特許 5706945 ＮＡＮＤ欠陥管理装置、方法、システム

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】特許公報(B2)

(11)【特許番号】5706945

(24)【登録日】2015年3月6日

(45)【発行日】2015年4月22日

(54)【発明の名称】ＮＡＮＤ欠陥管理装置、方法、システム

(51)【国際特許分類】

   G06F 12/16 20060101AFI20150402BHJP

   G06F 12/02 20060101ALI20150402BHJP

   G06F 12/00 20060101ALI20150402BHJP

【ＦＩ】

   G06F12/16 310R

   G06F12/02 570A

   G06F12/00 597U

【請求項の数】14

【全頁数】30

(21)【出願番号】特願2013-222626(P2013-222626)

(22)【出願日】2013年10月25日

(62)【分割の表示】特願2009-550939(P2009-550939)の分割

【原出願日】2008年2月26日

(65)【公開番号】特開2014-41648(P2014-41648A)

(43)【公開日】2014年3月6日

【審査請求日】2013年10月25日

(31)【優先権主張番号】11/710,794

(32)【優先日】2007年2月26日

(33)【優先権主張国】US

(73)【特許権者】

【識別番号】595168543

【氏名又は名称】マイクロン テクノロジー， インク．

(74)【代理人】

【識別番号】100106851

【弁理士】

【氏名又は名称】野村 泰久

(74)【代理人】

【識別番号】100074099

【弁理士】

【氏名又は名称】大菅 義之

(72)【発明者】

【氏名】マーレイ，マイケル

【審査官】 野田 佳邦

(56)【参考文献】

【文献】 国際公開第２００５／０６６９７４（ＷＯ，Ａ１）

【文献】 特開２００６−２０９６０８（ＪＰ，Ａ）

(58)【調査した分野】（Int.Cl.，ＤＢ名）

Ｇ０６Ｆ １２／００−１２／０６

Ｇ０６Ｆ １２／１６

(57)【特許請求の範囲】

【請求項1】

基準消去ブロックグループを含む複数の消去ブロックグループを有し、前記複数の消去ブロックグループのそれぞれは複数の消去ブロックを含み、各消去ブロックは、それぞれの消去ブロックグループ内において一意的な消去ブロック番号によって識別され、前記複数の消去ブロックのうち少なくとも１つの他の消去ブロックグループの中の対応する消去ブロックの消去ブロック番号と一致する、メモリデバイスと、
メモリデバイスのシステム領域に格納されるマッピングテーブルであって、前記基準消去ブロックグループのうち欠陥のない消去ブロックを識別する消去ブロック番号と、前記基準消去ブロックグループ以外の複数の消去ブロックグループの少なくとも１つにおける欠陥のない消去ブロックを識別する消去ブロック番号とを、グループアドレス番号に対応させて格納する、マッピングテーブルと、
前記グループアドレス番号の範囲のうちのそれぞれ１つに関連付けられ、前記マッピングテーブルへのオフセット値を含み、ターゲットグループアドレス番号を前記グループアドレス番号の範囲を示すスパンで割算したときの商の整数部分を前記オフセット値として検索されるインデックステーブルと、
を含み、
前記マッピングテーブルから前記ターゲットグループアドレス番号を検索するときに、前記オフセット値に基づいて検索する、装置。

【請求項2】

前記メモリデバイスの前記複数の消去ブロックは複数の消去ブロックグループにグループ化され、前記消去ブロックグループは、第１の再マップグループと第２の再マップグループとを含み、
前記第１の再マップグループは、前記複数の消去ブロックグループの中の前記基準消去ブロックグループの欠陥ではない消去ブロックと第２の消去ブロックグループの欠陥ではない消去ブロックとを含み、前記基準消去ブロックグループの前記欠陥ではない消去ブロックと前記第２の消去ブロックグループの前記欠陥ではない消去ブロックとは異なる消去ブロック番号を有し、
前記第１の再マップグループは、前記第２の消去ブロックグループが欠陥消去ブロックを含み、且つ当該消去ブロックと前記基準消去ブロックグループの前記欠陥ではない消去ブロックとが同じ消去ブロック番号を有するかの判定に基づいて形成され、
前記第２の再マップグループは、前記複数の消去ブロックグループの中の前記基準消去ブロックグループの欠陥ではない消去ブロックと第２の消去ブロックグループの欠陥ではない消去ブロックとを含み、前記基準消去ブロックグループの前記欠陥ではない消去ブロックと前記第２の消去ブロックグループの前記欠陥ではない消去ブロックとは異なる消去ブロック番号を有し、
前記第２の再マップグループは、前記基準消去ブロックグループが欠陥消去ブロックを含み、且つ前記基準消去ブロックグループの前記欠陥消去ブロックと前記第２の消去ブロックグループの前記欠陥ではない消去ブロックとが同じ消去ブロック番号を有するかの判定に基づいて形成される、請求項１記載の装置。

【請求項3】

前記マッピングテーブルは前記グループアドレス番号を含むグループアドレスを格納するためのものである、ことを特徴とする請求項１記載の装置。

【請求項4】

前記メモリデバイスは、ＮＡＮＤフラッシュメモリデバイスを含む、ことを特徴とする請求項１記載の装置。

【請求項5】

前記複数の消去ブロックグループのそれぞれは、異なるダイに配置され、かつ、前記異なるダイのそれぞれは、前記メモリデバイスを形成するために物理的に堆積される、ことを特徴とする請求項１記載の装置。

【請求項6】

前記メモリデバイスに接続されるプロセッサを更に含む、ことを特徴とする請求項１記載の装置。

【請求項7】

ターゲットグループアドレスが、マッピングテーブルに格納されたグループアドレスに一致するかどうかを決定するときに、前記ターゲットグループアドレスの範囲のうちのそれぞれ１つに関連付けられ、前記マッピングテーブルへのオフセット値を含み前記ターゲットグループアドレスの番号を前記グループアドレスの番号の範囲を示すスパンで割算したときの商の整数部分を前記オフセット値としてインデックステーブルから検索し、前記オフセット値に基づいて決定し、
一致が見つかった場合、前記ターゲットグループアドレスに一致する第一のグループアドレスを有する、前記マッピングテーブルによって示される第一の複数の消去ブロックに対してメモリ動作を実施し、
前記第一の複数の消去ブロックは、基準消去ブロックグループを含む複数の消去ブロックグループから選択される複数の消去ブロックを含み、前記複数の消去ブロックグループのそれぞれは複数の消去ブロックを含み、前記複数の消去ブロックのそれぞれは、それぞれの消去ブロックグループ内において一意的な消去ブロック番号であり、且つ前記複数の消去ブロックグループの少なくとも１つの他の消去ブロックグループの中の対応する消去ブロックの消去ブロック番号と一致する消去ブロック番号によって識別され、
前記第一の複数の消去ブロックは、前記基準消去ブロックグループ由来の欠陥ではない消去ブロックの一つと、前記基準消去ブロックグループ以外の前記複数の消去ブロックグループのそれぞれ由来の欠陥ではない消去ブロックの一つとを含み、
前記基準消去ブロックグループ以外の前記複数の消去ブロックグループ由来の少なくとも１つの欠陥ではない消去ブロックは、前記基準消去ブロックグループにおける欠陥消去ブロックを識別する消去ブロック番号と一致する消去ブロック番号によって識別される、方法。

【請求項8】

前記複数の消去ブロックは複数の消去ブロックグループにグループ化され、前記消去ブロックグループは、第１の再マップグループと第２の再マップグループとを含み、
前記第１の再マップグループは、前記複数の消去ブロックグループの中の前記基準消去ブロックグループの欠陥ではない消去ブロックと第２の消去ブロックグループの欠陥ではない消去ブロックとを含み、前記基準消去ブロックグループの前記欠陥ではない消去ブロックと前記第２の消去ブロックグループの前記欠陥ではない消去ブロックとは異なる消去ブロック番号を有し、
前記第１の再マップグループは、前記第２の消去ブロックグループが欠陥消去ブロックを含み、且つ当該消去ブロックと前記基準消去ブロックグループの前記欠陥ではない消去ブロックとが同じ消去ブロック番号を有するかの判定に基づいて形成され、
前記第２の再マップグループは、前記複数の消去ブロックグループの中の前記基準消去ブロックグループの欠陥ではない消去ブロックと第２の消去ブロックグループの欠陥ではない消去ブロックとを含み、前記基準消去ブロックグループの前記欠陥ではない消去ブロックと前記第２の消去ブロックグループの前記欠陥ではない消去ブロックとは異なる消去ブロック番号を有し、
前記第２の再マップグループは、前記基準消去ブロックグループが欠陥消去ブロックを含み、且つ前記基準消去ブロックグループの前記欠陥消去ブロックと前記第２の消去ブロックグループの前記欠陥ではない消去ブロックとが同じ消去ブロック番号を有するかの判定に基づいて形成される、請求項７記載の方法。

【請求項9】

前記第一のグループアドレスは、前記第一の複数の消去ブロックに含まれる前記基準消去ブロックグループ由来の前記消去ブロックの消去ブロック番号と一致する、ことを特徴とする請求項７記載の方法。

【請求項10】

一致が見つからない場合、前記ターゲットグループアドレスに一致する第二のグループアドレスを有する第二の複数の消去ブロックに対してメモリ動作を実施するステップを含み、前記第二の複数の消去ブロックは、前記基準消去ブロックグループを含む前記複数の消去ブロックグループから選択され、かつ、前記複数の消去ブロックグループのそれぞれ由来の、同一の消去ブロック番号を有する、欠陥ではない消去ブロックを一つ含む、ことを特徴とする請求項７記載の方法。

【請求項11】

前記第二のグループアドレスは、前記第二の複数の消去ブロックに含まれる前記基準消去ブロックグループ由来の前記消去ブロックの消去ブロック番号と一致する、ことを特徴とする請求項１０記載の方法。

【請求項12】

基準消去ブロックグループを含む前記複数の消去ブロックグループに含まれる各消去ブロックのための状態指示を提供するステップを更に含み、前記状態指示は、欠陥を示す指示値、若しくは欠陥ではないことを示す指示値のどちらかを有する、ことを特徴とする請求項７記載の方法。

【請求項13】

携帯電話であって、前記携帯電話に含まれるセンサへ画像を提供するための画像化デバイス、及びレンズを含む、携帯電話と、
前記画像を格納するためのフラッシュメモリデバイスであって、前記フラッシュメモリデバイスは、基準消去ブロックグループを含む複数の消去ブロックグループを有し、前記複数の消去ブロックグループのそれぞれは複数の消去ブロックを含み、各消去ブロックは、それぞれの消去ブロック内において一意的な消去ブロック番号によって識別され、前記複数の消去ブロックのうち少なくとも１つの他の消去ブロックグループの中の対応する消去ブロックの消去ブロック番号と一致する、メモリデバイスと、
メモリデバイスのシステム領域に格納されるマッピングテーブルであって、前記基準消去ブロックグループのうち欠陥のない消去ブロックを識別する消去ブロック番号と、前記基準消去ブロックグループ以外の複数の消去ブロックグループの少なくとも１つにおける欠陥のない消去ブロックを識別する消去ブロック番号とを、グループアドレス番号に対応させて格納する、マッピングテーブルと、
前記グループアドレス番号の範囲のうちのそれぞれ１つに関連付けられ、前記マッピングテーブルへのオフセット値を含み、ターゲットグループアドレス番号を前記グループアドレス番号の範囲を示すスパンで割算したときの商の整数部分を前記オフセット値として検索されるインデックステーブルと、
を含み、
前記マッピングテーブルから前記ターゲットグループアドレス番号を検索するときに、前記オフセット値に基づいて検索する、システム。

