特許 5715210 基板処理方法

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】特許公報(B2)

(11)【特許番号】5715210

(24)【登録日】2015年3月20日

(45)【発行日】2015年5月7日

(54)【発明の名称】基板処理方法

(51)【国際特許分類】

   H01L 21/304 20060101AFI20150416BHJP

   H01L 21/3065 20060101ALI20150416BHJP

【ＦＩ】

   H01L21/304 645C

   H01L21/304 645B

   H01L21/302 106

【請求項の数】2

【全頁数】10

(21)【出願番号】特願2013-184473(P2013-184473)

(22)【出願日】2013年9月5日

(65)【公開番号】特開2014-60396(P2014-60396A)

(43)【公開日】2014年4月3日

【審査請求日】2013年9月5日

(31)【優先権主張番号】10-2012-0103380

(32)【優先日】2012年9月18日

(33)【優先権主張国】KR

(73)【特許権者】

【識別番号】504388695

【氏名又は名称】ピーエスケー・インコーポレーテッド

(74)【代理人】

【識別番号】110000671

【氏名又は名称】八田国際特許業務法人

(72)【発明者】

【氏名】ソン，ヒョ ソク

【審査官】 ▲高▼須 甲斐

(56)【参考文献】

【文献】 特開２０１２−０６９６５７（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開２００６−０４９６０７（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開２００１−３０８０７０（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開平０７−２３５５２３（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開２００８−０１６６９７（ＪＰ，Ａ）

(58)【調査した分野】（Int.Cl.，ＤＢ名）

Ｈ０１Ｌ ２１／３０４

Ｈ０１Ｌ ２１／３０６５

(57)【特許請求の範囲】

【請求項1】

放電空間へオゾンを供給し、前記オゾンが処理空間へ流れて基板を処理する第１処理段階と、
前記放電空間へソースガスを供給し、前記ソースガスをプラズマ状態に放電させ、放電された前記ソースガスが前記処理空間へ流れて前記基板を処理する第２処理段階と、を含み、
前記オゾンが前記放電空間を通過する間、前記放電空間を囲む誘導コイルには電力が印加されない基板処理方法。

【請求項2】

前記第１処理段階は、
前記放電空間へ水蒸気を供給し、前記水蒸気が前記処理空間へ流れて前記基板を処理する段階をさらに含む請求項１に記載の基板処理方法。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、基板処理方法に関し、より詳細にはプラズマを利用して基板を処理する方法に関する。

【背景技術】

【0002】

最近、半導体はますます高集積化が進んで行き、微細なパターンを形成するので、極微量の汚染物も半導体の特性に影響を及ぼしうる。このような極微細な素子開発のために何より超清浄表面が必要である。これを具現するために基板に存在する多様な汚染物の除去と表面の微細粗さに対する制御が必要とされる。

【0003】

このような汚染物の中で基板表面に発生する自然酸化膜は大気の中にある酸素によって形成される。図１は自然酸化膜が形成された基板の一例を示す図面であって、シリコンａのパターンｂに塗布されたフォトレジスト膜Ｃ１に自然酸化膜Ｃ２が形成され得る。自然酸化膜は完全に除去されても２４時間が経過すれば、５〜２０Åが成長する。

【0004】

ゲートに酸化膜が形成される場合、素子特性の低下及び抵抗が増加する。そして、接触面に酸化膜が形成される場合、接触抵抗を高めて以後の導電体の蒸着を妨害する。半導体が高集積化されるにしたがって、このような酸化膜除去が段々重要な要因として認識され、特にパターンが形成された基板のダメージ（ｄａｍａｇｅ）を減らし、酸化膜を効果的に除去する方法が要求される。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0005】

【特許文献1】韓国特許公開第１０−２０１１−００６１３３４号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0006】

本発明は基板上に形成された酸化膜を容易に除去できる基板処理方法を提供する。

【課題を解決するための手段】

【0019】

本発明の一実施形態による基板処理方法は、放電空間へオゾンを供給し、前記オゾンが処理空間へ流れて基板を処理する第１処理段階と、前記放電空間へソースガスを供給し、前記ソースガスをプラズマ状態に放電させ、放電された前記ソースガスが前記処理空間へ流れて前記基板を処理する第２処理段階と、を包含し、前記オゾンが前記放電空間を通過する間、前記放電空間を囲む誘導コイルには電力が印加されない。

