特許 5740131 光配向用マスク、これを利用した光配向方法及び液晶表示装置

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】特許公報(B2)

(11)【特許番号】5740131

(24)【登録日】2015年5月1日

(45)【発行日】2015年6月24日

(54)【発明の名称】光配向用マスク、これを利用した光配向方法及び液晶表示装置

(51)【国際特許分類】

   G02F 1/1337 20060101AFI20150604BHJP

【ＦＩ】

   G02F1/1337 525

   G02F1/1337 505

【請求項の数】19

【全頁数】32

(21)【出願番号】特願2010-228612(P2010-228612)

(22)【出願日】2010年10月8日

(65)【公開番号】特開2011-81384(P2011-81384A)

(43)【公開日】2011年4月21日

【審査請求日】2013年10月3日

(31)【優先権主張番号】10-2009-0096937

(32)【優先日】2009年10月12日

(33)【優先権主張国】KR

(73)【特許権者】

【識別番号】512187343

【氏名又は名称】三星ディスプレイ株式會社

【氏名又は名称原語表記】Ｓａｍｓｕｎｇ Ｄｉｓｐｌａｙ Ｃｏ．，Ｌｔｄ．

(74)【代理人】

【識別番号】100121382

【弁理士】

【氏名又は名称】山下 託嗣

(72)【発明者】

【氏名】李 准 宇

(72)【発明者】

【氏名】鄭 進 秀

(72)【発明者】

【氏名】姜 錫 訓

(72)【発明者】

【氏名】金 兌 昊

(72)【発明者】

【氏名】趙 秀 連

(72)【発明者】

【氏名】全 栢 均

【審査官】 弓指 洋平

(56)【参考文献】

【文献】 国際公開第２００７／０８６４７４（ＷＯ，Ａ１）

【文献】 特開平１０−１０４６３０（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開２００８−０７６８２５（ＪＰ，Ａ）

(58)【調査した分野】（Int.Cl.，ＤＢ名）

Ｇ０２Ｆ １／１３３７

(57)【特許請求の範囲】

【請求項1】

光を通過しない遮断領域と第１透過領域とが交互に配置される第１マスクと、
第２透過領域と前記第２透過領域より光透過率が低い半透過領域とが交互に配置される第２マスクと、
を含み、前記半透過領域の透過率は２５％〜５０％である光配向用マスク。

【請求項2】

第１配向膜の上に半透過領域、透過領域、及び遮断領域を含む第５マスクを配置する第１配置段階と、
前記第５マスクを通じて前記第１配向膜にＵＶを照射して第１方向に配向する第１照射段階と、
前記第５マスクを前記第１配置段階とは異なる状態で配置する第２配置段階と、
前記第５マスクを通じて前記第１配向膜にＵＶを照射して第２方向に配向する第２照射段階と、
第２配向膜の上に半透過領域、透過領域、及び遮断領域を含む第６マスクを配置する第３配置段階と、
前記第６マスクを通じて前記第２配向膜にＵＶを照射して第３方向に配向する第３照射段階と、
前記第６マスクを前記第３配置段階とは異なるように配置する第４配置段階と、
前記第６マスクを通じて前記第２配向膜にＵＶを照射して第４方向に配向する第４照射段階と、
を含み、
前記第１配向膜と前記第２配向膜とを結合した状態で、前記第３方向及び第４方向は前記第１方向及び第２方向と垂直になり、
前記第１配置段階と前記第２配置段階の第５マスクは完全に重畳し、前記第３配置段階と前記第４配置段階の第６マスクは完全に重畳する、配向膜の光配向方法。

【請求項3】

前記第１方向と前記第２方向とは互いに反対方向である、請求項２に記載の配向膜の光配向方法。

【請求項4】

前記第２配置段階における前記第５マスクの半透過領域及び透過領域が、前記第１配置段階で前記第５マスクの遮断領域が設けられていた位置に配置される、請求項３に記載の配向膜の光配向方法

