特許 5694801 冷却ミラーシステム用ストレス分断装置及びストレス分断方法

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】特許公報(B2)

(11)【特許番号】5694801

(24)【登録日】2015年2月13日

(45)【発行日】2015年4月1日

(54)【発明の名称】冷却ミラーシステム用ストレス分断装置及びストレス分断方法

(51)【国際特許分類】

   H01L 21/027 20060101AFI20150312BHJP

   G03F 7/20 20060101ALI20150312BHJP

   G02B 7/18 20060101ALI20150312BHJP

   G02B 7/192 20060101ALI20150312BHJP

   G02B 7/195 20060101ALI20150312BHJP

   G02B 7/198 20060101ALI20150312BHJP

【ＦＩ】

   H01L21/30 531A

   H01L21/30 503F

   G03F7/20 521

   G02B7/18

   G02B7/192

   G02B7/195

   G02B7/198

【請求項の数】22

【外国語出願】

【全頁数】18

(21)【出願番号】特願2011-24674(P2011-24674)

(22)【出願日】2011年2月8日

(65)【公開番号】特開2011-176307(P2011-176307A)

(43)【公開日】2011年9月8日

【審査請求日】2014年2月5日

(31)【優先権主張番号】12/660,222

(32)【優先日】2010年2月23日

(33)【優先権主張国】US

(73)【特許権者】

【識別番号】509105237

【氏名又は名称】メディア ラリオ ソシエタ ア レスポンサビリタ リミタータ

【氏名又は名称原語表記】ＭＥＤＩＡ ＬＡＲＩＯ Ｓ．Ｒ．Ｌ．

(74)【代理人】

【識別番号】100136319

【弁理士】

【氏名又は名称】北原 宏修

(74)【代理人】

【識別番号】110000844

【氏名又は名称】特許業務法人 クレイア特許事務所

(72)【発明者】

【氏名】ビアヌッチ、ジョヴァンニ

(72)【発明者】

【氏名】モレッティ、ステーファノ

(72)【発明者】

【氏名】ユー、ゴードン

(72)【発明者】

【氏名】カソル、ジャンルカ

【審査官】 佐野 浩樹

(56)【参考文献】

【文献】 特表２００７−５３６７５４（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開２００４−１０３９６１（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開２００５−００４１４５（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開２００４−３３２９２７（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開昭６３−０５７９９２（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開２００７−１２３８７４（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開２００７−２８５９０９（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開２００３−２１８０２３（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開２００６−３１７９１３（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開２００７−２１８２３１（ＪＰ，Ａ）

(58)【調査した分野】（Int.Cl.，ＤＢ名）

Ｇ０２Ｂ ５／００ − ５／０８ 、 ５／１０ − ５／１３６、

７／００ 、 ７／１８ − ７／２４ 、

Ｇ０３Ｆ ７／２０ − ７／２４ 、 ９／００ − ９／０２ 、

Ｈ０１Ｌ２１／０２７、２１／３０

(57)【特許請求の範囲】

【請求項1】

ＧＩＣシェルを有する斜入射集光器ミラーを冷却するための冷却システムにおいて振動の伝達を抑制する方法であって、
流入側一次冷却液マニホールド及び流出側一次冷却液マニホールドを設けることと、
振動伝達を抑制するための複数の振動抑制装置それぞれを介して前記ＧＩＣシェルを前記流入側一次冷却液マニホールド及び前記流出側一次冷却液マニホールドに流体接続することと
を備え、
各振動抑制装置は、第１伸縮可能部材と、
密閉空間を形成するように前記第１伸縮可能部材を取り囲む第２伸縮可能部材と、を備え、
前記密閉空間には、気体が充填されるとともに、伸張制限部材が収容されており、
前記伸張制限部材は、前記第１伸縮可能部材上に動作可能に配置され、前記第１伸縮可能部材の伸張量を制限するように構成されている方法。

【請求項2】

前記ＧＩＣシェルは、少なくとも一つの冷却ラインを備えており、
流入フィーダライン及び流出フィーダラインを使用して、前記流入側一次冷却液マニホールド及び前記流出側一次冷却液マニホールドと、少なくとも一つの冷却ラインとを流体接続することをさらに備える
請求項１に記載の方法。

【請求項3】

前記振動抑制装置は、前記流入フィーダライン及び前記流出フィーダラインの各端部内または各端部に配置される
請求項２に記載の方法。

【請求項4】

前記気体は不活性ガスである
請求項１から３の何れか１項に記載の方法。

【請求項5】

前記伸張制限部材はメッシュを有する
請求項１から３の何れか１項に記載の方法。

【請求項6】

前記第１及び第２伸縮可能部材はそれぞれ蛇腹を備える
請求項１から３の何れか１項に記載の方法。

【請求項7】

ＧＩＣシェルを有する斜入射集光器ミラーを冷却するための冷却システムにおいて振動の伝達を抑制する方法であって、
前記ＧＩＣシェルの背面に第１冷却ラインを配置することと、
第１フィーダラインを前記第１冷却ラインに流体接続することと、
振動伝達を抑制するための第１振動抑制装置を前記第１フィーダラインに動作可能に配置することと、
前記第１フィーダラインを第１の一次冷却液マニホールドに流体接続することと
を備え、
前記第１振動抑制装置は、第１伸縮可能部材と、
密閉空間を形成するように前記第１伸縮可能部材を取り囲む第２伸縮可能部材と、を備え、
前記密閉空間には、気体が充填されるとともに、前記伸張制限部材が収容されており、
前記伸張制限部材は、前記第１伸縮可能部材上に動作可能に配置され、前記第１伸縮可能部材の伸張量を制限するように構成されている方法。

【請求項8】

第２フィーダラインを前記第１冷却ラインに流体接続することと、
振動伝達を抑制するための第２振動抑制装置を前記第２フィーダラインに動作可能に配置することと、
前記第２フィーダラインを第２の一次冷却液マニホールドに流体接続することと
をさらに備え、
前記第２振動抑制装置は、第１伸縮可能部材と、
密閉空間を形成するように前記第１伸縮可能部材を取り囲む第２伸縮可能部材と、を備え、
前記密閉空間には、気体が充填されるとともに、前記伸張制限部材が収容されており、
前記伸張制限部材は、前記第１伸縮可能部材上に動作可能に配置され、前記第１伸縮可能部材の伸張量を制限するように構成されている、請求項７に記載の方法。

【請求項9】

前記第１冷却ライン並びに前記第１及び第２フィーダラインを第１及び第２の二次マニホールドそれぞれに対して流体接続することをさらに備える、請求項８に記載の方法。

【請求項10】

前記ＧＩＣシェルの背面に複数の冷却ラインを配置することと、
前記複数の冷却ラインを前記第１及び第２の二次マニホールドに流体接続することと、をさらに備える、請求項８に記載の方法。

【請求項11】

冷却液を使用する冷却ミラーシステムにおいて振動伝達を抑制するための振動抑制装置であって、
前記冷却液が流れることが可能な空間と、複数の流体導通部材それぞれを受けるようにそれぞれ構成される複数の端とを有する第１伸縮可能部材と、
密閉空間を形成するように前記第１伸縮可能部材を取り囲む第２伸縮可能部材と、を備え、
前記密閉空間には、気体が充填されるとともに、前記伸張制限部材が収容されており、
前記伸張制限部材は、前記第１伸縮可能部材上に動作可能に配置され、前記第１伸縮可能部材の伸張量を制限するように構成されている、振動抑制装置。