【0022】

また、前記第１処理段階は、前記放電空間へ水蒸気を供給し、前記水蒸気が前記処理空間へ流れて前記基板を処理する段階をさらに包含できる。

【発明の効果】

【0024】

本発明の実施形態によれば、基板上に形成された自然酸化膜又は化学的な酸化膜が容易に除去される。

【図面の簡単な説明】

【0025】

【図1】自然酸化膜が形成された基板の一例を示す図面である。

【図2】本発明の実施形態による基板処理設備を簡略に示す平面図である。

【図3】本発明の一実施形態による基板処理装置を概略的に示す図面である。

【図4】本発明の他の実施形態による基板処理装置を示す図面である。

【図5】本発明のその他の実施形態による基板処理装置を示す図面である。

【発明を実施するための形態】

【0026】

以下、添付した図面を参照して、本発明の実施形態を説明する。なお、図面の説明において同一の要素には同一の符号を付し、重複する説明を省略する。また、図面の寸法比率は、説明の都合上誇張されており、実際の比率とは異なる場合がある。

【0027】

以下、本発明の実施形態を添付された図面を参照してさらに詳細に説明する。本発明の実施形態は様々な形態に変形されることができ、本発明の範囲が以下の実施形態に限定されることとして解釈されてはならない。本実施形態は当業界で平均的な知識を有する者に本発明をさらに完全に説明するために提供されることである。したがって、図面での要素の形状はより明確な説明を強調するために誇張している。

【0028】

図２は本発明の実施形態による基板処理設備を簡略に示す平面図である。

【0029】

図２を参照すれば、基板処理設備１は設備前方端部モジュール（ｅｑｕｉｐｍｅｎｔ ｆｒｏｎｔ ｅｎｄ ｍｏｄｕｌｅ、ＥＦＥＭ）１０と工程処理室２０を含む。設備前方端部モジュール（ＥＦＥＭ）１０と工程処理室２０は一方向に配置される。以下、設備前方端部モジュール（ＥＦＥＭ）１０と工程処理室２０が配列された方向を第１方向（Ｘ）であると定義し、上部から見る時、第１方向（Ｘ）と垂直である方向を第２方向（Ｙ）であると定義する。

【0030】

設備前方端部モジュール１０は工程処理室２０の前方に装着され、基板が収納されたキャリヤー１６と工程処理室２０との間に基板Ｗを移送する。設備前方端部モジュール１０はロードポート１２とフレーム１４を含む。

【0031】

ロードポート１２はフレーム１４の前方に配置され、複数個が提供される。ロードポート１２は互いに離隔して第２方向２にしたがって一列に配置される。キャリヤー１６（例えば、カセット、ＦＯＵＰ等）はロードポート１２に各々安着される。キャリヤー１６には工程に提供される基板Ｗ及び工程処理が完了された基板Ｗが収納される。

【0032】

フレーム１４はロードポート１２とロードロックチャンバー２２との間に配置される。フレーム１４の内部にはロードポート１２とロードロックチャンバー２２との間に基板Ｗを移送する移送ロボット１８が配置される。移送ロボット１８は第２方向（Ｙ）へ具備された移送レール１９にしたがって移動可能である。

【0033】

工程処理室２０はロードロックチャンバー２２、トランスファーチャンバー２４、及び複数個の基板処理装置３０を含む。

【0034】

ロードロックチャンバー２２はトランスファーチャンバー２４とフレーム１４との間に配置され、工程に提供される基板Ｗが基板処理装置３０へ移送される前、又は工程処理が完了された基板Ｗがキャリヤー１６へ移送される前に待機する空間を提供する。ロードロックチャンバー２２は１つ又は複数個提供され得る。実施形態によれば、ロードロックチャンバー２２は２つ提供される。１つのロードロックチャンバー２２には工程処理のために基板処理装置３０へ提供される基板Ｗが収納され、他の１つのロードロックチャンバー２２には基板処理装置３０で工程が完了された基板Ｗが収納され得る。