【請求項14】

前記メモリデバイスの前記複数の消去ブロックは複数の消去ブロックグループにグループ化され、前記消去ブロックグループは、第１の再マップグループと第２の再マップグループとを含み、
前記第１の再マップグループは、前記複数の消去ブロックグループの中の前記基準消去ブロックグループの欠陥ではない消去ブロックと第２の消去ブロックグループの欠陥ではない消去ブロックとを含み、前記基準消去ブロックグループの前記欠陥ではない消去ブロックと前記第２の消去ブロックグループの前記欠陥ではない消去ブロックとは異なる消去ブロック番号を有し、
前記第１の再マップグループは、前記第２の消去ブロックグループが欠陥消去ブロックを含み、且つ当該消去ブロックと前記基準消去ブロックグループの前記欠陥ではない消去ブロックとが同じ消去ブロック番号を有するかの判定に基づいて形成され、
前記第２の再マップグループは、前記複数の消去ブロックグループの中の前記基準消去ブロックグループの欠陥ではない消去ブロックと第２の消去ブロックグループの欠陥ではない消去ブロックとを含み、前記基準消去ブロックグループの前記欠陥ではない消去ブロックと前記第２の消去ブロックグループの前記欠陥ではない消去ブロックとは異なる消去ブロック番号を有し、
前記第２の再マップグループは、前記基準消去ブロックグループが欠陥消去ブロックを含み、且つ前記基準消去ブロックグループの前記欠陥消去ブロックと前記第２の消去ブロックグループの前記欠陥ではない消去ブロックとが同じ消去ブロック番号を有するかの判定に基づいて形成される、請求項１３記載のシステム。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

［関連出願］
本特許出願は、本明細書に参照として組み入れられている、２００７年２月２６日に提出された、Ｕ．Ｓ．ＡｐｐｌｉｃａｔｉｏｎＮｏ．１１／７１０，７９４の優先権を享受する利益を主張する。

【0002】

［技術分野］
本明細書に記述されている種々の実施形態は、一般的には不揮発性メモリデバイスに関し、不揮発性メモリデバイスと併用される欠陥管理を含む。

【背景技術】

【0003】

メモリデバイスは、二つの大まかな領域へと類別されうる。それは、揮発性、及び不揮発性である。揮発性メモリデバイスは、データを保持するために電力を必要とするが、不揮発性メモリは、電力供給なくしてデータを保持することが可能である。不揮発性メモリの実施例は、フラッシュメモリであり、フラッシュメモリは、チップに情報を保持するために電力の必要なく半導体デバイスにおいて情報を格納する。

【0004】

フラッシュメモリは、ＮＯＲデバイス、若しくはＮＡＮＤデバイスのいずれかを使用して形成されうる。ＮＡＮＤフラッシュは、シングルレベルセル（ＳＬＣ）若しくはマルチレベルセル（ＭＬＣ）のいずれかの構造でありうる。ＭＬＣＮＡＮＤフラッシュは、ＳＬＣ ＮＡＮＤフラッシュと比較して、より高密度のメモリデバイスを可能にする。なぜなら、各メモリセルにおいて、二つ、若しくはそれ以上のデータビットを格納することが可能だからである。

【0005】

ＮＡＮＤフラッシュメモリデバイスのようなメモリデバイスにおいて実行される、種々のメモリ動作は、同一の動作中に、メモリデバイスの全ての部分において実施される必要がある。例えば、ＮＡＮＤフラッシュメモリにおける消去動作を実施する際、消去動作は、同一の動作の一部として、消去ブロックと呼ばれることもあるメモリの全ブロックで実施される必要がありうる。単一のブロックとして動作しうる消去ブロックのグループを形成するために、一つ以上の消去ブロックを一つにまとめることは、メモリ動作を迅速化させ、メモリデバイスの消去ブロックをこのようにグループ化することを含む動作を管理し追跡するために必要とされるオーバーヘッド（経費）を軽減しうる。しかしながら、消去ブロックをグループ化することを含む幾つかの実施例においては、グループ内の消去ブロックのいずれか一つが欠陥であることが決定される場合、若しくは、グループ内の消去ブロックのいずれか一つがメモリの寿命においてしばらくしてから故障する場合、欠陥消去ブロックを含む消去ブロックの全グループが、欠陥ブロックとして標示される。消去ブロックのグループを含むこれらの欠陥ブロックは、いかなるメモリ動作においても、このメモリを使用する単一のデバイス、若しくは複数のデバイスによって使用されない。これによって、メモリアレイにおいてメモリを無駄にする結果となる。つまりは、欠陥消去ブロックとともにグループ化された正常な消去ブロックを無駄にすることを含む。

【0006】

欠陥ではない消去ブロックだけを含む、使用可能なグループへと正常な消去ブロックを再度グループ化し、ひいてはこれらの消去ブロックの使用を再び可能にするための種々のスキームが実施されうる。しかしながら、これらのスキームは、消去ブロックを試験して位置を定める際に実施することが複雑になる可能性があり、実際のメモリ動作中のこれらのスキームの管理に関連するオーバーヘッドは、大量のリソース、及び処理時間を必要とし、それによって、これらのスキームの一つ以上を組み込むメモリアレイを含むデバイスの速度を遅延させ、他の性能特性を失わせることにつながりうる。したがって、単純に実施でき、メモリアレイにおいて実施されるメモリ動作を管理するために必要とされるリソース、及びオーバーヘッドの量を軽減するような、メモリアレイにおいて消去ブロックをグループ化することが可能な、改良された装置、方法、及びシステムが必要である。

【図面の簡単な説明】

【0007】

【図1】図１は、本発明の種々の実施形態に係るシステムのブロック図である。

【図2】図２は、本発明の種々の実施形態に係るメモリデバイスの機能的なブロック図である。

【図3】図３は、本発明の種々の実施形態に係る、マッピングテーブルである。

【図4】図４は、本発明の種々の実施形態に係る、インデックステーブルである。

【図5】図５は、本発明の種々の実施形態に係る、幾つかの方法を示すフロー図である。

【発明を実施するための形態】

【0008】

種々の装置、方法、及びシステムは、一つ以上の欠陥消去ブロックが、フラッシュメモリデバイス、若しくはＮＡＮＤフラッシュメモリデバイスのようなメモリデバイスにおいて存在する際、消去ブロックのグループ化を実施するための単純な方法を含むよう、本明細書に記述される。本明細書に記述される種々の実施形態の装置、方法、及びシステムは、消去ブロックの一つ以上のグループへと複数の消去ブロックを一体化するステップを備える。種々の実施形態においては、これらのグループ化は欠陥ではない消去ブロックのみを含む。種々の実施形態においては、全てのグループ化は同一サイズから成り、同数の消去ブロックを含む。このような消去ブロックのグループ化は、本明細書に記述されるような一つ以上の種々の実施形態を使用するメモリアレイにおいてメモリ動作を実施するために必要とされるオーバーヘッド管理を最小化しながら、いかに消去ブロックがグループ化されるかを決定するのに使用されるスキームの複雑性を最小化する。

【0009】

図１は、本発明の種々の実施形態に係るシステムのブロック図である。図１は、本発明の種々の実施形態に係るシステム１００のブロック図を含む。

【0010】

幾つかの実施形態においては、システム１００は、プロセッサ１１６、及びメモリデバイス１６０を含む。プロセッサ１１６は、いかなる特定のタイプのプロセッサにも限定されない。プロセッサ１１６は、基板１０８において形成されうるが、実施形態は基板１０８において形成されるプロセッサ１１６に限定されることなく、及び／または、メモリデバイス１６０、若しくは画像センサ１０３を含む基板１０８において形成されるプロセッサ１１６に限定されることはない。プロセッサ１１６はメモリ１１７を含み、メモリ１１７は、いかなる特定のタイプのメモリにも限定されず、揮発性タイプのメモリ、及び不揮発性タイプのメモリを含み、かつ、キャッシュメモリを含みうる。種々の実施形態においては、メモリ１１７は、センサ１０１によって提供される電子信号を格納するために使用されうる。種々の実施形態においては、メモリ１１７は、本明細書に記述される種々の実施形態に含まれるように、マッピングテーブル、インデックステーブル、若しくは、マッピングテーブルとインデックステーブルの両方を格納しうる。種々の実施形態においては、プロセッサ１１６は、バスを含みうるインターコネクト１３４を含む、一つ以上のインターコネクトを介して、基板１０８における複数の電子回路へと接続されうる。

【0011】

幾つかの実施形態においては、メモリデバイス１６０は、インターコネクト１６３を介してメモリサポート回路１６４に接続されるメモリアレイ１６１を含む。メモリアレイ１６１は、いかなる特定のタイプのメモリアレイにも限定されず、かつ、ＮＡＮＤフラッシュメモリを含む不揮発性メモリを含みうる。種々の実施形態においては、メモリアレイ１６１は、複数の消去ブロックへと体系化されうる。種々の実施形態においては、これらの消去ブロックは更に、本明細書に記述されるように、複数の消去ブロックグループへと体系化されうる。サポート回路は、列アドレスデコーダ回路及び行アドレスデコーダ回路と、メモリアレイ１６１へデータを書き込み、メモリアレイ１６１からのデータ出力を提供するためのドライバ回路と、メモリサポート回路１６４が、インターコネクト１３４及び１６３において受信され、提供される信号を処理することを可能にするためのインターフェイス回路とを含む。メモリサポート回路１６４は、メモリ１６５をも含みうる。種々の実施形態においては、メモリ１６５は、本明細書に記述される種々の実施形態と併せて記述されるように、マッピングテーブル、インデックステーブル、若しくは、マッピングテーブルとインデックステーブルの両方を含む。

【0012】

システム１００は、画像センサ１０３を含みうる。画像センサ１０３は、いかなる特定のタイプの画像センサにも限定されず、かつ、可視光を含むが、それに限定されることはない電磁気的放射を検知することが可能な、いかなるタイプの画像センサをも含みうる。種々の実施形態においては、画像センサは、センサ１０１、及びセンササポート回路１４４を含む。画像センサ１０３は、デジタルカメラ１０２、携帯電話１０４、若しくは、ビデオ画像を捕捉するために使用されうるビデオレコーダ１０６のような、デバイスの一部としてシステム１００において含まれうる。種々の実施形態においては、システム１００は、システム１００内に、光１５２、若しくは他の波長の電磁気的放射の焦点を合わせるためのレンズ１５４を含む。システム１００は、基板１０８において提供される一つ以上の電子回路を含みうる。種々の実施形態においては、レンズ１５４は、基板１０８において提供される電子回路の一部として形成される。

