(58)【調査した分野】(Int.Cl.,DB名)
前記第2の電力供給モジュールは、前記第1の電力供給モジュールから前記第1の電圧が入力されるように構成され、分圧コンデンサと、前記分圧コンデンサに並列接続されたツェナーダイオードと、を有し
前記第2の電圧は、前記第1の電圧の前記分圧コンデンサと前記ツェナーダイオードによる分圧である
ことを特徴とする請求項1に記載のリレー駆動装置。
前記スイッチングトランジスタは、前記制御端子とするベースと、前記第1の端子とするエミッタと、前記第2の端子とするコレクタとを有するPNPバイポーラジャンクショントランジスタ(BJT)であり、
前記第1のトランジスタは、前記制御端子とするゲートと、前記第1の端子とするドレインと、前記第2の端子とするソースとを有するNチャンネル金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(N−MOSFET)であり、
前記第2のトランジスタは、前記制御端子とするベースと、前記第1の端子とするコレクタと、前記第2の端子とするエミッタとを有するNPN BJTである
ことを特徴とする請求項1に記載のリレー駆動装置。
前記スイッチング回路は、前記第1のスイッチングトランジスタの前記第2の端子に接続された第1の端子と、前記第1のスイッチングダイオードに接続された第2の端子と、 制御端子とを有する第2のスイッチングトランジスタを有し、
前記制御モジュールは更に、前記第2のスイッチングトランジスタの前記制御端子に接続されたツェナーダイオードと、前記第2のスイッチングトランジスタの前記第1の端子及び前記制御端子に並列接続された第4のレジスタとを有する
ことを特徴とする請求項7に記載のリレー駆動装置。
前記第1のトランジスタと前記第2のトランジスタとは、前記制御端子とするゲートと、前記第1の端子とするドレインと、前記第2の端子とするソースとを有するNチャネル金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(N−MOSFET)であり、
前記第3のトランジスタと前記第2のスイッチングトランジスタとは、前記制御端子とするベースと、前記第1の端子とするコレクタと、前記第2の端子とするエミッタとを有するNPNバイポーラジャンクショントランジスタ(BJT)であり、
前記第1のスイッチングトランジスタは、前記制御端子とするベースと、前記第1の端子とするエミッタと、前記第2の端子とするコレクタとを有するPNPバイポーラジャンクショントランジスタ(BJT)である
ことを特徴とする請求項8に記載のリレー駆動装置。
【発明を実施するための形態】
【0011】
本発明に係るリレー駆動装置100の一実施形態は、
図1に示されているように、リレー210が備えられているパワーコンバータ200に連結されて構成されている。なお、リレー駆動装置100は、他の形態としてリレーを含むパワー装置に連結されるようにしてもよい。
【0012】
リレー210は、この形態において、リレー駆動装置100に連結された一次側と、パワー変換ユニット220に連結された二次側とを有する。本発明に係るリレー駆動装置100は、電力使用量を削減するために異なる2種類の電圧を用いてリレー210を駆動するものである。
【0013】
リレー駆動装置100は、第1の電力供給モジュール10と、第2の電力供給モジュール20と、スイッチング回路30と、制御モジュール40とを備えている。
【0014】
第1の電力供給モジュール10は、リレー210を作動できるほどの第1の電圧Vo
1を出力する。第2の電力供給モジュール20は、第1の電圧Vo
1よりも低い第2の電圧Vo
2を出力する。第1の電圧Vo
1は、リレー210を起動可能な最も低い電圧よりも大きい又は等しい。第2の電圧Vo
2は、リレー210が起動された状態である起動状態を保持するのに十分な電圧であって、リレー210の最も低い励磁電圧よりも大きい又は等しい。
【0015】
スイッチング回路30は、一例として第1の電力供給モジュール10とリレー210とが電気的に接続される、或いは第2の電力供給モジュール20とリレー210とが電気的に接続されるように切替可能に、リレー210に電気的に接続されるように、第1の電力供給モジュール10と第2の電力供給モジュール20とに電気的に接続されている。
【0016】
なお、スイッチング回路30は、電圧切替用の機械的な構成要素或いは半導体素子を用いて実現されてもよく、例えば金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)、バイポーラジャンクショントランジスタ(BJT)、ダイオード、絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT)などを用いることができる。
【0017】
制御モジュール40は、スイッチング回路30に電気的に接続されており、スイッチング回路30の切替を制御するように構成されている。
