特許 5677435 有機ＥＬ表示パネルとその製造方法

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】特許公報(B2)

(11)【特許番号】5677435

(24)【登録日】2015年1月9日

(45)【発行日】2015年2月25日

(54)【発明の名称】有機ＥＬ表示パネルとその製造方法

(51)【国際特許分類】

   H05B 33/22 20060101AFI20150205BHJP

   H05B 33/12 20060101ALI20150205BHJP

   H01L 51/50 20060101ALI20150205BHJP

   H05B 33/10 20060101ALI20150205BHJP

   G09F 9/30 20060101ALI20150205BHJP

   H01L 27/32 20060101ALI20150205BHJP

【ＦＩ】

   H05B33/22 Z

   H05B33/12 B

   H05B33/14 A

   H05B33/10

   G09F9/30 365

【請求項の数】19

【全頁数】28

(21)【出願番号】特願2012-527475(P2012-527475)

(86)(22)【出願日】2010年8月6日

(86)【国際出願番号】JP2010004988

(87)【国際公開番号】WO2012017498

(87)【国際公開日】20120209

【審査請求日】2012年12月25日

(73)【特許権者】

【識別番号】000005821

【氏名又は名称】パナソニック株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】110001900

【氏名又は名称】特許業務法人 ナカジマ知的財産綜合事務所

(74)【代理人】

【識別番号】100090446

【弁理士】

【氏名又は名称】中島 司朗

(74)【代理人】

【識別番号】100125597

【弁理士】

【氏名又は名称】小林 国人

(74)【代理人】

【識別番号】100146798

【弁理士】

【氏名又は名称】川畑 孝二

(74)【代理人】

【識別番号】100121027

【弁理士】

【氏名又は名称】木村 公一

(74)【代理人】

【識別番号】100175411

【弁理士】

【氏名又は名称】土田 幸雄

(74)【代理人】

【識別番号】100174861

【弁理士】

【氏名又は名称】中島 安洋

(74)【代理人】

【識別番号】100148194

【弁理士】

【氏名又は名称】小林 義周

(72)【発明者】

【氏名】川村 宏

(72)【発明者】

【氏名】西山 誠司

【審査官】 川村 大輔

(56)【参考文献】

【文献】 特開２０１０−０７３７００（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開２００７−０９５５２０（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開２０１０−１６５６１２（ＪＰ，Ａ）

(58)【調査した分野】（Int.Cl.，ＤＢ名）

Ｈ０５Ｂ ３３／００−３３／２８

Ｈ０１Ｌ ５１／５０−５１／５６

(57)【特許請求の範囲】

【請求項1】

基板と、
基板に対向して配された層間絶縁層と、
層間絶縁層に対向し、行方向及び列方向に沿って並ぶ複数の素子形成領域の各々に対応して設けられた第１電極と、
行方向に沿って並ぶ各素子形成領域を区画するように、列方向に延設された隔壁と、
各第１電極に対向し、行方向で隣接する素子形成領域同士では発光色が異なる有機発光材料を含んで配された有機発光層と、
各有機発光層に対向して配設され、第１電極と極性が異なる第２電極と、を含み、
前記層間絶縁層には、行方向で隣接する第１電極間の位置に合わせて、前記第１電極の厚みよりも深い第１の開口部が設けられ、
前記列方向に延設された隔壁は、行方向で隣接する第１電極間及び前記第１電極の厚みよりも深い前記第１の開口部に充填された埋設部と、埋設部から隆起して一体的に形成された本体部を有し、
前記本体部の頂部には、前記行方向で隣接する第１電極間及び、前記第１電極の厚みよりも深い前記第１の開口部の形状に沿って窪んでなる第１の窪み部が前記埋設部に対応して存在する
ことを特徴とする、有機ＥＬ表示パネル。

【請求項2】

前記有機発光層は、素子形成領域に有機発光材料を含むインクを塗布し、これを乾燥してなる
請求項１に記載の有機ＥＬ表示パネル。

【請求項3】

列方向に延設された前記隔壁が、行方向に所定間隔毎に並設されている
請求項１に記載の有機ＥＬ表示パネル。

【請求項4】

前記第１の窪み部は、各隔壁の本体部の頂部において、列方向に沿って形成されている
請求項３に記載の有機ＥＬ表示パネル。

【請求項5】

前記隔壁は、各素子形成領域を取り囲むように、列方向及び行方向に延設されている
請求項１に記載の有機ＥＬ表示パネル。

【請求項6】

前記層間絶縁層には、列方向で隣接する第１電極間の位置に合わせて第２の開口部が設けられ、
前記行方向に延伸して設けられた隔壁は、列方向で隣接する素子形成領域間及び前記第２の開口部に充填された埋設部と、埋設部から隆起して一体的に形成された本体部を有し、
前記本体部の頂部には、列方向で隣接する素子形成領域間及び前記第２の開口部の形状に沿って窪んでなる第２の窪み部が存在する
請求項５に記載の有機ＥＬ表示パネル。

【請求項7】

前記第１の窪み部は、当該第１の窪み部を取り囲む前記本体部の表面よりも高い親液性を有する
ことを特徴とする、請求項１に記載の有機ＥＬ表示パネル。

【請求項8】

前記第２の窪み部は、当該第２の窪み部を取り囲む前記本体部の表面よりも高い親液性を有する
ことを特徴とする、請求項６に記載の有機ＥＬ表示パネル。

【請求項9】

前記第１の電極と前記有機発光層の間には、１または複数の機能層が設けられ、
前記機能層は、電荷を注入または輸送する電荷注入輸送層を有し、
前記電荷注入輸送層は、前記第１電極に直接接するように積層され、且つ、前記行方向で隣接する第１電極間及び前記第１開口部の内部周面を覆うように配設されている
請求項１に記載の有機ＥＬ表示パネル。

【請求項10】

前記第１の電極と前記有機発光層との間には、１または複数の機能層が設けられ、
前記機能層は、電荷を注入または輸送する電荷注入輸送層を有し、
前記隔壁は、行方向で隣接する第１電極間及び前記第１開口部の内部周面に接するように配されている
請求項１に記載の有機ＥＬ表示パネル。

【請求項11】

第１の窪み部は、層間絶縁層表面からの本体部の高さの１０％以上１００％以下に相当する深さを有する
請求項１に記載の有機ＥＬ表示パネル。

【請求項12】

基板上に層間絶縁層を形成する層間絶縁層形成工程と、
前記層間絶縁層に対向するように、行方向及び列方向に沿って並ぶ複数の素子形成領域の各々に対応して第１電極を設ける第１電極配設工程と、
行方向に沿って並ぶ各素子形成領域を区画するように、列方向に隔壁を延設する隔壁形成工程と、
各第１電極に対向して、有機発光材料を含んだインクを塗布し、これを乾燥させて有機発光層を形成する有機発光層形成工程と、
有機発光層に対向して、第１電極と極性が異なる第２電極を配設する第２電極形成工程とを経る有機ＥＬ表示パネルの製造方法であって、
前記層間絶縁層形成工程では、フォトレジスト法に基づき、行方向で隣接する第１電極間の位置に合わせて前記第１電極の厚みよりも深い第１の開口部を有するように層間絶縁層を形成し、
前記有機発光層形成工程では、行方向で隣接する素子形成領域に、互いに異なる発光色の有機発光層材料からなる有機発光層を配設し、
前記隔壁形成工程では、行方向で隣接する第１電極間及び前記第１電極の厚みよりも深い前記第１の開口部に埋設部を充填するとともに、埋設部と一体的に本体部を形成することで、列方向に隔壁を延設し、
前記本体部の頂部を、行方向で隣接する第１電極間及び前記第１電極の厚みよりも深い前記第１の開口部の形状に沿って窪ませることで第１の窪み部を前記埋設部に対応して形成する
有機ＥＬ表示パネルの製造方法。

【請求項13】

前記隔壁形成工程後に、第１の窪み部に対し、当該窪み部を取り囲む本体部よりも高い親液性を有するように親液性処理を実施する
請求項１２に記載の有機ＥＬ表示パネルの製造方法。

【請求項14】

前記親液性処理は、ハーフトーン露光処理もしくは紫外線照射処理である
請求項１３に記載の有機ＥＬ表示パネルの製造方法。

【請求項15】

前記第１電極配設工程と前記隔壁形成工程の間において、各々の第１電極の上面に１または複数の機能層を形成する機能層形成工程を有し、
当該機能層形成工程において、第１電極に接して積層し、且つ、行方向で隣接する第１電極間及び前記第１開口部の内部周面を覆うように、機能層である電荷注入輸送層を配設する
請求項１２に記載の有機ＥＬ表示パネルの製造方法。

【請求項16】

基板上に層間絶縁層を形成する層間絶縁層形成工程と、
前記層間絶縁層に対向して、行方向及び列方向に沿って並ぶ複数の素子形成領域の各々に対応して第１電極を設ける第１電極配設工程と、
行方向に沿って並ぶ各素子形成領域を区画するように、列方向に延伸された隔壁を設ける隔壁形成工程と、
各第１電極に対向して、有機発光材料を含んだインクを塗布し、これを乾燥させて有機発光層を形成する有機発光層形成工程と、
有機発光層に対向して、第１電極と極性が異なる第２電極を配設する第２電極形成工程とを経る有機ＥＬ表示パネルの製造方法であって、
前記第１電極配設工程では、層間絶縁層に対向して金属膜を成膜し、これをエッチング処理して第１電極をパターニングし、且つ、前記エッチング処理により、行方向で隣接する第１電極間の位置の層間絶縁層を掘削することにより前記第１電極の厚みよりも深い第１の開口部を形成し、
前記有機発光層形成工程では、行方向で隣接する素子形成領域に、互いに異なる発光色の有機発光層材料からなる有機発光層を配設し、
前記隔壁形成工程では、行方向で隣接する第１電極間及び前記第１電極の厚みよりも深い前記第１の開口部に埋設部を充填するとともに、埋設部と一体的に本体部を形成することにより、列方向に隔壁を延設し、
前記本体部の頂部を、行方向で隣接する第１電極間及び前記第１電極の厚みよりも深い前記第１の開口部の形状に沿って窪ませることにより第１の窪み部を前記埋設部に対応して形成する
有機ＥＬ表示パネルの製造方法。

