特許 5649277 半導体装置

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】特許公報(B2)

(11)【特許番号】5649277

(24)【登録日】2014年11月21日

(45)【発行日】2015年1月7日

(54)【発明の名称】半導体装置

(51)【国際特許分類】

   H01L 23/50 20060101AFI20141211BHJP

【ＦＩ】

   H01L23/50 H

【請求項の数】10

【全頁数】10

(21)【出願番号】特願2008-326113(P2008-326113)

(22)【出願日】2008年12月22日

(65)【公開番号】特開2010-147421(P2010-147421A)

(43)【公開日】2010年7月1日

【審査請求日】2011年12月21日

【前置審査】

(73)【特許権者】

【識別番号】000116024

【氏名又は名称】ローム株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】100087701

【弁理士】

【氏名又は名称】稲岡 耕作

(74)【代理人】

【識別番号】100101328

【弁理士】

【氏名又は名称】川崎 実夫

(74)【代理人】

【識別番号】100149766

【弁理士】

【氏名又は名称】京村 順二

(72)【発明者】

【氏名】古賀 明宏

(72)【発明者】

【氏名】西岡 太郎

【審査官】 小川 将之

(56)【参考文献】

【文献】 特開２００３−２１８２８４（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開２００５−１５０６２９（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開平６−２３６９５８（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開２００７−９５７８８（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開２００１−１５６６８（ＪＰ，Ａ）

(58)【調査した分野】（Int.Cl.，ＤＢ名）

Ｈ０１Ｌ ２３／５０

(57)【特許請求の範囲】

【請求項1】

半導体チップと、
前記半導体チップが上面に接合されるアイランドと、
前記アイランドの周囲に配置されるリードと、
前記半導体チップの表面と前記リードの上面との間に架設されるボンディングワイヤと、
前記半導体チップ、前記アイランド、前記リードおよび前記ボンディングワイヤを一括して封止する樹脂パッケージとを含み、
前記アイランドの下面および前記リードの下面が前記樹脂パッケージの裏面で露出しており、
前記アイランドは、当該アイランドの下面における各辺が、前記樹脂パッケージの各辺と平行にならないように形成され、
前記リードは、底面視において、前記アイランドの下面における一辺と平行に対向するように形成された一辺を有する対向側面と、当該リードの下面側から底面視円弧状に窪み、前記対向側面において開放されるように形成された脱落防止部とを含み、
前記樹脂パッケージの樹脂は、前記底面視円弧状の前記脱落防止部に入り込んでいる、半導体装置。

【請求項2】

前記アイランドの下面における各辺は、底面視における前記樹脂パッケージの対角線と直交するように形成されている、請求項１に記載の半導体装置。

【請求項3】

前記リードは、前記樹脂パッケージの辺と平行になるように形成された辺をさらに含む、請求項１または２に記載の半導体装置。

【請求項4】

前記リードは、前記樹脂パッケージの辺に平行になるように形成された２つの辺をさらに含む、請求項１または２に記載の半導体装置。

【請求項5】

前記リードは、前記樹脂パッケージの側面で露出する側面を含む、請求項１〜４のいずれか一項に記載の半導体装置。

【請求項6】

前記リードは、前記樹脂パッケージの角部にそれぞれ形成され、
互いに隣り合う２つの前記リードは、それぞれ互いに平行な辺を含む、請求項１〜５のいずれか一項に記載の半導体装置。

【請求項7】

前記樹脂パッケージの対角線方向で互いに対向する２つの前記リードは、当該対角線方向で対向する各前記対向側面が互いに平行になるように形成されている、請求項６に記載の半導体装置。

【請求項8】

前記樹脂パッケージは、底面視で四角形状に形成されている、請求項１〜７のいずれか一項に記載の半導体装置。

【請求項9】

前記アイランドは、底面視で四角形状に形成されている、請求項１〜８のいずれか一項に記載の半導体装置。

【請求項10】

前記アイランドは、正方形である、請求項９に記載の半導体装置。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、表面実装型の半導体装置に関する。

【背景技術】

【0002】

表面実装型パッケージとして、樹脂パッケージからのリードの延伸をなくし、樹脂パッケージの下面にリード（アウターリード）を露出させた、いわゆるノンリードパッケージが知られている。
ノンリードパッケージを採用した半導体装置は、半導体チップをリードフレームとともに樹脂パッケージで封止した構造を有している。リードフレームは、金属薄板を打ち抜くことにより形成され、アイランドと、このアイランドの周囲に配置される複数のリードとを備えている。半導体チップは、アイランドの上面にダイボンディングされており、その表面と各リードの上面との間に架設されるボンディングワイヤにより、各リードと電気的に接続されている。そして、アイランドおよび各リードの下面は、樹脂パッケージの裏面において露出している。

