特許 5669640 耐久金属インク調合用添加剤

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】特許公報(B2)

(11)【特許番号】5669640

(24)【登録日】2014年12月26日

(45)【発行日】2015年2月12日

(54)【発明の名称】耐久金属インク調合用添加剤

(51)【国際特許分類】

   C08L 33/14 20060101AFI20150122BHJP

   C08K 3/08 20060101ALI20150122BHJP

   H01B 1/22 20060101ALI20150122BHJP

   H01B 13/00 20060101ALI20150122BHJP

   C09D 5/24 20060101ALI20150122BHJP

   C09D 7/12 20060101ALI20150122BHJP

   C09D 133/14 20060101ALI20150122BHJP

【ＦＩ】

   C08L33/14

   C08K3/08

   H01B1/22 A

   H01B13/00 503D

   C09D5/24

   C09D7/12

   C09D133/14

【請求項の数】2

【全頁数】14

(21)【出願番号】特願2011-61020(P2011-61020)

(22)【出願日】2011年3月18日

(65)【公開番号】特開2011-222495(P2011-222495A)

(43)【公開日】2011年11月4日

【審査請求日】2014年3月11日

(31)【優先権主張番号】12/753,655

(32)【優先日】2010年4月2日

(33)【優先権主張国】US

【早期審査対象出願】

(73)【特許権者】

【識別番号】596170170

【氏名又は名称】ゼロックス コーポレイション

【氏名又は名称原語表記】ＸＥＲＯＸ ＣＯＲＰＯＲＡＴＩＯＮ

(74)【代理人】

【識別番号】110001210

【氏名又は名称】特許業務法人ＹＫＩ国際特許事務所

(72)【発明者】

【氏名】マルコ・ディー・サバン

(72)【発明者】

【氏名】ユーリン・ワン

(72)【発明者】

【氏名】マーヤ・モクタリ

(72)【発明者】

【氏名】ロジャー・イー・ゲイナー

(72)【発明者】

【氏名】ユィリアン・ウー

【審査官】 松元 洋

(56)【参考文献】

【文献】 特表２００７−５１２４０２（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開２００３−２９５４９０（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開２００２−０１９２６４（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開２００２−０９６５５２（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特表２０１０−５２１５６４（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開２００７−１４１５２１（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特表２００９−５００６４５（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開２００５−３１４７１２（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特表２００８−５０８３２１（ＪＰ，Ａ）

(58)【調査した分野】（Int.Cl.，ＤＢ名）

Ｃ０８Ｌ １／００ − １０１／１６

Ｃ０９Ｄ １／００ − １０／００

Ｃ０９Ｄ １０１／００ − ２０１／１０

(57)【特許請求の範囲】

【請求項1】

金属ナノ粒子と、ヒドロキシル官能基を有するシリコン変性ポリアクリレート化合物と、安定剤と、溶剤とを含み、
前記金属ナノ粒子及び前記ポリアクリレート化合物は、前記溶剤中に安定的に分散され、前記安定剤は、１−ヘキサデシルアミンであり、前記金属ナノ粒子の表面に物理的あるいは化学的に関連付けられる、組成物。

【請求項2】

基板上に導電性機能部品を形成する方法であって、
金属ナノ粒子とヒドロキシル官能基を有するシリコン変性ポリアクリレート化合物と安定剤と溶剤とを含み、前記金属ナノ粒子及び前記ポリアクリレート化合物は、前記溶剤中に安定的に分散され、前記安定剤は、１−ヘキサデシルアミンであり、前記金属ナノ粒子の表面に物理的あるいは化学的に関連付けられる液体組成物を用意する工程と、
液体組成物を基板上に析出させ、析出機能部品を形成する工程と、
基板上の析出機能部品を１００℃から２００℃の温度に加熱し、基板上に導電性機能部品を形成する工程とを含む、方法。

【発明の詳細な説明】

【背景技術】

【0001】

液体析出法（ｌｉｑｕｉｄ ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ ｔｅｃｈｎｉｑｕｅ）を用いた電子回路の製作は並々ならぬ関心事であり、何故ならこの種の技法が薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）、発光ダイオード（ＬＥＤ）、ＲＦＩＤタグ、光電装置等の電子応用向けの従来主流のアモルファスシリコン技術に対する潜在的な低コスト代替案を提供するからである。しかしながら、実用用途向けの導電率、処理、およびコスト要件を満たす、機能電極やピクセルパッド、ならびに導電性の配線、線、およびトラックの析出および／またはパターン形成は、大きな課題であった。

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0002】

さらに、現在の金属ナノ粒子組成物は、基板上に析出させた際、しばしば極度に幅広の導電性金属インク線を生じさせ、低導電性を呈するとともに「コーヒーリング効果」を有する。「コーヒーリング効果」とは、本願明細書では表面輪郭計測値に二峰性の線輪郭（２つのピーク）を表わすような析出金属インク線の拡幅を指すものである。コーヒーリング効果および／またはそれ以外の極度の幅広を呈する導電性金属インク線の析出は、幾つかの応用例においてそれらの用途を制限することがある。

【課題を解決するための手段】

【0003】

「金属ナノ粒子」に用いる用語「ナノ」は、例えば約０．５ｎｍから約１，０００ｎｍ、例えば約１ｎｍから約５００ｎｍ、約１ｎｍから約１００ｎｍ、約１ｎｍから約２５ｎｍ、あるいは約１から１０ｎｍ等の、約１，０００ｎｍ未満の粒子寸法を指す。粒子寸法は、ＴＥＭ（透過型電子顕微鏡）かあるいは他の適当な方法により特定される金属粒子の平均直径を指す。実施形態では、異なる大きさの銀含有ナノ粒子の存在が受容可能である。

【0004】

本願明細書の金属ナノ粒子溶液は、溶液中に金属ナノ粒子を含む。実施形態では、金属ナノ粒子は（ｉ）１以上の金属か、（ｉｉ）１以上の金属複合材料とで構成される。適した金属には、例えばＡｌ、Ａｇ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｃｕ、Ｃｏ、Ｃｒ、Ｉｎ、Ｎｉ、特に遷移金属、例えばＡｇ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｃｕ、Ｃｒ、Ｎｉとそれらの混合物を含めることができる。適した金属として、銀を用いることができる。適した金属複合材料には、Ａｕ−Ａｇ、Ａｇ−Ｃｕ、Ａｇ−Ｎｉ、Ａｕ−Ｃｕ、Ａｕ−Ｎｉ、Ａｕ−Ａｇ−ＣｕおよびＡｕ−Ａｇ−Ｐｄを含めることができる。金属複合材料には、例えばＳｉ、Ｃ、Ｇｅ等の非金属を含めることができる。金属複合材料の様々な成分は、例えば約０．０１重量％から約９９．９重量％、特に約１０重量％から約９０重量％の範囲の量で存在することができる。さらに、本願明細書に記載する組成物には、いかなる金属酸化物ナノ粒子も含めることができない。