【請求項17】

前記隔壁形成工程後に、第１の窪み部に対し、当該窪み部を取り囲む本体部よりも高い親液性を有するように親液性処理を実施する
請求項１６に記載の有機ＥＬ表示パネルの製造方法。

【請求項18】

前記親液性処理は、ハーフトーン露光処理もしくは紫外線照射処理である
請求項１７に記載の有機ＥＬ表示パネルの製造方法。

【請求項19】

第１電極配設工程と隔壁形成工程の間において、各々の第１電極に対向して、１または複数の機能層を形成する機能層形成工程を有し、
当該機能層形成工程において、第１電極に接して積層し、且つ、行方向で隣接する第１電極間及び前記第１開口部の内部周面を覆うように、機能層である電荷注入輸送層を配設する
請求項１６に記載の有機ＥＬ表示パネルの製造方法。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、有機電界発光素子（以下「有機ＥＬ素子」と称する）を用いた有機ＥＬ表示パネルとその製造方法に関し、特に有機発光層等を塗布工程で形成する際のインクの混色を防止する技術に関する。

【背景技術】

【0002】

有機ＥＬ素子は電流駆動型の発光素子であり、陽極と陰極の間に有機発光材料を含む有機発光層が配設された基本構造を有する。駆動時には前記電極間に電圧印加し、陽極から注入されるホールと、陰極から注入される電子を有機発光層で再結合させ、これに伴う電界発光現象を利用する。有機ＥＬ素子は自己発光型で視認性が高く、完全固体素子であるため耐衝撃性にも優れる。

【0003】

有機ＥＬ素子には、高分子材料や薄膜形成性の良い低分子を含むインクを調整し、これをインクジェット方式等で基板に塗布し、有機発光層や電荷注入層を形成してなる塗布型がある。近年、ＴＦＴ配線部を形成した基板上に、塗布型の複数の有機ＥＬ素子を行列方向に沿ってマトリクス状に配設してなる有機ＥＬ表示パネルが、各種ディスプレイや画像表示装置等として実用化されている。

【0004】

有機ＥＬ表示パネルに配された各有機ＥＬ素子は、所定形状を持つバンク（隔壁）によって、個々または同色一定数毎に区画される。代表的なラインバンク構造のパネルでは、基板上にライン状のバンクを列（垂直）方向に延伸し、行（水平）方向に複数にわたり並設する。隣接するバンク間には、同色一定数の有機ＥＬ素子が一定間隔をおいて配列され、バンクを隔てた行方向に沿って、ＲＧＢのいずれかの発光色の有機ＥＬ素子が配列される。これにより、パネル全体でカラー表示がなされる。なお、バンクとしては上記のほか、有機ＥＬ素子毎に区画・規制する形状（いわゆるピクセルバンク）がある。

【0005】

代表的なインクジェット方式による塗布工程では、ステージの上に塗布対象基板を載置し、当該基板上を行列方向のいずれかの方向に沿って走査するようにインクジェットヘッドを移動させる。基板上に配された各有機ＥＬ素子形成領域（以下、「素子形成領域」と称する。）に合わせ、有機発光層や電荷注入層の有機材料と溶媒を含む溶液（以下、「インク」と称する。）の液滴をノズルから吐出させる（特許文献１を参照）。インクジェットヘッドはピエゾ方式等の駆動方式で駆動される。

【0006】

ところで上記したインクの塗布工程では、インクを塗布した後に基板を移動または搬送する際に、基板に加速や振動等が加わることで、素子形成領域に塗布したインクがバンクを乗り越えて溢れ出すおそれがある。仮にインクが溢れ出た場合には、溢れ出たインクは、異なる発光色の素子形成領域に流れ込み、混色を生じてしまい、正しく素子を形成することが困難となる。

【0007】

上記したインク塗布方工程を用いる方式は、量産化・大画面化の点において、蒸着工程などを用いる他の方式に較べても有利であるとされているが、上記のような特有の課題も内在しており、このような課題を解決することが有機ＥＬ表示パネルの事業化に向けて求められる。

【0008】

この課題に対して、たとえば特許文献１に示すように、塗布したバンク材料の焼成工程において、バンク材料が熱収縮する現象を利用してバンクの頂部に窪み部を設け、素子形成領域から溢れ出たインクを窪み部内に保持することで、インクの混色発生を防止する対応策が考えられる。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0009】

【特許文献1】特開２００６−３２１９８号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0010】

しかしながら実際には、上記従来技術によってもインクの混色の問題を十分に防止できるとは言い難い状況にある。この問題を図示して説明する。

【0011】

図２３は従来技術における、塗布工程直後のラインバンク構造の有機ＥＬ表示パネルの模式的な断面図である。当図に示すように、バンク１３Ｌの頂部には熱収縮によって自然形成される窪み部１３１が予め設けられている。しかし、窪み部１３Ｌの内容積と比較して、通常、素子形成領域に塗布されるインク８Ｘの量は図のように格段に多い。このため、インク塗布後の基板をインクジェット装置から搬送する際に、基板に振動や加速が加わると、窪み部１３１に保持されたインク溜まり１０Ｘは比較的容易にバンク１３Ｌの窪み部１３１を乗り越える。そして当図のように、隣接するインク８Ｘと混色を生じることがある。

【0012】

なお、このように溢れ出たインクがバンクを乗り越え、他の素子形成領域に流れ込む問題は、ラインバンク構造の有機ＥＬ表示パネルだけでなく、ピクセルバンク構造の有機ＥＬ表示パネルにおいても同様に発生しうる。さらに有機発光層材料のインク、その他のホール輸送層材料等のインクを素子形成領域に塗布する場合にも、同様に起こりうる。このため、解決が早急に望まれている。

【0013】

本発明は以上の課題に鑑みてなされたものであって、有機発光材料等のインクがバンクを超えて異なる素子形成領域に流れ込み、混色を発生する問題を適切に防止することにより、優れた画像表示性能を期待できる塗布型の有機ＥＬ表示パネルとその製造方法を提供する。

【課題を解決するための手段】

【0014】

上記課題を解決するために、本発明の一態様である有機ＥＬ表示パネルは、基板と、基板に対向して配された層間絶縁層と、層間絶縁層に対向し、行方向及び列方向に沿って並ぶ複数の素子形成領域の各々に対応して設けられた第１電極と、行方向に沿って並ぶ各素子形成領域を区画するように、列方向に延設された隔壁と、各第１電極に対向し、行方向で隣接する素子形成領域同士では発光色が異なる有機発光材料を含んで配された有機発光層と、各有機発光層に対向して配設され、第１電極と極性が異なる第２電極と、を含み、前記層間絶縁層には、行方向で隣接する第１電極間の位置に合わせて第１の開口部が設けられ、前記列方向に延設された隔壁は、行方向で隣接する第１電極間及び前記第１の開口部に充填された埋設部と、埋設部から隆起して一体的に形成された本体部を有し、前記本体部の頂部には、前記行方向で隣接する第１電極間及び前記第１の開口部の形状に沿って窪んでなる第１の窪み部が存在する構成とした。

【発明の効果】

【0015】

以上の構成を持つ有機ＥＬ表示パネルでは、行方向で隣接する第１電極間、及び、層間絶縁層（平坦化膜）に形成された第１の開口部に隔壁の埋設部が埋設され、且つ、行方向で隣接する第１電極間と第１の開口部の形状に沿って、本体部の頂部に第１の窪み部が形成される。これにより第１の窪み部は第１の開口部の深さに応じた深さで形成されるので、たとえば第１の開口部の深さを予め深く調節すれば、十分な深さの第１の窪み部を適切に形成することができる。従って、従来のように平坦な層間絶縁層の表面にバンクのレジスト材料を塗布し、ベーク時の自然収縮を利用してわずかな深さの窪み部を形成する方法に比べ、第１の窪み部の深さを格段に深く、且つ、正確に調整できる。このような工夫により、塗布工程において有機発光層材料を含むインクを基板に塗布した後、搬送等に伴う振動や加速が基板に加わっても、素子形成領域から溢れ出たインクを十分な深さを持つ第１の窪み部で良好に保持できる。このため、インク同士の混色の発生を防いで良好に有機ＥＬ表示パネルを製造することが可能である。

【0016】

また、隣接する第１電極間の層間絶縁層に形成された十分な深さを持つ第一の開口部に埋設部を配設すれば、隔壁はいわゆるスパイク効果によって、基板側に強固に配設される。このため、埋設部と一体的に形成されている、本体部の基板に沿った面部によって、第１電極の端部が基板側に押圧される。これにより隔壁の本体部の前記面部と、これに近接位置する第１電極と層間絶縁層の密着性が向上し、層間絶縁層の表面に対する第１電極の浮きや剥離の発生が抑制されるので、第１電極を確実に固定できる。また、埋設部が隣接する第１電極間に介在するので、埋設部によって第１電極同士の確実な絶縁を図り、有機ＥＬ表示パネルの作動信頼性の向上を期待することもできる。