【0013】

種々の実施形態においては、センサ１０１は、一連の行、及び列に配列される、複数の相補性金属酸化膜半導体（ＣＭＯＳ）画像センサを含む。実施形態は、特定数のＣＭＯＳ画像センサに限定されず、または、特定数の行、若しくは特定数の列のセンサにも限定されることはない。種々の実施形態においては、センサ１０１は、１００万個を超えるＣＭＯＳ画像センサを含みうる。

【0014】

種々の実施形態においては、システム１００は、ディスプレイ１１２を含む。ディスプレイ１１２は、いかなる特定のタイプのディスプレイにも限定されない。種々の実施形態においては、ディスプレイ１１２は、プラズマディスプレイ、若しくは発光ダイオード（ＬＥＤ）ディスプレイを含みうる。種々の実施形態においては、ディスプレイ１１２は、タッチスクリーン、若しくは、使用者がシステム１００へとデータを入力することを可能にする他のタイプのデバイスを含みうる。種々の実施形態においては、ディスプレイ１１２は、インターコネクト１３０を介して、基板１０８における少なくとも一つの回路へと接続されうる。種々の実施形態においては、ディスプレイ１１２は、インターコネクト１３０を介して、プロセッサ１１６へと接続されうる。

【0015】

幾つかの実施形態においては、システム１００は、キーパッド１１４を含む。キーパッド１１４は、いかなる特定のタイプのキーパッドにも限定されない。種々の実施形態においては、キーパッド１１４は、キーパッド１１４に含まれる一つ以上のキーに含まれる、いかなる文字列、文字、若しくは符号をも光で照射するためのバックライトを有するキーパッドを含む。種々の実施形態においては、キーパッド１１４は、インターコネクト１３２を介して、基板１０８における少なくとも一つの回路へと接続されうる。種々の実施形態においては、キーパッド１１４は、インターコネクト１３２を介して、プロセッサ１１６へと接続されうる。

【0016】

種々の実施形態においては、システム１００は、インターコネクト１３６を介して、プロセッサ１１６へと接続されるＩ／Ｏ接続１１８を含む。Ｉ／Ｏ接続１１８、及びインターコネクト１３６は、いかなる特定のタイプのデバイスにも限定されず、Ｉ／Ｏ接続１１８、及びインターコネクト１３６を介して、（示されていない）外部デバイスへとプロセッサ１１６を接続するために使用されるいかなるタイプのデバイスでもありうる。幾つかの実施形態においては、Ｉ／Ｏ接続１１８は、（示されていない）一つ以上の外部デバイス、若しくはインターネットのようなネットワークへと、システム１００を通信可能なように接続するためのワイヤレス接続を含む。種々の実施形態においては、Ｉ／Ｏ接続１１８は、インターコネクト１３８を介して、ポート１２０へと接続される。ポート１２０は、いかなる特定のタイプのポートにも限定されず、（示されていない）一つ以上の外部デバイス、若しくはインターネットを含むネットワークへと、システム１００を接続するために使用される、いかなるタイプのポートでもありうる。種々の実施形態においては、Ｉ／Ｏ接続１１８は、おそらくはトランシーバを使用して、システム１００において信号を受信するため、システム１００からの信号を伝送するため、若しくは、システム１００からの信号を受信する、かつシステム１００への信号を伝送する両方のため、アンテナ１１９へと接続される。

【0017】

動作においては、プロセッサ１１６は、メモリデバイス１６０に関する一つ以上のメモリ動作を実施するための命令を使用して動作しうる。これらのメモリ動作は、メモリアレイ１６１の一部を消去すること、メモリアレイ１６１の一つ以上の部分からデータを読み出すこと、メモリアレイ１６１へとデータを書き込むことを含みうる。種々の実施形態においては、一つ以上のこれらのメモリ動作、若しくは他のいかなるメモリ動作も、本明細書において含まれる種々の実施形態において記述されるように、ともにグループ化された消去ブロックのグループに実施される。種々の実施形態においては、メモリサポート回路１６４は、メモリアレイ１６１に実施されるメモリ動作を制御するため、プロセッサ１１６と併せて動作する。

【0018】

インターコネクト１３０、１３２、１３４、１３６、１３８、１４３、及び１６３は、いかなる特定のタイプのインターコネクトにも限定されない。インターコネクト１３０、１３２、１３４、１４３、及び１６３は、次のいかなるタイプのインターコネクトでもよい。それは、個々の配線、及びケーブル、基板上の導電性プリント配線、伝送回線、光学的伝送ケーブル、及びワイヤレス接続を含む物理的な導体を含むが、そのいずれにも限定されない。

【0019】

動作においては、システム１００は、レンズ１５４を介して、一画像、若しくは一連の画像として、光、若しくは他の電磁気的放射を受信しうる。レンズ１５４は、センサ１０１へと入射画像を提供し、次に、センサ１０１によって記録される画像を表す電子信号を提供する。センサ１０１内の画素は、個別に読み出され、結果として生じる信号は、少なくとも一つの入射画像の電子的描写を生成するため、画像センサ１０３によって処理されうる。記録された一画像、若しくは複数画像の電子的描写の制御、及び処理は、画像センサ１０３に含まれるセンササポート回路１４４によって制御されうる。種々の実施形態においては、一画像、若しくは複数画像の制御、及び処理は、プロセッサ１１６によって提供される制御信号によって影響されうる。種々の実施形態においては、画像センサ１０３によって提供される一画像、若しくは複数画像は、メモリアレイ１６１において格納されうる。

【0020】

種々の実施形態においては、画像センサ１０３によって提供される少なくとも一つの画像は、ディスプレイ１１２において表示されうる。種々の実施形態においては、画像センサ１０３によって提供される少なくとも一つの画像は、Ｉ／Ｏ接続１１８を介して、（示されていない）他のデバイスへと伝送されうる。画像センサ１０３によって提供される画像の伝送は、それらを他のデバイスへと電子メールで送信することを含みうる。種々の実施形態においては、画像センサ１０３によって提供される画像は、画像センサ１０３によって提供される少なくとも一つの画像に重ね合わせられた、文字列情報、若しくは他の画像、若しくは符号、若しくはグラフィックスのような、画像に付加された追加の情報を有しうる。種々の実施形態においては、画像センサ１０３によって提供される画像に付加された文字列情報は、使用者によってキーパッド１１４を介して、若しくはディスプレイ１１２を介して入力される。種々の実施形態においては、画像センサ１０３によって提供される画像に付加された文字列情報は、電子メールとして受信される文字列のように、Ｉ／Ｏ接続１１８を介して受信される。

【0021】

図２は、本発明の種々の実施形態に係る、メモリデバイスの機能的なブロック図である。種々の実施形態においては、メモリデバイス２００は、メモリアレイ２０２を含む。メモリデバイス２００は、いかなる特定のタイプのメモリデバイスにも限定されない。種々の実施形態においては、メモリデバイス２００は、ＮＡＮＤフラッシュメモリデバイスである。種々の実施形態においては、メモリデバイス２００の一つ以上の部分は、各マルチレベルセルにおいて二つ以上のデータビットを格納するように動作可能なマルチレベルセルを含む、ＮＡＮＤフラッシュメモリセルを含むメモリセルを含む。種々の実施形態においては、メモリアレイ２０２は、メモリデバイス２００の一部のみを表す。種々の実施形態においては、メモリアレイ２０２は、図１のメモリアレイ１６１と類似する、若しくは同一のメモリアレイを含み、メモリアレイ２０２はメモリデバイス、若しくは他の何らかのデバイスにおいて含まれる。

【0022】

再度、図２に関して、種々の実施形態においては、メモリアレイ２０２は、複数の消去ブロックグループを含み、例えば、消去ブロックグループ２１０、消去ブロックグループ２５０、及び消去ブロックグループ２９９であるが、それに限定はされない。メモリアレイ２０２における消去ブロックグループの数は、特定数の消去ブロックグループには限定されず、２つ、３つ、４つ若しくはそれ以上の消去ブロックグループを含みうる。消去ブロックグループ２５０と消去ブロックグループ２９９との間の点線２９８は、メモリアレイ２０２の一部として提供されうる、一つ以上の追加の消去ブロックグループを表す。種々の実施形態においては、消去ブロックグループ２９９、及び点線２９８によって表されるいかなる消去ブロックグループも、消去ブロックグループ２１０において、及び消去ブロックグループ２５０において示されるように、複数の消去ブロックを含みうる。

【0023】

図２に関する記述を簡略化するために、消去ブロックグループ２１０、及び消去ブロックグループ２５０のみが詳細に記述される。消去ブロックグループ２１０、及び消去ブロックグループ２５０の実施形態、及び特性は、消去ブロックグループ２９９、及び点線２９８によって表されるいかなる消去ブロックグループにも等しく適用可能でありうる。

【0024】

種々の実施形態においては、一つ以上の消去ブロックグループ２１０、２５０、２９９、及び点線２９８によって表されるいかなる消去ブロックグループも、一つ以上の個別のダイ（例えば、図１におけるダイ１６６）において形成されうる。種々の実施形態においては、メモリアレイ２０２に含まれる、各消去ブロックグループ２１０、２５０、２９８、２９９は、個別のダイに設置される。種々の実施形態においては、一つ以上の個別のダイは、同一基板（例えば、図１における基板１６８）において含まれうる。種々の実施形態においては、メモリアレイ２０２における各消去ブロックグループは、個別の基板上に形成され、メモリデバイスを形成するために、上下に物理的に堆積される。種々の実施形態においては、複数の消去ブロックグループのそれぞれは、異なるダイに配置され、異なるダイのそれぞれは、メモリデバイスを形成するために物理的に堆積される（図１における堆積１６７、及びデバイス１６０を参照）。

【0025】

種々の実施形態においては、メモリデバイスは、図１におけるプロセッサ１１６のようなプロセッサを含みうる。種々の実施形態においては、メモリデバイス２００は、メモリアレイ２０２を含み、接続、若しくは図１におけるポート１２０のようなポートを含みうる。それによってメモリデバイス２００が、メモリスティック、若しくはメモリカードのような、携帯用メモリデバイスとして使用されることが可能になる。種々の実施形態においては、ポート１２０は、ユニバーサルシリアルバス（ＵＳＢ）ポートを含む。

【0026】

再度、図２に関して、消去ブロックグループ２１０は、消去ブロック２１２、２１４、２１６、２１８、２２０、２２２、及び２３０を含む、複数の消去ブロックを含む。消去ブロックグループ２１０は、消去ブロック２２２と消去ブロック２３０との間の点線２９６によって示されるように、特定数の消去ブロックには限定されない。種々の実施形態においては、各消去ブロック２１２、２１４、２１６、２１８、２２０、２２２、及び２３０は、消去ブロックグループ２１０内の各消去ブロックを一意的に識別する消去ブロック番号２１１を含む。例えば、図２において示されるように、消去ブロック２１２は、消去ブロックグループ２１０に含まれる他の消去ブロックから、消去ブロックグループ２１０内の消去ブロック２１２を一意的に識別する、消去ブロック番号“０”を含む。