【0035】

トランスファーチャンバー２４は第１方向（Ｘ）にしたがってロードロックチャンバー２２の後方に配置され、上部から見る時、多角形の本体２５を有する。本体２５の外側にはロードロックチャンバー２２と複数個の基板処理装置３０が本体２５の周辺にしたがって配置される。実施形態によれば、トランスファーチャンバー２４は上部から見る時、六角形の本体を有する。設備前方端部モジュール１０と隣接する２つの側壁にはロードロックチャンバー２２が各々配置され、残る側壁には基板処理装置３０が配置される。本体２５の各側壁には基板Ｗが出入する通路（図示せず）が形成される。通路はトランスファーチャンバー２４とロードロックチャンバー２２との間に、又はトランスファーチャンバー２４と基板処理装置３０との間に基板Ｗが出入する空間を提供する。各通路には通路を開閉するドア（図示せず）が提供される。トランスファーチャンバー２４は要求される工程モジュールによって多様な形状に提供され得る。

【0036】

トランスファーチャンバー２４の内部には搬送ロボット２６が配置される。搬送ロボット２６はロードロックチャンバー２２で待機する未処理基板Ｗを基板処理装置３０へ移送するか、或いは基板処理装置３０で工程処理が完了された基板Ｗをロードロックチャンバー２２へ移送する。搬送ロボット２６は基板処理装置３０へ順次に基板Ｗを提供することができる。

【0037】

基板処理装置３０はプラズマ状態のガスを基板へ供給して工程処理を遂行する。プラズマガスは半導体の製作工程で多様に使用され得る。以下では基板処理装置３０がアッシング（Ａｓｈｉｎｇ）工程を遂行することと説明したが、これに限定されず、エッチング（ｅｔｃｈｉｎｇ）工程と蒸着（ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）工程等プラズマガスを利用する多様な工程に適用され得る。

【0038】

図３は本発明の一実施形態による基板処理装置を概略的に示す図面である。

【0039】

図３を参照すれば、基板処理装置３０は工程処理部１００、プラズマ発生部２００、及びガス供給部３００を含む。工程処理部１００は基板Ｗの処理が遂行される空間を提供し、プラズマ発生部２００は基板Ｗの処理工程に使用されるプラズマを発生させ、プラズマをダウンストリーム（Ｄｏｗｎ Ｓｔｒｅａｍ）方式に基板Ｗへ供給する。ガス供給部３００はプラズマ発生のためのガスをプラズマ発生部２００へ供給する。以下、各構成に対して詳細に説明するようにする。

【0040】

工程処理部１００は工程チャンバー１１０、サセプタ１４０、及びシャワーヘッド１５０を有する。

【0041】

工程チャンバー１１０は基板Ｗの処理が遂行される処理空間ＴＳを提供する。工程チャンバー１１０はボディー１２０と密閉カバー１３０を有する。ボディー１２０は上面が開放され、内部に空間が形成される。ボディー１２０の側壁には基板Ｗが出入する開口（図示せず）が形成され、開口はスリットドア（ｓｌｉｔ ｄｏｏｒ）（図示せず）のような開閉部材によって開閉される。開閉部材は工程チャンバー１１０内で基板Ｗの処理が遂行される間開口を閉鎖し、基板Ｗが工程チャンバー１１０の内部へ搬入される時と工程チャンバー１１０の外部へ搬出される時とに開口を開放する。ボディー１２０の下部壁には排気ホール１２１が形成される。排気ホール１２１は排気ライン１７０に連結される。排気ライン１７０を通じて工程チャンバー１１０の内部圧力が調節され、工程で発生された反応部産物が工程チャンバー１１０の外部へ排出される。

【0042】

密閉カバー１３０はボディー１２０の上部壁に結合し、ボディー１２０の開放された上面を覆ってボディー１２０の内部を密閉させる。密閉カバー１３０の上端はプラズマ供給部２００に連結される。密閉カバー１３０には誘導空間ＤＳが形成される。プラズマ供給部２００で流入されたプラズマは誘導空間ＤＳで拡散され、シャワーヘッド１５０へ移動する。