【図面の簡単な説明】

【0017】

【図1】実施の形態１に係る有機ＥＬ表示パネル（ラインバンク構造）の構成を示す上面図である。

【図2】実施の形態１に係る有機ＥＬ表示パネルの構成を示す部分拡大図である。

【図3】実施の形態１に係る有機ＥＬ表示パネルの構成を示す部分断面図である。

【図4】実施の形態１に係る有機ＥＬ表示パネルのコンタクトホール周辺の構成を示す拡大断面図である。

【図5】実施の形態２に係る有機ＥＬ表示パネル（塗布型ＨＩＬ層）の構成を示す部分断面図である。

【図6】実施の形態３に係る、有機ＥＬ表示パネル（ラインバンク構造）の構成を示す模式的な上面図と、バンク周辺の構成を示す部分断面図である。

【図7】実施の形態４に係る、有機ＥＬ表示パネル（ラインバンク構造）の構成を示す部分拡大図である。

【図8】実施の形態５に係る、有機ＥＬ表示パネル（ピクセルバンク構造）の構成を示す部分拡大図である。

【図9】実施の形態６に係る、有機ＥＬ表示パネル（ピクセルバンク構造）の構成を示す部分拡大図である。

【図10】実施の形態７に係る、有機ＥＬ表示パネル（ピクセルバンク構造）のコンタクトホール周辺の構成を示す部分断面図である。

【図11】有機ＥＬ表示パネルの製造過程（第一の方法）を示す図である。

【図12】有機ＥＬ表示パネルの製造過程（第二の方法）を示す図である。

【図13】有機ＥＬ表示パネルの製造過程（バンク形成工程）を示す図である。

【図14】有機ＥＬ表示パネルの製造過程（窪み部の親液性処理）を示す図である。

【図15】有機ＥＬ表示パネルの製造過程（塗布工程）を示す模式的な図である。

【図16】バンクの窪み量と平坦化膜の窪み量との関係を示すグラフである。

【図17】バンクの断面形状（平坦化膜の窪み０ｎｍ）についての測定結果を示す図である。

【図18】バンクの断面形状（平坦化膜の窪み２４０ｎｍ）についての測定結果を示す図である。

【図19】バンクの断面形状（平坦化膜の窪み４０００ｎｍ）についての測定結果を示す図である。

【図20】表示装置の配線を示す図である。

【図21】表示装置の構成例を示す図である。

【図22】実施の形態１の効果（インクの混色防止）を説明するための断面図である。

【図23】従来の課題（インクの混色発生）を説明するための断面図である。

【発明を実施するための形態】

【0018】

＜発明の態様＞
本発明の一態様における有機ＥＬ表示パネルは、基板と、基板に対向して配された層間絶縁層と、層間絶縁層に対向し、行方向及び列方向に沿って並ぶ複数の素子形成領域の各々に対応して設けられた第１電極と、
行方向に沿って並ぶ各素子形成領域を区画するように、列方向に延設された隔壁と、各第１電極に対向し、行方向で隣接する素子形成領域同士では発光色が異なる有機発光材料を含んで配された有機発光層と、各有機発光層に対向して配設され、第１電極と極性が異なる第２電極と、を含み、
前記層間絶縁層には、行方向で隣接する第１電極間の位置に合わせて第１の開口部が設けられ、前記列方向に延設された隔壁は、行方向で隣接する第１電極間及び前記第１の開口部に充填された埋設部と、埋設部から隆起して一体的に形成された本体部を有し、前記本体部の頂部には、前記行方向で隣接する第１電極間及び前記第１の開口部の形状に沿って窪んでなる第１の窪み部が存在する構成とする。

【0019】

このような構成を持つ有機ＥＬ表示パネルでは、行方向で隣接する第１電極間、及び、層間絶縁層（平坦化膜）に形成された第１の開口部に隔壁の埋設部が埋設され、且つ、行方向で隣接する第１電極間と第１の開口部の形状に沿って、本体部の頂部に第１の窪み部が形成される。このため第１の窪み部の深さは、層間絶縁層の深さに応じて調節されるので、予め第１の開口部の深さを調節すれば、十分な深さの第１の窪み部を形成できる。これにより、従来に比べて窪み部の深さを格段に深く、且つ、正確に設定できるので、基板に搬送等にともなう振動や加速が加わり、素子形成領域に塗布されたインクが溢れ出ても、十分な深さを持つ第１の窪み部で溢れ出たインクを良好に保持することができる。従って、インク同士の混色の発生を防いで良好に有機ＥＬ表示パネルを製造することが可能である。

【0020】

さらに上記効果に加え、隣接する第１電極間の層間絶縁層に形成された十分な深さを持つ開口部の内部に埋設部を配設すれば、隔壁はスパイク効果によって、基板側に強固に配設されるため、埋設部と一体的に形成された本体部の下面部の押圧力を受けて、第１電極の端部が基板側に押圧される。これにより第１電極と層間絶縁層の密着性が向上し、層間絶縁層の表面に対する第１電極の浮きや剥離の発生が抑制されるので、第１電極を確実に配設できる。さらに、埋設部が隣接する第１電極間に介在するため、第１電極同士の確実な絶縁を図ることができ、作動信頼性の向上が期待できる。

【0021】

また本発明の別態様として、前記有機発光層は、素子形成領域に有機発光材料を含むインクを塗布し、これを乾燥してなる構成とすることもできる。

【0022】

このようにインクを塗布して有機発光層を形成する場合には、本体部に形成した第１の窪み部が素子形成領域から溢れ出たインクを適切に保持でき、インクの混色の発生を適切に防止できる。

【0023】

また本発明の別態様として、列方向に延伸して設けられた前記隔壁が、行方向に所定間隔毎に並設されている構成とすることもできる。

【0024】

このように、同方向に延伸された隔壁が並設されてなる、いわゆるラインバンク構造の有機ＥＬ表示パネルの構成において、本体部の頂部に第１の窪み部を設けることで、各バンクを挟んで隣接する素子形成領域間におけるインクの混色の発生を適切に防止することができる。

【0025】

また本発明の別態様として、前記第１の窪み部は、各隔壁の本体部の頂部において、列方向に沿って形成されている構成とすることもできる。

【0026】

このように第１の窪み部を形成すれば、十分な容積の第１の窪み部を形成できるので、素子形成領域から溢れ出たインクを豊富に保持でき、インクの混色の発生を一層、効果的に防止することが可能となる。

【0027】

また、本発明の別態様として、前記隔壁は、各素子形成領域を取り囲むように、列方向及び行方向に延伸されている構成とすることもできる。

【0028】

このように、隔壁が行列方向に井桁状に形成された、いわゆるピクセルバンク構造の有機ＥＬ表示パネルの構成において、本体部に第１の窪み部を形成することで、異なる発光色の素子形成領域に塗布されたインクの混色を防止できる。

【0029】

また、この場合の本発明の別態様として、前記層間絶縁層には、列方向で隣接する第１電極間の位置に合わせて第２の開口部が設けられ、前記行方向に延伸して設けられた隔壁は、列方向で隣接する素子形成領域間及び前記第２の開口部に充填された埋設部と、埋設部から隆起して一体的に形成された本体部を有し、前記本体部の頂部には、列方向で隣接する素子形成領域間及び前記第２の開口部の形状に沿って窪んでなる第２の窪み部が存在する構成とすることもできる。

【0030】

この構成によれば、ピクセルバンク構造の有機ＥＬ表示パネルにおいて、行列方向のいずれの隔壁の本体部に対しても窪み部（第１の窪み部と第２の窪み部）を形成することで、異なる発光色のインクの混色を防止できるほか、各素子形成領域において、行列いずれの方向に対してもインクの流れ込みを防止できるため、各素子形成領域におけるインクの量が均一化される効果も期待できる。

【0031】

さらに、本発明の別態様として、前記第１の窪み部は、当該第１の窪み部を取り囲む前記本体部の表面よりも高い親液性を有する構成とすることもできる。

【0032】

或いは本発明の別の態様として、前記第２の窪み部は、当該第２の窪み部を取り囲む前記本体部の表面よりも高い親液性を有する構成とすることもできる。

【0033】

このように、第１の窪み部または第２の窪み部の少なくともいずれかが親液性を有することで、有機発光材料を含むインクが窪み部内に溢れ込んだ場合にはインクが親液性の第１の窪み部または第２の窪み部の表面によく馴染み、適切にインク溜まりが形成される。その結果、親液性の第１の窪み部または第２の窪み部内に豊富なインクが保持され、インクの混色の発生を一層効果的に防止することができる。

【0034】

なお、ここで言う「親液性」とは、有機発光層材料を含むインクに対する親液性を指す。具体的にいえば、当該インクが水系の場合、「親液性」とは「親水性」を指す。

【0035】

なお、前記第１の窪み部または前記第２の窪み部の少なくともいずれかが親液性を有し、これ以外の本体部の表面が相対的に撥液性を有することで、本体部表面にインクが広く付着するのを防止できる。このため、隣接する隔壁に囲まれた領域にインクを良好に保持でき、インクが素子形成領域から溢れ出すのを未然に防止できる効果も期待できる。

【0036】

また、本発明の別の態様として、前記第１の電極と前記有機発光層の間には、１または複数の機能層が設けられ、前記機能層は、電荷を注入または輸送する電荷注入輸送層を有し、前記電荷注入輸送層は、前記第１電極に直接接するように積層され、且つ、前記行方向で隣接する第１電極間及び前記第１開口部の内部周面を覆うように配設されている構成とすることもできる。