【0005】

実施形態では、金属複合材料は、銀と１または２以上の他の金属とで構成される金属合金であり、銀は例えば少なくともナノ粒子の約２０重量％、特にナノ粒子の約５０重量％を上回る。

【0006】

特に断らない限り、溶液中の金属ナノ粒子の成分について本願明細書に列挙される重量百分率には、安定剤は含まれない。

【0007】

本願明細書に記載する金属ナノ粒子は、１回処理工程（１Ｘ）あるいは２回処理工程（２Ｘ）により調製することができる。２Ｘ工程と対比した１Ｘ工程にて調製される金属ナノ粒子粉末との差異の一つは、有機アミン等の有機安定剤の比率が２Ｘ工程よりも１Ｘ工程の方が大きい点にある。有機安定剤の量の減少は、１Ｘ粉末に比べ、高い純度と銀含有量とを有する、より結晶性の高い製品に帰結する。これら工程に関する追加の詳細は、２００９年２月１２日出願のＭａｈｙａ Ｍｏｋｈｔａｒｉの米国特許出願第１２／３６９，８６１号に記載されている。

【0008】

金属ナノ粒子は、本発明の譲受人に譲渡された米国特許出願公開第２００９−０２７４８３４号と米国特許出願公開第２００９−０３０１３４４号とに記載されているような２以上の二種金属からなる金属ナノ粒子種の混合物とすることができる。

【0009】

金属ナノ粒子が銀である場合、銀ナノ粒子は、例えば少なくとも約１日、あるいは約３日から約１週間、約５日から約１カ月、約１週間から約６カ月、約１週間から約１年に亙る安定性（すなわち、銀含有ナノ粒子の最小の沈殿あるいは凝集が存在する時間期間）を有する。

【0010】

組成物中の金属ナノ粒子の重量百分率は、例えば約５重量％から約８０重量％、約１０重量％から約６０重量％、あるいは約１５重量％から約５０重量％とすることができる。

【0011】

本願明細書に記載する組成物には、金属ナノ粒子の表面に結び付けられる有機安定剤を含めることができ、有機安定剤は基板上への金属機能部品の形成期間における金属ナノ粒子の焼鈍まで除去されない。

【0012】

実施形態では、安定剤は金属ナノ粒子の表面に物理的あるいは化学的に関連付けられる。こうして、ナノ粒子は溶液外部でその上に安定剤を有する。すなわち、安定剤をその上に有するナノ粒子は、ナノ粒子と安定剤の複合体の形成に使用する反応混合溶液から分離し回収することができる。安定化されたナノ粒子は、かくして続いて印刷可能な溶液用の溶剤中に即かつ均質に分散させることができる。

【0013】

本願明細書で使用する際、金属ナノ粒子と安定剤との間で「物理的あるいは化学的に関連付けられた」なる語句は、化学結合および／または他の物理的付着とすることができる。化学結合は、例えば共有結合、水素結合、配位錯体結合、もしくはイオン結合、または異なる化学結合の混合物の形をとることができる。物理的付着は、例えばファンデルワールス力もしくは双極子間相互作用、または異なる物理的付着物の混合物の形をとることができる。

【0014】

「有機安定剤」中の用語「有機」は、例えば炭素原子の存在を指すが、有機安定剤は窒素、酸素、硫黄、ケイ素、ハロゲン等の１以上の非金属ヘテロ原子を含むこともできる。有機安定剤は、米国特許第７，２７０，６９４号に記載されているような有機アミン安定剤とすることができる。有機アミンの例は、例えばブチルアミン、ペンチルアミン、ヘキシルアミン、ヘプチルアミン、オクチルアミン、ノニルアミン、デシルアミン、ヘキサデシルアミン、ウンデシルアミン、ドデシルアミン、トリデシルアミン、テトラデシルアミン、ジアミノペンタン、ジアミノヘキサン、ジアミノヘプタン、ジアミノオクタン、ジアミノノナン、ジアミノデカン、ジアミノオクタン、ジプロピルアミン、ジブチルアミン、ジペンチルアミン、ジヘキシルアミン、ジヘプチルアミン、ジオクチルアミン、ジノニルアミン、ジデシルアミン、メチルプロピルアミン、エチルプロピルアミン、プロピルブチルアミン、エチルブチルアミン、エチルペンチルアミン、プロピルペンチルアミン、ブチルペンチルアミン、トリブチルアミン、トリヘキシルアミン等、あるいはそれらの混合物といったアルキルアミンである。

【0015】

他の有機安定剤の例には、例えばチオールとその誘導体、−ＯＣ（＝Ｓ）ＳＨ（キサンチン酸）、ポリエチレングリコール、ポリビニルピリジン、ポリビニルピロリドンおよび他の有機界面活性剤が含まれる。有機安定剤は、例えばブタンチオール、ペンタンチオール、ヘキサンチオール、ヘプタンチオール、オクタンチオール、デカンチオール、およびドデカンチオール等のチオール；例えば１，２−エタンジチオール、１，３−プロパンジチオールおよび１，４−ブタンジチオール等のジチオール；あるいはチオールとジチオールの混合物からなる群から選択することができる。有機安定剤は、例えばＯ−メチルキサントゲン酸塩、Ｏ−エチルキサントゲン酸塩、Ｏ−プロピルキサントゲン酸、Ｏ−ブチルキサントゲン酸、Ｏ−ペンチルキサントゲン酸、Ｏ−ヘキシルキサントゲン酸、Ｏ−ヘプチルキサントゲン酸、Ｏ−オクチルキサントゲン酸、Ｏ−ノニルキサントゲン酸、Ｏ−デシルキサントゲン酸、Ｏ−ウンデシルキサントゲン酸、Ｏ−ドデシルキサントゲン酸等のキサントゲン酸からなる群から選択することができる。金属ナノ粒子を安定化させることのできるピリジン誘導体（例えば、ドデシルピリジン）および／または有機ホスフィンを含む有機安定剤もまた、本願明細書では安定剤として使用することができる。

【0016】

有機安定化金属ナノ粒子のさらなる例には、米国特許出願公開第２００９−０１４８６００号に記載されたカルボン酸−有機アミン錯体安定化金属ナノ粒子や、米国特許出願公開第２００７／００９９３５７号（Ａ１）に記載されたカルボン酸安定剤金属ナノ粒子や、米国特許出願公開第２００９−０１８１１８３号に記載された熱的に除去可能な安定剤および紫外線分解可能な安定剤を含めることができる。

【0017】

金属ナノ粒子の表面の安定剤の被覆範囲は、金属ナノ粒子を安定化させる安定剤の能力に応じ、例えば一部被覆から全部被覆まで変えることができる。無論、個々の金属ナノ粒子間で安定剤の被覆範囲にもばらつきが存在する。

【0018】

金属ナノ粒子溶液中の随意選択的な安定剤の重量百分率は、例えば約５重量％から約８０重量％、約１０重量％から約６０重量％、あるいは約１５重量％から約５０重量％とすることができる。

