる処理を行う請求項２に記載の半導体レーザー装置。

【請求項4】

前記受光素子、前記駆動回路、及び外部に接続するためのボンディングパッドが前記基板上に１つの集積回路として構成され、
前記ボンディングパッドは、当該ボンディングパッドに取り付けられるボンディングワイヤが前記モニター側発光端から前記受光素子に向けて出射されたレーザーをさえぎることなく、かつ当該ボンディングパッドにボンディングワイヤを取り付けるボンディング時にボンディング治具が前記基板の周囲の構造物に干渉しない位置に配置される請求項１乃至３の何れか１項に記載の半導体レーザー装置。

【請求項5】

前記受光素子はフォトトランジスタによって構成される請求項１乃至４の何れか１項に記載の半導体レーザー装置。

【手続補正2】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】０００５

【補正方法】変更

【補正の内容】

【0005】

前記課題を解決するために、本発明の第１の態様は、レーザーを出力する出力側発光端及び当該出力側発光端の反対側の面に当該レーザーのモニター用のレーザーを出力するモニター側発光端を有する端面発光半導体レーザー部と、前記モニター側発光端から出射されたレーザーを受光する受光素子と、前記受光素子が受光したレーザーの強度を基に端面発光半導体レーザー部を駆動し当該端面発光半導体レーザー部からのレーザーの出力を制御する駆動回路と、前記受光素子及び前記駆動回路が形成される基板と、を有し、前記受光素子は、前記モニター側発光端から出射されたレーザーが照射される前記基板上の照射領域の一部領域だけに位置された受光面にて前記モニター側発光端から出力されたレーザーの一部を受光する半導体レーザー装置である。