【0037】

このように電荷注入輸送層を設ければ、隔壁の埋設部が第１開口部の内部に設けられることにより、第１の電極及び電荷注入輸送層の双方が、埋設部と一体的に形成された本体部の下面によって、基板側に押圧され、浮き上がりや剥離を発生するのが防止される。

【0038】

また、本発明の別態様として、前記第１の電極と前記有機発光層との間には、１または複数の機能層が設けられ、前記機能層は、電荷を注入または輸送する電荷注入輸送層を有し、前記隔壁は、行方向で隣接する第１電極間及び前記第１開口部の内部周面に接するように配されている構成とすることもできる。

【0039】

このように、第１開口部の内部に接しない電荷注入輸送層は、有機発光層と同様に、材料のインクを塗布して形成することができる。

【0040】

また、本発明の別態様として、前記第１の窪み部は、層間絶縁層表面からの本体部の高さの１０％以上１００％以下に相当する深さを有する構成とすることもできる。

【0041】

このように第１の窪み部の深さを調節することで、素子形成領域から溢れ出たインクを適切に保持することが可能である。なお、これと同様に、第２の窪み部についても、層間絶縁層表面からの本体部の高さの１０％以上１００％以下に相当する深さを有する構成とすることもできる。

【0042】

また、本発明の別態様として、基板上に層間絶縁層を形成する層間絶縁層形成工程と、層間絶縁層に対向するように、行方向及び列方向に沿って配される複数の素子形成領域の各々に対応して第１電極を設ける第１電極配設工程と、行方向に沿って配される各素子形成領域を区画するように、列方向に延伸された隔壁を設ける隔壁形成工程と、各第１電極に対向して、有機発光材料を含んだインクを塗布し、これを乾燥させて有機発光層を形成する有機発光層形成工程と、有機発光層に対向して、第１電極と極性が異なる第２電極を配設する第２電極形成工程とを経る有機ＥＬ表示パネルの製造方法であって、前記層間絶縁層形成工程では、フォトレジスト法に基づき、行方向で隣接する第１電極間の位置に合わせて第１の開口部を有するように層間絶縁層を形成し、前記有機発光層形成工程では、行方向で隣接する素子形成領域に、互いに異なる発光色の有機発光層材料からなる有機発光層を配設し、前記隔壁形成工程では、行方向で隣接する第１電極間及び前記第１の開口部に埋設部を充填するとともに、埋設部と一体的に本体部を形成することで、列方向に延伸された隔壁を形成し、前記本体部の頂部を、行方向で隣接する第１電極間及び前記第１の開口部の形状に沿って窪ませることで第１の窪み部を形成するものとする。

【0043】

この製造方法によれば、有機発光材料を含んだインクを各第１電極の上方に塗布した後、基板に搬送などによる振動や加速が加わり、インクが溢れ出しても、本体部の頂部に設けられた第１の窪み部において、溢れ出たインクが効果的に保持されるので、異なる発光色の素子形成領域に塗布されたインクの混色の発生を防止することができる。

【0044】

ここで、本発明の別態様として、前記隔壁形成工程後に、第１の窪み部に対し、当該窪み部を取り囲む本体部よりも高い親液性を有するように親液性処理を実施することもできる。

【0045】

また、本発明の別態様として、前記親液性処理を、ハーフトーン露光処理もしくは紫外線照射処理で実施することもできる。

【0046】

また、本発明の別態様として、前記第１電極配設工程と前記隔壁形成工程の間において、各々の第１電極の上面に１または複数の機能層を形成する機能層形成工程を有し、当該機能層形成工程において、第１電極に接して積層し、且つ、行方向で隣接する第１電極間及び前記第１開口部の内部周面を覆うように、機能層である電荷注入輸送層を配設することもできる。

【0047】

また、本発明の別態様として、基板上に層間絶縁層を形成する層間絶縁層形成工程と、前記層間絶縁層に対向して、行方向及び列方向に沿って配される複数の素子形成領域の各々に対応して第１電極を設ける第１電極配設工程と、行方向に沿って配される各素子形成領域を区画するように、列方向に延伸された隔壁を設ける隔壁形成工程と、各第１電極に対向して、有機発光材料を含んだインクを塗布し、これを乾燥させて有機発光層を形成する有機発光層形成工程と、有機発光層に対向して、第１電極と極性が異なる第２電極を配設する第２電極形成工程とを経る有機ＥＬ表示パネルの製造方法であって、前記第１電極配設工程では、層間絶縁層に対向して金属膜を成膜し、これをエッチング処理により第１電極をパターニングし、且つ、前記エッチング処理で、行方向で隣接する第１電極間の位置の層間絶縁層を掘削することにより第１の開口部を形成し、前記有機発光層形成工程では、行方向で隣接する素子形成領域に、互いに異なる発光色の有機発光層材料からなる有機発光層を配設し、前記隔壁形成工程では、行方向で隣接する第１電極間及び前記第１の開口部に埋設部を充填するとともに、埋設部と一体的に本体部を形成することにより、列方向に延伸された隔壁を形成し、前記本体部の頂部を、行方向で隣接する第１電極間及び前記第１の開口部の形状に沿って窪ませることにより第１の窪み部を形成することもできる。

【0048】

ここで本発明の別態様として、前記隔壁形成工程後に、第１の窪み部に対し、当該窪み部を取り囲む本体部よりも高い親液性を有するように親液性処理を実施することもできる。

【0049】

また本発明の別態様として、前記親液性処理を、ハーフトーン露光処理もしくは紫外線照射処理で実施することもできる。

【0050】

また、本発明の別態様として、第１電極配設工程と隔壁形成工程の間において、各々の第１電極に対向して１または複数の機能層を形成する機能層形成工程を有し、
当該機能層形成工程において、第１電極に接して積層し、且つ、行方向に沿って隣接する第１電極間及び前記第１開口部の内部周面を覆うように、機能層である電荷注入輸送層を配設することもできる。

【0051】

＜実施の形態１＞
（有機ＥＬ表示パネル１００の構成）
図１は、本発明の実施の形態１に係るトップエミッション型の有機ＥＬ表示パネル１００（以下、単に「パネル１００」と称する。）の構成を示す上面図である。図２はパネル１００上に配された一の有機ＥＬ素子周辺の部分拡大図である。なお図１、２では説明のため、有機発光層８より上方に配置される第２電極、封止層等の構成を省略している。図２では、第１電極６の輪郭を点線で示し、コンタクトホール５の輪郭を二点鎖線で示している。

【0052】

パネル１００では、図１に示すように、列（Ｘ）方向及び行（Ｙ）方向にわたり配された各素子形成領域に対応して、各有機ＥＬ素子１５Ｒ、１５Ｇ、１５Ｂがマトリクス状に配列されている。この配列のうち行（Ｙ）方向には、ＲＧＢのいずれかの発光色に対応する有機発光層８を有する有機ＥＬ素子１５（１５Ｒ、１５Ｂ、１５Ｇ）が、それぞれサブピクセルとして繰り返し配設されている。パネル１００では行（Ｙ）方向に沿って隣接する３色のサブピクセルの組み合わせが１画素（ピクセル）として機能する。なお図１に示す２０はパネル１００の周囲に配されたシール材である。パネル１００の上方には、図示しないフロントパネルが重ね合わされ、シール材２０を用いて貼着される。

【0053】

パネル１００はいわゆるラインバンク構造を採用しており、列（Ｘ）方向にライン状に延伸されたバンク１０Ｌが、行（Ｙ）方向にストライプ状に並設されている。隣接する各一組のバンク１０Ｌの各間に、同色の発光色の有機ＥＬ素子１５Ｒ、１５Ｂ、１５Ｇが複数にわたり配列される。隣接する一対のバンク１０Ｌの間において、隣接する同色の各有機ＥＬ素子１５の間は、図２のように、非発光領域を形成する画素規制層１１により区画されている。

【0054】

図３は、一の有機ＥＬ素子周辺の積層構造を示す、パネル１００の部分断面図（図２のＡ−Ａ‘線断面図）である。図４は、パネル１００の部分断面図（図２のＢ−Ｂ‘線断面図）である。

【0055】

図３に示すように、パネル１００は、ＴＦＴ基板１（以下、単に「基板１」と称する。）の片側主面に対し、ＴＦＴ配線部（ＴＦＴ層）２、平坦化膜（層間絶縁層）４、第１電極（陽極）６、電荷注入輸送層７が順次積層されてなる。バンク１０Ｌは、パネル１００では電荷注入輸送層７の表面に形成されているが、バンク１０Ｌを積層した後に電荷注入輸送層７を設ける場合、または、電荷注入輸送層７を設けない場合は、平坦化膜４の上にバンク１０Ｌを直接設けることもできる。

【0056】

隣接する一対のバンク１０Ｌ間における素子形成領域には、電荷注入輸送層７の表面に、さらに有機発光層８と、図示しない第２電極（陰極）、封止樹脂が順次積層形成される。

【0057】

基板１はパネル１００におけるベース部分であり、無アルカリガラス、ソーダガラス、無蛍光ガラス、燐酸系ガラス、硼酸系ガラス、石英、アクリル系樹脂、スチレン系樹脂、ポリカーボネート系樹脂、エポキシ系樹脂、ポリエチレン、ポリエステル、シリコーン系樹脂、又はアルミナ等の絶縁性材料のいずれかの公知材料を用いて形成することができる。

【0058】

ＴＦＴ配線部２は、当該基板１の表面において、パネル１００に配された全ての有機ＥＬ素子１５Ｒ、１５Ｇ、１５Ｂをアクティブマトリクス方式で駆動するために形成されている。