【0019】

組成物にはさらに、シリコン変性ポリアクリレート化合物を含めることができる。シリコン変性ポリアクリレート合成物は、少なくとも１つの有機官能基を有するシリコン変性ポリアクリレートとすることができる。シリコン変性ポリアクリレート化合物は、組成物の疎水性および／または疎油性を増やすことができる。シリコン変性ポリアクリレートの内包は、本願明細書において印刷金属線の幅を狭め、金属線の厚みを増すとして定義される「コーヒーリング効果」を効率的に緩和することができる。さらに、シリコン変性ポリアクリレートは、インク形成用の噴霧能と安定性とを両立させながら、基板の保湿、平滑化、表面の滑り、および粘着防止特性を改善することができる。

【0020】

実施形態では、シリコン変性ポリアクリレート化合物は、少なくとも１つの有機官能基を有するシリコン変性ポリアクリレートとすることができる。シリコン変性ポリアクリレート化合物の少なくとも１つの有機官能基は、ヒドロキシル基、エポキシ基、アミノ基、アセチル基、シアノ基、ハロゲン基、メルカプト基、スルフィド基、ビニル基、アルコキシアルキル基、カルバメート基、カルボキシル基、エステル基、芳香族基、およびアルキル基で構成される群から選択することができる。

【0021】

さらなる実施形態では、シリコン変性ポリアクリレートはヒドロキシル官能基を有するシリコン変性ポリアクリレートとする。ヒドロキシル官能基を有するシリコン変性ポリアクリレートの例は、ＳＩＬＣＬＥＡＮ ３７００（ＢＹＫ Ａｌｔａｎａ社が製造）とＮＬＣ Ａｄｄｉｔｉｖｅ ＳＳ１（Ｎｏｒｔｈａｎｔｓ Ｌｅａｔｈｅｒ Ｃｈｅｍｉｃａｌｓ社が製造）である。

【0022】

シリコン変性ポリアクリレート化合物は、例えばメトキシプロピルアセテートやメトキシプロパノール等のメトキシ基を有する溶剤中に溶解させることができる。シリコン変性ポリアクリレート化合物の溶解に用いる溶剤は、金属ナノ粒子の溶解に用いる溶剤と同一とするか、あるいは異なるものとすることができる。

【0023】

シリコン変性ポリアクリレート化合物は、例えばシリコン変性ポリアクリレート化合物／溶剤の約１０重量％から約５０重量％、約１５重量％から約５０重量％、約１５重量％から約４０重量％、約２０重量％から約３０重量％、約２５重量％から約３０重量％のように、組成物の少なくとも１０重量％の量で溶剤中に存在させることができる。

【0024】

シリコン変性ポリアクリレートは、例えば組成物の約０．１重量％から約１０重量％、約０．５重量％から約１０重量％、約１重量％から約８重量％、約２重量％から約６重量％、約３重量％から約５重量％、約０．５重量％から約２重量％のように、組成物の少なくとも０．１重量％の量で組成物中に存在させることができる。

【0025】

金属ナノ粒子とシリコン変性ポリアクリレート化合物から構成される組成物は、金属ナノ粒子とシリコン変性ポリアクリレート化合物を任意の適当な分散溶剤中に分散させ、この組成物を基板上に析出させ、導電性機能部品を形成することで生成することができる。組成物を用い、基板上に導電性機能部品を印刷し形成することができる。

【0026】

分散溶剤は、不安定化あるいは安定化ナノ粒子や低極性添加剤の分散を促進しなければならない。分散溶剤の例には、例えば約１０個から約１８個の炭素原子あるいは約１０個から約１４個の炭素原子を有するアルカンあるいはアルコールと、モノテルペンアルコールと、ＩＳＯＰＡＲ Ｅ、ＩＳＯＰＡＲ Ｇ、ＩＳＯＰＡＲ Ｈ、ＩＳＯＰＡＲ ＬおよびＩＳＯＰＡＲ Ｍ（前述ものは全てＥｘｘｏｎ Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｃｏｍｐａｎｙ社が製造）、ＳＨＥＬＬＳＯＬ（Ｓｈｅｌｌ Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｃｏｍｐａｎｙ社が製造）、ＳＯＬＴＲＯＬ（Ｐｈｉｌｉｐｓ Ｏｉｌ Ｃｏ．， Ｌｔｄ．社が製造）、ＢＥＧＡＳＯＬ（Ｍｏｂｉｌ Ｐｅｔｒｏｌｅｕｍ Ｃｏ．， Ｉｎｃ．社が製造）、およびＩＰ Ｓｏｌｖｅｎｔ ２８３５（出光石油化学株式会社が製造）等の市販のイソパラフィン混合物と、トルエン、キシレン、テトラヒドロフラン、クロロベンゼン、ジクロロベンゼン、トリクロロベンゼン、ニトロベンゼン、シアノベンゼン、アセトニトリル、ジクロロメタン、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、およびそれらの混合物とを含めることができる。

【0027】

溶剤は、例えば組成物の約１０重量％から約７０重量％のように、組成物の少なくとも１０重量％の量で組成物内に存在させることができる。

【0028】

金属ナノ粒子分散液からの導電性素子等の導電性機能部品の作製は、基板上の他の随意選択的な１つのもしくは複数の層の形成の前あるいはこれに続く任意の適当な時間に、何らかの適当な液体析出法を用いて基板上に組成物を析出させることで行なうことができる。かくして、基板上の組成物の液体析出は、基板上か、あるいは層状化材料、例えば半導体層および／または絶縁層を既に含む基板上のいずれかに対し行なうことができる。

【0029】

語句「液体析出法」は、例えば印刷あるいは液体コーティング等の液体処理を用いた組成物の析出を指し、ここでは液体は金属ナノ粒子とシリコン変性ポリアクリレート化合物の均質または不均質の分散液である。金属ナノ粒子組成物は、基板上に析出させたときにインクと呼ぶことができる。液体コーティング工程の例には、例えばスピンコーティング、ブレードコーティング、ロッドコーティング、ディップコーティング等を含めることができる。印刷技術の例には、例えば平板印刷やオフセット印刷、グラビア印刷、フレキソ印刷、スクリーン印刷、ステンシル印刷、インクジェット印刷、スタンプ印刷（マイクロコンタクト印刷）等を含めることができる。液体析出は、約５ｎｍから約５ｍｍ、好ましくは約１０ｎｍから約１０００μｍの範囲の厚みを有する組成物の層あるいは線を基板上に析出させる。この段階での析出金属ナノ粒子組成物は、認めうるほどの導電性を呈することも、あるいは呈さないこともある。

【0030】

金属ナノ粒子は、金属ナノ粒子分散液から、例えば約１０秒から約１０００秒にわたり、例えば約１００回転／分（「ｒｐｍ」）から約５０００ｒｐｍの速度で基板上にスピンコーディングすることができる。

【0031】

金属機能部品をその上に析出させる基板は、例えばシリコン、ガラス板、プラスチックフィルム、シート、織物、または紙を含む任意の適当な基板とすることができる。構造的に柔軟な装置では、ポリエステル、ポリカーボネート、ポリイミドのシート等のプラスチック基板を用いることができる。基板の厚みは、ガラスやシリコン等の硬質基板については量１０μｍから１０ｍｍ超、および約０．４から約１０ｍｍとすることができる。