【請求項12】

前記伸張制限部材は、メッシュを有する
請求項１１に記載の振動抑制装置。

【請求項13】

前記第１及び第２伸縮可能部材は、それぞれ蛇腹を備える
請求項１１に記載の振動抑制装置。

【請求項14】

ＧＩＣシェルを有する斜入射集光器ミラーを冷却するためのシステムであって、
複数の冷却ラインにより冷却されると共にスパイダにより支持される少なくも１つの前記ＧＩＣシェルを有する斜入射集光器ミラーと、
振動伝達を抑制するための複数の振動抑制装置それぞれを介して前記複数の冷却ラインに流体接続される一次流入側冷却マニホールド及び一次流出側冷却マニホールドと
を備え、
前記振動抑制装置は、第１伸縮可能部材と、
密閉空間を形成するように前記第１伸縮可能部材を取り囲む第２伸縮可能部材と、を備え、
前記密閉空間には、気体が充填されるとともに、前記伸張制限部材が収容されており、
前記伸張制限部材は、前記第１伸縮可能部材上に動作可能に配置され、前記第１伸縮可能部材の伸張量を制限するように構成されている、システム。

【請求項15】

前記スパイダは冷却され、
複数の振動抑制装置をそれぞれ有する流入フィーダライン及び流出フィーダラインそれぞれを介して前記スパイダに流体接続されるスパイダ流入側冷却マニホールド及びスパイダ流出冷却マニホールドをさらに備える
請求項１４に記載のシステム。

【請求項16】

反射レチクルを照射するための極端紫外光（ＥＵＶ）リソグラフィシステムであって、
ＥＵＶ源と、
前記ＥＵＶを受光し、集光したＥＵＶを形成するように構成される、請求項１４または１５に記載のシステムと、
前記集光したＥＵＶを受光し、前記反射レチクルを照射する凝縮ＥＵＶを形成するように構成されるイルミネータと
を備える、ＥＵＶリソグラフィシステム。

【請求項17】

感光性半導体ウエハ上にパターン化された画像を形成するためのＥＵＶリソグラフィシステムであって、
前記反射レチクルの下流に配置されており、前記反射レチクルから反射されるＥＵＶを受光し、そこから前記感光性半導体ウエハ上に前記パターン化された画像を形成するように構成される投影光学システムをさらに備える
請求項１６に記載のＥＵＶリソグラフィシステム。

【請求項18】

背面及び中心軸を含む少なくとも一つのＧＩＣシェルを有する極端紫外光（ＥＵＶ）斜入射集光器の冷却システムであって、
前記ＧＩＣシェルの前記中心軸に対して略垂直であると共に互いに略平行である複数の平面上に配置され、互いに離間する略円形の複数の冷却ラインと、
互いに離間する流入位置および流出位置において、前記複数の冷却ラインにそれぞれ流体接続される流入側冷却液マニホールド及び流出側冷却液マニホールドと、
前記流入側冷却液マニホールドと前記流入位置との間に動作可能に配置され、振動伝達を抑制する少なくとも一つの第１振動抑制装置と、
前記流出側冷却液マニホールドと前記流出位置との間に動作可能に配置され、振動伝達を抑制する少なくとも一つの第２振動抑制装置と
を備え、
複数の冷却ラインは、前記背面の対応する外周の周りを熱接触しながら配置され、
前記少なくとも１つの第１振動抑制装置および少なくとも１つの第２振動抑制装置は、それぞれ冷却液が流れる内部を形成しており、
前記第１振動抑制装置及び前記第２振動抑制装置は、
前記内部を形成し、表面を有する第１伸縮可能部材と、
前記第１伸縮可能部材の前記表面を取り囲み、伸張制限部材の少なくとも一部を包含する密閉内部チャンバを形成する第２伸縮可能部材と、を備え、
前記密閉内部チャンバには、気体が充填されるとともに、前記伸張制限部材が収容されており、
前記伸張制限部材は、前記第１伸縮可能部材上に動作可能に配置され、前記第１伸縮可能部材の伸張量を制限するように構成されている
冷却システム。

【請求項19】

前記伸張制限部材は、メッシュを有する
請求項１８に記載の冷却システム。

【請求項20】

前記メッシュは、ステンレス鋼で構成されている
請求項１９に記載の冷却システム。

【請求項21】

複数の前記ＧＩＣシェルは入れ子状に離間しており、
入れ子状の前記ＧＩＣシェルの離間状態を維持するように構成されるスパイダをさらに備え、
各ＧＩＣシェルは、複数の振動抑制装置それぞれを介して前記流入側冷却液マニホールド及び前記流出側冷却液マニホールドに接続される複数の冷却ラインを有し、
前記スパイダは、冷却され、さらなる複数の振動抑制装置を介して流入および流出する冷却液を有する
請求項１８から２０のいずれかに記載のシステム。

【請求項22】

斜入射集光器に備えられ、背面及び中心軸を有するＧＩＣシェルを冷却する方法であって、
前記ＧＩＣシェルに熱接触する複数の冷却ラインを有する冷却アセンブリを設けることと、
冷却液が流れることができる内部をそれぞれ有する複数の振動抑制装置を設け、振動伝達を抑制することと、
前記複数の冷却ラインと、流入側冷却液マニホールド及び流出側冷却液マニホールドとを流体接続する場合に、前記複数の振動抑制装置のそれぞれを介して各冷却ラインを前記流入側冷却液マニホールド及び前記流出側冷却液マニホールドに流体接続して、前記冷却アセンブリと前記流入側冷却液マニホールド及び前記流出側冷却液マニホールドとの間で伝達される振動の量を低減することと
を備え、
前記振動抑制装置は、第１伸縮可能部材と、
密閉チャンバを形成するように前記第１伸縮可能部材の外側面を取り囲む第２伸縮可能部材と、を備え、
前記密閉チャンバには、気体が充填されるとともに、伸張制限部材が収容されており、
前記伸張制限部材は、前記第１伸縮可能部材上に動作可能に配置され、これにより、前記伸縮可能部材を流れる冷却液の圧力によって前記第１伸縮可能部材が伸張する範囲を制限するように構成されている方法。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

(関連出願の相互参照)
本出願は、２００９年１２月２日付で出願された米国特許出願第１２／５９２，７３５号（発明の名称：斜入射ＥＵＶリソグラフィ集光器用の冷却システム及び冷却方法）の関連出願であり、当該米国特許出願は、本出願の譲受人に譲渡され、ここに援用される。

【0002】

また、本出願は、２０１０年１月２５日付で出願された米国特許出願第１２／６５７，６５０号（発明の名称：斜入射集光器用の冷却スパイダ及び方法）の関連出願であり、当該米国特許出願は、本出願の譲受人に譲渡され、ここに援用される。

【0003】

本発明は、一般にミラーシステムに関し、特に冷却ミラーシステムにおいて使用されるストレス分断装置及びストレス分断方法に関する。

【背景技術】

【0004】

ＥＵＶリソグラフィは、線幅約３２ｎｍ以下の次世代半導体装置の製造に最適なリソグラフィプロセスとなることが予想されている。ＥＵＶの波長は通常１３．５ｎｍであり、ＥＵＶを集光及び結像するためには、特別な光学機器を使用する必要がある。