【特許文献1】特開２００７−９５７８８号公報

【発明の開示】

【発明が解決しようとする課題】

【0003】

このような構造では、各リードは、その上面および側面と樹脂パッケージとの接合力のみにより樹脂パッケージに保持されている。そのため、リードが樹脂パッケージから脱落するおそれがある。
そこで、本発明の目的は、リードと樹脂パッケージとの接合強度の向上を図ることができる、表面実装型の半導体装置を提供することである。

【課題を解決するための手段】

【0004】

前記の目的を達成するための請求項１記載の発明は、半導体チップと、前記半導体チップが上面に接合されるアイランドと、前記アイランドの周囲に配置されるリードと、前記半導体チップの表面と前記リードの上面との間に架設されるボンディングワイヤと、前記半導体チップ、前記アイランド、前記リードおよび前記ボンディングワイヤを一括して封止する樹脂パッケージとを含み、前記アイランドの下面および前記リードの下面が前記樹脂パッケージの裏面で露出しており、前記アイランドは、当該アイランドの下面における各辺が、前記樹脂パッケージの各辺と平行にならないように形成され、前記リードは、底面視において、前記アイランドの下面における一辺と平行に対向するように形成された一辺を有する対向側面と、当該リードの下面側から底面視円弧状に窪み、前記対向側面において開放されるように形成された脱落防止部とを含み、前記樹脂パッケージの樹脂は、前記底面視円弧状の前記脱落防止部に入り込んでいる、半導体装置である。

【0005】

この半導体装置では、半導体チップが接合（ダイボンディング）されるアイランドおよび半導体チップとボンディングワイヤにより電気的に接続されるリードの各下面が、それらを一括して封止する樹脂パッケージの裏面で露出している。そのため、前記半導体装置は、配線基板への表面実装が可能である。
また、リードは、底面視において、アイランドの下面における一辺と平行に対向するように形成された一辺を有する対向側面と、当該リードの下面側から底面視円弧状に窪み、対向側面において開放されるように形成された脱落防止部とを含む。この脱落防止部に樹脂パッケージを構成する樹脂が入り込むことにより、リードの周縁部の一部は、その上下両側から樹脂パッケージに挟持される。これにより、リードと樹脂パッケージとの接合強度の向上を図ることができる。しかも、脱落防止部は、リードの下面側から底面視円弧状に窪むように形成されているので、その円弧状のあらゆる半径方向におけるリードと樹脂パッケージとの接合強度を増すことができる。その結果、樹脂パッケージからのリードの脱落を防止することができる。
ここで、リードの側面が樹脂パッケージの側面で露出する構成の場合、脱落防止部をその露出する側面で開放するように形成することも考えられる。しかしながら、この場合、樹脂パッケージの形成のための成形金型により脱落防止部が閉塞され、樹脂パッケージの材料が脱落防止部に入り込まないおそれがある。
これに対して、この半導体装置によれば、リードにおけるアイランドと対向する対向側面において開放されるように脱落防止部が形成されているので、当該脱落防止部が成形金型により閉塞されない。これにより、樹脂パッケージの材料を脱落防止部に確実に入り込ませることができる結果、リードと樹脂パッケージとの接合強度を確実に向上させることができる。
請求項２記載の発明は、前記アイランドの下面における各辺は、底面視における前記樹脂パッケージの対角線と直交するように形成されている、請求項１に記載の半導体装置である。
請求項３記載の発明は、前記リードは、前記樹脂パッケージの辺と平行になるように形成された辺をさらに含む、請求項１または２に記載の半導体装置である。
請求項４記載の発明は、前記リードは、前記樹脂パッケージの辺に平行になるように形成された２つの辺をさらに含む、請求項１または２に記載の半導体装置である。
請求項５記載の発明は、前記リードは、前記樹脂パッケージの側面で露出する側面を含む、請求項１〜４のいずれか一項に記載の半導体装置である。
請求項６記載の発明は、前記リードは、前記樹脂パッケージの角部にそれぞれ形成され、互いに隣り合う２つの前記リードは、それぞれ互いに平行な辺を含む、請求項１〜５のいずれか一項に記載の半導体装置である。
請求項７記載の発明は、前記樹脂パッケージの対角線方向で互いに対向する２つの前記リードは、当該対角線方向で対向する各前記対向側面が互いに平行になるように形成されている、請求項６に記載の半導体装置である。
請求項８記載の発明は、前記樹脂パッケージは、底面視で四角形状に形成されている、請求項１〜７のいずれか一項に記載の半導体装置である。
請求項９記載の発明は、前記アイランドは、底面視で四角形状に形成されている、請求項１〜８のいずれか一項に記載の半導体装置である。
請求項１０記載の発明は、前記アイランドは、正方形である、請求項９に記載の半導体装置である。