【0059】

平坦化膜（層間絶縁層）４は、耐熱性及び絶縁性に優れるポリイミド等の有機材料で構成され、ＴＦＴ配線部２における給電電極（透明電極部）３を除く部分を被覆して、基板表面を平坦化するために配設される。なお、図４に示すように、平坦化膜４には、給電電極３を露出させて下部電極６と電気接続させるため、対応部分を厚み（Ｚ）方向に沿って掘り下げてなる円形の底面を持つ孔（コンタクトホール５）が形成されている。

【0060】

なお、コンタクトホール５は、一の素子形成領域において２個以上設けることもできる。また、形状としては図２のように、円形底面を有する形状に限定されず、多角状の底面を有する形状であってもよい。

【0061】

さらに、平坦化膜４には図３に示すように、バンク１０Ｌの配設位置である、行（Ｙ）方向で隣接する第１電極６、６間に対応する位置において、一定の深さに掘り下げられた開口部４１が形成されている。開口部４１は、パネル１００では列（Ｘ）方向に沿った溝として形成される。

【0062】

第１電極６は、一定の長さを持つ短冊状の電極（陽極）であり、図１、２に示すように、列（Ｘ）方向を長手として、素子形成領域毎にマトリクス状に配置される。各第１電極６は、反射金属膜の表面に透明導電膜を積層して構成される。第１電極６の下面の大部分は平坦化膜４の表面と接しているが、コンタクトホール５の内部に第１電極６の一部が入り込み、給電電極３と電気接続されている。

【0063】

反射金属膜（反射陽極）は有機発光層側に給電を行うとともに、有機発光層８で発生した光を効率よく上方から取り出せるように、良好な可視光反射率を有する金属材料（アルミニウムまたはアルミニウム合金）を用いて構成される。ここで言う「アルミ合金」とは、アルミニウムに対し、鉄、銅、マンガン、亜鉛、ニッケル、マグネシウム、パラジウム、コバルト、ネオジムの少なくともいずれかを加えてなる合金を指す。

【0064】

透明導電膜は、ＩＴＯ、ＩＺＯ等の公知の透明導電材料で構成され、反射金属膜を被覆して、反射金属膜を大気中の酸素等から遮断し、不要な被膜形成により反射金属膜の反射率や導電性が低下するのを防止する。

【0065】

画素規制層（ＰＣＬ）１１は、ＳｉＯＮ等の絶縁性材料から構成された層であり、図１、２に示すように列（Ｘ）方向に沿って隣接する素子形成領域の間における電荷注入輸送層７の表面において、バンク１０Ｌの長手（Ｘ）方向と直交するように形成される。画素規制層１１を設けた領域は、駆動時に第１電極６、や図示しない第２電極から発光層８への通電が遮断されることで非発光領域（いわゆる画素規制領域）となる。

【0066】

電荷注入輸送層７は、第１電極６と有機発光層８の間に設けられる機能層の一つであって、駆動時に陽極側から供給される電荷（ホール）を効率よく輸送し、有機発光層８側に注入するために設けられる。材料例としては公知材料、たとえば（モリブデンやタングステンの酸化物）が挙げられる。電荷注入輸送層７は、ここでは蒸着法により配設される。この場合は図３のように、各第１電極６の上面を直接接するように積層され、行方向で隣接する第１電極間及び平坦化膜４の第１開口部４１の内周面を覆うように設けられる。

【0067】

なお、機能層は第１電極と有機発光層８の間において、１または複数の層の積層体として設けられる。このため、電荷注入輸送層７の他に別の機能層を積層してもよい。また、電荷注入輸送層７の代わりに、第１電極６の表面側から、電荷注入層、電荷輸送層の２層の機能層を同順に積層してもよい。

【0068】

有機発光層８は、電荷注入輸送層７の表面に対し、ＲＧＢのいずれかの発光色に対応する所定の有機発光材料を含むインクを塗布し、これを乾燥させて構成されている。この有機発光材料としては、公知材料が利用できる。たとえば特開平５−１６３４８８号公報に記載のオキシノイド化合物、ペリレン化合物、クマリン化合物、アザクマリン化合物、オキサゾール化合物、オキサジアゾール化合物、ペリノン化合物、ピロロピロール化合物、ナフタレン化合物、アントラセン化合物、フルオレン化合物、フルオランテン化合物、テトラセン化合物、ピレン化合物、コロネン化合物、キノロン化合物及びアザキノロン化合物、ピラゾリン誘導体及びピラゾロン誘導体、ローダミン化合物、クリセン化合物、フェナントレン化合物、シクロペンタジエン化合物、スチルベン化合物、ジフェニルキノン化合物、スチリル化合物、ブタジエン化合物、ジシアノメチレンピラン化合物、ジシアノメチレンチオピラン化合物、フルオレセイン化合物、ピリリウム化合物、チアピリリウム化合物、セレナピリリウム化合物、テルロピリリウム化合物、芳香族アルダジエン化合物、オリゴフェニレン化合物、チオキサンテン化合物、アンスラセン化合物、シアニン化合物、アクリジン化合物、８−ヒドロキシキノリン化合物の金属錯体、２−ビピリジン化合物の金属錯体、シッフ塩とＩＩＩ族金属との錯体、オキシン金属錯体、希土類錯体等の蛍光物質等を挙げることができる。

【0069】

バンク（隔壁）１０Ｌは、絶縁性の有機材料（例えばアクリル系樹脂、ポリイミド系樹脂、ノボラック型フェノール樹脂等）からなり、行（Ｙ）方向で隣接する素子形成領域間を区画するように列（Ｘ）方向に沿ってライン状に延伸され、行（Ｙ）方向に一定間隔をおいてストライプ状に並設される。ここでパネル１００の特徴として、バンク１０Ｌは、行（Ｙ）方向で隣接する第１電極６間と平坦化膜４に形成された第１開口部４１に対してバンク材料を埋設してなる埋設部１０２と、当該埋設部１０２の上方に隆起して設けられた本体部１０３とで構成されている。そして、本体部１０３の頂部には、行（Ｙ）方向で隣接する第１電極６間と平坦化膜４の第１開口部４１の内部に沿って、埋設部１０２をなすバンク材料を落ち込ませて窪ませることで、窪み部１０１が形成されている。

【0070】

窪み部１０１は、全体的にはバンク１０Ｌの長手方向（列（Ｘ）方向）に沿って、ライン状に形成された溝である。この窪み部１０１は、パネル１００の製造工程において、各素子形成領域に有機発光層８の材料として、有機発光層材料を含むインクを塗布した際において、素子形成領域よりインクが溢れ出た場合に当該インクを適切に保持し、バンク１０Ｌを隔てた異なる発光色の素子形成領域間で、インク同士が混色を生じるのを防止する目的で配されたものである。窪み部１０１の内面には、素子形成領域から溢れ出たインクをインク溜まり９Ｘ（図２２参照）として良好に保持できるように、親液性処理が施される。一方、窪み部１０１を除く本体部１０３の表面は撥水性とされ、インクが素子形成領域において均一な塗膜で乾燥できるようになされている。

【0071】

なお窪み部１０１の形状は、第１電極間の形状と開口部４１の形状に沿って決定されるため、窪み部１０１の深さ（窪み量）は、開口部４１の深さと比例関係にある。窪み部１０１の深さとしては、上記溢れ出たインクを適切に保持できる程度の十分な深さが望ましい。例えば、平坦化膜４の表面からの本体部の高さの１０％以上１００％以下の値に相当する深さに設定することが適切である。

【0072】

次に、有機発光層８に積層される第２電極（陰極）は、例えばＩＴＯ（酸化インジウムスズ）、ＩＺＯ（酸化インジウム亜鉛）等で構成される。パネル１００ではトップエミッション型構造を採るため、第２電極の材料に光透過性材料を用いる必要がある。

【0073】

なお、第２電極の上には公知の封止層が設けられる。封止層は、例えばＳｉＮ（窒化シリコン）、ＳｉＯＮ（酸窒化シリコン）等の材料で形成され、有機発光層８が水分や空気等に触れて劣化するのを抑制する。この封止層も光透過性材料で構成する。
（表示装置の構成例）
図２１は、パネル１００を利用してなる表示装置２００の構成を示す図である。

【0074】

表示装置２００は、パネル１００と、これに接続された駆動制御部１２０とから構成されている。駆動制御部１２０は、４つの駆動回路１２１〜１２４と制御回路１２５で構成されている。

【0075】

図２２は、表示装置２００を用いたテレビシステムの一例を示す外観形状である。
（パネル１００が有する諸効果について）
以上の構成を有するパネル１００は、各有機ＥＬ素子１５Ｒ〜１５Ｂに配される、互いに異なる発光色の有機発光層８が、製造工程においてバンク１０Ｌの窪み部１０１を利用することで、有機発光材料を含むインクを塗布する際に混色発生を防止して良好に形成されており、優れた画像表示性能を有している。

【0076】

具体的に有機発光層８は、通常はインクジェット方式による塗布工程において、有機材料及び溶媒を含むインクを塗布し、溶媒成分を蒸発・乾燥させて形成される。ここで窪み部１０１は、単にバンク１０Ｌのベーク形成時における体積収縮を利用して形成するのではなく、平坦化膜４の開口部４１及び行（Ｙ）方向で隣接する第１電極６間の形状に合わせて十分な深さ（容積）を持つように形成されている。このため図２２に示すように、各素子形成領域に塗布された豊富な量のインクが、基板の搬送に伴う加速や振動により外部に溢れ出したとしても、十分な深さ（容積）を持つ窪み部１０１に流れ込み、その内部で適切に液溜まり９Ｘとなって保持される。これによりインクは、それ以上にバンク１０Ｌを乗り越えて他の素子形成領域に流れ込むことが抑制されるので、バンク１０Ｌを隔てて塗布された、互いに発光色が異なるインク同士の混色が防止され、各有機発光層８が良好に形成されて、優れた画像表示性能を有するパネル１００が実現される。

