(58)【調査した分野】(Int.Cl.,DB名)
【背景技術】
【0002】
近年、LED素子等の発光素子を用いた発光装置は、照明、各種機器のバックライト等として使用されており、その使用範囲が更に広がりつつある。そこで、より省電力で明るく発光する発光効率を高めた発光装置が市場から求められるに至っている。このような発光効率の向上に関する要求に対し、従来、発光素子からの光取り出し効率を高めることで対応することが提案されていた。
【0003】
その一例としては、発光素子をドーム状の第1の封止樹脂で封止すると共にそれを第2の封止樹脂で封止し、発光素子、第1及び第2の封止樹脂の屈折率が、発光素子>第1の封止樹脂>第2の封止樹脂>空気となるように設定した発光装置が知られている(例えば、特許文献1参照)。
【0004】
また、発光素子の発光層との屈折率の差が小さい屈折率緩和物質を、集光レンズと発光素子との間のギャップに充填し、光の取り出し効率を向上させた発光素子パッケージも知られている(例えば、特許文献2参照)。
【0005】
更に、発光素子に厚さが50μm以下の反射防止機能を備えた被覆層を設け、その被覆層の屈折率を発光素子の屈折率より小さく、外側の層よりも大きくしたものも知られている(例えば、特許文献3参照)。
【0006】
しかしながら、上記従来例は、何れも発光素子上面から照射される光の取り出し効率を向上させることのみを検討しており、発光素子の上面上にある第1の封止樹脂とそれを覆う第2の封止樹脂との界面における光の取り出し効率に関しては全く検討がなされていなかった。このため、第1の封止樹脂と第2の封止樹脂との界面において全反射される光もあり、光の取り出し効率を更に改善する余地を残すことになっていた。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0008】
本発明が解決しようとする課題は、発光素子の上面に設けられた高屈折率層の上面における光取り出し効率を高めると共に、発光素子自体からの光取り出し効率も向上させた発光装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【0009】
本発明の発光装置は、基板上にフリップチップで発光面が下となるように発光素子を実装し、
該発光素子と前記基板との間にアンダーフィルを設けると共に、該発光素子を
屈折率の異なる第1及び第2の樹脂にて封止して、前記発光素子から
第2の樹脂の外側空気までの間が、
前記第1及び第2の樹脂によって段階的に屈折率が小さくなるように設定した直方体をなす発光装置であって、前記発光素子の上面に
該発光素子の素子基板の屈折率より小さい高屈折率材料による高屈折率層
からなる第1の樹脂を設け、前記高屈折率層の厚みを該高屈折率層上面での全反射領域がなくなる一定値以上に設定したことにより、発光素子の平面における辺と辺との間及び角と角との間を切断した断面の対角線に沿った光において、該高屈折率層上面の界面における全反射領域がなくな
り、前記第1の脂の少なくとも側面側に第1の樹脂より屈折率の低い封止樹脂からなる第2の樹脂を設け、この第2の樹脂の高さ又は幅が第1の樹脂の側面から第2の樹脂に入射した光が第2の樹脂の上面で全反射を生じることなく、第2の樹脂の側面から外方に出射する高さ又は幅を有し、前記アンダーフィルの屈折率を前記第1の樹脂の屈折率より大きく設定したものである。
【0010】
また、この発光装置
の上面はサファイアからなり、前記封止樹脂はエポキシ樹脂またはシリコーン樹脂からなる。
【0011】
また、この発光装置における前記高屈折率層は
屈折率1.65前後の高屈折率材料からなる。
【0012】
また、この発光装置における
前記アンダーフィルは屈折率1.7以上の高屈折率材料からなる。
【0013】
また、この発光装置における前記高屈折率層は
ジメチルシリコーン系からなる。
【発明の効果】
【0014】