【0032】

析出組成物を、例えば約１００℃から約２００℃、約１００℃から約１８０℃、約１００℃から約１６０℃のように、約２００℃以下の温度で加熱し、金属ナノ粒子を「焼鈍」するよう誘導し、かくして導電層を形成するが、これは電子装置内の導電素子として使用するのに適したものとなる。

【0033】

本願明細書で使用する際、用語「加熱」は、被加熱材料あるいは基板に対し十分なエネルギを分与し、（１）金属ナノ粒子を焼鈍し、および／または（２）随意選択的な安定剤を、金属ナノ粒子から除去することのできる全ての技法を包含するものである。加熱法の例には、熱的加熱（例えば、ホットプレート、オーブン、バーナ）、赤外（「ＩＲ」）放射、レーザ光線、マイクロ波照射もしくは紫外線照射、またはそれらの組み合わせを含めることができる。

【0034】

加熱手順は、幾つかの効果を生み出す。加熱前に、析出金属ナノ粒子の層は電気的に絶縁であるかあるいは極めて低い導電性であってもよいが、加熱によって、焼鈍金属ナノ粒子で構成される導電層が得られ、導電性を増大させる。実施形態では、焼鈍金属ナノ粒子は合体させあるいは一部合体させた金属ナノ粒子とすることができる。実施形態では、焼鈍金属ナノ粒子内では、金属ナノ粒子が十分な粒子どうしの接触を達成し、合体を伴わない導電層を形成することができる。

【0035】

実施形態では、加熱後に、シリコン変性ポリアクリレート化合物を含む生成導電線は、例えば約５ｎｍから約５μｍの範囲の厚みを有する。さらに、生成導電線を加熱した後、組成物内にシリコン変性ポリアクリレート化合物を内包することによって、例えば約１０μｍから約２００μｍ等の約２００μｍ未満の幅を有する導電線が得られる。

【0036】

析出金属ナノ粒子組成物の加熱により生成される生成金属素子の導電性は、例えば約１００ジーメンス／センチメートル（「Ｓ／ｃｍ」）超か、約１０００Ｓ／ｃｍ超か、約２，０００Ｓ／ｃｍ超か、約５，０００Ｓ／ｃｍ超か、約１０，０００Ｓ／ｃｍ超である。

【0037】

生成された素子は、薄膜トランジスタ、有機発光ダイオード、ＲＦＩＤ（無線周波識別）タグ、光電装置、印刷アンテナ、および導電素子あるいは導電構成要素を必要とする他の電子装置内の電極、導電パッド、薄膜トランジスタ、導電線、導電トラック等として使用することができる。

【0038】

さらに他の実施形態では、薄膜トランジスタが提供され、それは、
（ａ） 絶縁層と、
（ｂ） ゲート電極と、
（ｃ） 半導体層と、
（ｄ） ソース電極と、
（ｅ） ドレイン電極とを備え、
絶縁層とゲート電極と半導体層とソース電極とドレイン電極は、ゲート電極と半導体層とが共に絶縁層に接触しかつソース電極とドレイン電極とが共に半導体層に接触している限り、任意の順序であり、
ソース電極とドレイン電極とゲート電極のうちの少なくとも１つを、金属ナノ粒子とシリコン変性ポリアクリレート化合物とを含む溶液を用意する工程と、基板上に溶液を析出させる工程と、基板上の溶液を約１００℃から約２００℃の温度に加熱し、基板上に導電性機能部品を形成する工程とにより形成する。

【0039】

ゲート電極とソース電極とドレイン電極は、かくして本願明細書の実施形態により作製することができる。ゲート電極層の厚みは、例えば約１０から約２０００ｎｍの範囲にある。ソース電極とドレイン電極の通常の厚みは、例えば約４０ｎｍから約１μｍであり、より具体的な厚みは約６０ｎｍから約４００ｎｍである。

【0040】

絶縁層は通常、無機材料フィルムあるいは有機ポリマーフィルムとすることができる。絶縁層に適した無機材料の例には、例えば酸化シリコン、窒化シリコン、酸化アルミニウム、チタン酸バリウム、チタン酸バリウムジルコニウム等を含めることができる。絶縁層には、例えば約１０^−１２Ｓ／ｃｍ未満の導電率を持たせることができる。

【0041】

例えば絶縁層とソース／ドレイン電極との間にあって接触配置したのが半導体層であり、ここで半導体層の厚みは概ね例えば約１０ｎｍから約１μｍ、あるいは約４０から約１００ｎｍである。この層を形成するために、任意の半導体層を用いることができる。例示の半導体材料には、米国特許公開第２００３／０１６０２３０号（Ａ１）や米国特許公開第２００３／０１６０２３４号（Ａ１）や米国特許公開第２００３／０１３６９５８号（Ａ１）に開示されたレジオレギュラーポリチオフェン、オリゴチオフェン、ペンタセン、および半導体ポリマーが含まれる。半導体層の形成には、任意の適当な技法を用いることができる。この種の一つの方法は、約１０^−５トルから１０^−７トルの真空を、基板と、化合物を粉末形態にて保持するソース槽を収容するチャンバに作用させ、化合物が基板上に昇華するまで槽を加熱するものである。

【0042】

絶縁層とゲート電極と半導体層とソース電極とドレイン電極は、任意の順序で作成され、特に実施形態では、ゲート電極と半導体は共に絶縁層に接触し、ソース電極とドレイン電極は共に半導体層に接触する。「任意の順番で」なる語句には、順次形成と同時形成とが含まれる。例えば、ソース電極とドレイン電極は同時形成あるいは順次形成することができる。薄膜トランジスタの組成物、作製法、および動作は、米国特許第６，１０７，１１７号に開示されている。

【0043】

実施形態では、薄膜トランジスタ内のゲート電極とソース電極とドレイン電極のうちの少なくとも１つを、基板上に導電性機能部品を形成するための本願明細書に記載した方法を用いて形成し、安定化金属ナノ粒子とシリコン変性ポリアクリレート化合物とを含む溶液を用意し、基板上に溶液を析出させ、ここで、基板への溶液の析出期間中あるいは析出に続き、安定剤を約２００℃未満の温度で除去し、基板上に導電性機能部品を形成する。

【発明を実施するための形態】

【0044】

本願明細書の実施形態は、下記の例によりさらに説明する。特段断らない限り、全ての百分率と割合は重量によるものとする。室温は、例えば約２０から約２５℃の範囲の温度を指す。