【0018】
次に本発明に係るリレー駆動装置100を用いてリレー210を駆動する方法について
図2〜4を参照して説明する。
【0019】
ステップS10では、時刻t
0にて、電源を投入する(例えば電源スイッチを押す)と、リレー駆動装置100を作動させると共に、電源投入信号PS_ONを生成する。より具体的には、
図2と
図3に示されているように、時刻t
0にて制御モジュール40に電源投入信号PS_ONを供給し、制御モジュール40は電源投入信号PS_ONに基づいて時刻t
1にてハイレベルになった制御信号Vdを生成してスイッチング回路30に供給する。なお、この形態では、リレー駆動装置100は、第1の電力供給モジュール10にて第1の電圧Vo
1を、第2の電力供給モジュール20にて第2の電圧Vo
2を生成してリレー210に供給するように構成される。
【0020】
この実施形態において、制御信号Vdは、時刻t
0でローレベルになって、スイッチング回路30を介して第2の電力供給モジュール20とリレー210との間が導通しないが、第1の電力供給モジュール10とリレー210との間が電気的に接続されるように導通するものである。これによって、リレー210を起動できるのに十分である第1の電圧Vo
1がスイッチング回路30を介してリレー210に供給される。
【0021】
ステップS20では、第1の電圧Vo
1を出力し、設定時間の後、時刻t
1でリレー駆動装置100によって第1の電圧Vo
1よりも低い第2の電圧Vo
2をリレー210に供給する。このとき、時刻t
1で制御信号Vdがハイレベルになって制御モジュール40によって出力される。こうして、第1の電力供給モジュール10はリレー210から遮断され、第2の電力供給モジュール20はスイッチング回路30を介してリレー210に電気的に接続されるように導通し、リレー210に第2の電圧Vo
2が供給される。
【0022】
ここで、設定時間とは、第1の電圧Vo
1にてリレー210を確実に作動できるように保証するために設定した時間であって、リレー210の第1の電圧Vo
1にて起動するのに十分である最短な時間である固有時間よりも長いことに留意されたい。リレー駆動装置100は、第1の電圧Vo
1にてリレー210を設定時間起動した後、第1の電圧Vo
1よりも低い第2の電圧Vo
2に切り替える。
【0023】
リレー駆動装置100は、リレー210に第1の電圧Vo
1を供給し、そして、リレー210に第2の電圧Vo
2を供給するように構成されている。第2の電圧Vo
2は、第1の電圧Vo
1以下の電圧であってリレー210が起動された状態であるリレー210の起動状態を保つための電圧であるので、リレー210をより低い電力消費で作動させることになり、パワーコンバータ200の電力変換効率を高めることができる。
【0024】
表1は、パワーコンバータ200の異なる負荷(例えば、それぞれ20%、50%、100%)によるリレー210の電力消費の結果を示す。それぞれの場合においてリレー駆動装置100によってリレー装置210をそれぞれ作動させる。それぞれの場合、第1の電圧Vo
1を12ボルト、第2の電圧Vo
2を5ボルトとセットし、パワーコンバータ200は250ワットの電力を供給するように構成されたものである。
【0026】
表1を見ると、リレー駆動装置100によれば、負荷条件が異なってもリレー210の電力消費は共に0.256ワット低減することが分かる。
【0027】
(リレー駆動装置の回路構成の一例)
図4は、本発明に係るリレー駆動装置の回路構成の一例を示す図である。この例では、第1の電力供給モジュール10は、電源投入信号PS_ONに応答してハイレベル電圧からローレベル電圧に変わるように起動すべく、第1の電圧Vo
1を供給する外部電圧源である。なお、電源投入信号PS_ONは外部基準電圧Vrefによって供給される。
【0028】
第2の電力供給モジュール20は、分圧コンデンサCvと、分圧コンデンサCvに並列接続された第1のツェナーダイオードZD
1と、第1の電力供給モジュール10に電気的に接続された分圧抵抗とを備えている。この形態において、第2の電力供給モジュール20は、第1の電力供給モジュール10が出力した第1の電圧Vo
1を受けるように配置され、第2の電圧Vo
2は、第1の電圧Vo
1による分圧コンデンサCvと第1のツェナーダイオードZD
1とを跨いで得られた分圧である。
【0029】
スイッチング回路30は、第1の電力供給モジュール10がリレー210に接続されたスイッチングトランジスタQsと、第2の電力供給モジュール20がリレー210に接続されたスイッチングダイオードDsとを有する。この形態では、スイッチングトランジスタQsは、例えばPNPバイポーラジャンクショントランジスタ(BJT)であり、制御端子とするベースと、第1の端子とするエミッタと、第2の端子とするコレクタとを有するものである。スイッチングダイオードDsは、第2の電力モジュール20に電気的に接続されたアノードと、リレー210の一次側に電気的に接続されたカソードとを有する。