本発明の発光装置は、基板上に実装された発光素子から外部の空気までの間の屈折率が段階的に小さくなるように、発光素子の上面に高屈折率材料からなる高屈折率層を設けている。このように高屈折率層を設けたことで、発光素子から高屈折率層、封止樹脂及び外側の空気に至る屈折率を段階的に小さく調整して発光素子からの光がそれぞれの界面で全反射されることを防いで、光取り出し効率を高めている。
【0015】
特に、発光素子のアンダーフィルを高屈折率材料で形成した場合には、発光素子から基板方向に照射された光がほぼ屈折することなくアンダーフィルを通過して基板上面で反射され、上方へ照射される。これにより、光取り出し効率を更に高めることができる。
【0016】
また、本発明の発光装置では、高屈折率層の厚みを、高屈折率層上面での全反射領域がなくなる一定値以上の厚みに設定している。このため、高屈折率層の上面での全反射がなくなり、高屈折率層からの光取り出し効率を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【0017】
【
図1】
図1は本発明の実施例1に係る発光装置を示す断面図である。
【
図2】
図2は本発明に係る屈折率1.65から屈折率1.75の材料に光を照射したときの界面での反射率を示すグラフである。
【
図3】
図3は
図1に示す実施例1における発光素子と高屈折率層の界面における光取り出し状態を示す断面説明図である。
【
図4】
図4は
図5及び
図9における発光素子の切断方向を示す発光素子の平面図である。
【
図5】
図5(a)は実施例1における発光装置の発光素子と高屈折率層との界面における光取り出し状態を示す
図4に示す方向の断面図であり、
図5(b)は高屈折率層がない場合の発光素子と封止樹脂との界面における反射状態を示す
図4に示す方向の断面図である。
【
図7】
図7(a)は実施例1における発光装置の発光素子と高屈折率層との界面における光取り出し状態を示す
図6に示す方向の断面図であり、
図7(b)は高屈折率層がない場合の発光素子と封止樹脂との界面における反射状態を示す
図6に示す方向の断面図である。
【
図8】
図8は本発明の実施例2に係る発光装置を示す断面図である。
【
図9】
図9(a)は実施例2における発光装置の発光素子と高屈折率層との界面、及び高屈折率層の上面における光取り出し状態を示す
図4に示す方向の断面図であり、
図9(b)は薄膜からなる高屈折率層を設けた場合の高屈折率層の上面における反射状態を示す
図4に示す方向の断面図である。
【
図10】
図10(a)は実施例2における発光装置の発光素子と高屈折率層との界面、及び高屈折率層の上面における光取り出し状態を示す
図6に示す方向の断面図であり、
図10(b)は薄膜からなる高屈折率層を設けた場合の発光素子と高屈折率層との界面、及び高屈折率層の上面における反射状態を示す
図6に示す方向の断面図である。
【
図11】
図11は封止樹脂の上面で全反射が起きる例を示す発光装置の断面図である。
【
図12】
図12は封止樹脂の高さを高くして封止樹脂の上面における全反射の発生を防いだ一部変更例を示す発光装置の断面図である。
【
図13】
図13は封止樹脂の幅を狭くして封止樹脂の上面における全反射の発生を防いだ一部変更例を示す発光装置の断面図である。
【発明を実施するための形態】
【0018】
図1は本発明の第1の実施形態に係る発光装置を示す断面図である。2は基板であり、セラミックまたは有機材料からなる。4は基板2の上面に実装された発光素子としてのLED素子であり、400〜460μmの波長領域を持つ。このLED素子4は、その素子基板がサファイアからなり、屈折率が1.75となっている。また、このLED素子4は基板2の上面にフリップチップにより実装されている。
【0019】
6はLED素子4を封止する封止樹脂であり、エポキシ樹脂またはシリコーン樹脂(屈折率1.4〜1.6)からなる。本実施例における封止樹脂6は屈折率が1.55となっている。
【0020】
8はLED素子4の上面に設けられた高屈折率層である。この高屈折率層8は、例えばジメチルシリコーン系の高屈折率材料からなるものであり、本実施例では屈折率が1.65前後のものを使用している。