【0045】

ヘキサデシルアミンを５０〜６０℃に予熱し、元の瓶内で溶解させた。１４４．６ｇの１−ヘキサデシルアミン（６００ミリモル、Ａｌｄｒｉｃｈ社製、９０％）と１６０ｍｌのトルエンを、窒素ブランケットの下で１リットルのジャケット付き反応器内で撹拌しつつ、約６５℃に加熱した。２０ｇの酢酸銀（１２０ミリモル、Ａｌｆａ Ａｅｓａｒ社製、９９％）をそこで、２分にわたり反応器に追加し、酢酸銀を急速に溶解させた。ヘキサデシルアミンの第２の部分（１４４．６ｇ）を反応器内に注ぎ込み、溶液を４５分の期間にわたり５５℃まで冷却した。１０ｍｌのトルエンに希釈した７．１３ｇのフェニルヒドラジン（６６ミリモル、Ａｌｄｒｉｃｈ社製、９７％）を、１０分にわたり反応器に追加した。溶液は黒赤色となり、銀粒子の還元と銀ナノ粒子の形成とを示した。溶液をさらに１５分混合し、還元反応の完結を確実なものとした。反応器はそこで５０℃未満に冷却し、反応器への２４０ｍｌのイソプロパノールの追加と続く５６０ｍｌのメタノールの追加により生成物を沈殿させた。溶液は、暗紫青色に転じた。溶液は５分にわたり混合し、続いて０．５μｍのＧＯＲＥ−ＴＥＸ膜のはまった３インチ直径のフィルタを用いる真空濾過装置へ放出移送した。金属青色ケーキを２００ｍｌのイソプロパノール内に分散させ、３０分にわたり洗浄し、反応器からあらゆる残留アミンと副生成物とを除去した。混合物は、同じフィルタ媒体を用いて濾過した。この後に、３回の５０ｍｌメタノールで濯ぎ、粒子の表面からイソプロパノールの除去を促した。次に、粒子を真空オーブン内で３０〜４０℃にて一晩乾燥させた。製品の最終的な収量は、１５．２１ｇであった。

【0046】

ヘキサデシルアミンを５０〜６０℃に予熱し、元の瓶内で溶解させた。１４４．６ｇの１−ヘキサデシルアミン（６００ミリモル、Ａｌｄｒｉｃｈ社製、９０％）と１６０ｍｌのトルエンを、窒素ブランケットの下で１リットルのジャケット付き反応器内で撹拌しつつ、約６５℃に加熱した。４０ｇの酢酸銀（２４０ミリモル、Ａｌｆａ Ａｅｓａｒ社製、９９％）を、続いて２分にわたり反応器に追加し、酢酸銀を急速に溶解させた。ヘキサデシルアミンの第２の部分（１４４．６ｇ）を反応器内に注ぎ込み、溶液を４５分の期間にわたり５５℃に冷却した。１２ｍｌのトルエン中に希釈した１４．３ｇのフェニルヒドラジン（１３３ミリモル、Ａｌｄｒｉｃｈ社製、９７％）を、１０分にわたり反応器に追加した。溶液は黒赤色となり、銀粒子の還元と銀ナノ粒子の形成とを示した。溶液は１５分超混合し、還元反応の完結を確実なものとした。続いて反応器を４５℃未満に冷却し、反応器への７８０ｍｌのメタノールの追加と続く３２０ｍｌのイソプロパノールの追加により生成物を沈殿させた。溶液は、暗紫青色に転じた。溶液を５分にわたり混合させ、続いて０．５μｍのＧＯＲＥ−ＴＥＸ膜のはまった３インチ直径のフィルタを用いる真空濾過装置へ放出移送した。金属青色ケーキをイソプロパノール内に２回分散（２×４８０ｍｌ）させ、３０分にわたり洗浄して全ての残留アミンと反応副生成物とを除去した。混合物は、同じフィルタ媒体を用いて濾過した。この後に、３回の５０ｍｌのメタノールで濯ぎ、粒子の表面からのイソプロパノールの除去を促した。次に、粒子を一晩３０〜４０℃で真空オーブン内で乾燥させた。最終的な製品収量は、８４％の銀（ＴＧＡ分析から推定）を含む約３０ｇ（理論的には銀の９５％）であった。

【0047】

２５ｇの銀ナノ粒子（１Ｘ粉末）をＩＳＯＰＡＲ Ｇとテルピネオールの２５ｇ混合物（ＩＳＯＰＡＲ Ｇ＝１６．６７ｇとテルピネオール＝８．３３ｇ）中に分散させ、インク組成物を形成した。インク組成物は温度３８〜４０℃で３時間にわたり混合し、続いて包装前に５μｍフィルタを介して濾過した。

【0048】

（実施例１）
２５ｇの銀ナノ粒子（２Ｘ粉末）をＩＳＯＰＡＲ Ｇとテルピネオールの２５ｇ混合物（ＩＳＯＰＡＲ Ｇ＝１６．６７ｇとテルピネオール＝８．３３ｇ）中に分散させ、インク組成物を形成した。インク組成物は温度３８〜４０℃で３時間にわたり混合し、続いて包装前に５μｍフィルタを介して濾過した。０．０２ｍｇのＳＩＬＣＬＥＡＮ ３７００を２ｇのインク組成物に添加し、生成混合物を形成した。生成混合物は、実験室加震機（ＩＫＡ ＭＳ２ Ｍｉｎｉｓｈａｋｅｒ）上に５から１０分載置した。

【0049】

インク組成物Ａは、圧電式オンデマンド滴下インクカートリッジを用いるＤＩＭＡＴＩＸ ２８００マテリアル印刷機を用いてガラス製スライド上に印刷し、銀ナノ粒子の細い茶色の線を形成した。銀ナノ粒子の細線は炉内で１４０℃で１０分にわたり加熱し、銀ナノ粒子を焼鈍し、Ｖｅｅｃｏ Ｄｅｋｔａｋ ６Ｍ Ｓｕｒｆａｃｅ Ｐｒｏｆｉｌｅｒを用いて計測される約１１１ｎｍの厚みと１０５μｍの幅を有する輝く鏡状の細線を形成した。焼鈍銀線の平均導電率は、ＫＥＩＴＨＬＥＹ ４２００−ＳＣＳ ２点プローブによる計測では２．９ｘ１０^４Ｓ／ｃｍであった。

【0050】

（実施例２）
１ｇの銀ナノ粒子（２Ｘ粉末）をＩＳＯＰＡＲ Ｇとテルピネオールの１ｇ混合物（ＩＳＯＰＡＲ Ｇ＝０．６７ｇとテルピネオール＝０．３３ｇ）中に分散させ、インク組成物を形成した。インク組成物は温度３８〜４０℃で３時間にわたり混合し、続いて包装前に１μｍフィルタを介して濾過した。６．８ｍｇのＳＩＬＣＬＥＡＮ ３７００を０．５４ｇのインク組成物に添加し、生成混合物を形成した。生成混合物は、実験室加震機（ＩＫＡ ＭＳ２ Ｍｉｎｉｓｈａｋｅｒ）上に５から１０分載置した。