【請求項5】

前記第３方向と前記第４方向とは互いに反対方向である、請求項２に記載の配向膜の光配向方法。

【請求項6】

前記ＵＶは、線偏光されたＵＶまたは部分偏光されたＵＶである、請求項２に記載の配向膜の光配向方法。

【請求項7】

前記ＵＶの波長は２７０ｎｍ〜３６０ｎｍであり、照射エネルギーは１０ｍＪ〜５０００ｍＪである、請求項６に記載の配向膜の光配向方法。

【請求項8】

第１配向膜の上に第１透過領域及び第１遮断領域を含む第１マスクを配置する第１配置段階と、
第１透過領域と同一の面積を有する第２透過領域及び前記第１遮断領域と同一の面積を有する第１半透過領域を含む第２マスクを、前記第１透過領域と前記第２透過領域とを完全に位置合わせし、前記第１遮断領域と前記第１半透過領域とを完全に位置合わせした後、前記第２マスクをＡ方向に移動することで、前記第１マスクの第１透過領域に前記第２マスクの第１半透過領域の一部が重畳し、前記第１マスクの第１遮断領域に前記第２マスクの第２透過領域の一部が重畳するように配置する第２配置段階と、
前記第１マスク及び第２マスクを通じて前記第１配向膜にＵＶを照射して、前記第１配向膜を第１方向に配向する第１照射段階と、
前記第１マスクを前記第１配置段階とは異なる状態で配置する第３配置段階と、
前記第２マスクを、前記第１透過領域と前記第２透過領域とを完全に位置合わせし、前記第１遮断領域と前記第１半透過領域とを完全に位置合わせした後、前記第２マスクをＡ方向とは反対方向のＢ方向に移動することで、前記第１マスクの第１透過領域に前記第２マスクの第１半透過領域の一部が重畳し、前記第１マスクの第１遮断領域に前記第２マスクの第２透過領域の一部が重畳するように配置し、前記第２マスクを前記第２配置段階とは異なる状態で配置する第４配置段階と、
前記第１マスク及び第２マスクを通じて前記第１配向膜にＵＶを照射して、前記第１配向膜を第２方向に配向する第２照射段階と、
第２配向膜の上に第３透過領域及び第２遮断領域を含む第３マスクを配置する第５配置段階と、
第３透過領域と同一の面積を有する第４透過領域及び前記第２遮断領域と同一の面積を有する第２半透過領域を含む第４マスクを、前記第３透過領域と前記第４透過領域とを完全に位置合わせし、前記第２遮断領域と前記第２半透過領域とを完全に位置合わせした後、前記第４マスクをＡ方向と交差するＣ方向に移動することで、前記第３マスクの第３透過領域に前記第４マスクの第２半透過領域の一部が重畳し、前記第３マスクの第２遮断領域に前記第４マスクの第４透過領域の一部が重畳するように配置する第６配置段階と、
前記第３マスク及び第４マスクを通じて前記第２配向膜にＵＶを照射して、前記第２配向膜を第３方向に配向する第３照射段階と、
前記第３マスクを前記第５配置段階とは異なる状態で配置する第７配置段階と、
前記第４マスクを、前記第３透過領域と前記第４透過領域とを完全に位置合わせし、前記第２遮断領域と前記第２半透過領域とを完全に位置合わせした後、前記第４マスクをＣ方向とは反対方向のＤ方向に移動することで、前記第３マスクの第３透過領域に前記第４マスクの第２半透過領域の一部が重畳し、前記第３マスクの第２遮断領域に前記第４マスクの第４透過領域の一部が重畳するように配置し、前記第４マスクを前記第６配置段階とは異なる状態で配置する第８配置段階と、
前記第３マスク及び第４マスクを通じて前記第２配向膜にＵＶを照射して、前記第２配向膜を第４方向に配向する第４照射段階と、
を含む配向膜の光配向方法。