【0005】

光源からの放射線を集光するために使用されるＥＵＶ 光学システムとして、斜入射集光器（ＧＩＣ）がある。他のＥＵＶ光学システムとしては、直入射コレクタ（ＣＩＣ）がある。典型的には、ＧＩＣは、１つまたは複数の同心円状に配置されるシェルを備えている。そして、そのシェルは、ＥＵＶ光源からの光を斜入射角で受光し、受光した光を反射して集束照明ビームを形成するように構成されている。なお、その集束照明ビームは、中間焦点を形成し、そして、遠隔フィールドに照明領域を形成する。遠隔フィールドの照明領域は、システム全体の光学設計により設定された仕様内において、一様であるのが好ましい。

【0006】

ＥＵＶリソグラフィ用の光源としては、放電生成プラズマ（ＤＰＰ）とレーザ生成プラズマ（ＬＰＰ）がある。これらの光源の変換効率は僅か数パーセントであり、そのエネルギーの殆どが、集光ミラーに入射可能な赤外線、可視光線、紫外線およびエネルギー粒子に変換されるＥＵＶの生成に使用される。この放射線により、ＧＩＣミラー上にかなりの熱負荷が加えられる。したがって、ミラーに吸収された熱が実質的にＧＩＣミラーの性能に悪影響を及ぼさないように、若しくは、ＧＩＣミラーにダメージを与えないように、ＧＩＣミラーの各シェルを冷却する必要がある。

【0007】

また、上記放射線は、互いに固定された複数のＧＩＣシェルを保持するスパイダを加熱し得る。したがって、スパイダに吸収された熱がこれらのＧＩＣシェルに伝達しないように、また、スパイダ自体が変形しないように、スパイダを冷却することが好ましい。このように、実際にＧＩＣミラーはＧＩＣミラーシステムの一部となっており、ＧＩＣミラーシステムはＧＩＣシェル冷却システムをも備え、スパイダ冷却システムをも備え得る。

【0008】

基本的に、ＥＵＶリソグラフィ用のあらゆるＧＩＣミラーシステムは、これまで、実験室で使用されるか、または極めて制御された条件下での実験的な「アルファ」システムにのみ使用されてきた。このため、商業的に実現可能なＥＵＶリソグラフィシステムで使用されるＧＩＣシェル冷却システム及びスパイダ冷却システムには、殆ど注力されていなかった。事実、より高度なＥＵＶ出力の需要が増加するにつれて、ＧＩＣミラーに対する熱負荷が増加しており、こうした熱管理がより一層重要となる。

【0009】

結果的に、熱負荷によりＧＩＣミラーが光学的に歪むおそれを最小限に抑えるためには、より効率的且つ効果的な熱管理及び冷却システムを実現しなければならない。このように熱管理が必要とされると、ＧＩＣミラーシステムの組み立てが比較的複雑になる。特に、ＧＩＣミラーは、複数のＧＩＣシェルの機械的歪みを引き起こすことなく、ＧＩＣシェル冷却システムおよびスパイダ冷却システムと接触する必要がある。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0010】

【特許文献1】米国特許出願公報第ＵＳ２００４／０２６５７１２Ａ１号

【特許文献2】米国特許出願公報第ＵＳ２００５／００１６６７９Ａ１号

【特許文献3】米国特許出願公報第ＵＳ２００５／０１５５６２４Ａ１号

【発明の概要】

【課題を解決するための手段】

【0011】

本発明の態様には、冷却ミラーシステム用ストレス分断装置と、例えば、冷却可能なスパイダによって支持される複数の冷却ＧＩＣシェルを備える冷却ＧＩＣミラーシステム等の冷却ミラーシステムにおいてこうした装置を使用する方法とが含まれる。

【0012】

本発明に関する方法は、一例において、冷却ＧＩＣシェルを設けることと、流入側一次冷却液マニホールド及び流出側一次冷却液マニホールドを提供することと、複数のストレス分断装置のそれぞれを介して冷却ＧＩＣシェルを流入側一次冷却液マニホールド及び流出側一次冷却液マニホールドに流体接続することを備える。
この方法において、冷却ＧＩＣシェルは、少なくとも一つの冷却ラインを備えているのが好ましい。そして、この方法は、流入フィーダライン及び流出フィーダラインを使用して、流入側一次冷却液マニホールド及び流出側一次冷却液マニホールドと、少なくとも一つの冷却ラインとを流体接続することをさらに備えるのが好ましい。
この方法において、ストレス分断装置は、流入フィーダライン及び流出フィーダラインの各端部内または各端部に配置されるのが好ましい。
この方法において、各ストレス分断装置は、伸張制限部材を有する第１伸縮可能部材を備えている。伸張制限部材は、第１伸縮可能部材上に動作可能に配置され、第１伸縮可能部材の伸張量を制限するように構成されているのが好ましい。
この方法において、各ストレス分断装置は、密閉空間を形成するように第１伸縮可能部材を取り囲む第２伸縮可能部材を備えている。そして、その密閉空間には、気体が充填され、伸張制限部材が収容されているのが好ましい。
この方法において、気体は不活性ガスであるのが好ましい。
この方法において、伸張制限部材はメッシュを有するのが好ましい。
この方法において、第１伸縮可能部材および第２伸縮可能部材はそれぞれ蛇腹を備えるのが好ましい。

【0013】

本発明のストレス分断方法は、他の例において、冷却ＧＩＣシェルの背面に第１冷却ラインを配置することと、第１フィーダラインを第１冷却ラインに流体接続することと、第１フィーダラインに第１ストレス分断装置を動作可能に配置することと、第１フィーダラインを第１の一次冷却液マニホールドに流体接続することとを備える。
この方法は、第２フィーダラインを第１冷却ラインに流体接続することと、第２フィーダラインに第２ストレス分断装置を動作可能に配置することと、第２フィーダラインを第２の一次冷却液マニホールドに流体接続することがさらに備えるのが好ましい。
この方法は、第１冷却ライン及び第１及び第２フィーダラインを第１及び第２の二次マニホールドそれぞれに対して流体接続することをさらに備えるのが好ましい。
この方法は、冷却ＧＩＣシェルの背面に複数の冷却ラインを配置することと、複数の冷却ラインを第１及び第２の二次マニホールドに流体接続することをさらに備えるのが好ましい。

【0014】

ストレス分断装置は、一例において、気体が充填された密閉空間を形成する内側蛇腹および外側蛇腹を有する。伸張制限部は、内側蛇腹を流れる冷却液の圧力による内側蛇腹の伸張を制限する。ストレス分断装置は、ＧＩＣミラーシステムの一部から複数のＧＩＣシェルへストレスが伝達するのを低減または防止するように構成及び配置されている。ストレス分断装置は、ＧＩＣミラーシステムのいずれの位置に配置されても、当該機能を発揮する。任意の流体導通部材には、複数のストレス分断装置が含まれてもよい。ストレス分断装置は、複数の冷却ラインまたは複数の冷却チャネルを冷却液マニホールドに接続する複数の流体導通部（例えば、複数のフィーダライン）の一端部もしくは両端部、または、当該一端部もしくは両端部の内部に配置されてよい。

