特許5718718メモリセル電荷記憶素子あたりに二重のコントロールゲートを有するフラッシュメモリセルアレイ

発明の名称　メモリセル電荷記憶素子あたりに二重のコントロールゲートを有するフラッシュメモリセルアレイ

出願人　サンディスク　テクノロジーズ　インコーポレイテッド　（識別番号 511242535）

　　　　特許公開件数ランキング 14468 位（0件）（共同出願を含む）

　　　　特許取得件数ランキング 12296 位（0件）（共同出願を含む）

公報番号　特許-5718718

公報発行日　2015年5月13

公報URL　https://ipforce.jp/patent-jp-B9-5718718

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