【0027】

種々の実施形態においては、消去ブロック２１４、２１６、２１８、２２０、及び２２２は、それぞれ消去ブロック番号“１”、“２”、“３”、“４”、及び“５”を含み、それによって、消去ブロックグループ２１０内の他の消去ブロックから、消去ブロックグループ２１０内のこれらの各消去ブロックを一意的に識別する。消去ブロック２３０は、消去ブロックグループ２１０に含まれるＮ番目の消去ブロックを表し、消去ブロック２３０は、消去ブロックグループ２１０に含まれる“Ｎ番目”の消去ブロックに対応する消去ブロック番号を含み、消去ブロック２２２と消去ブロック２３０との間の消去ブロックグループ２１０に含まれるいかなる消去ブロックも、消去ブロック２２２と消去ブロック２３０との間のこれらの消去ブロックを一意的に識別する、消去ブロック番号を含む。

【0028】

消去ブロックグループ２５０は、消去ブロック２５２、２５４、２５６、２５８、２６０、２６２、及び２７０を含む複数の消去ブロックを含む。消去ブロックグループ２５０は、消去ブロック２６２と消去ブロック２７０との間の点線２９７によって示されるように、特定数の消去ブロックには限定されない。種々の実施形態においては、各消去ブロック２５２、２５４、２５６、２５８、２６０、２６２、及び２７０は、消去ブロックグループ２５０内の各消去ブロックを、消去ブロックグループ２５０内の他の消去ブロックから一意的に識別する消去ブロック番号２５１を含む。例えば、図２において示されるように、消去ブロック２５２は、消去ブロックグループ２５０に含まれる他の消去ブロックから、消去ブロック２５２を一意的に識別する、消去ブロック番号“０”を含む。

【0029】

種々の実施形態においては、消去ブロック２５４、２５６、２５８、２６０、及び２６２は、それぞれ消去ブロック番号“１”、“２”、“３”、“４”、及び“５”を含み、それによって、消去ブロックグループ２５０内の他の消去ブロックから、これらの各消去ブロックを一意的に識別する。消去ブロック２７０は、消去ブロックグループ２５０に含まれる“Ｎ番目”の消去ブロックを表し、消去ブロック２７０は、消去ブロックグループ２５０に含まれる“Ｎ番目”の消去ブロックに対応する消去ブロック番号を含み、消去ブロック２６２と消去ブロック２７０との間の消去ブロックグループ２５０に含まれるいかなる消去ブロックも、消去ブロック２６２と消去ブロック２７０との間の消去ブロックを一意的に識別する、消去ブロック番号を含む。

【0030】

消去ブロックグループ２１０、及び消去ブロックグループ２５０に含まれる消去ブロックは、いかなる特定のサイズの消去ブロックにも限定されない。種々の実施形態においては、消去ブロックグループ２１０、及び消去ブロックグループ２５０内の消去ブロックは、それぞれ、メモリアレイ２０２におけるメモリのページに対応する。種々の実施形態においては、消去ブロックグループ２１０、及び消去ブロックグループ２５０内の各消去ブロックは、それぞれ、メモリアレイ２０２におけるメモリの数ページに対応する。

【0031】

種々の実施形態においては、消去ブロックグループ２１０内の消去ブロックを一意的に識別する各消去ブロック番号２１１は、消去ブロックグループ２５０における消去ブロックを一意的に識別する消去ブロック番号２５１のうちの唯一つに一致する。種々の実施形態においては、メモリアレイ２０２は、複数の消去ブロックグループ２１０及び２５０を含み、複数の消去ブロックグループのそれぞれは、複数の消去ブロック２１２、２１４、２１６、２１８、２２０、２２２、２３０、及び、２５２、２５４、２５６、２５８、２６０、２６２、２７０を含み、そのそれぞれは、複数の消去ブロック内で一意的で、かつ、複数の消去ブロックグループ２１０、及び２５０にわたって一致する、一致する一意的な複数の消去ブロック番号２１１、及び２５１によって識別される。

【0032】

二つ以上の消去ブロックグループを含む実施形態においては、複数の消去ブロックグループは、複数の消去ブロックグループにおける各消去ブロックのための、一致する一意的な消去ブロック番号を含みうる。この一致する一意的な消去ブロック番号は、各複数の消去ブロックグループ内の消去ブロックを一意的に識別し、他の複数の消去ブロックグループのそれぞれにおける別の消去ブロック番号と、複数の消去ブロックグループのそれぞれにわたって一致する。

【0033】

種々の実施形態においては、消去ブロックグループ２１０に含まれる消去ブロックは、状態指示２１３と関連づけられ、消去ブロックグループ２５０に含まれる消去ブロックは、状態指示２５３と関連づけられうる。例示の目的のために、図２に示されるように、消去ブロック２１２、２１４、２１６、及び２２２は、“良”の状態指示２１３を含み、消去ブロック２１８、及び２２０は、“不良”の状態指示２１３を含む。例示の目的のために、これも図２に示されるように、消去ブロック２５２、２５６、及び２５８、及び２６０は、“良”の状態指示２５３を含み、消去ブロック２５４、及び２６２は、“不良”の状態指示２５３を含む。

【0034】

状態指示２１３、及び状態指示２５３は、消去ブロックのための状態指示として使用されるべき、いかなる特定のタイプの語句、若しくは、値にも限定されない。状態指示２１３、若しくは状態指示２５３における“良”の意味は、欠陥ではない消去ブロックを示し、状態指示２１３、若しくは状態指示２５３における“不良”の状態指示は、欠陥消去ブロックを示しうる。特定の消去ブロックが“良”か“不良”か、若しくは、欠陥でないか欠陥かについての判定は、メモリアレイ２０２が、メモリアレイ２０２を使用する任意のアプリケーションにおけるメモリ動作のために試験され、かつ使用される際に、メモリアレイ２０２にとって適切であるとみなされるいかなる基準に基づいてなされてもよい。

【0035】

消去ブロック２３０、及び消去ブロック２２２と消去ブロック２３０との間のいかなる消去ブロックも状態指示２１３を含み、消去ブロック２７０、及び消去ブロック２６２と消去ブロック２７０との間のいかなる消去ブロックも状態指示２５３を含みうることを理解されたい。

【0036】

種々の実施形態においては、消去ブロックグループ２１０、及び消去ブロックグループ２５０における消去ブロックに関連づけられる状態指示のための値は、状態指示に関連づけられる各消去ブロック内に格納されうる。種々の実施形態においては、消去ブロックに関連づけられる状態指示は、消去ブロックグループに関連づけられる消去ブロックには含まれないメモリ位置において格納される。種々の実施形態においては、状態指示に関連づけられ、消去ブロックが欠陥か、若しくは欠陥ではないかを示す値は、特定の消去ブロックの状態の指標として使用される値“１”、若しくは値“０”を含むバイナリビットでありうる。

【0037】

種々の実施形態においては、複数の消去ブロックは、グループアドレスに関連づけられるより大きなブロックのメモリを提供するために、ともにグループ化され、グループアドレスに関連づけられうる。種々の実施形態においては、グループアドレスはグループアドレス番号と関連づけられる。消去ブロックのグループ化は、グループアドレスに関連して動作しうる、より大きなメモリのブロックを生成する。メモリ動作がブロックレベルにおいて実施されるＮＡＮＤフラッシュメモリのようなメモリにとって、例えばＮＡＮＤフラッシュメモリのブロック消去であるがそれには限定されない、メモリのより大きなブロックへのメモリ内の消去ブロックのグループ化は、メモリにおいて実施される動作に関連するシステムレベル管理を軽減する。種々の実施形態においては、消去ブロックのより大きなグループへの消去ブロックのグループ化は、より大きな消去ブロックのグループを有するシステムによって管理され、かつ追跡されているグループアドレスの全体数を減少させうる。それによって、より大きな消去ブロックのグループを含むシステムにおいて実施されるメモリ動作を管理し、かつ追跡することに関連するオーバーヘッドを軽減する。

【0038】

種々の実施形態においては、ブロック消去、書き込み、若しくは読み出し機能の実施は、グループアドレスにおける所望のメモリ動作を実施するためのコマンドを提供することによって、ともにグループ化され、グループアドレスに関連付けられた複数の消去ブロックに含まれる全消去ブロックにおいて実施されうる。それによって、消去ブロックのより大きなグループを含むシステムにおけるメモリ動作を実施するために必要とされるコマンド数、及びアドレス数を減少させる。

【0039】

種々の実施形態においては、メモリアレイ２０２は、一つ以上の可能性のある消去ブロックのグループ２８０、２８２、２８４、２８６、２８８、及び２９０を含む。これらの一つ以上の可能性のある消去ブロックのグループのそれぞれは、グループアドレス番号を含むグループアドレス２８１に関連付けられる。種々の実施形態においては、かつ、例示の目的のために消去ブロックグループ２１０、及び消去ブロックグループ２５０のみが考慮されると仮定すると、一つ以上の可能性のある消去ブロックのグループ２８０、２８２、２８４、２８６、２８８、及び２９０のそれぞれは、複数の消去ブロックグループ２１０、及び消去ブロックグループ２５０のそれぞれから唯一つの消去ブロックを含むように意図される。したがって、実際に形成される、一つ以上の可能性のある消去ブロックのグループ２８０、２８２、２８４、及び２９０のそれぞれは、同じ合計数の消去ブロックを含む。

【0040】

例示の目的で、かつ限定する目的ではなく図２に示されるように、消去ブロックの一つ以上のグループ２８０は、矢印２０３によって示されるように、消去ブロックグループ２１０から消去ブロック２１２を、かつ、消去ブロックグループ２５０から消去ブロック２５２を含む。例示の目的で、かつ、この例示に限定するわけではなく図２に示されるように、消去ブロックの一つ以上のグループ２８２は、矢印２０４によって示されるように、消去ブロックグループ２１０から消去ブロック２１４を、かつ、消去ブロックグループ２５０から消去ブロック２５８を含み、消去ブロックの一つ以上のグループ２８４は、矢印２０５によって示されるように、消去ブロックグループ２１０から消去ブロック２１６を、かつ、消去ブロックグループ２５０から消去ブロック２５６を含み、消去ブロックの一つ以上のグループ２９０は、矢印２０６によって示されるように、消去ブロックグループ２１０から消去ブロック２２２を、かつ、消去ブロックグループ２５０から消去ブロック２６０を含む。

【0041】

図２に示されるように、消去ブロック２１８、２２０、２５４、及び２６２は、“不良”の状態指示を有し、したがって、実際に形成される、消去ブロックの一つ以上のグループ２８０、２８２、２８４、及び２９０のうちのいずれにも含まれない。