【発明を実施するための最良の形態】

【0010】

以下では、本発明の実施の形態および参考例に係る形態を、添付図面を参照して詳細に説明する。
図１は、本発明の第１の実施形態に係る半導体装置の底面図である。図２は、図１に示す半導体装置を切断線II−IIで切断したときの模式的な断面図である。
半導体装置１は、半導体チップ２をリードフレーム３とともに樹脂パッケージ４で封止した構造を有している。半導体装置１の外形は、扁平な直方体形状（この実施形態では、平面視正方形状の６面体）をなしている。

【0011】

リードフレーム３は、金属薄板（たとえば、銅薄板）を打ち抜くことにより形成され、アイランド５と、アイランド５の周囲に配置される４つのリード６とを備えている。
アイランド５は、平面視四角形状（この実施形態では、平面視正方形状）をなしている。アイランド５の下面は、樹脂パッケージ４の裏面で露出している。
リード６は、底面視で、アイランド５の四辺とそれぞれ対向する部分に配置されている。各リード６は、底面視台形状に形成されている。より具体的には、各リード６は、平面視で、アイランド５の対向する辺と平行な辺７と、樹脂パッケージ４の側面上を延びる辺８と、辺８と直交し、樹脂パッケージ４の側面と平行に延びる辺９と、辺７と辺８，９とをそれぞれ接続する辺１０，１１とを有する形状に形成されている。

【0012】

各リード６には、リード６の下面（露出面）側から窪み、アイランド５と対向する側面、つまり辺７を有する側面において開放される底面視半円形状の凹部１２が形成されている。凹部１２には、樹脂パッケージ４の材料が入り込んでいる。凹部１２は、たとえば、ケミカルエッチングまたは潰し加工により形成することができる。
そして、各リード６の下面は、凹部１２を除いて、樹脂パッケージ４の裏面で露出し、配線基板（図示せず）との接続のための外部端子として機能する。また、各リード６の辺８を有する側面は、樹脂パッケージ４の側面で露出している。

【0013】

半導体チップ２は、機能素子が形成されている側の表面（デバイス形成面）を上方に向けた状態で、その裏面が導電性接合剤を介してアイランド５に接合（ダイボンディング）されている。半導体チップ２の表面には、各リード６と対応して、パッド（図示せず）が配線層の一部を表面保護膜から露出させることにより形成されている。各パッドには、ボンディングワイヤ１３の一端が接合されている。ボンディングワイヤ１３の他端は、各リード６における相対的に厚い部分（凹部１２が形成されていない部分）の上面に接合されている。これにより、半導体チップ２は、ボンディングワイヤ１３を介して、リード６と電気的に接続されている。

【0014】

以上のように、アイランド５およびリード６の各下面が、樹脂パッケージ４の裏面で露出している。そのため、半導体装置１は、配線基板への表面実装が可能である。
そして、各リード６には、その下面側から窪み、辺７を有する側面において開放される凹部１２が形成されている。この凹部１２に樹脂パッケージ４の材料が入り込んでいることにより、各リード６の凹部１２が形成されている部分は、その上下両側から樹脂パッケージ４に挟持されている。これにより、各リード６と樹脂パッケージ４との接合強度の向上を図ることができる。その結果、樹脂パッケージ４からのリード６の脱落を防止することができる。

【0015】

なお、凹部１２が辺７を有する側面において開放されているので、樹脂パッケージ４の材料を凹部１２に確実に入り込ませることができる。
また、凹部１２が底面視半円形状に形成されているので、その円弧のあらゆる半径方向におけるリード６と樹脂パッケージ４との接合強度を増すことができる。
図３は、参考例に係る半導体装置の底面図である。図３において、図１に示す各部に相当する部分には、それらの各部に付した参照符号と同一の参照符号を付している。そして、以下では、図３に示す構成について、図１に示す構成との相違点のみを説明し、同一の参照符号を付した各部の説明を省略する。