【請求項9】

前記第１方向と前記第２方向とは互いに反対方向である、請求項８に記載の配向膜の光配向方法。

【請求項10】

前記第３方向と前記第４方向とは互いに反対方向である、請求項８に記載の配向膜の光配向方法。

【請求項11】

前記第３方向及び第４方向は前記第１方向及び第２方向と垂直になる、請求項１０に記載の配向膜の光配向方法。

【請求項12】

前記ＵＶは、線偏光されたＵＶまたは部分偏光されたＵＶである、請求項８に記載の配向膜の光配向方法。

【請求項13】

前記ＵＶの波長は２７０ｎｍ〜３６０ｎｍであり、照射エネルギーは１０ｍＪ〜５０００ｍＪである、請求項１２に記載の配向膜の光配向方法。

【請求項14】

互いに対向する第１基板と第２基板と、
前記第１基板上の第１配向膜と前記第２基板上の第２配向膜と、
前記第１配向膜と前記第２配向膜との間に形成されて、液晶分子を含む液晶層と、
を含み、前記液晶層は、液晶分子の配向方位角が異なる複数の領域を含み、前記複数の領域それぞれは、液晶分子の配向極角が異なる２つ以上の副領域を含む液晶表示装置の製造方法であって、
前記第１配向膜及び前記第２配向膜は、請求項２〜１３に記載のいずれかの光配向方法により形成されている、液晶表示装置の製造方法。

【請求項15】

前記配向極角は８５°以上９０°未満である、請求項１４に記載の液晶表示装置の製造方法。

【請求項16】

前記複数の領域は４つであり、前記副領域は各領域ごとに２つである、請求項１４に記載の液晶表示装置の製造方法。

【請求項17】

前記２つの副領域の配向極角はそれぞれ８８°及び８９°である、請求項１６に記載の液晶表示装置の製造方法。

【請求項18】

前記領域は配向方位角が４５°の第１領域と、
前記第１領域の配向方位角より配向方位角が大きい第２領域と、
前記第１領域の配向方位角より配向方位角が小さい第３領域と、
を含み、前記第１領域の面積が第２領域及び第３領域の面積より広い、請求項１６に記載の液晶表示装置の製造方法。

【請求項19】

前記第１領域に印加される電圧は、前記第２領域及び第３領域より低い電圧が印加される、請求項１８に記載の液晶表示装置の製造方法。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、光配向用マスク、これを利用した光配向方法及び液晶表示装置に関するものである。

【背景技術】

【0002】

液晶表示装置は、現在、最も幅広く使用されている平板表示装置の１つであって、画素電極と共通電極を含む電界生成電極（ｆｉｅｌｄ ｇｅｎｅｒａｔｉｎｇ ｅｌｅｃｔｒｏｄｅ）が形成されている２枚の表示板と、その間に挿入されている液晶層とを含む。

【0003】

液晶表示装置は、電界生成電極に電圧を印加して液晶層に電界を生成し、これを通じて液晶層の液晶分子の方向を決定して、入射光の偏光を制御することによって映像を表示する。

【0004】

液晶表示装置において、ラビング工程により液晶分子を一定の方向に初期配向することができる。垂直配向液晶表示装置においても、ラビングによって液晶がプレチルト角を有するようにして、電界印加時に液晶が傾く方向を予め設定することができる。

【0005】

液晶がプレチルト角を有するようにする方法には、ローラを利用して配向膜に物理的な圧力を加える接触式ラビング方法と、配向膜にＵＶ（ｕｌｔｒａ ｖｉｏｌｅｔ）を照射してプレチルト角を形成する光配向方法がある。

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0006】

このような光配向は、切開部や突起を形成することに比べ、透過率は増加するが、視野角が劣るという問題点がある。

【0007】

そこで、本発明の目的は、視野角を拡大させることができる光配向用マスク及び光配向方法を提供することにある。

【課題を解決するための手段】

【0008】

上記技術的課題を達成するための本発明に係る光配向用マスクは、透過領域、透過領域より光透過率が低い半透過領域、及び光を通過しない遮断領域を含み、半透過領域の透過率は２５〜７０％である。