【0030】
制御モジュール40は、遅延回路41と、第1のトランジスタQ
1と、第1のレジスタR
1と、第2のトランジスタQ
2と、第2のレジスタR
2と、第3のレジスタR
3とを有する。
【0031】
遅延回路41は、この例では、互いに並列接続された遅延コンデンサCdと、遅延レジスタRdとを有するRC回路である。遅延回路41は、電源投入信号PS_ONを受信し、電源投入遅延信号を出力する。
【0032】
なお、第1のトランジスタQ
1は、例えばNチャネルMOSFET(N−channel metal−oxide−semiconductor field effect transistor)であり、制御端子とするゲートと、第1の端子とするドレインと、第2の端子とするソースとを有するものである。第1のトランジスタQ
1の制御端子は、電源投入遅延信号を受信するように遅延回路41に接続されている。第1のトランジスタQ
1の第2の端子は接地されている。
【0033】
第1のレジスタR
1は、第1の電力供給モジュール10と第1のトランジスタQ
1の第1の端子との間に電気的に接続されている。
【0034】
第2のトランジスタQ
2は、例えばNPN BJTであり、制御端子とするベースと、第1の端子とするコレクタと、第2の端子とするエミッタとを有するものである。第2のトランジスタQ
2の制御端子は、第1のトランジスタQ
1の第1の端子に接続されている。第2のトランジスタQ
2の第2の端子は接地されている。
【0035】
第2のレジスタR
2は、スイッチングトランジスタQsの制御端子と第2のトランジスタQ
2の第1の端子との間に電気的に接続されている。第3のレジスタR
3は、スイッチングトランジスタQsの第1の端子及び制御端子の間に並列に接続されている。
【0036】
次に、上記のように構成されたリレー駆動装置の動作及び効果について説明する。この形態では、パワーコンバータ200が起動される(例えば外部よりパワーコンバータ200の電源が押されたとき)と、電源投入信号PS_ONがハイレベル電圧からローレベル電圧へ変わるように切り替わる。
【0037】
第1の電力供給モジュール10は、レスポンスとして第1の電圧V
O1を出力し、そして第2の電力供給モジュール20は第2の電圧V
O2を出力する。スイッチングトランジスタQsと第2のトランジスタQ
2が導通し、スイッチングダイオードDsが逆方向バイアスとなる。結果として、第1の電力供給モジュール10のみから電流I
O1がスイッチングユニット30に流れるようになる。即ち、第2の電力供給モジュール20からの電流I
O2が遮断される。そして、リレー210を起動するように第1の電圧V
O1が入力される。
【0038】
次いで、電源投入信号PS_ONが制御モジュール40の遅延回路41に入力され、スイッチングトランジスタQsと第2のトランジスタQ
2との導通で、遅延回路41によって電源投入遅延信号が第1のトランジスタQ
1の制御端子に出力される。そして、スイッチングトランジスタQ
Sと第2のトランジスタQ
2は遮断され、スイッチングダイオードD
Sが順方向バイアスとなる。結果として、第2の電力供給モジュール20のみから電流I
O2がスイッチングユニット30に流れるようになる。即ち、第1の電力供給モジュール10からの電流I
O1が遮断される。そして、第2の電圧V
O2が入力されることにより、リレー210が起動された状態である起動状態を保つことができる。
【0039】
ここで、リレー210を起動するために、第1の電圧V
O1をある期間(設定時間)供給しつづける必要があることに留意されたいが、遅延回路41は、切り替わって第2の電圧V
O2をリレー210に供給する前に電源投入遅延信号を出力して、リレー210を起動するための固有時間よりも長く経過するようにしなければならない。この形態では、遅延回路41はRC回路であり、その遅延時間はリレー210が起動するのに必要である最短の時間よりも長く予め設定する必要がある。
【0040】
(リレー駆動装置の回路構成の他例)
図5は、本発明に係るリレー駆動装置の回路構成の他例を示す図である。この例では、第1の電力供給モジュール10と第2の電力供給モジュール20は外部電圧源であり、電源投入信号PS_ONに応答してローレベル電圧に切り替えるように作動される。電源投入信号PS_ON及び遅延信号PGOは2つの独立した外部電圧源を用いて生成されるものであり、
図6に示されているように、電源投入信号PS_ONが遅延時間に出力された後遅延信号PGOが出力されるように構成されている。
【0041】
スイッチング回路30は、第1のスイッチングトランジスタQ
S1と、第1のスイッチングダイオードD
1と、第2のスイッチングダイオードD
2と、第2のスイッチングトランジスタQ
S2とを有する。第1のスイッチングダイオードD
1と第2のスイッチングダイオードD
2とは、第1の電力供給モジュール10が第1のスイッチングダイオードD