【0016】

図３に示す半導体装置３１では、各リード６に、その下面側から窪み、辺７を有する側面において開放される底面視直角三角形状の凹部３２が形成されている。凹部３２には、樹脂パッケージ４の材料が入り込んでいる。凹部３２は、たとえば、ケミカルエッチングまたは潰し加工により形成することができる。
この構成においても、各リード６と樹脂パッケージ４との接合強度の向上を図ることができる。その結果、樹脂パッケージ４からのリード６の脱落を防止することができる。

【0017】

図４は、本発明の第２の実施形態に係る半導体装置の底面図である。図４において、図１に示す各部に相当する部分には、それらの各部に付した参照符号と同一の参照符号を付している。そして、以下では、図４に示す構成について、図１に示す構成との相違点のみを説明し、同一の参照符号を付した各部の説明を省略する。
図４に示す半導体装置４１では、各リード６における辺８を有する部分に、その辺８に沿う方向の全幅にわたって、各リード６の下面側から窪む凹溝４２が形成されている。

【0018】

この構成によれば、凹部１２および凹溝４２に樹脂パッケージ４の材料が入り込むので、各リード６と樹脂パッケージ４との接合強度のさらなる向上を図ることができる。
図５は、本発明の第３の実施形態に係る半導体装置の底面図である。図５において、図１に示す各部に相当する部分には、それらの各部に付した参照符号と同一の参照符号を付している。そして、以下では、図５に示す構成について、図１に示す構成との相違点のみを説明し、同一の参照符号を付した各部の説明を省略する。

【0019】

図５に示す半導体装置５１では、各リード６に、その下面側から窪み、各辺７，８，９を有する側面において開放される底面視半円形状の凹部１２，５２，５３が形成されている。
この構成によれば、凹部１２，５２，５３に樹脂パッケージ４の材料が入り込むので、各リード６と樹脂パッケージ４との接合強度のさらなる向上を図ることができる。

【0020】

図６は、本発明の第４の実施形態に係る半導体装置の底面図である。図６において、図１に示す各部に相当する部分には、それらの各部に付した参照符号と同一の参照符号を付している。そして、以下では、図６に示す構成について、図１に示す構成との相違点のみを説明し、同一の参照符号を付した各部の説明を省略する。
図６に示す半導体装置６１では、各リード６に、図１に示す凹部１２よりも大きいサイズの底面視半円形状の凹部６２が形成されている。凹部６２は、その下面側から窪み、辺７を有する側面において開放されている。そして、凹部６２の底面視における面積は、リード６の下面の全面積の約１／２である。

【0021】

凹部６２の底面視における面積がリード６の下面の全面積の１／２以下であれば、リード６と樹脂パッケージ４との接合強度の向上を図ることができながら、リード６における相対的に厚い部分にボンディングワイヤ１３を接合させることができる。さらに、配線基板に対するリード６の接触面積を十分確保することができる。
図７は、本発明の第５の実施形態に係る半導体装置の底面図である。図７において、図１に示す各部に相当する部分には、それらの各部に付した参照符号と同一の参照符号を付している。そして、以下では、図７に示す構成について、図１に示す構成との相違点のみを説明し、同一の参照符号を付した各部の説明を省略する。

【0022】

図７に示す半導体装置７１では、アイランド５に、その下面側から窪み、底面視で、アイランド５の２本の対角線に沿って延びる溝状の凹部７２が形成されている。凹部７２には、樹脂パッケージ４の材料が入り込んでいる。凹部７２は、たとえば、ケミカルエッチングまたは潰し加工により形成することができる。
凹部７２に樹脂パッケージ４の材料が入り込んでいることにより、アイランド５の凹部７２が形成されている部分は、その上下両側から樹脂パッケージ４に挟持されている。これにより、アイランド５と樹脂パッケージ４との接合強度の向上を図ることができる。その結果、樹脂パッケージ４からのアイランド５の脱落を防止することができる。

【0023】

以上、本発明の第１〜第５の実施形態および参考例に係る形態について説明したが、第１〜第５の実施形態および参考例に係る形態が適当に組み合わされて実施されてもよい。たとえば、第１の実施形態と第３の実施形態とが組み合わされることにより、図５に示す３つの凹部１２，５２，５３のうちの１つまたは２つが底面視半円形状に形成され、残りが底面視直角三角形状に形成されていてもよい。また、参考例に係る形態と第２の実施形態とが組み合わされることにより、各リード６に、図３に示す底面視直角三角形状の凹部３２と、図４に示す凹溝４２とが形成されていてもよい。