【0042】

図２に示されるように、実際に形成される、消去ブロックの一つ以上のグループ２８０、２８２、２８４、及び２９０のそれぞれは、複数の消去ブロックグループ２１０、及び消去ブロックグループ２５０のそれぞれから、一つの欠陥ではない（状態指示において“良”状態によって示されるような）消去ブロックを含む。したがって、それぞれが同一の合計数の消去ブロックを含む。この処置によって、全て欠陥ではない消去ブロックのみを有し、かつ、全て同一サイズである消去ブロックのグループを形成することが可能になり、各グループ化された消去ブロックはグループアドレスと関連付けられる。このような処置によって、グループアドレスを指定することによって、かつ、これらのグループアドレスのうちのいずれもが、全て欠陥ではない消去ブロックを有し既知の全体サイズを有するメモリアレイ２０２の一部に対応することがわかることによって、これらのグループ化された消去ブロックにおいてメモリ動作が実施されることが可能になる。このように、メモリ動作の実施に関連するオーバーヘッド、及び、メモリ動作中のこれらの消去ブロックの管理に関連するオーバーヘッドは軽減される。

【0043】

図２に示されるように、消去ブロックの一つ以上のグループ２８０、２８２、２８４、及び２９０のうちの少なくとも一つは、同一の一致する一意的な消去ブロック番号を有する消去ブロックのみのグループ化を含む。例えば、消去ブロックの一つ以上のグループ２８０は、消去ブロック２１２、及び消去ブロック２５２を含み、消去ブロック２１２、及び消去ブロック２５２の両者は、消去ブロック“０”である、同一の消去ブロック番号２１１、２５１を含む。他の実施例においては、消去ブロックの一つ以上のグループ２８４は、消去ブロック２１６、及び消去ブロック２５６を含み、これらの消去ブロックの両者は、消去ブロック番号“２”である、同一の消去ブロック番号２１１、２５１を含む。消去ブロックのこれらのグループ化は、一対一のグループ化と呼ばれうる。なぜなら、一対一のグループ化における各消去ブロックは、そのグループ化において含まれる、他の全ての消去ブロックと、同一の一致する一意的な消去ブロック番号を有するからである。

【0044】

これもまた図２に示されるように、消去ブロックの一つ以上のグループ２８０、２８２、２８４、及び２９０のうちの少なくとも一つは、消去ブロックグループ２１０のグループにおいて、欠陥消去ブロック、若しくは“不良”消去ブロックとして指定された対応する消去ブロック番号２１１と同一の消去ブロック番号２５１を有する、消去ブロックグループ２５０由来の少なくとも一つの消去ブロックを有することを含む消去ブロックのグループ化を含む。例えば、消去ブロックの一つ以上のグループ２８２は、消去ブロックグループ２１０由来の消去ブロック２１４を含み、かつ、消去ブロックグループ２５０由来の消去ブロック２５８を含む。そこで、消去ブロック２５８は、消去ブロックグループ２１０における消去ブロック２１８の同一の消去ブロック番号“３”に対応する消去ブロック番号“３”を含む。また、消去ブロック２１８は、欠陥ブロックを示す“不良”の状態指示を含む。他の実施例においては、消去ブロックの一つ以上のグループ２９０は、消去ブロックグループ２１０由来の消去ブロック２２２を含み、かつ、消去ブロックグループ２５０由来の消去ブロック２６０を含む。そこで、消去ブロック２６０は、消去ブロックグループ２１０における消去ブロック２２０の同一の消去ブロック番号“４”に対応する消去ブロック番号“４”を含む。また、消去ブロック２２０は、欠陥ブロックを示す“不良”の状態指示を含む。

【0045】

消去ブロックのこれらのグループ化は、“再マップされた（ｒｅ−ｍａｐｐｅｄ）”グループ化と呼ばれうる。なぜなら、グループ化における少なくとも一つの消去ブロックは、グループ化に含まれていない欠陥消去ブロックに対応する消去ブロック番号を有するからである。したがって、グループ化における全ての消去ブロックは、同一の一致する一意的な消去ブロック番号を有するとは限らない。このことは、グループ化に含まれる全ての消去ブロックに対して同一の一致する一意的な消去ブロック番号を有する一対一のグループ化とは対照的である。

【0046】

これもまた図２に示されるように、消去ブロック２８６、及び消去ブロック２８８に関連づけられる一つ以上の可能性のある消去ブロックグループは、消去ブロックのグループとして形成されない。種々の実施形態においては、これは、基準消去ブロックグループとして指定される消去ブロックグループ（この実施例においては、例示の目的のために消去ブロックグループ２１０）における消去ブロックである、消去ブロック２８６、及び消去ブロック２８８の両方が“不良”の状態指示２１３を有し、ゆえに、これらの一つ以上の消去ブロックグループに関連づけられるグループ化は形成されないからである。したがって、一つ以上の可能性のある消去ブロックグループ２８６に関連づけられる消去ブロック２１８を含むように形成される消去ブロックのグループ化は存在しない。また、一つ以上の可能性のある消去ブロックグループ２８８に関連づけられる消去ブロック２２０を含むように形成される消去ブロックのグループ化は存在しない。

【0047】

しかしながら、上述されたように、基準消去ブロックグループ２１０において欠陥消去ブロックとして同一の一致する一意的な消去ブロック番号を有する一つ以上の消去ブロックは、指定された基準消去ブロックグループ由来の欠陥ではない消去ブロックを伴う消去ブロックの一つ以上のグループを形成するために、再マップされうる。種々の実施形態においては、基準消去ブロックグループにおける欠陥消去ブロックと同一の一致する一意的な消去ブロック番号を有する、基準消去ブロックグループ以外の消去ブロックグループ由来のこの消去ブロックの一致する一意的な消去ブロック番号は、基準消去ブロックグループ由来の欠陥ではない消去ブロックを含むための消去ブロックグループ化へと再マップされる。

【0048】

種々の実施形態においては、消去ブロックの一つ以上のグループに関連づけられる消去ブロックの一対一のグループ化、及び再マップされるグループ化の組み合わせは、以下のように形成されうる。消去ブロックグループに含まれる各消去ブロックのために、特定の消去ブロックが欠陥か、若しくは欠陥ではないかについての判定がなされる。いかなる複数の消去ブロックにとっても、複数の消去ブロックグループにわたって同一の一致する一意的な消去ブロック番号を有する各複数の消去ブロックが、全ての消去ブロックグループにわたって欠陥ではない場合、消去ブロックのグループ化は、複数の消去ブロックグループのそれぞれ由来の複数の消去ブロックのそれぞれ一つを含むように、かつ、同一の一致する一意的な消去ブロック番号を有するように形成される。この消去ブロックのグループ化は、一対一のグループ化と呼ばれうる。一対一のグループ化においては、グループアドレス番号が、一致する一意的な消去ブロック番号と同一である場合、どの消去ブロックが一対一のグループ化に含まれるかを決定するためのマッピングが必要ないように、一対一のグループ化における任意の消去ブロック、及び全ての消去ブロックのための消去ブロック番号は、グループアドレス番号と同一の番号である。

【0049】

消去ブロックグループのうちの一つは、基準消去ブロックグループとして指定される。この指定は、基準消去ブロックグループとして指定される複数の消去ブロックグループにおけるいかなる特定の消去ブロックグループにも限定されず、かつ、種々の実施形態においては、本明細書において記述されるように、最も多くの追加の消去可能なブロックのグループが形成されることを可能にするような、消去ブロックグループを選択することによって決定されうる。

【0050】

種々の実施形態においては、欠陥ではない消去ブロックの追加のグループ化がなされうるかについての判定がなされ、一対一のグループ化に含まれていない基準消去ブロックグループにおける欠陥ではない消去ブロックを見つけ出すことによって開始する。種々の実施形態においては、基準消去ブロックグループ由来のこれらの欠陥ではない消去ブロックは、一対一のグループ化には含まれていなかった。なぜなら、基準消去ブロックグループ由来の欠陥ではない消去ブロックと同一の消去ブロック番号を有する、基準消去ブロックグループ以外の消去ブロックグループのうちの少なくとも一つからの少なくとも一つの消去ブロックが、欠陥であると判定されたからである。基準消去ブロックグループにおけるこのような欠陥ではない消去ブロックのうちの任意の一つに対して、欠陥ではなく、かつ、複数の消去ブロックグループにわたって、消去ブロックのグループ化にまだ含まれていないような、少なくとも一つの消去ブロックが基準消去ブロックグループ以外の各消去ブロックグループにあるかどうかについての判定がなされる。これらの条件が満たされた場合、消去ブロックの追加のグループ化は、基準消去ブロックグループ由来の欠陥ではない消去ブロックを含むように、かつ、消去ブロックグループ化にまだ含まれていない基準消去ブロックグループ以外の各複数の消去ブロックグループ由来の欠陥ではない消去ブロックのそれぞれ一つを含むように、形成される。

【0051】

種々の実施形態においては、再マップされた消去ブロックのグループを形成するための上述されたプロセスは、一対一のグループ化、若しくは再マップされたグループ化のどちらかへとまだ形成されていない、基準消去ブロックグループにおける任意の欠陥ではない消去ブロックのために、更なるグループ化が形成されなくなるまで繰り返されうる。種々の実施形態においては、一対一のグループ化、若しくは再マップされたグループ化のどちらかへとまだ含まれていない、基準消去ブロックグループにおける欠陥ではない消去ブロックが、もはや存在しなくなると、もう更なるグループ化は形成されない。種々の実施形態においては、一対一のグループ化、若しくは再マップされたグループ化のどちらかへと含まれていない一つ以上の欠陥ではない消去ブロックが、基準消去ブロックグループにおいて存在しても、一対一のグループ化、若しくは再マップされたグループ化のどちらかへとまだ含まれていない少なくとも一つの欠陥ではない消去ブロックが、複数の消去ブロックグループにわたって、各複数の消去ブロックグループにおいて残存していない場合には、もう更なるグループ化は形成されない。

【0052】

種々の実施形態においては、消去ブロックの再マップされたグループ化は、その再マップされたグループ化に含まれる基準消去ブロックグループ由来の消去ブロックを識別する消去ブロック番号と同一のグループアドレス番号を有するグループアドレスに関連付けられる。例示の目的のため、消去ブロック２１４、及び消去ブロック２５８を含む消去ブロックの一つ以上のグループ２８２は、基準消去ブロックグループの消去ブロック２１４と関連づけられる消去ブロック番号に対応する、グループアドレス番号“１”に関連しうる。

【0053】

種々の実施形態においては、消去ブロックのこれらの追加のグループ化は、消去ブロックのこれらの追加のグループ化を形成するための必要条件に基づいて、消去ブロックの追加のグループがもう作られなくなるまで、形成される。

【0054】

いったん、一対一のグループ化、及び追加消去ブロックの一つ以上のグループが再マップされたグループ化に基づいて形成されると、メモリにおける動作はこれらの消去ブロックの一つ以上のグループに関連づけられたグループアドレスに基づいて実施されうる。