【0051】

インク組成物Ｂは、圧電式オンデマンド滴下インクカートリッジを用いるＤＩＭＡＴＩＸ ２８００マテリアル印刷機を用いてガラス製スライド上に印刷し、銀ナノ粒子の細い茶色の線を形成した。銀ナノ粒子の細線は炉内で１４０℃で１０分にわたり加熱し、銀ナノ粒子を焼鈍し、Ｖｅｅｃｏ Ｄｅｋｔａｋ ６Ｍ Ｓｕｒｆａｃｅ Ｐｒｏｆｉｌｅｒを用いて計測される約９０ｎｍの厚みと１２０μｍの幅を有する輝く鏡状の細線を形成した。焼鈍銀線の平均導電率は、ＫＥＩＴＨＬＥＹ ４２００−ＳＣＳ ２点プローブによる計測では４．１ｘ１０^４Ｓ／ｃｍであった。

【0052】

（実施例３）
１ｇの銀ナノ粒子（２Ｘ粉末）をＩＳＯＰＡＲ Ｇとテルピネオールの１ｇ混合物（ＩＳＯＰＡＲ Ｇ＝０．６７ｇとテルピネオール＝０．３３ｇ）中に分散させ、インク組成物を形成した。インク組成物は温度３８〜４０℃で３時間にわたり混合し、続いて包装前に１μｍフィルタを介して濾過した。８ｍｇのＳＩＬＣＬＥＡＮ ３７００を０．５８ｇのインク組成物に添加し、生成混合物を形成した。生成混合物は、実験室加震機（ＩＫＡ ＭＳ２ Ｍｉｎｉｓｈａｋｅｒ）上に５から１０分載置した。

【0053】

インク組成物Ｃは、圧電式オンデマンド滴下インクカートリッジを用いるＤＩＭＡＴＩＸ ２８００マテリアル印刷機を用いてガラス製スライド上に印刷し、銀ナノ粒子の細い茶色の線を形成した。銀ナノ粒子の細線は炉内で１４０℃で１０分にわたり加熱し、銀ナノ粒子を焼鈍し、Ｖｅｅｃｏ Ｄｅｋｔａｋ ６Ｍ Ｓｕｒｆａｃｅ Ｐｒｏｆｉｌｅｒを用いて計測される約１４６ｎｍの厚みと７４μｍの幅を有する輝く鏡状の細線を形成した。焼鈍銀線の平均導電率は、ＫＥＩＴＨＬＥＹ ４２００−ＳＣＳ ２点プローブによる計測では２．９ｘ１０^４Ｓ／ｃｍであった。

【0054】

（実施例４）
１ｇの銀ナノ粒子（２Ｘ粉末）をＩＳＯＰＡＲ Ｇとテルピネオールの１ｇ混合物（ＩＳＯＰＡＲ Ｇ＝０．６７ｇとテルピネオール＝０．３３ｇ）中に分散させ、インク組成物を形成した。インク組成物は温度３８〜４０℃で３時間にわたり混合し、続いて包装前に１μｍフィルタを介して濾過した。８ｍｇのＳＩＬＣＬＥＡＮ ３７００を０．８ｇのインク組成物に添加し、生成混合物を形成した。生成混合物は、実験室加震機（ＩＫＡ ＭＳ２ Ｍｉｎｉｓｈａｋｅｒ）上に５から１０分載置した。

【0055】

インク組成物Ｄは、圧電式オンデマンド滴下インクカートリッジを用いるＤＩＭＡＴＩＸ ２８００マテリアル印刷機を用いてガラス製スライド上に印刷し、銀ナノ粒子の細い茶色の線を形成した。銀ナノ粒子の細線は炉内で１４０℃で１０分にわたり加熱し、銀ナノ粒子を焼鈍し、Ｖｅｅｃｏ Ｄｅｋｔａｋ ６Ｍ Ｓｕｒｆａｃｅ Ｐｒｏｆｉｌｅｒを用いて計測される約１３３ｎｍの厚みと７８μｍの幅を有する輝く鏡状の細線を形成した。焼鈍銀線の平均導電率は、ＫＥＩＴＨＬＥＹ ４２００−ＳＣＳ ２点プローブによる計測では５．９ｘ１０^４Ｓ／ｃｍであった。

【0056】

（実施例５）
１２．５ｇの銀ナノ粒子（２Ｘ粉末）をＩＳＯＰＡＲ Ｇとテルピネオールの１２．５ｇ混合物（ＩＳＯＰＡＲ Ｇ＝８．３３ｇとテルピネオール＝４．１７ｇ）中に分散させ、インク組成物を形成した。インク組成物は温度３８〜４０℃で３時間にわたり混合し、続いて包装前に５μｍフィルタを介して濾過した。９．３ｍｇのＳＩＬＣＬＥＡＮ ３７００を０．９３ｇのインク組成物に添加し、生成混合物を形成した。生成混合物は、実験室加震機（ＩＫＡ ＭＳ２ Ｍｉｎｉｓｈａｋｅｒ）上に５から１０分載置した。

【0057】

インク組成物Ｅは、圧電式オンデマンド滴下インクカートリッジを用いるＤＩＭＡＴＩＸ ２８００マテリアル印刷機を用いてガラス製スライド上に印刷し、銀ナノ粒子の細い茶色の線を形成した。銀ナノ粒子の細線は炉内で１４０℃で１０分にわたり加熱し、銀ナノ粒子を焼鈍し、Ｖｅｅｃｏ Ｄｅｋｔａｋ ６Ｍ Ｓｕｒｆａｃｅ Ｐｒｏｆｉｌｅｒを用いて計測される約５５ｎｍの厚みと１７３μｍの幅を有する輝く鏡状の細線を形成した。焼鈍銀線の平均導電率は、ＫＥＩＴＨＬＥＹ ４２００−ＳＣＳ ２点プローブによる計測では５．７×１０^３Ｓ／ｃｍであった。

【0058】

（比較例１）
０．６０ｇの銀ナノ粒子（２Ｘ粉末）をＩＳＯＰＡＲ Ｇとテルピネオールの０．６０ｇ混合物（ＩＳＯＰＡＲ Ｇ＝１６．６７ｇとテルピネオール＝８．３３ｇ）中に分散させ、インク組成物を形成した。インク組成物は温度３８〜４０℃で３時間にわたり混合し、続いて包装前に０．２２μｍフィルタを介して濾過した。

【0059】

インク組成物Ｆは、圧電式オンデマンド滴下インクカートリッジを用いるＤＩＭＡＴＩＸ ２８００マテリアル印刷機を用いてガラス製スライド上に印刷し、銀ナノ粒子の細い茶色の線を形成した。銀ナノ粒子の細線は炉内で１４０℃で１０分にわたり加熱し、銀ナノ粒子を焼鈍し、Ｖｅｅｃｏ Ｄｅｋｔａｋ ６Ｍ Ｓｕｒｆａｃｅ Ｐｒｏｆｉｌｅｒを用いて計測される約９４ｎｍの厚みと１５３μｍの幅を有する輝く鏡状の細線を形成した。焼鈍銀線の平均導電率は、ＫＥＩＴＨＬＥＹ ４２００−ＳＣＳ ２点プローブによる計測では１．０×１０^３Ｓ／ｃｍであった。