【0024】

その他、特許請求の範囲に記載された事項の範囲で種々の設計変更を施すことが可能で
ある。
この明細書および図面の記載から、特許請求の範囲に記載した発明以外にも、以下のような特徴が抽出され得る。
項１．半導体チップと、前記半導体チップが上面に接合されるアイランドと、前記アイランドの周囲に配置されるリードと、前記半導体チップの表面と前記リードの上面との間に架設されるボンディングワイヤと、前記半導体チップ、前記アイランド、前記リードおよび前記ボンディングワイヤを一括して封止する樹脂パッケージとを含み、前記アイランドの下面および前記リードの下面が前記樹脂パッケージの裏面で露出しており、前記リードに、下面側から窪み、その側面において開放される凹部が形成されている、半導体装置。
この半導体装置では、半導体チップが接合（ダイボンディング）されるアイランドおよび半導体チップとボンディングワイヤにより電気的に接続されるリードの各下面が、それらを一括して封止する樹脂パッケージの裏面で露出している。そのため、前記半導体装置は、配線基板への表面実装が可能である。
そして、リードには、その下面側から窪み、側面において開放される凹部が形成されている。この凹部に樹脂パッケージの材料が入り込むことにより、リードの周縁部の一部は、その上下両側から樹脂パッケージに挟持される。これにより、リードと樹脂パッケージとの接合強度の向上を図ることができる。その結果、樹脂パッケージからのリードの脱落を防止することができる。
項２．前記凹部は、底面視で円弧状をなす部分を有している、項１に記載の半導体装置。
この半導体装置では、その円弧状のあらゆる半径方向におけるリードと樹脂パッケージとの接合強度を増すことができる。
たとえば、リードの側面が樹脂パッケージの側面で露出する構成の場合に、凹部がその露出する側面で開放されるように形成されると、樹脂パッケージの形成のための成形金型により凹部が閉塞され、樹脂パッケージの材料が凹部に入り込まないおそれがある。そこで、項３に記載の半導体装置が採用されることが好ましい。
項３．前記凹部は、前記リードにおける前記アイランドと対向する側面で開放されている、項１または２に記載の半導体装置。
この半導体装置では、凹部が成形金型により閉塞されないので、樹脂パッケージの材料を凹部に確実に入り込ませることができる。これにより、リードと樹脂パッケージとの接合強度を確実に向上させることができる。
項４．前記アイランドは、底面視で四角形状をなし、前記リードは、底面視で、前記アイランドの四辺とそれぞれ対向する部分に配置され、その対向する辺と平行な辺を有する形状に形成されている、項１〜３のいずれか一項に記載の半導体装置。
この場合、各リードにおけるアイランドの各辺と対向する辺を有する側面で凹部が開放されていることが好ましい。これにより、樹脂パッケージの材料を各リードの凹部に確実に入り込ませることができるので、各リードと樹脂パッケージとの接合強度を確実に向上させることができる。
項５．前記凹部の底面視における面積が前記リードの下面の全面積の１／２以下である、項１〜４のいずれか一項に記載の半導体装置。
このような凹部のサイズであれば、リードと樹脂パッケージとの接合強度の向上を図ることができながら、リードにおける相対的に厚い部分にボンディングワイヤを接合させることができる。さらに、配線基板に対するリードの接触面積を十分確保することができる。
項６．前記リードは、前記樹脂パッケージの側面で露出する側面を有し、前記リードにおけるその露出する側面に沿う部分に、当該側面に沿う方向における全幅にわたって、前記リードの下面側から窪む凹溝が形成されている、項１〜５のいずれか一項に記載の半導体装置。
この凹溝にも樹脂パッケージの材料が入り込むので、リードと樹脂パッケージとの接合強度のさらなる向上を図ることができる。

【図面の簡単な説明】

【0025】

【図1】図１は、本発明の第１の実施形態に係る半導体装置の底面図である。

【図2】図２は、図１に示す半導体装置を切断線II−IIで切断したときの模式的な断面図である。

【図3】図３は、参考例に係る半導体装置の底面図である。

【図4】図４は、本発明の第２の実施形態に係る半導体装置の底面図である。

【図5】図５は、本発明の第３の実施形態に係る半導体装置の底面図である。

【図6】図６は、本発明の第４の実施形態に係る半導体装置の底面図である。

【図7】図７は、本発明の第５の実施形態に係る半導体装置の底面図である。

【符号の説明】

【0026】

１ 半導体装置
２ 半導体チップ
４ 樹脂パッケージ
５ アイランド
６ リード
１２ 凹部
１３ ボンディングワイヤ
３１ 半導体装置
３２ 凹部
４１ 半導体装置
４２ 凹溝
５１ 半導体装置
５２ 凹部
５３ 凹部
６１ 半導体装置
６２ 凹部

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】