【0015】

ストレス分断装置は、他の例において、冷却液が流れることが可能な空間と、複数の流体導通部のそれぞれを受けるようにそれぞれ構成される複数の端部とを有する第１伸縮可能部材を備える。
このストレス分断装置は伸張制限部材をさらに備えるのが好ましい。伸張制限部材は、第１伸縮可能部材の伸張量を制限するように構成される。
このストレス分断装置は第２伸縮可能部材をさらに備えるのが好ましい。第２伸縮可能部材は、密閉空間を形成するように第１伸縮可能部材および伸張制限部材を取り囲む。密閉空間には気体が充填されているのが好ましい。
このストレス分断装置において伸張制限部材はメッシュを有するのが好ましい。
このストレス分断装置において第１及び第２伸縮可能部材は、それぞれ蛇腹を有するのが好ましい。

【0016】

斜入射集光器（ＧＩＣ）ミラーシステムは、一例において、複数の冷却ラインにより冷却されると共にスパイダにより支持される少なくも１つのＧＩＣシェルを有するＧＩＣミラーと、複数のストレス分断装置それぞれを介して前記複数の冷却ラインに流体接続される一次流入側冷却マニホールド及び一次流出側冷却マニホールドとを備える。
この斜入射集光器（ＧＩＣ）ミラーシステムにおいて、スパイダは冷却されるのが好ましい。また、この斜入射集光器（ＧＩＣ）ミラーシステムは、スパイダ流入側冷却マニホールド及びスパイダ流出冷却マニホールドをさらに備えるのが好ましい。スパイダ流入側冷却マニホールド及びスパイダ流出冷却マニホールドは、複数のストレス分断装置をそれぞれ有する流入フィーダライン及び流出フィーダラインそれぞれを介してスパイダに流体接続される。

【0017】

反射レチクルを照射するための極端紫外光（ＥＵＶ）リソグラフィシステムは、ＥＵＶ源と、ＥＵＶを受光し、集光したＥＵＶを形成するように構成される上記ＧＩＣミラーシステムと、集光したＥＵＶ放射線を受光し、反射レチクルを照射する凝縮ＥＵＶを形成するように構成されるイルミネータとを備える。
このＥＵＶリソグラフィシステムは、感光性半導体ウエハ上にパターン化された画像を形成するためのＥＵＶリソグラフィシステムであるのが好ましい。このＥＵＶリソグラフィシステムは、投影光学システムをさらに備えるのが好ましい。投影光学システムは、反射レチクルの下流に配置されており、反射レチクルから反射されるＥＵＶを受光し、そこから感光性半導体ウエハ上にパターン化された画像を形成するように構成される。

【0018】

極端紫外光（ＥＵＶ）斜入射集光器（ＧＩＣ）の冷却システムは、一例において、背面および中心軸を有する少なくとも一つのシェルを備える。冷却システムは、互いに離間する略円形の複数の冷却ライン、流入側冷却液マニホールド及び流出側冷却液マニホールド、少なくとも１つの第１ストレス分断装置ならびに少なくとも一つの第２ストレス分断装置を有する。複数の冷却ラインは、シェルの中心軸に対して略垂直であると共に互いに略平行である複数の平面上に配置される。複数の冷却ラインは、背面の対応する外周の周囲に熱接触して走っている。流入側冷却液マニホールド及び流出側冷却液マニホールドは、互いに離間する流入位置および流出位置において、複数の冷却ラインにそれぞれ流体接続される。第１ストレス分断装置は、流入側冷却液マニホールドと流入位置との間に動作可能に配置される。第２ストレス分断装置は、流出側冷却液マニホールドと流出位置との間に動作可能に配置される。この冷却システムにおいて、少なくとも１つの第１ストレス分断装置および少なくとも１つの第２ストレス分断装置は、それぞれ冷却液が流れる内部を形成する。
この冷却システムにおいて、各ストレス分断装置は、内部を形成する第１伸縮可能部材を備えるのが好ましい。
この冷却システムは、ストレス分断装置のそれぞれに対して伸張制限部をさらに備えるのが好ましい。伸張制限部は、伸縮可能部材に対応して動作可能に配置され、伸縮可能部材の伸張量を制限するように構成される。
この冷却システムにおいて、伸張制限部は、メッシュを有するのが好ましい。
この冷却システムにおいて、メッシュはステンレス鋼で構成されるのが好ましい。
この冷却システムにおいて、第１伸縮可能部材は、表面を有するのが好ましい。冷却システムは第２伸縮可能部材をさらに備えるのが好ましい。第２伸縮可能部材は、第１伸縮可能部材の表面を取り囲み、伸張制限部材の少なくとも一部を包含する密閉内部チャンバを形成する。
この冷却システムにおいて密閉内部チャンバには気体が充填されているのが好ましい。
この冷却システムは、入れ子状に離間する複数のＧＩＣシェルと、入れ子状シェルの離間状態を維持するように構成されるスパイダとをさらに備えるのが好ましい。各ＧＩＣシェルは複数の冷却ラインを有するのが好ましい。複数の冷却ラインは、複数のストレス分断装置それぞれを介して流入側冷却液マニホールド及び流出側冷却液マニホールドに接続される。スパイダは、冷却され、さらなる複数のストレス分断装置を介して流入および流出する冷却液を有する。

【0019】

本発明に係る方法の一例は、背面及び中心軸を有する冷却斜入射集光器（ＧＩＣ）シェルを形成する方法である。この方法は、ＧＩＣシェルに熱接触する複数の冷却ラインを有する冷却アセンブリを設けることと、冷却液が流れることができる内部をそれぞれ有する複数のストレス分断装置を設けることと、複数の冷却ラインと、流入側冷却液マニホールド及び流出側冷却液マニホールドとを流体接続する場合に、複数のストレス分断装置のそれぞれを介して各冷却ラインを流入側冷却液マニホールド及び流出側冷却液マニホールドに流体接続して、冷却アセンブリと流入側冷却液マニホールド及び流出側冷却液マニホールドとの間で伝達されるストレスの量を低減することとを備える。
この方法において、複数のストレス分断装置を設けることは、伸縮可能部材を有するように各ストレス分断装置を形成することを含むのが好ましい。
この方法は、伸縮可能部材上に伸張制限部を動作可能に構成及び配置することを有し、これにより、伸縮可能部材を流れる冷却液の圧力によって伸縮可能部材が伸張する範囲を制限するのが好ましい。
この方法は、他の伸縮可能部材を使用して伸縮可能部材の外側面を取り囲み、２つの伸張可能部材との間に密閉チャンバを形成することをさらに備えるのが好ましい。

【0020】

上記の一般的な記載（背景技術）に関する記載と下記の本発明の詳細な説明に関する記載は、本発明の複数の実施形態を提供するものであり、特許請求の範囲に記載されているように、本発明の本質および特徴を理解するための概略または枠組みを提供するものであることを理解すべきである。添付図面は、本発明のさらなる理解を提供するために含まれており、本明細書に組み込まれ、本明細書の一部を構成する。図面は、本発明の様々な実施形態を図示するものであり、本明細書の記載とともに、本発明の原則及び実施を説明する一助となる。