【0009】

光配向用マスクにおいて、透過領域と半透過領域とが占める面積の合計は、遮断領域が占める面積と同一にすることができる。

【0010】

または、光を通過しない遮断領域と第１透過領域とが交互に配置される第１マスク、及び第２透過領域と第２透過領域より光透過率が低い半透過領域とが交互に配置される第２マスクを含み、半透過領域の透過率は２５〜７０％とすることができる。

【0011】

前記他の課題を達成するための本発明による光配向方法は、第１配向膜の上に半透過領域、透過領域、及び遮断領域を含む第１マスクを配置する第１配置段階、第１マスクを通じて第１配向膜にＵＶを照射して第１方向に配向する第１照射段階、第１マスクを第１配置段階とは異なる状態で配置する第２配置段階、並びに第１マスクを通じて第１配向膜にＵＶを照射して第２方向に配向する第２照射段階を含む。

【0012】

第１方向と第２方向とは互いに反対方向とすることができる。

【0013】

第２配置段階における第１マスクの半透過領域及び透過領域を、第１配置段階で第１マスクの遮断領域が設けられていた位置に配置することができる。

【0014】

第２配向膜の上に半透過領域、透過領域、及び遮断領域を含む第２マスクを配置する第３配置段階、第２マスクを通じて第２配向膜にＵＶを照射して第３方向に配向する第３照射段階、第２マスクを第３配置段階とは異なるように配置する第４配置段階、並びに第２マスクを通じて第２配向膜にＵＶを照射して第４方向に配向する第４照射段階を含み、第１配向膜と第２配向膜とを結合した状態で、第３方向及び第４方向は第１方向及び第２方向と垂直をなすようにすることができる。

【0015】

第３方向と第４方向とは互いに反対方向とすることができる。

【0016】

ＵＶは、線偏光されたＵＶまたは部分偏光されたＵＶとすることができる。

【0017】

ＵＶの波長は、２７０ｎｍ〜３６０ｎｍであり、照射エネルギーは１０ｍＪ〜５０００ｍＪとすることができる。

【0018】

または、第１配向膜の上に第１透過領域及び第１遮断領域を含む第１マスクを配置する第１配置段階、第２透過領域及び第１半透過領域を含む第２マスクを、第２透過領域及び第１半透過領域が第１透過領域及び第１遮断領域とそれぞれ重畳するように配置する第２配置段階、第１マスク及び第２マスクを通じて第１配向膜にＵＶを照射して、第１配向膜を第１方向に配向する第１照射段階、第１マスクを第１配置段階とは異なる状態で配置する第３配置段階、第１マスクの第１透過領域及び遮断領域と、第２マスクの第２透過領域及び半透過領域とがそれぞれ重畳するように配置し、第２マスクを第２配置段階とは異なる状態で配置する第４配置段階、並びに第１マスク及び第２マスクを通じて第１配向膜にＵＶを照射して、第１配向膜を第２方向に配向する第２照射段階を含む構成とすることができる。

【0019】

第１方向と第２方向とは互いに反対方向とすることができる。

【0020】

第２配向膜の上に第３透過領域及び第２遮断領域を含む第３マスクを配置する第５配置段階、第４透過領域及び第２半透過領域を含む第４マスクを、第４透過領域及び第２半透過領域が第３透過領域及び第２遮断領域とそれぞれ重畳するように配置する第６配置段階、第３マスク及び第４マスクを通じて第２配向膜にＵＶを照射して、第２配向膜を第３方向に配向する第３照射段階、第３マスクを第５配置段階とは異なる状態で配置する第７配置段階、第３マスクの第３透過領域及び第２遮断領域と、第４マスクの第４透過領域及び第２半透過領域とがそれぞれ重畳するように配置し、第４マスクを第６配置段階とは異なる状態で配置する第８配置段階、並びに第３マスク及び第４マスクを通じて第２配向膜にＵＶを照射して、第２配向膜を第４方向に配向する第４照射段階を含む構成とすることができる。