【0055】

本明細書に記述されるような消去ブロックのグループ化の種々の組み合わせのうちのいかなるものにおいても、これらの消去ブロックの複数のグループ化のうちの一つは、消去ブロック２３０を含み、かつ、消去ブロック２２２と消去ブロック２３０との間の一つ以上の消去ブロックを含み、かつ、消去ブロック２７０を含み、かつ、消去ブロック２６２と消去ブロック２７０との間の一つ以上の消去ブロックを含みうることが理解される。消去ブロックの一つ以上のグループ２８０、２８２、２８４、及び２９０を含む消去ブロックの記述されたグループ化は、例示の目的のために含まれる。

【0056】

実施形態は、二つの消去ブロックグループのみを使用して、一つ以上の可能性のある消去ブロックのグループを形成することに限定されない。一対一の消去ブロックグループと、再マップされた消去ブロックグループの両方は、複数の消去ブロックグループにおいて含まれる３つ以上の消去ブロックグループが存在するような、複数の消去ブロックグループのうちの各一つから一つの消去ブロックをそれぞれ含む、一対一の消去ブロックグループ、及び再マップされた消去ブロックグループを含む、複数の消去ブロックグループを使用して形成されうる。例えば、しかしながらこの実施例に限定されることはないが、消去ブロックグループ２１０、２５０、２９９由来の消去ブロックと、点線２９８によって表される、消去ブロックグループ２５０と消去ブロックグループ２９９との間のいかなる消去ブロックグループにも由来する消去ブロックを含むグループ化が、なされうる。更には、再マップされた消去ブロックグループは、できれば、上述されたように、かつ欠陥ではない消去ブロックの使用可能性に依存して、指定された基準消去ブロックグループからの消去ブロックを、消去ブロックグループ２１０、２５０、２９９、ならびに、点線２９８によって表される、消去ブロックグループ２５０及び２９９の間の任意の消去ブロックグループとを含む、指定された基準消去ブロックグループ以外のそれぞれの複数の消去ブロックグループ由来の消去ブロックのうちの一つと組み合わせることによって形成されうる。指定された基準消去ブロックグループ以外の複数の消去ブロックグループ由来の消去ブロックの少なくとも一つは、基準消去ブロックグループにおける欠陥消去ブロックを識別する、一致する一意的な消去ブロック番号を有する。

【0057】

種々の実施形態においては、再マップされた消去ブロックのグループ化を形成することは不可能であることがある。例えば、消去ブロックグループ化に含まれる複数の消去ブロックグループのいずれにおいても、一つの欠陥消去ブロックしか検出されない場合、再マップされた消去ブロックのグループ化を形成することができない。消去ブロックの再マップされたグループ化は、実際には、メモリデバイスにおいて本明細書で記述される実施形態を利用するために形成される必要があるとは限らない。

【0058】

実施形態は、全ての消去ブロックグループを形成するため、単一の組の消去ブロックグループ群を使用して一つ以上の可能性のある消去ブロックのグループを形成することには限定されない。例えば、消去ブロックグループの二つ以上の組が個別の複数の消去ブロックグループへと体系化されうる場合、ならびに、消去ブロックのグループ化が、それぞれ個別の複数の消去ブロックグループ内で個別になされうる場合、複数の消去ブロックグループが使用されてもよい。消去ブロックの個別のグループ化を含む、これらの個別の消去ブロックグループは、共通のグループアドレス番号を関連付けられ、それによって、共通のグループアドレス番号に関連付けられた複数の消去ブロックグループの関連付けられた組を生成する。

【0059】

当業者によって理解されうるように、複数の消去ブロックグループのこれらの関連付けられた組の更なるグループ化は、複数の消去ブロックグループの関連付けられた組の階層的な組を生成するために形成されうる。これらの階層的な組は、複数の消去ブロックグループの関連付けられた各組に関連付けられた、より高いレベルのグループアドレス番号に更に関連付けられうる。階層的組内のレベル数は、いかなる特定のレベル数にも限定されず、かつ、階層的組のスキームが適用されるアプリケーションにとって適切と見なされる、いかなるレベルの組み合わせにしたがってもなされうる。

【0060】

種々の実施形態においては、一対一ではないグループ化のマッピングはマッピングテーブルに格納されうる。

【0061】

図３は、本発明の種々の実施形態に係るマッピングテーブルである。種々の実施形態においては、マッピングテーブル３００は、行３１０、及び一つ以上の列３０１、３０２、３０４、３０６、及び３０８を含む。種々の実施形態においては、列３０１は、マッピングテーブル３００に含まれる行３１０の各々に対する行番号を含む。種々の実施形態においては、列３０１は、マッピングテーブル３００に含まれる各行３１０を識別するために、ゼロから昇順に連続して配列された整数を含む。

【0062】

種々の実施形態においては、行３１０は、所定数の行を含み、所定数の行は、マッピングテーブル３００に格納されうる消去ブロックの組み合わせに対するマッピングの最大数を設定する。種々の実施形態においては、マッピングテーブル３００に含まれる列の数は、消去ブロックの組み合わせの形成において含まれる消去ブロックグループの数によって決定される。種々の実施形態においては、マッピングテーブル３００は、基準消去ブロックグループと関連付けられた列３０２を含み、基準消去ブロックグループ以外の各消去ブロックグループのうちの一つに関連付けられた更なる列３０４、３０６、及び３０８を含む。列３０８は、“Ｍ番目”の消去ブロックグループに関連付けられた“Ｍ番目”の列に関連付けられる。列３０６は、列３０４に関連付けられた消去ブロックグループと、列３０８に関連付けられたＭ番目の消去ブロックグループとの間の、一つ以上の消去ブロックグループに関連付けられるように、列３０４と列３０８との間の一つ以上の列に関連付けられる。

【0063】

例示の目的のために、列３０２は、図２由来の消去ブロックグループ２１０に関連付けられ、列３０４は図２由来の消去ブロックグループ２５０に関連付けられ、列３０６、及び３０８はメモリアレイ２０２に含まれるいかなる追加の消去ブロックグループにも関連付けられる。

【0064】

図３に示されるように、行３１２は、列３０２において番号“１”を含み、列３０４において番号“３”を含む。列３０２における番号“１”は、図２における消去ブロック２１４に関連付けられる、一致する一意的な消去ブロック番号を表し、列３０４における番号“３”は、図２における消去ブロック２６０に関連付けられる、一致する一意的な消去ブロック番号を表す。したがって、マッピングテーブル３００の行３１２、及び列３０２に含まれるように、行３１２における入力は、グループアドレス番号“１”に関連付けられた、消去ブロック２８２の一つ以上のグループのマッピングを表す。種々の実施形態は、二つ以上の消去ブロックグループを含み、グループアドレス“１”に関連付けられたそれぞれの追加の消去ブロックグループのマッピングは、マッピングを完成するために列３０６、及び列３０８の下で行３１２へと加えられうることを理解されたい。

【0065】

マッピングテーブル３００においては、行３１４は、列３０２における番号“５”と、列３０４における番号“４”を含む。列３０２における番号“５”は、図２における消去ブロック２２２に関連付けられる、一致する一意的な消去ブロック番号を表し、列３０４における番号“４”は、図２における消去ブロック２６８ に関連付けられる、一致する一意的な消去ブロック番号を表す。したがって、マッピングテーブル３００の行３１４、及び列３０２に含まれるように、行３１４における入力は、グループアドレス番号“５”に関連付けられた、消去ブロックの一つ以上のグループ２９０のマッピングを表す。種々の実施形態は、二つ以上の消去ブロックグループを含み、グループアドレス番号“５”に関連付けられたそれぞれの追加の消去ブロックグループのマッピングは、マッピングを完成するために列３０６、及び列３０８の下で行３１４へと加えられうることを理解されたい。

【0066】

行３１６、３１８、３２０、及び３３０は、マッピングテーブル３００に含まれる一つ以上の追加の行を表す。行３１２、及び行３１４に示されるもの由来の消去ブロックと、他の各行由来の消去ブロックの異なる組み合わせを含むことを除いて、行３１６、３１８、３２０、及び３３０のうちの一つ以上は、行３１２、及び行３１４に示されるように、追加の消去ブロックのマッピングを含んでもよいし、含まなくてもよい。

【0067】

種々の実施形態においては、マッピングテーブル３００は、複数の消去ブロックグループにわたって、消去ブロックの一対一ではないグループ化のマッピングを格納するための場所を提供する。これによって、これらの消去ブロックを、同一のメモリアレイもしくは同一のメモリデバイス上でのメモリ動作に使用されうる消去ブロックの一対一のグループ化のそれぞれと同一のサイズ、及び同一数の消去ブロックを有する消去ブロックのグループとして、メモリ動作で使用することが可能になる。種々の実施形態においては、マッピングテーブルはＮＡＮＤフラッシュメモリデバイスのシステム領域に格納される。種々の実施形態においては、ＮＡＮＤフラッシュメモリのシステム領域は、例えば、図１に示されるメモリサポート回路におけるメモリ１６５である。

【0068】

種々の実施形態においては、メモリ動作が実施される場合、ターゲットグループアドレス番号が決定される。ターゲットグループアドレス番号は、メモリ動作が実施される、メモリデバイス、若しくはメモリアレイの一部をマッピングするグループアドレスを表す。続いて、マッピングテーブルの検索が、ターゲットグループアドレス番号に一致するグループアドレス番号がマッピングテーブルに含まれるかどうかを決定するために実施されうる。種々の実施形態においては、例えば、列３０２、すなわち、マッピングテーブルの各行にマップされた各組み合わせに含まれる基準消去ブロックグループ由来の消去ブロックに関連付けられた、一致する一意的な消去ブロック番号を含むマッピングテーブルにおける列において、検索が実施される。列３０２における番号はグループアドレス番号に対応し、したがって、ターゲットグループアドレス番号は、これらのグループアドレス番号のいずれかがターゲットグループアドレス番号と一致するかどうかを決定するため、列３０２における各番号と比較されうる。

【0069】

ターゲットグループアドレス番号に対する一致がマッピングテーブルにおいて見つかった場合、ターゲットグループアドレス番号に一致するグループアドレス番号に関連付けられた消去ブロックのグループ化を含む消去ブロックのマッピングは、マッピングテーブルから読み出され、メモリ動作を実施する際に読み出しマッピングに含まれる消去ブロックを使用してメモリ動作を実施するために使用されうる。

【0070】

一致がマッピングテーブルに見つからなかった場合、グループアドレス番号に関連付けられた複数の消去ブロックは、全てが同一の一致する一意的な消去ブロック番号を有し、かつ、この同一の一致する一意的な消去ブロック番号と同一のグループアドレス番号を有する、消去ブロックの一対一のグループ化であると想定される。したがって、メモリ動作は、マッピングの読み出しに頼ることなく、ターゲット番号と同一の一致する一意的な消去ブロック番号を全てが有する消去ブロック番号を使用して実施されうる。

【0071】

ターゲットグループアドレス番号と一致するグループアドレス番号があるかどうかを決定するためのマッピングテーブルの検索は、いかなる特定のタイプの検索にも、若しくはいかなる特定の検索技術にも限定されない。いかなるタイプの検索でも、若しくはいかなるタイプの検索技術でも使用されうる。種々の実施形態は、マッピングテーブルの検索を加速させるために、グループアドレス番号の一つ以上の範囲、及びマッピングテーブルへの関連付けられたオフセットを含む、インデックステーブルを含む。