【0021】
10はLED素子4をフリップチップ接合するときにLED素子4と基板2との間に設けられる補強材としてのアンダーフィルである。このアンダーフィル10は、高屈折率層8と同じく、ジメチルシリコーン系の高屈折率材料からなるものであり、屈折率が1.7以上のものを使用している。
【0022】
上記構成からなる発光装置においては、最も有効な発光部位となるLED素子4の上方に向かってLED素子4、高屈折率層8及び封止樹脂6が並び、その屈折率が1.75、1.65、1.55となり、段階的に小さくなる。このLED素子4(屈折率1.75)と高屈折率層8(屈折率1.65)との界面における反射率は
図2に示すようになり、全反射が起きる臨界角が約71°となる。
【0023】
ここで、LED素子4の高さを150μm、一辺の長さを350μmと設定した場合、
図3に示すように、その断面における対角線12の角度は約66〜67°になる。このLED素子4の場合、LED素子4と高屈折率層8との界面14に照射される光は、その入射角が最も大きい場合であっても対角線12に沿った光となるため、約67°となる。前述したように、界面14における全反射が起きる臨界角は約71°であるため、この界面14において全反射が起きることはなく、LED素子4から界面14に向かう光のほとんどは上方に照射されることになる。
【0024】
また、高屈折率層8(屈折率1.65)と封止樹脂6(屈折率1.55)との上方の界面16においては、それらの屈折率から臨界角が約70°となる。このような界面16に対して70°の臨界角をなす光18は、界面14に対して62°の角度で入射する光20が屈折することにより形成される。本実施例においては、この光20から対角線12に沿った光までが界面16に対して臨界角(約70°)を越えた光となる。このため、この光20から対角線12に沿った光が界面16に照射されると、界面16にて全反射されることになる。本実施例において上記のように臨界角を越えた光は、高屈折率層8の厚みが約25μm以下であると界面16に照射されて全反射されるため、このように界面16に臨界角を越えた光が照射されず、全反射が起きない25μm以上に高屈折率層8の厚みを設定すれば、全反射を防いで光取り出し効率を高めることができる。
【0025】
また、この発光装置では、LED素子4と基板2との間のアンダーフィル10を、LED素子4とほぼ同じ屈折率(1.7以上)に設定しているので、LED素子4から下方に照射される光をほとんど屈折することなく基板2の上面で反射して上方に照射することができる。これにより、屈折することで各界面14,16に対して臨界角をなすように照射されてしまう光をなくし、光取り出し効率をより高めることができる。
【0026】
本実施例におけるLED素子4のように、平面の一辺が350μmの正方形で、高さが150μmとなる直方体の場合、
図4に示すような辺と辺との間を切断した断面と、
図6に示すような角と角の間を切断した断面では、わずかではあるが断面の対角線の長さと角度が異なり、それぞれ界面14,16における全反射の状態が微細に異なる。そこで、以下に各々の断面における光取り出し状態を、高屈折率層8がない場合又は高屈折率層8が薄膜からなる場合と比較することで説明する。
【0027】
図5(a)は前述した本実施例における発光装置を、
図4に示すように切断したときの光取り出し状態を示す断面図であり、
図5(b)は高屈折率層8がない場合の光取り出し状態を示す断面図である。
図5(a)に示すように、LED素子4と高屈折率層8との界面14に対してその臨界角71°をなす光22は断面の対角線(約66〜67°)よりも下側に傾いているため、界面14に当たることはなく、全反射は起きない。また、高屈折率層8の上面と封止樹脂6との界面16に対してその臨界角70°をなす光18は、全反射が起きないように高屈折率層8が厚く(本実施例では25μm以上)形成されているため、界面16に当たらず、高屈折率層8の側面から外方に照射される。このように、この方向の断面においては、界面14,16では全反射が起きない。