【0077】

さらにパネル１００では、行（Ｙ）方向で隣接する第１電極６、６間の平坦化膜４に形成された、十分な深さを持つ開口部４１に対して埋設部１０２を配設している。これによりバンク１０Ｌは、いわゆるスパイク効果によって基板側に強固に配設されるので、埋設部１０２と一体的に形成された本体部１０３の下面部（基板１に沿った面部）からの押圧力を受けて、第１電極６及び電荷注入輸送層７の各端部は基板側に押圧される。従って、平坦化膜４（第１電極６）の表面に対して第１電極６（電荷注入輸送層７）が浮きや剥離を発生するのが抑制され、第１電極６と平坦化膜４、第１電極６及び電荷注入輸送層７の各密着性を向上させて、これらを良好に配設することができる。

【0078】

なお、パネル１００では、開口部４１の内部周面に電荷注入輸送層７が被覆されており、その分、埋設部１０２は電荷注入輸送層７に対する接触面積を広く確保することができる。このため電荷注入輸送層７は、埋設部１０２と第１電極６の双方に対して良好に密着した状態を安定して保つことができる。

【0079】

さらにパネル１００は、埋設部１０２が行（Ｙ）方向で隣接する第１電極６、６間に介在する構成となるため、第１電極６、６同士の確実な絶縁が図れ、作動信頼性の向上を期待することもできる。

【0080】

なお、このような窪み部１０１は、平坦化膜４に形成した開口部４１の深さを調節することで、十分な深さと形状を持つように形成できる。窪み部１０１の深さの調整については、後に詳細を検討する。

【0081】

（有機ＥＬ表示パネル１００の製造方法）
ここでは、先に有機ＥＬ表示パネル１００の全体的な製造方法を図１１〜１４を用いて例示する。これらの図では説明簡単化のため、基板１、ＴＦＴ層２、給電電極３の図示を省略している。図１１〜１３では、図中左側にバンク１０Ｌ（窪み部）１０１の周辺領域のＹＺ断面図を示す。また、図中右側には、コンタクトホール５の周辺領域のＸＺ断面図を示す。

【0082】

なお、当然ながら以下の製造方法は例示にすぎず、これ以外の製造方法も勿論適用可能である。また、ここではパネル１００の製造方法を主に説明するが、パネル１００Ａ〜１００Ｅについても基本的に同様に製造できる。
（基板準備工程）
まず、基板１を準備し、スパッタ成膜装置のチャンバー内に載置する。そしてチャンバー内に所定のスパッタガスを導入し、反応性スパッタ法に基づき、図３に示すように、ＴＦＴ層２及び給電電極３を形成する。
（平坦化膜形成工程；第１の方法）
次にフォトレジスト法に基づき、ＴＦＴ層２及び給電電極３の上に対向して、絶縁性に優れる公知の光硬化型樹脂を含む有機材料（平坦化膜材料４Ｘ）を、最終厚みが約４μｍになるように一様に塗布する（図１１（ａ））。

【0083】

次に、塗布した平坦化膜材料４Ｘの表面にに対向して所定のフォトマスクＰＭ１を配置する。開口部４１を形成する部分にはハーフトーン窓を配置させ、コンタクトホール５を形成する部分には開口窓を配置させる。この状態で、外部から露光処理を行う（図１１（ｂ））。その後、現像処理を行うと、開口部４１を形成する部分には一定の深さの窪みが形成され、コンタクトホール５を形成する部分には開口部が形成される（図１１（ｃ））。なお、ハーフトーン窓は、開口部の深さを調節するための一手段であり、ハーフトーン窓の露光量を増大させると開口部の深さを深く調節できる。開口部を形成した後、ベーク処理を経ると、開口部４１及びコンタクトホール５が形成され、平坦化膜４が完成する（図１１（ｄ））。

【0084】

なお後述するように、ラインバンク構造を有するパネル１００Ａ、１００Ｂ、１００Ｃ、及びピクセルバンク構造を有するパネル１００Ｄ、１００Ｅ、１００Ｆの各々については、フォトマスクＰＭ１のハーフトーン窓の位置（パターン）、透過率それぞれ調節し、形成すべき開口部４１の深さ、形状を予め調節しておくことで、上記と同様に平坦化膜４を形成することができる。
（第１電極形成工程；第１の方法）
続いて、平坦化膜４の上に対向して、真空蒸着法またはスパッタ法に基づき、厚み５０ｎｍ程度の金属膜６Ｘを一様に成膜する（図１１（ｅ））。次に、この上に対向して光分解性樹脂を含むレジストＰＲ１を一様に塗布し（図１１（ｆ））、開口部４１に対応する位置に開口窓を持つフォトマスクＰＭ２を介して露光処理する（図１１（ｇ））。その後、現像処理を行うと（図１１（ｈ））、開口部４１に対応する位置のレジストＰＲ１が剥離される。この状態でエッチング処理を実施し（図１１（ｉ））、残存するレジストＰＲ１を剥離すれば、開口部４１に臨む金属膜６１Ｘの端部が切除され、コンタクトホール５の内部を覆うように配設された、第１電極６が完成する（図１１（ｊ））。

【0085】

なお、平坦化膜形成工程と第１電極形成工程としては、次の第２の方法を採ることもできる。この方法の特徴として、一旦平坦に形成した平坦化膜４の表面を、第１電極６のパターニング時に合わせてエッチングし、開口部４１を設ける。
（平坦化膜形成工程；第２の方法）
（図１１（ａ））と同様に、フォトレジスト法に基づき、ＴＦＴ層２及び給電電極３の上に対向して、平坦化膜材料４Ｘを最終厚みが約４μｍになるように一様に塗布する（図１２（ａ））。

【0086】

次に、塗布した平坦化膜材料４Ｘの表面に、コンタクトホール５を形成する位置に開口窓を配置し、開口部４１を形成する位置を完全に遮光するようにフォトマスクＰＭ１を配設し、外部から露光処理を行う（図１２（ｂ））。その後、現像処理を行うと、開口部４１を形成する部分には未だ平坦性が維持され、コンタクトホール５を形成する部分に開口部が形成される（図１２（ｃ））。ベーク処理を経ると、コンタクトホール５が形成され、平坦化膜４が完成する（図１２（ｄ））。
（第１電極形成工程；第２の方法）
続いて、図１１（ｅ）〜（ｇ）と同様の手順で、金属膜６Ｘの成膜を行い、その上にレジストＰＲ１を一様に形成し、フォトマスクＰＭ２を介して露光処理を行う（図１２（ｅ）〜（ｇ））。現像処理を経ると、開口部４１の形成位置における金属膜６Ｘが露出する（図１２（ｈ））。次に、第１のエッチング処理（ウェットエッチング）を行い、金属膜６Ｘをパターニングして、第１電極６を形成する（図１２（ｉ））。このとき、Ｙ方向で隣接する第１電極６間の平坦化膜４が露出する。続いて、第２のエッチング処理（ウェットエッチングまたはドライエッチング）を行い、前記露出した平坦化膜４を厚み方向に掘削する（図１２（ｊ））。ここで、第２のエッチング処理の強度や処理時間に比例して、開口部の深さを深くすることができる。その後、レジストＰＲ１を剥離すると、図１１（ｊ）と同様に、開口部４１が形成され、且つ第１電極６が形成された基板が得られる（図１２（ｋ））。

【0087】

上記した第１の方法または第２の方法のいずれかを経た後、機能層形成工程に移る。
（画素規制層形成工程）
次に、ＳｉＯＮ等の無機酸化物（絶縁物）を真空蒸着等の方法により基板表面に対向して一様に形成する。そして前記無機酸化物の表面にフォトレジスト法を用い、列（Ｘ）方向で隣接する素子形成領域間に画素規制層１１を形成する。具体的には、前記機能層を形成した基板表面に対向して一様に光分解性樹脂を含むレジスト材料を塗布する。そして、前記素子形成領域間に相当する位置以外に開口窓を配置させるように、フォトマスクを配設し、露光処理を実施する。その後、現像処理を経ると、行（Ｙ）方向に沿って、帯状に各素子形成領域間以外が露出したレジスト膜が形成される。

【0088】

次にエッチング処理を行い、前記各素子形成領域以外の前記無機酸化物を除去した後、レジスト膜を剥離することで、図２に示すパターンを持つ画素規制層１１が形成される。
（機能層形成工程）
次に、第１電極６の上面に対向して、機能層として、電荷注入輸送層７を成膜する。ここでは反応性スパッタ法に基づいた成膜を行う。モリブデンやタングステン等の金属材料をスパッタ源（ターゲット）として用い、スパッタガスとしてアルゴンガス、反応性ガスとして酸素ガスをそれぞれチャンバー内に導入し、成膜を行う（図１３（ａ））。その後、アニール処理を経ると、モリブデンやタングステンの酸化物からなる電荷注入輸送層７が形成される（図１３（ｂ））。いわゆる薄膜形成法の一種である反応性スパッタ法を用いることで、電荷注入輸送層７は開口部４１の内周面、及びコンタクトホール５内の第１電極６の表面にも一様に形成される。
（バンク形成工程）
次に、バンク材料として、例えば光硬化性樹脂を含む、フッ素系もしくはアクリル系のレジスト材料を用意する。これを電荷注入輸送層７の表面に対向して一様に塗布する（図１３（ｃ））。このとき、開口部４１及びコンタクトホール５に対して塗布したレジスト材料は、開口部４１及びコンタクトホール５の形状に沿って落ち込む（図１３（ｃ））。