【0021】

第３方向と第４方向とは互いに反対方向とすることができる。

【0022】

第３方向及び第４方向は、第１方向及び第２方向と垂直をなすように構成することができる。

【0023】

ＵＶは、線偏光されたＵＶまたは部分偏光されたＵＶとすることができる。

【0024】

ＵＶの波長は２７０ｎｍ〜３６０ｎｍであり、照射エネルギーは１０ｍＪ〜５０００ｍＪである配向膜とすることができる。

【0025】

前記また他の課題を達成するための本発明の実施形態に係る液晶表示装置は、互いに対向する第１基板と第２基板、及び第１基板と第２基板との間に形成されて、液晶分子を含む液晶層を含み、液晶層は、液晶分子の配向方位角が異なる複数の領域を含み、複数の領域それぞれは、液晶分子の配向極角が異なる２つ以上の副領域を含む。

【0026】

配向極角は、８５°以上９０°未満とすることができる。

【0027】

複数の領域は４つであり、副領域は領域ごとに２つとすることができ、２つの副領域の配向極角はそれぞれ８８°及び８９°とすることができる。

【0028】

前記領域は、配向方位角が４５°の第１領域、第１領域の配向方位角より配向方位角が大きい第２領域、及び第１領域の配向方位角より配向方位角が小さい第３領域を含み、第１領域の面積を第２領域及び第３領域の面積より広くすることができる。

【0029】

第１領域に印加される電圧は、前記第２領域及び第３領域より低い電圧が印加されるように構成することができる。

【発明の効果】

【0030】

本発明の実施形態に係る半透過領域を含む光マスクを利用して、１回の照射によっても２つ以上のプレチルト角を形成することができる。したがって、容易に多様な方向に液晶分子を配向させることによって、液晶表示装置の視認性を改善することができる。