【図面の簡単な説明】

【0021】

【図1】ＧＩＣシェル冷却用のＧＩＣシェル冷却システムの一実施形態の概略図である。

【図2】ＧＩＣシェル冷却システムのミラー冷却アセンブリ（ＭＣＡ）の概略図である。

【図3】スパイダによって各先端縁部が離間状態で保持される複数のＧＩＣシェルを備えるＧＩＣミラーの一例の概略断面図である。

【図4】冷却スパイダの一例の正面図であり、流入側冷却液マニホールドからスパイダを介して流出側冷却液マニホールドへ向かう冷却液流路の一例を示しており、流入フィーダライン及び流出フィーダラインに配置される複数のストレス分断装置を示す図である。

【図5A】冷却スパイダによって入れ子状態且つ定位置に配置された３つのＧＩＣシェルを有するＧＩＣミラーを備えており、フィーダライン中のストレス分断装置が、複数のＧＩＣシェルに伝達されるストレスを分離するように構成される、ＧＩＣミラーシステムの一例の斜視図である。

【図5B】入れ子状態で配置された９つのＧＩＣシェル全てを備える状態で図示された、図５ＡのＧＩＣミラーの一例の斜視図である。

【図6】ＧＩＣシェル冷却システムの部分拡大図であり、流入出フィーダライン中に配置される複数のストレス分断装置を示す図である。

【図7】ストレス分断装置の一例と２つの流体液導通部の分解側面図である。

【図8】内側および外側伸縮可能部材を備えるストレス分断装置であって、内側伸縮可能部上に伸張制限部材を有するストレス分断装置の一例の側面図である。

【図9】メッシュ形態の伸張制限部材の一例の側面図である。

【図10】ＥＵＶリソグラフィシステムの一例の概略図である。 図中の様々な構成要素は単に図示されたに過ぎず、必ずしも実際の縮尺通りに図示されている訳ではない。これらの構成要素のうち、ある部分は誇張して図示され、ある部分は最小化して図示されている場合もある。本図面は、当業者によって理解され、適切に実行され得る本発明の実施形態の一例を図示することを意図するものである。

【発明を実施するための最良の形態】

【0022】

以下、図面を利用し、本発明をＧＩＣミラー及びＧＩＣミラーシステムと関連付けて説明する。本発明は、ＧＩＣシェル等のミラー要素を含む他の種類の冷却ミラー（上記ＣＩＣミラー等）と、冷却ミラーに対して機械接続が必要な冷却システムに適用される。

【0023】

図１は、ＧＩＣシェル２０の形式のミラーを冷却するための複数のＧＩＣシェル冷却システム１０の形式のミラーシステムの一実施形態の概略図である。以下詳細に記載するが、複数のＧＩＣシェル冷却システム１０を、対応するＧＩＣシェル２０と組み合わせて冷却ＧＩＣミラー及びＧＩＣミラーシステムを形成することができる。

【0024】

ＧＩＣシェル２０は、背面２２及び中心軸ＡＣを備える。図１及び以降の図面では、参照のため、直交座標系が図示されている。ＧＩＣシェル２０は、典型的には軸対称であり、背面２２は、典型的には中心軸ＡＣ上の位置に伴って変化する半径を有する。

【0025】

また、複数のＧＩＣシェル冷却システム１０は、互いに離間する複数の冷却ライン３０を有する。冷却ライン３０は、ＧＩＣシェル２０の背面２２に対して熱伝達するように配置されている。実施形態の一例において、冷却ライン３０は、ニッケル（例えば、ニッケルチューブ）を有し、丸形または非丸形（例えば、扁円形または楕円形）の断面形状を有することができる。冷却ライン３０の外径は、例えば、約５ｍｍから約６ｍｍの範囲にある。複数の実施形態において、少なくとも冷却ライン３０の幾つかは、異なる径を有する。

【0026】

冷却ライン３０は、ＧＩＣシェル２０の中心軸ＡＣに対して略垂直であると共に互いに略平行である複数の平面ＰＬに配置されている。このため、各冷却ライン３０は、任意の半径でＧＩＣシェル２０の外周を横断する。流入側冷却液マニホールド４４及び流出側冷却液マニホールド４６は、ＧＩＣシェル２０の背面２２に隣接して配置されている。流入側冷却液マニホールド４４及び流出側冷却液マニホールド４６は、任意のＧＩＣシェル２０の複数の冷却ライン３０に接続されるように構成されている。このため、冷却液１００は、流入側冷却液マニホールド４４から全ての冷却ライン３０を経て流出側冷却液マニホールド４６に流れることが可能となる。

【0027】

流入側冷却液マニホールド４４及び流出側冷却液マニホールド４６は、流入側フィーダライン６４及び流出側フィーダライン６６をそれぞれ介して流入側「一次」冷却液マニホールド５４及び流出側「一次」冷却液マニホールド５６にそれぞれ接続される「二次」マニホールド（以下、「二次マニホールド」と称する）とみなすことができる。流入側フィーダライン６４及び流出側フィーダライン６６の外径は、例えば、１１ｍｍである。流入側一次マニホールド５４及び流出側一次マニホールド５６は、以下に示すように、マルチシェル型ＧＩＣミラーの異なるＧＩＣシェル２０に利用される複数の流入側フィーダライン６４及び流出側フィーダライン６６に接続するように構成されている。

【0028】

複数の冷却ライン３０、流入側二次マニホールド４４及び流出側二次マニホールド４６、流入側フィーダライン６４及び流出側フィーダライン６６、流入側一次マニホールド５４及び流出側一次マニホールド５６は、冷却液１００が流入側一次マニホールド５４から流出側一次マニホールド５６に向かって流れる密閉冷却液流路を形成する。冷却液１００は水であることが好ましく、また、脱イオン水であることがさらに好ましい。

【0029】

実施形態の一例において、複数のＧＩＣシェルを離間して保持するように構成される冷却スパイダ２５０（以下、紹介及び議論する）に対してＧＩＣシェル２０を固定するために、流入側フィーダライン６４及び流出側フィーダライン６６上、流入側二次マニホールド４４及び流出側二次マニホールド４６上、または、その接合部上に固定部材８０が設けられる。

【0030】

複数のＧＩＣシェル冷却システム１０は、１つまたは複数個の支持ストラット９０を有してもよい。支持ストラット９０は、冷却ライン３０に対して略垂直に配置されており、ＧＩＣシェル２０の背面２２の反対側において冷却ライン３０に固定されている。以下に示すように、支持ストラット９０は、ＧＩＣシェル冷却システム１０がＧＩＣシェル２０の背面２２周りに移動して、最終的に背面２２上に配置され、そこに熱接触するような所定の構成で冷却ライン３０を支持するように構成されている。

【0031】

図２に示される通り、複数の冷却ライン３０と、複数の支持ストラット９０と、流入側二次マニホールド４４及び流出側二次マニホールド４６と、流入側フィーダライン６４及び流出側フィーダライン６６とから構成される複数のＧＩＣシェル冷却システム１０の一部は、「ミラー冷却アセンブリ」又はＭＣＡ２００を構成する。なお、ＭＣＡ２００は、ＧＩＣシェル２０に接合される前に形成される。冷却ライン３０は、支持ストラット９０と共に冷却ラインアセンブリ（ＣＬＡ）２０１を構成する。図示のために、ＧＩＣシェル２０は、図２において隠れ線で示されている。ＭＣＡ２００は、一旦このように形成されると、ＧＩＣシェルに（場合によっては電気鋳造で）接触するＣＬＡ２０１によってＧＩＣシェル２０に接合される。そして、ＭＣＡ２００は、流入側フィーダライン６４の端部６７および流出側フィーダライン６６の端部６９で、流入側一次マニホールド５４及び流出側一次マニホールド５６に接続される。