【0089】

この状態で、塗布したレジスト材料１０Ｘの上にフォトマスクＰＭ３を配設し、開口部４１に対応する位置に開口窓を介して光を照射するように露光処理を行う（図１３（ｄ）。その後、現像処理を行うことにより、開口部４１に対応する位置以外のレジスト材料１０Ｘが除去される（図１３（ｅ））。その後、ベーク処理を行うと、埋設部１０２及び本体部１０３、窪み部１０１を有する、ライン状のバンク１０Ｌが完成する（図１３（ｆ））。

【0090】

なお、後述するパネル１００Ａ〜１００Ｆについては、それぞれ先に形成した所定の深さ及び形状を持つ開口部４１に沿って、バンク材料が落ち込み（図１３（ｃ））、所定の窪み部１０１、１０１Ｘ、１０１Ｙ等を有するバンク１０Ｐ、１０Ｌが形成される。
（親液性処理工程）
次に、上記形成したバンク１０Ｌの表面に対に対向して、光分解性樹脂を含むレジストＰＲ２を塗布する（図１４（ａ））。次に、窪み部１０１に対応する位置に開口窓を有するフォトマスクＰＭ４を配設し、露光処理を行う（図１４（ｂ））。その後、現像処理を行い、未硬化のレジストを除去すると、窪み部１０１のみが外部に露出する（図１４（ｃ））。この状態で紫外線照射（例えば高圧水銀等を用いて１０００ｍＪ照射）を行い、窪み部１０１の表面に存在するフッ素成分を除去することで、親液性処理を実施する（図１４（ｄ））。その後はレジストＰＲ２を除去し、処理を完了する（図１４（ｅ））。

【0091】

なお、窪み部１０１に施す親液性処理はこれに限定されない。例えばハーフトーン窓を有するフォトマスクＰＭ４を用い、図１３（ｅ）の工程の後、追加露光することで親液性処理を行うことが可能である。
（塗布工程による有機発光層形成工程）
次に、インクジェット装置システム（印刷装置）を用いて有機発光層材料を含むインクを塗布する。図１５は塗布工程（有機発光層形成工程）を示す模式図である。図中、左側から右側に向けて工程の進行を示す。

【0092】

まず、有機発光層材料である有機材料と溶媒を所定比率で混合し、インクを調整する。このインクを、図１５に示すインクジェット装置システムのインクジェットヘッドに供給する。印刷装置のステージに、塗布対象基板を載置する。そして、公知のインクジェット方式によるウェットプロセスに基づき、ＸＹアームに配置したインクジェットヘッドを走査して、インクを各素子形成領域の電荷注入輸送層７の上に対向するように塗布する（図１５（ａ））。この塗布工程は、発光色の異なる３種のインクを順次詰め替えることで、最終的に基板上に配された全ての素子形成領域にわたって、同様に実施する。

【0093】

全ての発光色のインクの塗布が完了したら、リフトアップピンを作動させ、印刷装置のステージから塗布対象基板を下す（図１５（ｂ））。

【0094】

次に、ロボットアームまたはローラーを用いた水平搬送により、塗布対象基板を乾燥装置内に搬送し、チャンバー内においてホットプレート上に塗布対象基板を載置する。チャンバー内を窒素雰囲気または真空（減圧）雰囲気に設定し、インクを乾燥させる（図１５（ｃ））。その後、基板をロボットアームまたはローラーを用いた水平搬送によってベーク装置に搬送し、窒素雰囲気または真空（減圧）雰囲気においてベーク処理を行い、有機発光層８を完成する。

【0095】

ここで、インクの塗布を完了した塗布対象基板を印刷装置のステージから乾燥装置まで搬送する際、振動や加速が基板に加わり、塗布されたインクが所定の素子形成領域から溢れ出るおそれがある。この問題に対して本実施の形態１では、図２２に示すように、バンク１０Ｌの頂部に十分な深さ（容積）を有する窪み部１０１が形成されているので、たとえインク８Ｘが行（Ｙ）方向に溢れ出たとしても、インクは窪み部１０１の内部でインク溜まり９Ｘとなり、適切に保持される。このため、特に異なる発光色のインクが塗布された素子形成領域間において発生しうるインクの混色を防止して、良好に有機発光層を形成することが可能である。

【0096】

またバンク１０Ｌでは、窪み部１０１を除く本体部１０３の表面が窪み部１０１に比べて相対的に撥液性を有しており、本体部１０３の表面に対してインクが広く付着するのが防止される。従って、隣接する一対のバンク１０Ｌの間でインクを良好に保持できるため、インクが素子形成領域から溢れ出すのを未然に防止できる効果も期待できる。
（第２電極形成工程）
次に、上記形成された各有機発光層８の表面に対向して、ＩＴＯ、ＩＺＯ等の材料を用い、真空蒸着法で成膜する。これにより第２電極１０が形成される。
（その他の工程）
第２電極１０の表面に対し、ＳｉＮ（窒化シリコン）、ＳｉＯＮ（酸窒化シリコン）等の材料を真空蒸着法で成膜することで、封止層を形成する。

【0097】

以上の工程を経ることにより、全ての有機ＥＬ素子１５Ｒ〜１５Ｂが形成され、有機ＥＬ表示パネル１００が完成する。

【0098】

次に、本発明の別の実施の形態について、それぞれの主たる特徴部分を中心に説明する。
＜実施の形態２＞
図５は、実施の形態２に係るパネル１００Ａの部分断面図（パネル１００に係る図３に相当）である。パネル１００Ａの特徴は、電荷注入輸送層７を、ＰＥＤＯＴ（ポリエチレンジオキシチオフェン）などの有機材料を用いて構成し、塗布型として配設した点にある。すなわち、パネル１００Ａの電荷注入輸送層７は、機能層形成工程において、隣接するバンク１０Ｌの間の第１電極６の表面にインクを塗布し、これを乾燥させることで形成されている。この構成によって、バンク１０Ｌの埋設部１０２は、隣接する第１電極６の各側面と、平坦化膜４の開口部４１の内周面に直接接するように配される。

【0099】

このような構成を持つパネル１００Ａにおいても、パネル１００とほぼ同様に、インクの混色を防いで良好に有機発光層８を形成できるほか、埋設部１０２と一体的に形成された本体部１０３の下面部が第１電極６を基板側に押圧することで、第１電極６の浮きや剥離の発生を抑制できる。また、埋設部１０２の存在によって、行（Ｙ）方向で隣接する第１電極６同士の短絡を防止する効果も期待できる。
＜実施の形態３＞
図６（ａ）は、実施の形態３に係るパネル１００Ｂの構成を示す、模式的な正面図である。図中、「Ｂ」で示されるパネル周辺領域でのバンク１０Ｌの窪み量が、「Ａ」で示されるパネル中央領域でのバンク１０Ｌの窪み量よりも大きくなるように調整されている。

【0100】

塗布対象基板に対してインクを塗布した場合、パネル周辺領域Ｂがパネル中央領域Ａに比べて、比較的インクの混色を生じ易いという、面内分布を生じる問題がある。この原因としては、パネルにインクを塗布した後、塗布対象基板を移動・搬送する際に、水平方向に対する角度がパネル周辺領域Ｂにおいて比較的変動し易く、その結果、パネル周辺領域Ｂにおいてインクが溢れを誘発し易い等の理由が考えられる。

【0101】

パネル１００Ｂはこの問題を考慮したものであり、図６（ｂ）に示すように、パネル中央領域Ａにおいては埋設部１０２の深さをＤ１、窪み部１０１の深さ（窪み量）をＨ１に設定する。一方、パネル周辺領域Ｂにおいては図６（ｃ）に示すように、埋設部１０２の深さＤ２をＤ１よりも深く設定し、十分な深さＨ２を持つ窪み部１０１を形成する。数値の設定例として、Ｄ１を１０００ｎｍとする場合、Ｈ１を２５０ｎｍ程度に設定することができる。また、Ｄ２を３０００ｎｍとする場合には、Ｈ２を７５０ｎｍ程度に設定することができる。このようなＨ１、Ｈ２、Ｄ１、Ｄ２の各調節方法は、例えば前述した平坦化膜形成工程において、平坦化膜材料４Ｘに対する露光量がパネル中央領域Ａと周辺領域Ｂとで異なるように光透過率を調節した所定のハーフトーンマスク（フォトマスクＰＭ１）を用い、露光処理を実施することで行える。

【0102】

なお図６に示すように、埋設部１０２の深さＤ１、Ｄ２は、実際には平坦化膜４の開口部４１の深さと、第１電極６及び電荷注入輸送層７の各厚み分の合計に相当する。しかしながら、通常は第１電極６及び電荷注入輸送層７の各厚みに対して平坦化膜４の膜厚が十分に厚いため、埋設部１０２の深さ調整においては、平坦化膜４の膜厚条件が支配的になると思われる。

【0103】

なお、パネル１００Ｂに設ける中央領域Ａのパターンは、正面図の図６（ａ）に示す楕円形に限定されず、その他のパターン（例えば矩形パターン）にすることもできる。また、周辺領域Ｂの最小幅Ｌ１、Ｒ１もそれぞれ変更が可能であるが、例えば最小幅Ｌ１はパネル１００Ｂの行（Ｙ）方向長の１０％〜２０％の範囲、最小幅Ｒ１は列（Ｘ）方向長の１０％〜２０％の範囲に適宜設定できる。