【0060】

（比較例２）
１ｇの銀ナノ粒子（２Ｘ粉末）をＩＳＯＰＡＲ Ｇとテルピネオールの１ｇ混合物（ＩＳＯＰＡＲ Ｇ＝０．６７ｇとテルピネオール＝０．３３ｇ）中に分散させ、インク組成物を形成した。インク組成物は温度３８〜４０℃で３時間にわたり混合し、続いて包装前に１μｍフィルタを介して濾過した。

【0061】

インク組成物Ｇは、圧電式オンデマンド滴下インクカートリッジを用いるＤＩＭＡＴＩＸ ２８００マテリアル印刷機を用いてガラス製スライド上に印刷し、銀ナノ粒子の細い茶色の線を形成した。銀ナノ粒子の細線は炉内で１４０℃で１０分にわたり加熱し、銀ナノ粒子を焼鈍し、Ｖｅｅｃｏ Ｄｅｋｔａｋ ６Ｍ Ｓｕｒｆａｃｅ Ｐｒｏｆｉｌｅｒを用いて計測される約８７ｎｍの厚みと１８８μｍの幅を有する輝く鏡状の細線を形成した。焼鈍銀線の平均導電率は、ＫＥＩＴＨＬＥＹ ４２００−ＳＣＳ ２点プローブによる計測では８．３×１０^３Ｓ／ｃｍであった。

【0062】

（比較例３）
１ｇの銀ナノ粒子（２Ｘ粉末）をＩＳＯＰＡＲ Ｇとテルピネオールの１ｇ混合物（ＩＳＯＰＡＲ Ｇ＝０．６７ｇとテルピネオール＝０．３３ｇ）中に分散させ、インク組成物を形成した。インク組成物は温度３８〜４０℃で３時間にわたり混合し、続いて包装前に１μｍフィルタを介して濾過した。

【0063】

インク組成物Ｈは、圧電式オンデマンド滴下インクカートリッジを用いるＤＩＭＡＴＩＸ ２８００マテリアル印刷機を用いてガラス製スライド上に印刷し、銀ナノ粒子の細い茶色の線を形成した。銀ナノ粒子の細線は炉内で１４０℃で１０分にわたり加熱し、銀ナノ粒子を焼鈍し、Ｖｅｅｃｏ Ｄｅｋｔａｋ ６Ｍ Ｓｕｒｆａｃｅ Ｐｒｏｆｉｌｅｒを用いて計測される約７１ｎｍの厚みと１６２μｍの幅を有する輝く鏡状の細線を形成した。焼鈍銀線の平均導電率は、ＫＥＩＴＨＬＥＹ ４２００−ＳＣＳ ２点プローブによる計測では３．１×１０^４Ｓ／ｃｍであった。

【0064】

（比較例４）
１ｇの銀ナノ粒子（２Ｘ粉末）をＩＳＯＰＡＲ Ｇとテルピネオールの１ｇ混合物（ＩＳＯＰＡＲ Ｇ＝０．６７ｇとテルピネオール＝０．３３ｇ）中に分散させ、インク組成物を形成した。インク組成物は温度３８〜４０℃で３時間にわたり混合し、続いて包装前に１μｍフィルタを介して濾過した。

【0065】

インク組成物Ｉは、圧電式オンデマンド滴下インクカートリッジを用いるＤＩＭＡＴＩＸ ２８００マテリアル印刷機を用いてガラス製スライド上に印刷し、銀ナノ粒子の細い茶色の線を形成した。銀ナノ粒子の細線は炉内で１４０℃で１０分にわたり加熱し、銀ナノ粒子を焼鈍し、Ｖｅｅｃｏ Ｄｅｋｔａｋ ６Ｍ Ｓｕｒｆａｃｅ Ｐｒｏｆｉｌｅｒを用いて計測される約１０７ｎｍの厚みと９１μｍの幅を有する輝く鏡状の細線を形成した。焼鈍銀線の平均導電率は、ＫＥＩＴＨＬＥＹ ４２００−ＳＣＳ ２点プローブによる計測では６．７ｘ１０^４Ｓ／ｃｍであった。

【0066】

（比較例５）
１２．５ｇの銀ナノ粒子（２Ｘ粉末）をＩＳＯＰＡＲ Ｇとテルピネオールの１２．５ｇ混合物（ＩＳＯＰＡＲ Ｇ＝８．３３ｇとテルピネオール＝４．１７ｇ）中に分散させ、インク組成物を形成した。インク組成物は温度３８〜４０℃で３時間にわたり混合し、続いて包装前に５μｍフィルタを介して濾過した。

【0067】

インク組成物Ｊは、圧電式オンデマンド滴下インクカートリッジを用いるＤＩＭＡＴＩＸ ２８００マテリアル印刷機を用いてガラス製スライド上に印刷し、銀ナノ粒子の細い茶色の線を形成した。銀ナノ粒子の細線は炉内で１４０℃で１０分にわたり加熱し、銀ナノ粒子を焼鈍し、Ｖｅｅｃｏ Ｄｅｋｔａｋ ６Ｍ Ｓｕｒｆａｃｅ Ｐｒｏｆｉｌｅｒを用いて計測される約５４ｎｍの厚みと２３２μｍの幅を有する輝く鏡状の細線を形成した。焼鈍銀線の平均導電率は、ＫＥＩＴＨＬＥＹ ４２００−ＳＣＳ ２点プローブによる計測では１．４×１０^４Ｓ／ｃｍであった。

【0068】

実施例１〜５におけるインク組成物は、比較例１〜５のインク組成物よりも幅狭の印刷線を生じさせた。添加剤（ＳＩＬＣＬＥＡＮ）を有する印刷線は、「コーヒーリング効果」を呈さず、添加剤のない印刷線よりも幅狭であり、より厚みがある。かくして、添加剤を有する印刷銀線は添加剤のない印刷線よりも導電性を有する。

【0069】

（実施例６）
インク組成物Ｋは、評価１のインク組成物Ｄと全く同一である。前記した如く、銀ナノ粒子の細線は炉内で１４０℃で１０分にわたり加熱し、銀ナノ粒子を焼鈍し、Ｖｅｅｃｏ Ｄｅｋｔａｋ ６Ｍ Ｓｕｒｆａｃｅ Ｐｒｏｆｉｌｅｒを用いて計測される約１３３ｎｍの厚みと７７μｍの幅を有する輝く鏡状の細線を形成した。焼鈍銀線の平均導電率は、ＫＥＩＴＨＬＥＹ ４２００−ＳＣＳ ２点プローブによる計測では５．９×１０^４Ｓ／ｃｍであった。

【0070】

（実施例７）
１ｇの銀ナノ粒子（２Ｘ粉末）をＩＳＯＰＡＲ Ｇとテルピネオールの１ｇ混合物（ＩＳＯＰＡＲ Ｇ＝０．６７ｇとテルピネオール＝０．３３ｇ）中に分散させ、インク組成物を形成した。インク組成物は温度３８〜４０℃で３時間にわたり混合し、続いて包装前に１μｍフィルタを介して濾過した。３０ｍｇのＳＩＬＣＬＥＡＮ ３７００を０．８ｇのインク組成物に添加し、生成混合物を形成した。生成混合物は、実験室加震機（ＩＫＡ ＭＳ２ Ｍｉｎｉｓｈａｋｅｒ）上に５から１０分載置した。