1を介してリレー210に接続されると共に、第2の電力供給モジュール20が第2のスイッチングダイオードD
2を介してリレー210に接続されるように配置されている。
【0042】
この例では、第1のスイッチングトランジスタQ
S1は、例えばPNP BJTであり、制御端子とするベースと、第1の端子とするエミッタと、第2の端子とするコレクタとを有するものである。第1のスイッチングトランジスタQ
S1の第1の端子は第1の電力供給モジュール10に接続されている。
【0043】
第2のスイッチングトランジスタQ
S2は、例えばNPN BJTであり、制御端子とするベースと、第1の端子とするコレクタと、第2の端子とするエミッタとを有するものである。第2のスイッチングトランジスタQ
S2の第1の端子は、第1のスイッチングトランジスタQ
S1の第2の端子に接続されている。第2のスイッチングトランジスタQ
S2の第2の端子は、第1のスイッチングダイオードD
1に接続されている。
【0044】
制御モジュール40は、第1のトランジスタQaと、第1のレジスタRaと、第2のトランジスタQbと、第3のトランジスタQcと、第2のレジスタRbと、第3のレジスタRcと、ツェナーダイオードZDaと、第4のレジスタR
4とを有する。
【0045】
第1のトランジスタQaは、例えばN−MOSFETであり、制御端子とするゲートと、第1の端子とするドレインと、第2の端子とするソースとを有するものである。第1のトランジスタQaの制御端子は、電源投入信号PS_ONを受信するように配置されている。第1のトランジスタQaの第2の端子は接地されている。
【0046】
第1のレジスタRaは、第1の電力供給モジュール10及び第1のトランジスタQaの第1の端子の間に接続されている。
【0047】
第2のトランジスタQbは、例えばN−MOSFETであり、制御端子とするゲートと、第1の端子とするドレインと、第2の端子とするソースとを有する。第2のトランジスタQbの第1の端子は、第1のトランジスタQaの第1の端子に接続されている。第2のトランジスタQbの制御端子は、遅延信号PGOを受信するように配置されている。第2のトランジスタQbの第2の端子は接地されている。
【0048】
第3のトランジスタQcは、例えばNPN BJTであり、制御端子とするベースと、第1の端子とするコレクタと、第2の端子とするエミッタとを有するものである。第3のトランジスタQcの制御端子は、第1のトランジスタQaの第1の端子に接続されている。第3のトランジスタQcの第2の端子は接地されている。
【0049】
第2のレジスタRbは、第1のスイッチングトランジスタQ
S1の制御端子及び第3のトランジスタQcの第1の端子の間に接続されている。第3のレジスタRcは、第1のスイッチングトランジスタQ
S1の第1の端子と制御端子とに並列接続されている。第4のレジスタR
4は、第2のスイッチングトランジスタQ
S2の第1の端子と制御端子とに並列接続されている。
【0050】
次に、この例に係るリレー駆動装置100の動作及び作用について説明する。
【0051】
図6に示されているように、時刻t
0にて例えばリレー駆動装置100に入力された電源投入信号PS_ONによって、パワーコンバータ200が起動されると、第1の電力供給モジュール10と第2の電力供給モジュール20は電源投入信号PS_ONの電圧レベルの切替に応じてそれぞれが第1の電圧V
O1、第2の電圧V
O2を出力する。この際、電源投入信号PS_ONと遅延信号PGOとは共にローレベル電圧であるため、第1のトランジスタQaと第2のトランジスタQbとに電流が遮断されて流されない。第1の電圧V
O1によって第1のスイッチングトランジスタQ
S1、第2のスイッチングトランジスタQ
S2及び第1のダイオードD
1を導通状態にし、第2のダイオードD
2が逆方向バイアスとなる。そうすると、第1の電圧V
O1がリレー210に出力される。
【0052】
遅延時間(例えば100〜500msecと予め設定された時間)の経過後、遅延信号PGOが時刻t
1にてハイレベル電圧に切り替わる。次いで第2のトランジスタQbが導通状態になり、第3のトランジスタQc及び第1のスイッチングトランジスタQ
S1、第2のスイッチングトランジスタQ
S2の間は遮断状態となり、第1のダイオードD
1が逆方向バイアスとなる。その後、第2のダイオードD
2は順方向バイアスとなり、第2の電圧V
O2がリレー210に出力される。
【0053】
以上により、リレー駆動装置100は、ハイレベル電圧とローレベル電圧との切替により、リレー210の全体の電力消費を削減することができる。なお、リレー駆動装置100は、電力変換効率が高い部品に替えたり回路の配置を変更する必要もなく、周辺機器としてリレー210に接続されることができる。本発明に係るリレー駆動装置100は、高価な電気部品を使うことはないので比較的に安価に仕上げることができ、しかも良品質な装置が得られる。