【0104】

このような工夫を行うことで、パネル１００Ｂでは実施の形態１と同様の効果が奏されるのに加え、従来はインクの混色を生じ易かった周辺領域Ｂにおいても、各素子形成領域から溢れたインクが十分な深さＨ２を有する窪み部１０１において適切に保持される。このため、互いに異なる発光色のインクの混色の発生をより効果的に防止できる。
＜実施の形態４＞
図７は、実施の形態４に係るパネル１００Ｃにおける、素子周辺の部分拡大図（パネル１００を示す図２に相当）である。

【0105】

当図に示すように、パネル１００Ｃのバンク１０Ｌには、各素子形成領域の位置に合わせて断続的に長尺状の窪み部１０１を設けている。この窪み部１０１の配設位置は、各有機ＥＬ素子１５Ｒ、１５Ｇ、１５Ｂの発光領域（すなわち画素規制層を設けていない領域）に合わせたものである。このような工夫により、有機発光層形成工程において、インク塗布後には、少なくとも発光領域に対応した位置でインクが外部に溢れ出て混色を生じる問題が防止される。このため、実質的には実施の形態１とほぼ同様の効果が奏され、主として発光領域で異なる発光色同士のインクの混色が防止され、良好な画像表示性能を持つＰＤＰ１００Ｃが実現される。なお、窪み部１０１の形状としてはこのほか、より細かなドット状の形状として、列（Ｘ）方向に断続的に設けることも可能である。
＜実施の形態５＞
図８は、実施の形態５に係るパネル１００Ｄの素子周辺の部分拡大図（パネル１００に係る図２に相当）である。

【0106】

パネル１００Ｄはいわゆるピクセルバンク構造を有し、各素子形成領域を取り囲むように、行列方向に沿ってバンク部１１０Ｘ、１１０Ｙが配され、井桁状のバンク１０Ｐが形成されている。ここでバンク部１１０Ｘは実施の形態１のバンク１０Ｌとほぼ同様の構成であり、図示しない埋設部の上に本体部を形成して構成され、本体部の頂部に、列（Ｘ）方向に沿って、バンク材料を図示しない埋設部側に窪ませることで形成された窪み部１０１Ｘが存在する。

【0107】

このような構成を持つパネル１００Ｄにおいても、実施の形態１のパネル１００と同様の効果が奏され、異なる発光色の混色を防止して、良好に有機発光層８を形成することで、優れた画像表示性能を持つパネル１００Ｄが得られる。
＜実施の形態６＞
図９は、実施の形態６に係るパネル１００Ｅの素子周辺の部分拡大図（パネル１００に係る図２に相当）である。パネル１００Ｅは実施の形態５のパネル１００Ｄを基本とし、さらにバンク部１１０Ｙの頂部に対し、行（Ｙ）方向に沿って窪み部１０１Ｙを形成した構成を有する。

【0108】

このような構成を有するパネル１００Ｅにおいては、パネル１００Ｄが有する効果と同様の効果に加え、さらにバンク部１１０Ｙに設けた窪み部１０１Ｙの内部で溢れたインクを保持できるので、列（Ｘ）方向へのインクの不要な流れを防止し、均一な膜厚で有機発光層８を形成できる利点もある。なお、このようなパネル１００Ｅの窪み部１０１Ｙも、窪み部１０１と同様に、平坦化膜４に形成した開口部（開口部４１に相当するもの）を形成し、バンク材料を列（Ｘ）方向で隣接する第１電極６，６間及び前記開口部内に落ち込ませることで形成することができる。
＜実施の形態７＞
図１０は、実施の形態７に係るパネル１００Ｆのコンタクトホール周辺の断面図（パネル１００に係る図３に相当）である。

【0109】

パネル１００ＦはパネルＥとほぼ同様の構成であるが、行（Ｙ）方向に延びるバンク部１１０Ｙにおける本体部１０４のＸ方向幅をコンタクトホール５を含めた領域にまで拡大した点に主な特徴を有する。このような構成によって、パネル１００Ｅと同様の効果を奏するほか、幅広のバンク部１１０Ｙを有することで、各素子形成領域に塗布されたインクが列（Ｘ）方向で隣接する他の素子形成領域に流れ込むことが効果的に抑制され、均一な膜厚を持つ有機発光層８を形成する上で有利となる。さらに、バンク部１１０Ｙをコンタクトホール周辺の構造と併せてパターニングできるため、バンク形成工程におけるバンクのパターニングを比較的容易に行え、良好な製造効率でパネル１００Ｆを製造できる利点もある。
＜窪み部の深さについて＞
次に、平坦化膜の開口部の深さ（凹み量）と、これによって形成されるバンクの窪み部の深さとの関係について述べる。

【0110】

図１６は、平坦化膜に形成した開口部の深さ（凹み量）と、バンクの窪み部の深さとの関係を示すグラフである。図１７〜１９は、平坦化膜の開口部の凹みを変化させたときのバンクの断面形状を示す測定図である。開口部の凹み量は、平坦化膜を一様に形成した後、公知のハーフトーンマスクを用いて露光量を変化させることで調節した。

【0111】

ます図１６に示すように、本体部の窪み部の深さは、平坦化膜の開口部の凹み量とほぼリニアな比例関係にある。開口部の深さが平坦化膜の厚み範囲に収まる場合、開口部の深さに比例して窪み部の深さを調節することができる。しかしながら、開口部の凹み量が、そのまま本体部の窪み部の深さになるわけではなく、若干の開きがあること（図１６の直線の傾き）に留意する。このような開口部の凹み量と本体部の窪み部の深さの関係は、バンクに用いるレジスト材料の種類、特性（粘度や硬度等）によって変化するものと考えられる。

【0112】

一例として、図１６のデータ測定時の結果を説明する。この測定実験においては、図６（ｂ）、（ｃ）に示したように、開口部の深さをＤ、窪み部の深さをＨとすると、開口部深さＤが０ｎｍのときは本体部に窪み部が存在しないが（図１７）、開口部深さＤを２４０ｎｍに設定すると、深さＨが１００ｎｍ程度の窪み部が形成された（図１７）。さらに、開口部の深さＤを、平坦化膜の厚みとほぼ同等（４０００ｎｍ）に設定すると、窪み部の深さＨが本体部の高さ（１０００ｎｍ）と同等になった。このような結果から、平坦化膜の開口部の深さＤに応じた本体部の窪み部の深さを予め調べておくことで、窪み部の深さを目的値に合わせて細かく設定できることが分かる。なお、図１９は開口部の代わりにコンタクトホール周辺構造を利用したデータであるが、開口部を用いても同様の結果が得られると思われる。

【0113】

発明者らが行った実験結果によれば、開口部の深さＤを１００ｎｍ〜４０００ｎｍの範囲で変化させることで、窪み部の深さＨを２５ｎｍ〜１０００ｎｍの範囲で調節できることが分かった。
＜その他の事項＞
有機発光層８はインクを塗布し、これを乾燥してなる構成（塗布型）を例示したが、有機発光層は塗布型に限定されず、これ以外の方法で形成してもよい。例えば、真空蒸着法やスパッタリング法、電子ビーム法等を用いた、いわゆる真空プロセスで形成することもできる。この場合、インクの混色防止に関する効果は無関係となるが、開口部４１に埋設された埋設部１０３及び本体部１０２でバンク１０Ｌを形成することで、本体部１０２の下面で第１電極６や電荷注入輸送層７等を基板側に抑え、剥離や浮き上がりを適切に防止する効果を期待できる。また、隣接する第１電極６、６同士を埋設部１０３の介在によって確実に短絡防止する効果も奏される。

【0114】

なお、本発明において言及する「行方向」及び「列方向」とは、あくまで有機ＥＬ表示パネルの表面に沿って、互いに直交する２方向を指す、例示的な方向である。従って、本明細書で記載する「行方向」と「列方向」との表記自体に厳密な意味はなく、これらの方向を互いに入れ替えてもよい。

【産業上の利用可能性】

【0115】

本発明は、携帯電話用のディスプレイやテレビなどの表示素子、各種光源などに使用される有機ＥＬ素子及びこれを利用した有機ＥＬ表示パネルとその製造方法として利用可能である。いずれの用途においても、表示ムラの少ない良好な発光特性または画像表示性能を発揮することのできる有機ＥＬ素子や有機ＥＬ表示パネルを期待することが可能である。

【符号の説明】

【0116】

ＰＲ１、ＰＲ２ フォトレジスト
ＰＭ１〜ＰＭ４ フォトマスク
１ 基板
２ ＴＦＴ配線部（薄膜トランジスタ層）
３ 給電電極
４ 平坦化膜（層間絶縁層）
４Ｘ 平坦化膜材料
５ コンタクトホール
６ 第１電極（陽極）
６Ｘ 金属膜
７ 電荷注入輸送層（ＨＩＬ）
８ 有機発光層
９ 第２電極（陰極）
１０Ｌ バンク（ラインバンク）
１０Ｐ バンク（ピクセルバンク）
１０Ｘ レジスト材料
１１ 画素規制層（ＰＩＬ）
１５、１５Ｒ、１５Ｇ、１５Ｂ 有機ＥＬ素子（サブピクセル）
１００、１００Ａ〜１００Ｆ 有機ＥＬ表示パネル
１０１、１０１Ｘ、１０１Ｙ 窪み部
１０２、１０５ 埋設部
１０３、１０４ 本体部
１１０Ｘ、１１０Ｙ バンク部
２００ 表示装置

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】

【図11】

【図12】

【図13】

【図14】

【図15】

【図16】

【図17】

【図18】

【図19】

【図20】

【図21】

【図22】

【図23】