【0028】
これに対して、
図5(b)に示すように、高屈折率層8を設けていないと、LED素子4の屈折率が1.75、封止樹脂6の屈折率が1.55であるため、LED素子4の上面と封止樹脂6との界面24の臨界角は約62°となる。このように界面24に対して62°の角度をなす光26は、LED素子4の断面の対角線(約67°)よりも上側にあるため、界面24に当たり全反射される。
図5(b)に示すように、光26が界面24に当たる位置からそれに近い方の界面24の端部までの間に、全反射する領域R1が発生することになる。このため、光取り出し効率は大幅に低下する。
【0029】
また、
図7(a)は本実施例における発光装置を、
図6に示すように切断したときの光取り出し状態を示す断面図であり、
図7(b)は高屈折率層8がない場合の光取り出し状態を示す断面図である。
図7(a)に示すように、平面の対角線方向に切断すると、
図5(a)に示す場合よりも断面の対角線はより長く且つ傾斜が大きくなる。このため、界面14に対してその臨界角71°をなす光22が界面14に当たり、そこから近い方の界面14の端部に至るわずかな部分に全反射する領域R2が発生する。一方、界面16に対してその臨界角70°をなす光18は、高屈折率層8が全反射を起こさない十分な厚みに設定されているため、全反射することなく高屈折率層8の側面から上方に照射される。このように、界面14では角部付近でわずかに全反射が起きるが、界面16では全反射が起きない。
【0030】
これに対して、
図7(b)に示すように、高屈折率層8を設けないと、界面24に対してその臨界角62°をなす光26は、界面24の中央付近に当たり、そこから端部に至る広い範囲に全反射する領域R3が発生することになる。このため、光取り出し効率は大幅に低下する。
【0031】
上記のように、本実施例の発光装置では、界面14の角部付近のわずかな部分で全反射が起きるが、界面16で全反射が起きることはなく、高屈折率層8がない場合に比べて光取り出し効率を大幅に向上させることができる。
【0032】
図8は本発明の第2の実施形態に係る発光装置を示す断面図である。なお、前述した第1の実施形態と同一部分については同一の符号を付して、その詳細な説明を省略する。
【0033】
図8に示すように、本実施形態における高屈折率層28は、先の実施形態と同様ジメチルシリコーン系の高屈折率材料からなり、LED素子4の上面の上に厚く形成されて、LED素子4の上面を封止するものとなっている。封止樹脂6は、LED素子4の側面と高屈折率層28の側面を封止するものとなっている。本実施例における発光装置は、高屈折率層28の上面にて全反射が起きる厚み以上に高屈折率層28を厚く形成しているため、高屈折率層28の上面32において全反射が起きることがない。以下に、本実施形態の発光装置と薄膜からなる高屈折率層を設けた場合を比較することで光取り出し状態を説明する。
【0034】
図9(a)は上記本実施例における発光装置を、
図4に示したように切断したときの光取り出し状態を示す断面図であり、
図9(b)は高屈折率層を薄膜で形成した場合の光取り出し状態を示す断面図である。
図9(a),(b)に示す発光装置は、そのLED素子4の大きさが前述した第1実施形態と同一であれば、LED素子4と高屈折率層28との界面34、及びLED素子4と高屈折率層30との界面36における全反射は共に起きない。
【0035】
一方、
図9(b)に示す高屈折率層30と封止樹脂6との界面38には、その臨界角70°をなす光40が当たり、そこから界面38の端部までの間に全反射する領域R4が発生することになる。
図9(a)に示す高屈折率層28は、前述した実施例1における高屈折率層8よりも厚く形成されており、
図9(b)における全反射が生じる光40が上面32に当たって全反射することがない。
【0036】
また、
図10(a),(b)は、
図9(a),(b)に示す発光装置をそれぞれ
図6に示す方向に切断したときの断面図である。