【0032】

ＭＣＡ２００は、真空気密状態にすべき多くの接続部２０６を有する。一実施形態において、接続部２０６はロウ付けにより形成されている。ロウ付け接続部２０６を形成し、ＭＣＡ２００及びＧＩＣシェル２０を電気鋳造するためには、ＭＣＡ２００は極めてクリーンである必要性がある。一実施形態において、ＭＣＡ２００は、先ず、組み立てられ、洗浄プロセスに投入される。一実施形態において、洗浄プロセスには、有機物、油分、液体、塵埃等の汚染物質を焼却する「グリーン・ファイヤーリング（ｇｒｅｅｎ ｆｉｒｉｎｇ）」が含まれる。グリーン・ファイヤーリング・プロセスでは、例えば、ＭＣＡ２００を真空状態下８００℃の温度で４時間曝露する。この時点で、ＭＣＡ２００は、手袋を着用し、他のクリーンな環境を配慮して取り扱わなければならない。また、洗浄プロセスでは、グリーン・ファイヤーリング工程に先立ち、例えば、蒸気脱脂、超音波洗浄等を行ってもよい。

【0033】

この時点で、接続部２０６はまだ形成されていない。したがって、一実施形態において、接続部２０６は、水素炉ロウ付けプロセスを利用して合金接合部を形成することによって、真空気密な状態に形成される。このプロセスの一例には、ＭＣＡ２００を真空チャンバに設置することと、真空チャンバを適切な真空状態まで吸引することが含まれる。水素が真空チャンバに加えられ、真空チャンバ内部の温度が上昇する。この環境には酸素が存在しないので、接合部に進入する酸素はなく、接合部が酸化されるおそれは低減される。合金化された接合部を構成するロウ付け材料が融解して、接合部に浸透する。

【0034】

そして、処理済みのＭＣＡ２００は、クリーンな取り扱いにより真空チャンバから取り出され、漏洩チェックされる。ＭＣＡ２００がＧＩＣシェル２０に搬送され、接合される間、クリーンな取り扱いが継続される。なお、一実施形態において、ＧＩＣシェル２０は、第２電気鋳造プロセスにおいて、構造的に支持するために形成されたマンドレル上に残されている。

【0035】

一実施形態において、ＭＣＡ２００をＧＩＣシェル２０に接合するには、ＧＩＣシェル２０をマンドレル上に配置する（及び残す）。それから、ＣＬＡ２０１が、ＧＩＣシェル２０の背面２２に接触するようにＧＩＣシェル２０上に配置される。典型的には、ＧＩＣシェル２０の除去プロセスを促進するために分離層が利用される。そして、全体構造、即ち、ＧＩＣシェル２０及びＭＣＡ２００は、上述の通り、電気鋳造される。一実施形態において、電気鋳造プロセスの均一性を高めるために、ＧＩＣシェル２０及びＭＣＡ２００は電気鋳造タンク（図示せず）内で回転される。

【0036】

電気鋳造プロセスが一旦完了すると、電気鋳造後のＧＩＣシェル２０は、取り付けられたＭＣＡ２００と共にマンドレルから取り外される。また、所定の波長及び予想される放射角度の範囲における鏡面反射率を改善するために、ＧＩＣシェル２０の内面に反射コーティング（図示せず）が塗布される。そして、流入側フィーダライン６４及び流出側フィーダライン６６は、流入側一次マニホールド５４及び流出側一次マニホールド５６にそれぞれ接続される。上記の通り、こうした接続プロセスが極めて重大な問題になり得るのは、ＭＣＡ２００内及びＧＩＣシェル２０まで伝達され得るストレスが発生し、適切に配列された複数のＧＩＣシェル２０が乱れる、または、ＧＩＣシェルもが変形してしまうからである。さらに、ＭＣＡ２００内及びＧＩＣシェル２０まで振動が伝達されるおそれがある。本開示の目的では、振動が、周期的に伝達されるストレスの一形態として考慮される。したがって、以下、詳細に議論するが、本発明の一態様では、こうした接続を形成する際に複数のストレス分断装置が使用される。

【0037】

（冷却スパイダ）
図３に示されるような複数のＧＩＣシェル２０を有するＧＩＣミラー２４０を形成するには、冷却スパイダ２５０を利用して、複数のＧＩＣシェル２０を離間状態で保持する。一実施形態において、複数のＧＩＣシェル２０は、先端縁で支持された状態で、冷却スパイダ２５０にレーザ溶接またはエポキシ接合される。

【0038】

図４は、冷却スパイダ２５０の一例の正面図である。ここで、冷却スパイダ２５０は、内側円形支持リング２５４、外側円形支持リング２５６、両円形支持リング２５４，２５６を接続する複数の放射状スポーク２５８を有する。放射状スポーク２５８は、複数の支持機能部２６０を有している。支持機能部２６０は、内側および外側に配置されるＧＩＣシェル２０の後端縁を収容するようなサイズで形成され配置されている。一実施形態において、複数のＧＩＣシェル２０を複数の放射状スポーク２５８に固定するにあたって、複数のクリップ２５３（図５Ａ参照）が利用される。

【0039】

冷却スパイダ２５０は、流入側冷却液マニホールド２６１及び流出側冷却液マニホールド２６２（以下、「スパイダマニホールド」と称する）を備えている。スパイダマニホールド２６１，２６２は、流入側フィーダライン２６４及び流出側フィーダライン２６４をそれぞれ介して外側円形支持リング２５４に流体接続されている。外側円形支持リング２５４は、複数の放射状スポーク２５８の複数の冷却チャネル（図示せず）を介して内側円形支持リング２５６に流体接続されている。図４には、流入側スパイダマニホールド２６１から冷却スパイダ２５０を介して流出側スパイダマニホールド２６２に向かう冷却液流路２６８の一例が図示されている。複数のストレス分断装置２７０（詳細は以下に示す）は、流入側フィーダライン２６４及び流出側フィーダライン２６６に配置されるように図示されている。複数のストレス分断装置２７０は、流入側スパイダマニホールド２６１及び流出側スパイダマニホールド２６２に外側円形支持リング２５４を流体接続するに際して任意のストレスを実質的に分断（即ち、低減または除去）するために、このように配置される。

【0040】

（ＧＩＣミラーシステム及びストレス分断装置）
図５Ａは、ＧＩＣミラーシステム２４１の一例の斜視図である。ここで、ＧＩＣミラーシステム２４１は、３つのＧＩＣシェル２０を有するＧＩＣミラー２４０を備えている。ＧＩＣシェル２０は、入れ子状に配置され、冷却スパイダ２５０により定位置に保持されている。図５Ｂは、９つのＧＩＣシェル２０を有するＧＩＣミラー２４０の一例の斜視図である。ここで、ＧＩＣシェル２０は、冷却スパイダ２５０によって入れ子状に配置されている。