【0072】

図４は、本発明の種々の実施形態に係るインデックステーブルである。インデックステーブル４００は、行４１２、４１４、４１６、４１８、４２０、４２２、及び４３０を含む複数の行４１０、及び、列４０１、４０２、及び４０４を含む。種々の実施形態においては、列４０１はインデックステーブル４００に含まれる行４１０の各々に対する行番号を含む。種々の実施形態においては、列４０１は、インデックステーブル４００に含まれる各行４１０を識別するために、ゼロから昇順に連続して配列された整数を含む。

【0073】

種々の実施形態においては、列４０２は、グループアドレス番号の範囲と関連付けられる。種々の実施形態においては、これらのグループアドレス番号の範囲は、マッピングテーブルの検索を加速させるために、インデックステーブルが併せて使用されるような、マッピングテーブルに関連付けられたグループアドレス番号の範囲と関連付けられる。

【0074】

種々の実施形態においては、列４０４は、グループアドレス番号の範囲のうちのそれぞれ一つに関連付けられた、マッピングテーブルへのオフセットを含む。行４１０のうちのどれがマッピングテーブルにおいて検索されるターゲットグループアドレス番号に関連付けられたグループアドレス番号を含むのかを決定することによって、マッピングテーブルの検索が開始する前に、インデックステーブルは、マッピングテーブルへのオフセット値を提供する。マッピングテーブルにおける開始点としてマッピングテーブルへのオフセットを使用することによって、例えば第一の行若しくはマッピングテーブルの開始行において検索が開始されるマッピングテーブルの検索と比較して、ターゲットグループアドレス番号がもしある場合に見つかるであろう、マッピング内の行に最も近い行において、マッピングテーブルの行の検索が開始されうる。

【0075】

例示の目的のために、列４０２は、行４１２においてグループアドレス番号０−１を含むグループアドレス番号の範囲を、行４１４においてグループアドレス番号２−３を含むグループアドレス番号の範囲を、行４１６においてグループアドレス番号４−５を含むグループアドレス番号の範囲を、行４１８においてグループアドレス番号６−７を含むグループアドレス番号の範囲を、及び、行４２０においてグループアドレス番号８−９を含むグループアドレス番号の範囲を含む。０と９の間の任意のあるターゲットアドレス番号に対して、ターゲットグループアドレス番号に一致する番号をグループアドレス番号の範囲において含む行をインデックステーブル４００において見つけることによって、対応するオフセット値がインデックステーブル４００の列４０４から決定されうる。

【0076】

対応するオフセット値は、続いて、マッピングテーブルを検索するため、かつ、マッピングテーブルにおける行、例えば、ターゲットグループアドレス番号に一致するグループアドレス番号の見込み位置より下にある行、を検索する必要性を解消するための入力点を決定するために使用されうる。種々の実施形態においては、マッピングテーブルへのオフセットは、マッピングテーブルの連続的な行番号に対応する。例示の目的のために、図４におけるインデックステーブル４００の列４０４におけるオフセット値は、図３におけるマッピングテーブル３００の列３０１における行番号に対応する。したがって、例示の目的のために、インデックステーブル４００における行４１２、及び行４１４のためのオフセット値“０”は、マッピングテーブル３００の検索が、列３０１におけるマッピングテーブルの行番号“０”に対応する、マッピングテーブル３００の行３１２において開始されるべきであることを示す。他の実施例においては、インデックステーブル４００における行４１６、４１８、及び４２０のためのオフセット値“１”は、マッピングテーブル３００の検索がマッピングテーブル３００の列３０１における行“１”に対応する行３１４において開始されるべきであることを示す。

【0077】

種々の実施形態においては、列４０４に含まれるオフセット値は、グループアドレス番号の範囲のスパンと、消去ブロックの可能性のある組み合わせがマップされたマッピングテーブルをマッピングテーブル３００に投入する結果と、に基づいて、決定される。

【0078】

種々の実施形態においては、インデックステーブルの列４０４に含まれるオフセット値は、ターゲットアドレス番号を取得し、商を得るためにスパンによってそれを割算することによって計算される。スパンは、インデックステーブルの列４０２に含まれるグループアドレスの範囲のそれぞれに含まれるグループアドレスの数に等しい数と決定される。いったん商が決定されると、商はその整数部分のみを含むように切り捨てられ、結果として、ゼロ、若しくは正の整数となる。ゼロ、若しくは正の整数は、列４０４におけるオフセット値を含むインデックステーブル４００における単一の行に対応する。

【0079】

列４０４由来のオフセット値は、インデックステーブルに関連付けられたマッピングテーブルへの入力点のための行番号を表す。グループアドレス番号のためのマッピングテーブルの検索は、マッピングテーブルの行において開始し、マッピングテーブルは、降順、若しくは昇順の配列において配列されたグループアドレス番号を含む。したがって、オフセット値によって示される行の前のいかなる行も、ターゲットアドレス番号に一致するグループアドレス番号を含まない。

【0080】

昇順で配列されたグループアドレス番号を有する実施形態においては、マッピングテーブルの検索は、一致する番号が見つけられた際、若しくは、ターゲットアドレス番号と比較される一致する番号がターゲットアドレス番号よりも高い際のどちらかの場合に終了しうる。第二の状況においては、ターゲットアドレス番号に一致するグループアドレス番号は、マッピングテーブルに格納されない。

【0081】

例示の目的のために、ターゲットアドレス“３”の場合、かつ、インデックステーブル４００が、列４０２における各行に対して２つのグループアドレスの範囲に関連付けられた、スパン２を有する場合、スパン２によって割算されるターゲットアドレス“３”は３／２を表し、切り捨てられて、値１を提供する。インデックステーブル４００における行１の指標として、切り捨てられた値１を使用して、マッピングテーブルへのオフセットは、インデックステーブル４００の行４１４に対するゼロの値を有すると決定される。

【0082】

図３のマッピングテーブル３００への入力点として、ゼロの値のオフセット値を使用して、ターゲットアドレス値“３”は、列３０２ における行３１４ （行１）においてグループアドレス番号“５”と比較される。ターゲットアドレス値“３”が、行１のためのグループアドレス番号“５”と一致せず、かつ、グループアドレス番号よりも小さいため、マッピングテーブルの検索は、ターゲットアドレス番号を、マッピングテーブルの行３１２、若しくは行３１６、３１８、３２０、及び３３０ のうちのいかなる行のグループアドレス値とも比較する必要なく完了する。したがって、グループアドレス番号がマッピングテーブルに含まれるかを決定するために必要とされる時間は、減少する。

【0083】

図５は、本発明の種々の実施形態に係る、幾つかの方法を示すフロー図である。方法５００は、ブロック５１０において、ターゲットグループアドレスがマッピングテーブルに格納されたグループアドレスと一致するかどうかを決定するステップによって開始しうる。

【0084】

マッピングテーブルを含む方法５００の種々の実施形態は、更に、基準消去ブロックグループを含む複数の消去ブロックグループに含まれる各消去ブロックのための状態指示を提供するステップを含み、状態指示は、欠陥を示す指示値、若しくは欠陥ではないことを示す指示値のどちらかを有する。種々の実施形態は、更に、グループアドレスを含む、マッピングテーブルに格納された複数のグループアドレスを、最大数に限定するステップを含む。

【0085】

方法５００は、ブロック５１２において、メモリデバイスにおける複数の消去ブロックを識別する、グループアドレス番号に対応するターゲットグループアドレス番号を決定するステップを含みうる。種々の実施形態は、複数のグループアドレスの範囲を含むインデックステーブルを提供するステップを含み、それぞれのグループアドレスの範囲は、マッピングテーブルへの複数のオフセット値の一つに対応する。

【0086】

方法５００は、ブロック５１４において、スパンによってターゲットグループアドレス番号を割算することによって第一のオフセット値を決定するステップを含みうる。

【0087】

方法５００は、ブロック５１６において、第一のオフセット値に基づいてインデックステーブルから第二のオフセット値を検索するステップを含みうる。

【0088】

方法５００は、ブロック５１８において、ターゲットグループアドレスがマッピングテーブルに含まれるかどうか決定するため、マッピングテーブルにおいて複数のグループアドレス番号間でグループアドレス番号を検索するステップを含みうる。種々の実施形態は、第二のオフセット値によって決定されるマッピングテーブルにおける点から開始して、グループアドレス番号を検索するステップを含みうる。ここで、マッピングテーブルにおける複数のグループアドレス番号のうちの任意のものは、基準消去ブロックグループを含む複数の消去ブロックグループのうちのそれぞれ一つに由来する複数の消去ブロックのうちのそれぞれ一つのマッピングに対応し、マッピングにおける複数の消去ブロック全てが欠陥ではなく、マッピングにおける複数の消去ブロックのうちの少なくとも一つは、基準消去ブロックグループにおける欠陥消去ブロックを識別する、一致する一意的な消去ブロック番号を有する。

【0089】

方法５００の種々の実施形態は、基準消去ブロックグループを含む複数の消去ブロックグループのうちのそれぞれ一つから、複数の消去ブロックのうちのそれぞれ一つをそれぞれマッピングするステップを含み、任意の特定の一つのマッピングに対応するグループアドレス番号は、任意の特定の一つのマッピングに含まれる基準消去ブロックグループからの消去ブロックに対応する、一致する一意的な消去ブロック番号と同一の番号である。方法５００の種々の実施形態は、スパンによってターゲットグループアドレスを割算することによって第一のオフセット値を決定するステップを含み、そのステップは、ゼロ、及びスパンによってターゲットグループアドレスを割算することによって生成される整数を含む、整数値に切り捨てるステップと、第一のオフセット値として整数値を使用するステップと、を含む。

【0090】

方法５００の種々の実施形態は、第二のオフセット値を決定するステップが、インデックステーブルに整数値に対応する第二のオフセット値を配置するステップを含むことを含みうる。方法５００の種々の実施形態は、ターゲットグループアドレスを決定するステップが、メモリ動作が実施されるべきグループアドレスを決定するステップを含むことを含みうる。方法５００の種々の実施形態は、ターゲットグループアドレスがマッピングテーブルに含まれるかどうかを決定するステップが、ターゲットグループアドレスに一致するマッピングテーブルにおけるグループアドレスを見つけるステップを含むことを含みうる。

【0091】

方法５００は、ブロック５２０において、一致が見つかった場合、マッピングテーブルによって示され、ターゲットグループアドレスに一致する第一のグループアドレスを有する第一の複数の消去ブロックに対するメモリ動作を実施するステップを含みうる。

【0092】

種々の実施形態は、第一の複数の消去ブロックが基準消去ブロックグループを含む複数の消去ブロックグループから選択されることを含みうる。

【0093】

方法５００の種々の実施形態は、基準消去ブロックグループを含む複数の消去ブロックグループに含まれる各消去ブロックのための状態指示を提供するステップを更に含み、状態指示は、欠陥を示す指示値、若しくは欠陥ではないことを示す指示値のどちらかを有する。

