特許5675855IP Force 特許公報全文掲載

技術分野

IGBTデバイスの分野、特に、IGBTデバイスの接合部温度(junction temperature)を測定又は推定する方法

発明が解決しようとする課題[発明の詳細な説明]から抜粋

課題を解決するための手段[発明の詳細な説明]から抜粋

この発明についての権利主張の範囲[特許請求の範囲]

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この特許公報に記載されている図面[図面の簡単な説明]から抜粋

【図1】制御ユニットによって制御されるIGBTドライバモジュールの模式図を示している。

【図2】スイッチオフ段階中の時間に対するIGBTデバイスのゲート−エミッタ電圧の図を示している。

【図3】IGBTデバイスの接合部温度に対するミラープラトーの時間遅延の図を示している。

【図4】ミラープラトーの時間遅延を決定する機能ブロック図を示している。

【図5】温度決定ユニットの例の模式図を示している。

【図6】比較器ユニットの出力として生成されたパルスに対する、測定されたIGBTデバイスのゲート−エミッタ電圧の特性を示している。

選択図 図1出願人が指定した本件の代表的な図

1 IGBTドライバモジュール    2 制御ユニット    11 ハーフブリッジ    12 第1のIGBTデバイス    13 第2のIGBTデバイス    14 フリーホイールダイオード   21 差動ユニット    22 比較器ユニット    23 タイマユニット    24 信号振幅検出器ユニット    25 接合部温度計算ユニット    U、V、W 出力相    C コレクタ端子    G ゲート端子    E エミッタ端子    Tj 接合部温度    VH、VL 高、低供給電位    VGE ゲート−エミッタ電圧    tdelay 時間遅延    Uref 基準スイッチ電圧

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