図10(a),(b)に示すように、各断面の対角線が
図9(a),(b)の断面に比べて長く且つ傾斜が大きくなるため、
図10(a)に示す発光装置においても、
図7(a)に示す実施例1と同様に、界面34に対してその臨界角71°をなす光42が界面34に当たり、そこから近い方の界面34の端部に至るわずかな部分に全反射する領域R5が発生する。この全反射する領域R5は、
図10(b)に示す薄膜からなる高屈折率層30を設けた場合にも、同様に発生する。
【0037】
一方、
図10(b)に示すように、界面38に対してその臨界角70°をなす光44は、界面38の中央付近に当たり、そこから界面38の端部に至る広い範囲に全反射する領域R6が発生する。この領域R6は、高屈折率層30が薄い程広がることになる。
図10(a)に示す発光装置では、前述した
図7(a)に示す実施例1と同様に、高屈折率層28の上面32に対して70°の角度をなす光46が高屈折率層28の側面から外方に照射され、上面32で全反射が起きることはない。このように、高屈折率層28,30の厚みによって、全反射する領域が大きく変わり、本実施例においては高屈折率層28の厚みが全反射が起きない程厚く設定されているため、全反射が発生せず、光取り出し効率を大幅に高めることができる。
【0038】
また、
図8に示す本実施形態の発光装置においても、LED素子4と基板2との間のアンダーフィル10に屈折率が1.7以上のジメチルシリコーン系の高屈折率材料を用いているため、屈折率が1.75の発光素子4とほぼ一様な屈折率となる。このため、LED素子4から基板2に向かう光は、ほぼ屈折せずに直進して基板2の上面で反射されて上方へ照射される。これにより、何回も屈折することで界面に入射する角度がより大きくなって全反射される光の発生を防ぎ、下方に発光した光も有効に利用して光取り出し効率を高めることができる。
【0039】
上述した第1の実施形態に係る発光装置(
図1)及び第2の実施形態に係る発光装置(
図8)において、高屈折率層8,28はLED素子4の上面側にのみ設けられている。この高屈折率層8,28はLED素子4の側面にも回り込むように設けても良いが、LED素子4の側面側に設けない方が好ましい。これは、LED素子4の側面に高屈折率層がない場合、
図5(a)や
図9(a)に示すように、LED素子4の側面から照射される光が上方向に屈折し、高屈折率層がLED素子4の側面側にあると、上方向に屈折する角度が緩くなり、光が横方向に広がってしまうことになる。このため、LED素子4の側面側に高屈折率層を設けない方が、直上方向をより明るくすることができる。
【0040】
また、上述した第1及び第2の実施形態に係る発光装置は、共に高屈折率層8,28を設けることで界面14,16,34及び上面32における全反射を防いでいるが、
図11に示すように、高屈折率層8,28の側面から上方に向かう光48に対して、LED素子4の側方に設けられた封止樹脂6の上面50の端部付近で全反射が起きることがある。このような封止樹脂6の上面50における全反射は、封止樹脂6の高さ又は幅を調整することで防ぐことができる。
【0041】
図12は封止樹脂6の高さを高くすることで上面50における全反射の発生を防いだ発光装置の一部変更例を示している。この発光装置における封止樹脂6は、高さを高くして、LED素子4と高屈折率層8との界面14と高屈折率層8の側面等を通過して封止樹脂6の上面50にて全反射を生じる程浅い角度(大きい入射角)で照射される光48が、封止樹脂6の側面52から外方に照射するように構成している。このように構成すると、光48は上面50に当たらず、封止樹脂6の側面52に対して光48が深い角度(小さい入射角)で照射され、光48は側面52にて全反射を起こすことなく斜め上方に向かって照射される。
【0042】
また、
図13に示すように、封止樹脂6の幅(図中左右方向の寸法)を狭くして、上面50の光48が当たる部分を除去することで、光48が側面52から外方に照射されるように構成しても、上記と同様に上面50における全反射を防ぐことができる。