【0043】

サセプタ１４０は処理空間ＴＳに位置され、基板Ｗを支持する。サセプタ１４０は静電力によって基板Ｗを吸着する靜電チャック（Ｅｌｅｃｔｒｏ Ｓｔａｔｉｃ Ｃｈｕｃｋ）が提供され得る。サセプタ１４０にはリフトホール（図示せず）が形成され得る。リフトホールにはリフトピン（図示せず）が各々提供される。リフトピンは基板Ｗがサセプタ１４０上にローディング／アンローディングされる場合、リフトホールに沿って昇降する。サセプタ１４０の内部にはヒーター１４１が提供され得る。ヒーター１４１は基板Ｗを加熱して工程温度に維持させる。

【0044】

シャワーヘッド１５０はボディー１２０と密閉カバー１３０との間でボディー１２０の上部壁に結合する。シャワーヘッド１５０は円板形状に提供され、サセプタ１４０の上面と平行に配置される。シャワーヘッド１５０はサセプタ１４０と対向する面が平らに提供される。シャワーヘッド１５０は基板Ｗより広い面積で提供され得る。シャワーヘッド１５０にはホール１５１が形成される。誘導空間ＤＳで拡散されたプラズマガスはホール１５１を通過して基板Ｗへ供給される。

【0045】

プラズマ発生部２００は工程チャンバー１１０の上部に位置し、ガスを放電させてプラズマガスを生成する。プラズマ発生部２００は反応器２１１、ガス注入ポート２１２、誘導コイル２１５、及び電源２１７を含む。

【0046】

反応器２１１は円筒形状に、上面及び下面が開放され内部に空間が形成される。反応器２１１の内部はガスが放電される放電空間ＥＳへ提供される。

【0047】

反応器２１１の上端にはガス注入ポート２１２が結合する。ガス注入ポート２１２はガス供給部３００に連結され、ガスが供給される。ガス注入ポート２１２の底面には誘導空間ＩＳが形成される。誘導空間ＩＳは逆漏斗形状を有し、放電空間ＥＳと連通される。誘導空間ＩＳへ流入されたガスは拡散され、放電空間ＥＳへ提供される。

【0048】

誘導コイル２１５は反応器２１１の周辺にしたがって反応器２１１に複数回巻かれる。誘導コイル２１５の一端は電源２１７に連結され、他端は接地される。電源２１７は誘導コイル２１５に高周波電力又はマイクロ波電力を印加する。

【0049】

ガス供給部３００は放電空間ＥＳへガスを供給する。ガス供給部３００は第１ガス供給ライン３１０、第２ガス供給ライン３２０、ソースガス格納部３３０、蒸気発生部３４０、及び純水供給ライン３５０を含む。

【0050】

第１ガス供給ライン３１０は一端がガス注入ポート２１２に連結され、他端がソースガス格納部３３０に連結される。第１ガス供給ライン３１０はソースガス格納部３３０に格納されたソースガスを放電空間ＥＳへ供給する。ソースガスはＮＨ_３、Ｏ_２、Ｎ_２、Ｈ_３、ＮＦ_３ＣＨ_４の中で少なくともいずれか１つのガスを包含することができる。ソースガス格納部３３０は上述したガスを個別的に格納する複数の格納部３３１、３３２、３３３、・・・を有することができる。この場合、第１ガス供給ライン３１０の終端は複数に分岐され、格納部３３１、３３２、３３３、・・・に各々連結されることができる。これと異なり、ソースガスは上述したガスが混合された混合ガスに提供され、１つの格納部に格納され得る。

【0051】

第２ガス供給ライン３２０は第１ガス供給ライン３１０から分岐され、一端が第１ガス供給ライン３１０に連結される。第２ガス供給ライン３２０の上には蒸気発生部３４０が設置される。蒸気発生部３４０は純水供給ライン３５０に連結され、純水供給ライン３５０から純水（ＤＩ−ｗａｔｅｒ）が供給される。蒸気発生部３４０は純水を加熱して蒸気状態に状態変化させ、発生された水蒸気を第２ガス供給ライン３２０へ供給する。

【0052】

第１ガス供給ライン３１０から第２ガス供給ライン３２０が分岐される地点とソースガス格納部３３０との間の区間で、第１ガス供給ライン３１０には第１バルブ３６１が設置される。第１バルブ３６１は第１ガス供給ライン３１０を開閉し、ソースガスの供給を調節する。