【図面の簡単な説明】

【0031】

【図1】図１は、本発明の一実施形態に係る光配向用マスクである。

【図2】図２は、本発明に係る液晶表示装置用液晶セルを製造する順序を説明するためのフローチャートである。

【図3】図３は、図１の光配向マスクを利用して下部配向膜を光配向する方法を説明するための図面である。

【図4】図４は、図１の光配向マスクを利用して上部配向膜を光配向する方法を説明するための図面である。

【図5】図５は、従来技術に係る光配向後の液晶表示装置の液晶分子の配向を説明するための図面である。

【図6】図６は、本発明の実施形態に係る光配向後の液晶表示装置の液晶分子の配向方向による領域を区分した図面である。

【図7】図７は、本発明の他の実施形態に係る光配向用マスクである。

【図8】図８は、本発明の他の実施形態に係る光配向用マスクである。

【図9A】図９Ａは、図７及び図８の光マスクを利用して下部配向膜を光配向する方法を説明するための図面である。

【図9B】図９Ｂは、図７及び図８の光マスクを利用して下部配向膜を光配向する方法を説明するための図面である。

【図9C】図９Ｃは、図７及び図８の光マスクを利用して下部配向膜を光配向する方法を説明するための図面である。

【図9D】図９Ｄは、図７及び図８の光マスクを利用して下部配向膜を光配向する方法を説明するための図面である。

【図9E】図９Ｅは、図７及び図８の光マスクを利用して下部配向膜を光配向する方法を説明するための図面である。

【図10A】図１０Ａは、図７及び図８の光マスクを利用して上部配向膜を光配向する方法を説明するための図面である。

【図10B】図１０Ｂは、図７及び図８の光マスクを利用して上部配向膜を光配向する方法を説明するための図面である。

【図10C】図１０Ｃは、図７及び図８の光マスクを利用して上部配向膜を光配向する方法を説明するための図面である。

【図10D】図１０Ｄは、図７及び図８の光マスクを利用して上部配向膜を光配向する方法を説明するための図面である。

【図10E】図１０Ｅは、図７及び図８の光マスクを利用して上部配向膜を光配向する方法を説明するための図面である。

【図11】図１１は、図７及び図８の光マスクを利用して光配向した後の液晶表示装置の液晶配向方向による領域を区分した図面である。

【図12】図１２は、本発明の一実施形態に係る液晶表示装置の１つの画素に対する等価回路図である。

【図13】図１３は、本発明の一実施形態に係る液晶表示装置の配置図である。

【図14】図１４は、図１３のＸＩＶ−ＸＩＶ線に沿った断面図である。

【図15】図１５は、本発明の一実施形態に係る液晶表示装置の光配向を説明するために、図１３の画素電極及び小領域を示した図面である。

【図16】図１６は、本発明の一実施形態に係る液晶表示装置の光配向を説明するために、図１３の画素電極及び小領域を示した図面である。

【図17】図１７は、本発明の一実施形態に係る液晶表示装置用薄膜トランジスタ表示板の配置図である。

【図18】図１８は、本発明の一実施形態に係る液晶表示装置の光配向を説明するために、図１７の画素電極及び小領域を示した図面である。

【図19】図１９は、本発明の一実施形態に係る液晶表示装置の１つの画素に対する等価回路図である。

【図20】図２０は、本発明の一実施形態に係る液晶表示装置用薄膜トランジスタ表示板である。

【図21】図２１は、本発明の一実施形態に係る液晶表示装置の光配向を説明するために、図２０の画素電極及び小領域を示した図面である。

【図22】図２２は、本発明の一実施形態に係る液晶表示装置用薄膜トランジスタ表示板の配置図である。

【図23】図２３は、本発明の一実施形態に係る液晶表示装置の光配向を説明するために、図２２の画素電極及び小領域を示した図面である。

【図24】図２４は、本発明の一実施形態に係る液晶表示装置の光配向を説明するために、図１３の画素電極及び小領域を示した図面である。

【図25】図２５は、本発明の一実施形態に係る液晶表示装置の光配向を説明するために、図１３の画素電極及び小領域を示した図面である。

【発明を実施するための形態】

【0032】

添付した図面を参照して、本発明の実施形態について本発明が属する技術分野における通常の知識を有する者が容易に実施できるように詳細に説明する。しかし、本発明は種々の異なる形態に実現でき、ここで説明する実施形態に限定されるものではない。

【0033】

図面において、種々の層及び領域を明確に表現するために厚さを拡大して示した。明細書の全体にわたって類似する部分に対しては同一の符号を付けた。層、膜、領域、板などの部分が他の部分の“上”にあるという時、これは他の部分の“すぐ上”にある場合だけでなく、その中間に他の部分がある場合も含む。一方、ある部分が他の部分の“すぐ上”にあるという時には、中間に他の部分がないことを意味する。

【0034】

図１は、本発明の一実施形態に係る光配向用マスク５を平面的に示す。光配向用マスク５は、Ｘ軸及びＹ軸を基準として平行に位置する。図示していないが、Ｚ軸はＸ軸及びＹ軸に対して垂直方向である。光照射装置６は、光配向用マスクの上においてＺ軸に対し傾斜して光配向用マスク５に光を照射するように構成できる。または、光配向用マスク５を配向膜に傾斜するように配置して、配向膜に光が傾いて照射されるようにすることもできる。

【0035】

図１に示すように、本発明の一実施形態に係るマスクは、透過率が互いに異なる３つの領域で形成される。遮断領域１０は光透過率が０％であり、透過領域２０は光透過率が１００％であり、半透過領域３０は光透過率が２５％〜５０％である。

【0036】

境界線１５は、遮断領域１０と透過領域２０との間の照射量が異なる境界を定義し、境界線２５は、透過領域２０と、透過領域より透過率が少ない半透過領域３０との間の照射量が異なる境界を定義する。