【0041】

一旦、ＧＩＣシェル２０がＭＣＡ２００に接合されると、ＭＣＡ２００の流入側フィーダライン６４及び流出側フィーダライン６６を流入側一次マニホールド５４及び流出側一次マニホールド５６に動作可能に接続する必要がある。そして、同様に、流入側スパイダマニホールド２６１及び流出側スパイダマニホールド２６２から延びる流入側フィーダライン２６４及び流出側フィーダライン２６６を、それぞれ外側円形支持リング２５４に動作可能に接続する必要がある。

【0042】

このように接続されると、複数のＧＩＣシェル冷却システム１０及び冷却スパイダ２５０に必要な流体通路が形成される一方で、ＭＣＡ２００及び冷却スパイダ２５０に機械的ストレスが生じ得る。このようなストレスにより１つまたは複数個のＧＩＣシェル２０が変形され得る。特に、複数の冷却ライン３０は剛性が高く、これらの冷却ラインが（例えば、流入側二次マニホールド４４及び流出側二次マニホールド４６を介して）流入側一次マニホールド５４及び流出側一次マニホールド５６に固定されると、複数のＧＩＣシェル２０にストレスがかかり、ＧＩＣミラーの性能に悪影響を及ぼし得る。

【0043】

同様に、外側円形支持リング２５４は剛性が高く、流入側フィーダライン２６４及び流出側フィーダライン２６６が外側円形支持リング２５４並びに流入側スパイダマニホールド２６１及び流出側スパイダマニホールド２６２に固定されると、外側円形支持リング２５４にストレスがかかる。そして、このストレスが今度は複数のＧＩＣシェル２０にかかり得る。この事象が特に懸念される。集光器の耐用期間内において、複数のＧＩＣシェル冷却システム１０と当該システムの各マニホールドとを数回にわたって連結および分離する必要があるからである。さらに、アクセス障害のない十分管理されたアセンブリ環境ではなく、複雑且つ密な配列の機構に既にＧＩＣが搭載されている場合、流体接続を強固にする必要があるため、締め付けプロセスにおける力の制御が一層困難である。

【0044】

したがって、再び図５Ａおよび図６を参照すると、本発明の一態様には、流入側フィーダライン６４及び流出側フィーダライン６６を流入側二次マニホールド４４及び流出側二次マニホールド４６に接続する場合、または、流入側フィーダライン２６４及び流出側フィーダライン２６６を流入側スパイダマニホールド２６１及び流出側スパイダマニホールド２６２に接続する場合、ＧＩＣミラーシステム２４１内に少なくとも一つのストレス分断装置２７０を設けて、通常複数のＧＩＣシェル２０に伝達されるストレスの量を低減することが含まれる。ストレス分断装置２７０は、例えば、流入側マニホールド５４及び流出側マニホールド５６とＧＩＣシェル２０との間に配置される。

【0045】

他の例において、複数のストレス分断装置２７０は、流入側一次マニホールド５４及び流出側一次マニホールド５６と、流入側二次マニホールド４４及び流出側二次マニホールド４６との間に位置する。複数のストレス分断装置２７０は、例えば、それぞれ、流入側一次マニホールド５４及び流出側一次マニホールド５６と、対応する流入側フィーダライン６４及び流出側フィーダライン６６との間に配置されている。他の実施形態では、複数のストレス分断装置２７０は、流入側フィーダライン６４及び流出側フィーダライン６６の中、あるいは、流入側フィーダライン６４及び流出側フィーダライン６６の一端または両端６７，６９に配置されている。

【0046】

他の実施形態において、例えば、図５ＡのＧＩＣミラーシステム２４１の一例に図示されるように、複数のストレス分断装置２７０は、それぞれ、入流側スパイダマニホールド２６１と流出側スパイダマニホールド２６２との間の流入側フィーダライン２６４及び流出側フィーダライン２６６に配置されている。関連する実施形態において、複数のストレス分断装置２７０は、流入側フィーダライン２６４及び流出側フィーダライン２６６の一端または両端に配置されている。

【0047】

一般的に、複数のストレス分断装置２７０は、ＧＩＣミラーシステム２４１の一部からＧＩＣミラー２４０の１つまたは複数個のＧＩＣシェル２０にかかるストレスを実質的に分断（即ち、低減または防止）する箇所であれば、ＧＩＣミラーシステム２４１内の如何なる場所に配置されてもよい。

【0048】

図６は、ＧＩＣミラーシステム２４１の一例における流入側一次マニホールド５４及び流出側一次マニホールド５６の端部の拡大図である。この図では、複数のストレス分断装置２７０が、それぞれ流入側フィーダライン６４及び流出側フィーダライン６６内に配置され、複数の冷却ライン３０と流入側一次マニホールド５４及び流出側一次マニホールド５６との間に位置する一構成を図示している。

【0049】

（ストレス分断装置の例）
図７は、ストレス分断装置２７０の一例および２つの流体導通部材２８２，２８３の分解側面図である。ストレス分断装置２７０は、伸縮可能部材（Ｅ／Ｃ部材）２７１、中心軸ＡＸ、両端２７２，２７３および外側面２７４を有する。Ｅ／Ｃ部材２７１は、例えば、蛇腹形態である。蛇腹型Ｅ／Ｃ部材２７１の素材としては、例えば、ステンレス鋼（例えば、３０４ステンレス鋼）が挙げられる。

【0050】

Ｅ／Ｃ部材２７１は、必要に応じて屈曲する共に軸方向に伸縮するように構成されている。Ｅ／Ｃ部材２７１は、一般的には、流体導通部材２８２，２８３（例えば、複数の冷却ライン、複数のフィーダライン、複数の冷却液マニホールド等）に接続される場合に、端２７２から端２７３に伝達されるストレスの量を低減、若しくは、こうしたストレスの伝達を防止するように構成されている。Ｅ／Ｃ部材２７１は、中空内部２７５を有している。Ｅ／Ｃ部材２７１が流体導通部２８２、２８３に接続された場合、冷却液１００が端２７２から中空内部２７５を通って端２７３に通過することができる。端２７２，２７３は、ＧＩＣミラーシステム２４１中のフィーダライン、冷却ライン、その他の種類の流体導通部を受けるように構成されている。

【0051】

図８は、ストレス分断装置２７０の一例の断面図である。ここで、ストレス分断装置２７０は、外側面２７４Ａを有する内側Ｅ／Ｃ部材２７１Ａを備えている。内側Ｅ／Ｃ部材２７１Ａは、外側面２７４Ｂを有する外側Ｅ／Ｃ部材２７１Ｂから離間し、且つ、外側Ｅ／Ｃ部材２７１Ｂによって取り囲まれている。内側および外側Ｅ／Ｃ部材２７１Ａ，２７１Ｂは、内部チャンバ２８８を形成する。内部チャンバ２８８は、各端２７２，２７３において各密閉部材２８４によって密閉されている。内側Ｅ／Ｃ部材２７１Ａは、端２７２，２７３が開口する上述の中空内部２７５を形成する。このため、冷却液１００は、中空内部２７５の一端から他端へ流れることができる。

【0052】

冷却液１００がストレス分断装置２７０を流れると、流体圧力が形成され、Ｅ／Ｃ部材２７１が軸方向に伸張する。ストレス分断装置２７０の一例では、こうした軸方向の伸張の程度を制限するために、伸張制限部材２９０が備えられている。伸張制限部材２９０は、内側Ｅ／Ｃ部材２７１Ａの軸方向の伸張量が制限されるように構成されると共に配置される。図９に示される一実施形態において、伸張制限部材２９０は、内側Ｅ／Ｃ部材２７１Ａの外側面２７４Ａを取り囲むメッシュを備えている。