【0094】

種々の実施形態は、複数の消去ブロックグループのそれぞれが複数の消去ブロックを含み、複数の消去ブロックはそれぞれ、複数の消去ブロック内において一意的で、かつ、複数の消去ブロックグループにわたって一致する、一致する一意的な複数の消去ブロック番号によってそれぞれ識別されることを含みうる。種々の実施形態は、第一の複数の消去ブロックが、基準消去ブロックグループ由来の欠陥ではない消去ブロック１つと、基準消去ブロックグループ以外のそれぞれの複数の消去ブロックグループ由来の欠陥ではない消去ブロック１つとを含むことを含みうる。種々の実施形態は、基準消去ブロックグループ以外の消去ブロックグループ由来の少なくとも一つの第一の複数の消去ブロックが、基準消去ブロックグループにおける欠陥消去ブロックを識別する、一致する一意的な消去ブロック番号と同一の、第一の一致する一意的な消去ブロック番号を含むことを含みうる。

【0095】

方法５００の種々の実施形態は、第一のグループアドレスが、第一の複数の消去ブロックに含まれる、基準消去ブロックグループ由来の消去ブロックの一致する一意的な消去ブロック番号と一致することを含みうる。方法５００の種々の実施形態は、ターゲットグループアドレスに一致するグループアドレス番号がマッピングテーブルに含まれる場合、ターゲットグループアドレスに一致するマッピングテーブルから再マップされるグループアドレスに含まれる消去ブロックを使用してメモリデバイスに対する動作を実施するステップを含みうる。

【0096】

方法５００は、ブロック５３０において、一致が見つからない場合、ターゲットグループアドレスに一致する第二のグループアドレスを有する第二の複数の消去ブロックに対するメモリ動作を実施するステップを含みうる。

【0097】

種々の実施形態は、第二の複数の消去ブロックが、基準消去ブロックグループを含む複数の消去ブロックグループから選択され、複数の消去ブロックグループのそれぞれ由来の、同一の一致する一意的な消去ブロック番号を有する欠陥ではない消去ブロックを一つ含むことを含みうる。

【0098】

種々の実施形態は、第二のグループアドレスが、第二の複数の消去ブロックに含まれる、基準消去ブロックグループ由来の消去ブロックの一致する一意的な消去ブロック番号と一致することを含みうる。方法５００の種々の実施形態は、ターゲットグループアドレスがマッピングテーブルに含まれない場合、ターゲットグループアドレスに一致する消去ブロック番号を有する、複数の消去ブロックグループのそれぞれ由来の消去ブロックを使用して、メモリデバイスに対する動作を実施するステップを含みうる。

【0099】

本明細書の一部を形成する、付随の図面は、例示の目的であって、限定する目的ではなく、本発明の主題が実施されうる特定の実施形態を示している。示された実施形態は、当業者にとって、本明細書において開示された教示を実施することが可能なように、十分詳細に説明される。本開示の範囲から逸脱することなく、構造的、及び論理的な置換、及び変形がなされうるように、他の実施形態が、利用され、そこから派生されうる。したがって、「発明を実施するための形態」は、限定する意味でとらえられることなく、種々の実施形態の範囲は、付随する請求項、及び、それらの請求項が権利を与えられる均等物の全範囲によってのみ定義される。

【0100】

本発明の主題のこのような実施形態は、本明細書においては、単に簡便性のために個別に、若しくは集合的に“発明”という用語で言及されているが、実際には一つよりも多くのものが開示されている場合でも、この用途の範囲をいかなる単一の発明、若しくは発明的な概念へと任意に限定することを意図するものではない。このように、本明細書においては、特定の実施形態が示され、説明されてきたが、同一の目的を達成するよう計算されたいかなる装置が、示された特定の実施形態と置換されてもよい。本開示は、種々の実施形態のいかなる、及び全ての改作物、若しくは変形物をも包含するように意図される。上述の実施形態と、本明細書においては特に記述されていない他の実施形態との組み合わせは、上記の説明を再考することによって当業者にとって明らかになるであろう。

【0101】

“ロウ”論理信号、及び“ハイ”論理信号のための電圧の大きさは、通常定義されない。なぜなら、それらは負の電圧、及び正の電圧を含む、様々な相対的な値を有しうるからである。“ハイ”及び“ロウ”論理信号は、二進値を表すことにおいて、お互いに対するその関係によってのみ定義される。典型的には、“ハイ”論理信号は“ロウ”論理信号よりも高い電圧レベル、若しくは電位を有し、または、“ロウ”信号は、“ハイ”信号とは異なる極性、若しくは負の極性を有しうる。当業者にとって理解されるように、幾つかの論理システムにおいては、相対的な“ロウ”論理値が接地を基準として負の電位によって表される場合には、“ハイ”論理値は、接地電位によって表されることさえありうる。

【0102】

本開示の要約書は、読者が技術的な開示の特徴を直ちに確認することを可能にする要約書を必要とするという、３７Ｃ．Ｆ．Ｒ．§１．７２（ｂ）に従うために提供される。要約書は、請求項の範囲、若しくは意味を解釈する、若しくは限定するためには使用されないことを理解したうえで提出される。前述の「発明を実施するための形態」においては、本開示を簡素化する目的のために、単一の実施形態において種々の特徴がともにグループ化されている。この開示の方法は、各請求項において明確に列挙されるよりも、より多くの特徴を必要とすると解釈されるべきではない。むしろ、本発明の主題は、開示された単一の実施形態の全特徴よりも少ない特徴において理解されうる。このように、付随する請求項は、これによって「発明を実施するための形態」に組み込まれ、各請求項は個々の実施形態として独立する。

【0103】

また、基準消去ブロックグループを含む複数の消去ブロックグループとして構成可能なメモリデバイスであって、前記複数の消去ブロックグループのそれぞれは複数の消去ブロックを含み、前記複数の消去ブロックのそれぞれは、前記複数の消去ブロック内において一意的で、かつ、前記複数の消去ブロックグループにわたって一致する、一致する一意的な複数の消去ブロック番号によって識別されることを特徴とする、メモリデバイスと、前記複数の消去ブロックグループに接続されるマッピングテーブルであって、前記マッピングテーブルは、前記基準消去ブロックグループにおける欠陥ではない消去ブロックを識別する、前記一致する一意的な複数の消去ブロック番号のうちの一つに対応する、かつ、前記基準消去ブロックグループ以外の前記複数の消去ブロックグループのそれぞれにおける単一の欠陥ではない消去ブロックを識別する、前記一致する一意的な複数の消去ブロック番号のうちの幾つかに対応する、少なくとも一つのグループアドレス番号を格納し、前記幾つかのうちの少なくとも一つは、前記基準消去ブロックグループにおける欠陥消去ブロックを識別する、前記一致する一意的な複数の消去ブロック番号のうちの一つを含む、ことを特徴とするマッピングテーブルと、を備え、前記メモリデバイスの前記複数の消去ブロックは複数の消去ブロックグループにグループ化され、少なくとも１つの消去ブロックグループは、第１の再マップグループと第２の再マップグループとを含み、前記グループアドレス番号の範囲のうちのそれぞれ１つに関連付けられ、前記マッピングテーブルへのオフセット値を含み、ターゲットグループアドレス番号を前記グループアドレス番号の範囲を示すスパンで割算したときの商の整数部分を前記オフセット値として検索されるインデックステーブルを含み、当該マッピングテーブルから前記ターゲットグループプアドレス番号を検索するときに、前記オフセット値に基づいて検索する、装置としてもよい。

【0104】

また、ターゲットグループアドレスが、マッピングテーブルに格納されたグループアドレスに一致するかどうかを決定するときに、前記ターゲットグループアドレスの範囲のうちのそれぞれ１つに関連付けられ、前記マッピングテーブルへのオフセット値を含み前記ターゲットアドレスの番号を前記グループアドレスの番号の範囲を示すスパンで割算したときの商の整数部分を前記オフセット値としてインデックステーブルから検索し、前記オフセット値に基づいて決定するステップと、一致が見つかった場合、前記ターゲットグループアドレスに一致する第一のグループアドレスを有する、前記マッピングテーブルによって示される第一の複数の消去ブロックに対してメモリ動作を実施するステップと、を含み、前記第一の複数の消去ブロックは、基準消去ブロックグループを含む複数の消去ブロックグループから選択され、前記複数の消去ブロックグループのそれぞれは複数の消去ブロックを含み、前記複数の消去ブロックのそれぞれは、前記複数の消去ブロック内において一意的で、かつ、前記複数の消去ブロックグループにわたって一致する、一致する一意的な複数の消去ブロック番号によって識別され、前記第一の複数の消去ブロックは、前記基準消去ブロックグループ由来の欠陥ではない消去ブロックの一つと、前記基準消去ブロックグループ以外の前記複数の消去ブロックグループのそれぞれ由来の欠陥ではない消去ブロックの一つとを含み、前記基準消去ブロックグループ以外の消去ブロックグループ由来の、少なくとも一つの第一の複数の消去ブロックは、前記基準消去ブロックグループにおける欠陥消去ブロックを識別する、一致する一意的な消去ブロック番号と同一の、第一の一致する一意的な消去ブロック番号を含む、方法としてもよい。

【0105】

また、携帯電話であって、前記携帯電話に含まれるセンサへ画像を提供するための画像化デバイス、及びレンズを含む、携帯電話と、前記画像を格納するためのフラッシュメモリデバイスであって、前記フラッシュメモリデバイスは、基準消去ブロックグループを含む複数の消去ブロックグループとして構成可能であり、前記複数の消去ブロックグループのそれぞれは複数の消去ブロックを含み、前記複数の消去ブロックのそれぞれは、前記複数の消去ブロック内において一意的で、かつ、前記複数の消去ブロックグループにわたって一致する、一致する一意的な複数の消去ブロック番号によって識別されることを特徴とする、フラッシュメモリデバイスと、前記複数の消去ブロックグループに接続されるマッピングテーブルであって、前記マッピングテーブルは、前記基準消去ブロックグループにおける欠陥ではない消去ブロックを識別する、前記一致する一意的な複数の消去ブロック番号のうちの一つに対応する、かつ、前記基準消去ブロックグループ以外の前記複数の消去ブロックグループのそれぞれにおける単一の欠陥ではない消去ブロックを識別する、前記一致する一意的な複数の消去ブロック番号のうちの幾つかに対応する、少なくとも一つのグループアドレス番号を格納し、前記幾つかのうちの少なくとも一つは、前記基準消去ブロックグループにおける欠陥消去ブロックを識別する、前記一致する一意的な複数の消去ブロック番号のうちの一つを含む、ことを特徴とするマッピングテーブルと、を含み、前記グループアドレス番号の範囲のうちのそれぞれ１つに関連付けられ、前記マッピングテーブルへのオフセット値を含み、ターゲットグループアドレス番号を前記グループアドレス番号の範囲を示すスパンで割算したときの商の整数部分を前記オフセット値として検索されるインデックステーブルを含み、当該マッピングテーブルから前記ターゲットグループプアドレス番号を検索するときに、前記オフセット値に基づいて検索する、システムとしてもよい。

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】