【0053】

第２ガス供給ライン３２０には第２バルブ３６２が設置される。第２バルブ３６２は第２ガス供給ライン３２０を開閉し、水蒸気の供給を調節する。

【0054】

以下、上述した基板処理装置を利用して基板を処理する方法を説明するようにする。

【0055】

基板処理方法は図１のように、酸化膜Ｃ２が形成されたフォトレジストＣ１を除去する。基板処理方法は第１処理段階と第２処理段階を含む。第１処理段階と第２処理段階が進行される間に、サセプタ１４０はヒーター１４１の加熱によって約３５０℃又はそれより低い温度に維持され得る。

【0056】

第１処理段階は放電空間ＥＳへ水蒸気を供給し、水蒸気が処理空間ＴＳへ流れて基板Ｗを処理する。純水供給ライン３５０を通じて純水が蒸気発生器３４０へ供給される。蒸気発生器３４０は純水を加熱して蒸気状態に生成し、水蒸気は第２ガス供給ライン３２０と第１ガス供給ライン３１０を順次に経て放電空間ＥＳへ供給される。

【0057】

水蒸気が放電空間ＥＳを通過する間、電源２１７から誘導コイル２１５に電力が印加される。印加された電力は放電空間ＥＳに誘導電気場を形成し、水蒸気は誘導電気場からイオン化に必要なエネルギーを得てプラズマ状態に放電される。放電された水蒸気は水酸化イオンと水素イオン活性種を有し、酸素の含量が最小化される。放電された水蒸気は処理空間ＴＳへ提供されてフォトレジスト膜Ｃ１と酸化膜Ｃ２を１次的に処理する。

【0058】

これと異なり、水蒸気が放電空間ＥＳを通過する間、誘導コイル２１５には電力が印加されないことがあり得る。水蒸気は処理空間ＴＳを流れてフォトレジスト膜Ｃ１と酸化膜Ｃ２を１次的に処理する。

【0059】

第２処理段階は１次段階の後、ソースガスを放電空間ＥＳへ供給する。ソースガスが放電空間ＥＳを通過する間、電源２１７から誘導コイル２１５へ電力が印加される。印加された電力によって、ソースガスはプラズマ状態に放電される。放電されたソースガスは処理空間ＴＳへ流れてフォトレジスト膜Ｃ１と酸化膜Ｃ２を２次的に処理する。

【0060】

上述した第１処理段階と第２処理段階を経て、酸化膜Ｃ２が形成されたフォトレジスト膜Ｃ１が基板Ｗから除去され得る。

【0061】

図４は本発明の他の実施形態による基板処理装置を示す図面である。

【0062】

図４を参照すれば、基板処理装置３０’はガス供給部４００を除外した構成が上述した基板処理装置３０と同様に提供される。図３の実施形態と異なり、第２ガス供給ライン４２０にはオゾン発生器４４０が連結される。オゾン発生器４４０はオゾンを生成し、これを第２ガス供給ライン４２０へ供給する。

【0063】

本発明の実施形態による基板処理方法はオゾン発生器４４０で発生されたオゾンを第２ガス供給ライン４２０と第１ガス供給ライン４１０を通じて放電空間ＥＳへ供給する。

【0064】

オゾンが放電空間ＥＳを通過する間、電源２１７から誘導コイル２１５に電力が印加される。電力印加によってオゾンはプラズマ状態に放電される。放電されたオゾンは処理空間ＴＳへ提供されてフォトレジスト膜Ｃ１と酸化膜Ｃ２を１次的に処理する。オゾンはプラズマ状態に放電される過程でＯとＯ_２に分解され、これらが再び結合してＯ_３が生成する。Ｏ_３は再びＯとＯ_２とに分解される反応を通じてＯとＯ_３を生成する。これらは有機汚染物を揮発性化合物に変化させて除去するので、フォトレジストＣ１と酸化膜Ｃ２の除去に効果的である。

【0065】

これと異なり、オゾンが放電空間ＥＳを通過する間、誘導コイル２１５には電力が印加されないことがあり得る。オゾンは処理空間ＴＳを流れてフォトレジスト膜Ｃ１と酸化膜Ｃ２を１次的に処理する。