【0071】

インク組成物Ｌは、圧電式オンデマンド滴下インクカートリッジを用いるＤＩＭＡＴＩＸ ２８００マテリアル印刷機を用いてガラス製スライド上に印刷し、銀ナノ粒子の細い茶色の線を形成した。銀ナノ粒子の細線は炉内で１４０℃で１０分にわたり加熱し、銀ナノ粒子を焼鈍し、Ｖｅｅｃｏ Ｄｅｋｔａｋ ６Ｍ Ｓｕｒｆａｃｅ Ｐｒｏｆｉｌｅｒを用いて計測される約１７１ｎｍの厚みと８５μｍの幅を有する輝く鏡状の細線を形成した。焼鈍銀線の平均導電率は、ＫＥＩＴＨＬＥＹ ４２００−ＳＣＳ ２点プローブによる計測では３．３×１０^４Ｓ／ｃｍであった。

【0072】

（比較例６）
インク組成物Ｍは、評価１のインク組成物Ｉと全く同一である。前記した如く、銀ナノ粒子の細線は炉内で１４０℃で１０分にわたり加熱し、銀ナノ粒子を焼鈍し、Ｖｅｅｃｏ Ｄｅｋｔａｋ ６Ｍ Ｓｕｒｆａｃｅ Ｐｒｏｆｉｌｅｒを用いて計測される約１０７ｎｍの厚みと９１μｍの幅を有する輝く鏡状の細線を形成した。焼鈍銀線の平均導電率は、ＫＥＩＴＨＬＥＹ ４２００−ＳＣＳ ２点プローブによる計測では６．７×１０^４Ｓ／ｃｍであった。

【0073】

評価２Ｂ

【0074】

（実施例８）
インク組成物Ｎは、評価１のインク組成物Ｅと全く同一である。前記した如く、銀ナノ粒子の細線は炉内で１４０℃で１０分にわたり加熱し、銀ナノ粒子を焼鈍し、Ｖｅｅｃｏ Ｄｅｋｔａｋ ６Ｍ Ｓｕｒｆａｃｅ Ｐｒｏｆｉｌｅｒを用いて計測される約５５ｎｍの厚みと１７３μｍの幅を有する輝く鏡状の細線を形成した。焼鈍銀線の平均導電率は、ＫＥＩＴＨＬＥＹ ４２００−ＳＣＳ ２点プローブによる計測では５．７×１０^３Ｓ／ｃｍであった。

【0075】

（実施例９）
１２．５ｇの銀ナノ粒子（２Ｘ粉末）をＩＳＯＰＡＲ Ｇとテルピネオールの１２．５ｇ混合物（ＩＳＯＰＡＲ Ｇ＝８．３３ｇとテルピネオール＝４．１７ｇ）中に分散させ、インク組成物を形成した。インク組成物は温度３８〜４０℃で３時間にわたり混合し、続いて包装前に５μｍフィルタを介して濾過した。２０ｍｇのＳＩＬＣＬＥＡＮ ３７００を１ｇのインク組成物に添加し、生成混合物を形成した。生成混合物は、実験室加震機（ＩＫＡ ＭＳ２ Ｍｉｎｉｓｈａｋｅｒ）上に５から１０分載置した。

【0076】

インク組成物Ｏは、圧電式オンデマンド滴下インクカートリッジを用いるＤＩＭＡＴＩＸ ２８００マテリアル印刷機を用いてガラス製スライド上に印刷し、銀ナノ粒子の細い茶色の線を形成した。銀ナノ粒子の細線は、炉内で１４０℃で１０分にわたり加熱し、銀ナノ粒子を焼鈍し、Ｖｅｅｃｏ Ｄｅｋｔａｋ ６Ｍ Ｓｕｒｆａｃｅ Ｐｒｏｆｉｌｅｒを用いて計測される約６０ｎｍの厚みと１４０μｍの幅を有する輝く鏡状の細線を形成した。焼鈍銀線の平均導電率は、ＫＥＩＴＨＬＥＹ ４２００−ＳＣＳ ２点プローブによる計測では７．５×１０^３Ｓ／ｃｍであった。

【0077】

（実施例１０）
１２．５ｇの銀ナノ粒子（２Ｘ粉末）をＩＳＯＰＡＲ Ｇとテルピネオールの１２．５ｇ混合物（ＩＳＯＰＡＲ Ｇ＝８．３３ｇとテルピネオール＝４．１７ｇ）中に分散させ、インク組成物を形成した。インク組成物は温度３８〜４０℃で３時間にわたり混合し、続いて包装前に５μｍフィルタを介して濾過した。３４ｍｇのＳＩＬＣＬＥＡＮ ３７００を１，１ｇのインク組成物に添加し、生成混合物を形成した。生成混合物は、実験室加震機（ＩＫＡ ＭＳ２ Ｍｉｎｉｓｈａｋｅｒ）上に５から１０分載置した。

【0078】

インク組成物Ｐは、圧電式オンデマンド滴下インクカートリッジを用いるＤＩＭＡＴＩＸ ２８００マテリアル印刷機を用いてガラス製スライド上に印刷し、銀ナノ粒子の細い茶色の線を形成した。銀ナノ粒子の細線は炉内で１４０℃で１０分にわたり加熱し、銀ナノ粒子を焼鈍し、Ｖｅｅｃｏ Ｄｅｋｔａｋ ６Ｍ Ｓｕｒｆａｃｅ Ｐｒｏｆｉｌｅｒを用いて計測される約９０ｎｍの厚みと９８μｍの幅を有する輝く鏡状の細線を形成した。焼鈍銀線の平均導電率は、ＫＥＩＴＨＬＥＹ ４２００−ＳＣＳ ２点プローブによる計測では２．７×１０^４Ｓ／ｃｍであった。

【0079】

（比較例７）
インク組成物Ｑは、評価１のインク組成物Ｊと全く同一である。前記した如く、銀ナノ粒子の細線は炉内で１４０℃で１０分にわたり加熱し、銀ナノ粒子を焼鈍し、Ｖｅｅｃｏ Ｄｅｋｔａｋ ６Ｍ Ｓｕｒｆａｃｅ Ｐｒｏｆｉｌｅｒを用いて計測される約５４ｎｍの厚みと２３２μｍの幅を有する輝く鏡状の細線を形成した。平均導電率１．４×１０^４Ｓ／ｃｍは、ＫＥＩＴＨＬＥＹ ４２００−ＳＣＳ ２点プローブにより計測した。

【0080】

実施例６〜７と比較例６とに前記した如く、１００μｍ未満の線幅を有する試料では、シリコン変性ポリアクリレート化合物濃度の増大は、より幅狭の線を生じさせなかった。しかしながら、実施例８〜１０と比較例６とに前記した如く、２００μｍを上回る線幅を有する試料では、シリコン変性ポリアクリレート化合物濃度の増大がまさに、より幅狭の線を生じさせた。