【0053】

一実施形態において、メッシュ型伸張制限部材２９０はステンレス鋼からなる。メッシュ型伸張制限部材２９０は、内側Ｅ／Ｃ部材２７１Ａの周りに緩く装着されている。このとき、内側Ｅ／Ｃ部材２７１Ａは、ニュートラルな状態または圧縮された状態にあるが、中空内部２７５を流れる冷却液の圧力により拡張力に曝されて伸張する場合には、所定量を超える伸張を制限する。

【0054】

一実施形態において、特に伸張制限部材２９０をその材料特性のために内部チャンバ内に密閉する必要がある場合、内部チャンバ２８８には、ヘリウム、窒素等の気体が充填される。例えば、メッシュ形態の伸張制限部材２９０は、典型的には、潜在的な汚染物質源となっている。メッシュ形態の伸張制限部材２９０は、後に半導体装置を製造するためのクリーンな環境に放出され得る汚染物質を収集するおそれがあるからである。このようなメッシュを内部チャンバ２８８内に密閉することにより、メッシュが汚染物質を収集し、後に周囲の環境に汚染物質を放出することを防止する。一実施形態において、上記気体は不活性ガスである。

【0055】

ここで再度言及するが、ストレス分断装置２７０は、複数のフィーダラインを介してＧＩＣシェル２０に振動（即ち、周期的ストレス）が伝達するのを抑制または隔絶する役割も果たす。
（ＥＵＶリソグラフィシステム）

【0056】

図１０は、本発明に係るＥＵＶリソグラフィシステム（リソグラフィシステム）３００の一例である。リソグラフィシステム３００は、例えば、米国特許出願第ＵＳ２００４／０２６５７１２Ａ１号、ＵＳ２００５／００１６６７９Ａ１号、ＵＳ２００５／０１５５６２４Ａ１号に開示されており、当該出願は本出願に援用される。

【0057】

リソグラフィシステム３００は、システム軸ＡＳおよびＥＵＶ光源ＬＳを備えている。ＥＵＶ光源ＬＳは、例えば、ホットプラズマ源であり、λ＝１３．５ｎｍの作用ＥＵＶ３０を放出する。ＥＵＶ３０２は、電気放電源（例えば、放電生成プラズマ源またはＤＰＰ源）またはレーザ光線（レーザ生成プラズマ源またはＤＰＰ源）によって、例えば、リチウム、キセノン、スズの何れかのターゲット上に生成される。このようなＬＰＰ源から放射されたＥＵＶ３０２は略等方性であってもよい。現在のＤＰＰ源では、ＥＵＶ３０２は放電電極によってシステム軸ＡＳから約θ＝６０°以上の光源照射角に限定されている。なお、ＬＰＰ源の等方性はターゲットペレットの質量に依存する。比較的質量の大きなターゲットの場合、放射は異方性であり、ターゲット質量による順方向の吸収のため、放射される放射線の殆どがレーザ光線に戻る。質量が小さなＬＰＰターゲットの場合、ＬＰＰターゲットがレーザによって略全体的にイオン化されるので、放射は等方性にかなり近い。

【0058】

リソグラフィシステム３００は、冷却ＧＩＣミラー２４０を有するＧＩＣミラーシステム２４１を備えている。ＧＩＣミラーシステム２４１は、上記の通り、少なくとも一つのストレス分断装置２７０を備えている。ストレス分断装置２７０は、ＧＩＣミラーシステム２４１の内部に配置されており、ＧＩＣミラーシステム２４１の部分間におけるストレスの伝達を低減する。ＧＩＣミラーシステム２４１は、ＥＵＶ光源ＬＳの近傍且つ下流に、ＧＩＣシェル２０の中心軸ＡＣがシステム軸ＡＳに沿うようにして配置されている。ＧＩＣミラー２４０は、光源焦点に位置するＥＵＶ光源ＬＳからの作用ＥＵＶ３０２（即ち、光線ＬＲ）を集光する。集光された放射光線は、中間焦点ＩＦに中間光源像ＩＳを形成する（図３を参照）。複数のＧＩＣシェル冷却システム１０及びスパイダ冷却システム（図１及び図４を参照）では、ＥＵＶ光源ＬＳによる加熱がＧＩＣミラーシステム２４１の性能に対して実質的に悪影響を及ぼさないように、ＧＩＣミラーシステム２４１の熱管理が行われる。

【0059】

照明システム３１６は、入射端３１７および出射端３１８を有する。照明システム３１６は、ＧＩＣミラーシステム２４１の近傍且つ下流において、入射端３１７がＧＩＣミラー２４０側に位置するように、システム軸ＡＳに沿って配置されている。照明システム３１６は、入射端３１７において、中間光源像ＩＳからのＥＵＶ３０２を受光し、出射端３１８において略均一なＥＵＶ光線３２０（即ち、凝縮ＥＵＶ）を出射する。リソグラフィシステム３００がスキャン型システムである場合、ＥＵＶ光線３２０は、典型的には、反射レチクル３３６を走査する略均一なライン状のＥＵＶ３０２として、反射レチクル３３６上に形成される。

【0060】

投影光学システム３２６は、（屈折した）システム軸ＡＳに沿って、照明システム３１６の下流に配置されている。投影光学システム３２６は、照明システム３１６の出射端３１８に対向する入射端３２７と、その反対側の出射端３２８とを有する。反射レチクル３３６は、投影光学システム３２６の入射端３２７に隣接して配置されている。半導体ウエハ３４０は、投影光学システム３２６の出射端３２８に隣接して配置されている。反射レチクル３３６は、ウエハ３４０に転写されるパターン（図示せず）を有する。半導体ウエハ３４０は、感光性コーティング（例えば、フォトレジスト層）３４２を有する。

【0061】

動作時において、均一化されたＥＵＶ光線３２０は、反射レチクル３３６を照射し、反射レチクル３３６によって反射される。そして、投影光学システム３２６によって、半導体ウエハ３４０の感光性コーティング３４２の表面上に、レチクル３３６上のパターンが結像される。リソグラフィシステムシステム３００では、レチクル像が感光性コーティング３４２の表面上を走査し、露光フィールド上にパターンが形成される。典型的には、反射レチクル３３６と半導体ウエハ３４０とを同期させて移動させることにより、走査が実行される。

【0062】

レチクルパターンが一旦、半導体ウエハ３４０に結像され、記録されると、パターン化された半導体ウエハ３４０は、標準的なフォトリソグラフィ技術及び半導体プロセス技術を使用して処理される。その結果、複数の集積回路（ＩＣ）チップが形成される。

【0063】

なお、一般的にリソグラフィシステム３００の構成要素は、共通の屈折したシステム軸ＡＳに沿って配置されることが図１０に示されている。当業者であれば、例えば、照明システム３１６や投影光学システム３２６の様々な構成要素の入口軸及び出口軸がオフセットされる場合もあり得ることは、理解される。

【0064】

当業者には明白であるが、本発明の 精神及び範囲を逸脱することなく、本発明に対して様々な修正及び変更を加えることができる。したがって、本発明は、添付の特許請求の範囲及びその均等範囲内において本発明の修正及び変更を包含する。

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5A】

【図5B】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】