【0066】

オゾンによる処理が完了されれば、ソースガスを放電空間ＥＳへ供給する。ソースガスが放電空間ＥＳを通過する間、電源２１７から誘導コイル２１５に電力が印加される。印加された電力によってソースガスはプラズマ状態に放電される。放電されたソースガスは処理空間ＴＳへ流れてフォトレジスト膜Ｃ１と酸化膜Ｃ２を２次的に処理する。

【0067】

上述した第１処理段階と第２処理段階を経て、酸化膜Ｃ２が形成されたフォトレジスト膜Ｃ１が基板Ｗから除去され得る。

【0068】

図５は本発明のその他の実施形態による基板処理装置を示す図面である。

【0069】

図５を参照すれば、上述した実施形態と異なり、第２ガス供給ライン５２０には蒸気発生器５４０とオゾン発生器５６０が連結される。第２ガス供給ライン５２０の他端は２つに分岐され、各々蒸気発生器５４０とオゾン発生器５６０に連結される。

【0070】

蒸気発生器５４０は純水供給ライン５５０に連結され、純水供給ライン５５０から供給された純水を加熱して蒸気状態に生成する。水蒸気は第２ガス供給ライン５２０と第１ガス供給ライン５１０を経て放電空間ＥＳへ供給される。

【0071】

オゾン発生器５６０はオゾンを発生させ、オゾンは第２ガス供給ライン５２０と第１ガス供給ライン５１０を経て放電空間ＥＳへ供給される。

【0072】

水蒸気とオゾンは順次に放電空間ＥＳへ供給され得る。これと異なり、水蒸気とオゾンが同時に放電空間ＥＳへ供給され得る。

【0073】

水蒸気とオゾンが放電空間ＥＳを通過する間、電源２１７から誘導コイル２１５に電力が印加される。電力印加によって、水蒸気とオゾンはプラズマ状態に放電される。放電された水蒸気とオゾンは処理空間ＴＳへ提供されてフォトレジスト膜Ｃ１と酸化膜Ｃ２を１次的に処理する。

【0074】

これと異なり、水蒸気とオゾンが放電空間ＥＳを通過する間、誘導コイル２１５には電力が印加されないことがあり得る。水蒸気とオゾンは処理空間ＴＳを流れてフォトレジスト膜Ｃ１と酸化膜Ｃ２を１次的に処理する。

【0075】

水蒸気とオゾンによる処理が完了されれば、ソースガスを放電空間ＥＳへ供給する。ソースガスが放電空間ＥＳを通過する間、電源２１７から誘導コイル２１５に電力が印加される。印加された電力によってソースガスはプラズマ状態に放電される。放電されたソースガスは処理空間ＴＳへ流れてフォトレジスト膜Ｃ１と酸化膜Ｃ２を２次的に処理する。

【0076】

上述した実施形態ではフォトレジスト膜に形成された酸化膜を除去することと説明したが、上述した方法によって処理できる酸化膜はこれに限定されない。基板処理方法はパターンに形成された酸化膜を除去できる。

【0077】

以上の詳細な説明は本発明を例示することに過ぎない。また、前述した内容は本発明の望ましい実施形態を示し、説明することであり、本発明は多様な他の組合、変更及び環境で使用することができる。即ち、本明細書に開示された発明の概念の範囲、前述した開示内容と均等な範囲及び／又は当業界の技術又は知識の範囲内で変更又は修正が可能である。前述した実施形態は本発明の技術的思想を具現するための最善の状態を説明することであり、本発明の具体的な適用分野及び用途で要求される多様な変更も可能である。したがって、以上の発明の詳細な説明は開示された実施状態に本発明を制限しようとすることでない。また、添付された請求の範囲は他の実施状態も含むことであって解釈されなければならない。

【符号の説明】

【0078】

３０、３０’、３０”・・・基板処理装置、
１００・・・工程処理部、
２００・・・プラズマ発生部、
３００、４００、５００・・・ガス供給部、
３１０、４１０、５１０・・・第１ガス供給ライン、
３２０、４２０、５２０・・・第２ガス供給ライン、
３３０、４３０、５３０・・・ソースガス格納部、
３４０、５４０・・・蒸気発生部、
３５０、５５０・・・純水供給ライン、
４４０、５６０・・・オゾン発生器。

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】