【0037】

半透過領域３０は、格子パターン（ｌａｔｔｉｃｅ ｐａｔｔｅｒｎ）、または透過率が中間であるかまたは厚さが中間である薄膜などを利用して透過率を調節することができる。透過領域２０は、遮断領域１０と半透過領域３０との間に位置し、透過領域２０と半透過領域３０とがマスクにおいて占める面積の合計は、マスクにおいて遮断領域１０が占める面積と同一である。

【0038】

図３に示したように、半透過領域２０を含むマスクを利用して表示基板の液晶分子を配向すると、同じエネルギーで照射しても液晶分子の配向極角が変わる。配向極角は、液晶分子が基板となす角度である。したがって、多様な傾斜を有するように液晶分子を配向することができるので、視野角を向上させることができる。

【0039】

図１のマスクを利用する液晶表示装置の製造方法について、図２乃至図４を参照して説明する。

【0040】

図２は、本発明に係る液晶表示装置用液晶セルを製造する順序を説明するためのフローチャートであり、図３は、図１の光配向マスク５を利用して下部配向膜を光配向する方法を説明するための図面であり、図４は、図１の光配向マスクを利用して上部配向膜を光配向する方法を説明するための図面である。

【0041】

説明していない符号５ａ乃至５ｄは、理解を助けるために、光配向マスク５の配列方向に沿ってそれぞれ異なる符号を付けたもので、５ａ及び５ｂは、同一の光配向マスクでＹ軸に１８０度回転して配置したものを示し、５ｃ及び５ｄは、同一の光配向マスクでＸ軸に１８０度回転して配置したものを示す。

【0042】

矢印６ａ〜６ｄは、図１の照射装置６によって光が照射される方向を示しており、矢印６ａ及び６ｂはＸ軸方向に反対であり、矢印６ｃ及び６ｄはＹ軸方向に反対に照射されることを示す。

【0043】

符号Ｔ１〜Ｔ４は、それぞれ光が照射（６ａ乃至６ｄ）される時間を示す。

【0044】

Ｘ軸上に表示した符号Ｘ１〜Ｘ６は、光配向マスク（５ａ〜５ｄ）を用いる順により形成される膜厚が変わることを示すものであって、全て同一の表示基板に進行される光配向マスク（５ａ〜５ｄ）による露光状態と形成される膜厚の関係を示している。

【0045】

まず、図２に示したように、上部母基板及び下部母基板をそれぞれの工程によって完成（Ｓ１０２、Ｓ２０２）する。上部母基板には、共通電極が形成されており、カラーフィルタなどを形成することも可能である。下部母基板には、薄膜トランジスタ及び画素電極が形成されている。

【0046】

次に、上部母基板及び下部母基板に形成されている図３の配向膜４５に、線偏光（ｌｉｎｅａｒｌｙ ｐｏｌａｒｉＺｅｄ ｕｌｔｒａｖｉｏｌｅｔ、ＬＰＵＶ）または部分偏光を照射して光配向を進行する（Ｓ１０４、Ｓ２０４）。線偏光は、配向膜の表面に対して傾斜した角度で照射して、配向膜表面が一定の方向にラビングされたような効果を誘発する。図３の配向膜４５の表面に傾斜するように線偏光を照射する方法は、母基板を傾けたり、線偏光照射装置を傾けたりすることによって可能である。

【0047】

本発明の実施形態においては、線偏光を使用して光配向することについて説明する。

【0048】

まず、下部母基板に形成された下部配向膜（図示せず）の光配向について説明すると、図１のマスク５の配置を図３の配置（５ａ）とした後、下から上の方向（＋Ｙ軸方向）に線偏光をＴ１時間の間に１回照射（６ａ）する。このように半透過領域を含むマスクを利用して照射すると、線偏光を１回照射しても、配向極角が異なる２つの領域を得ることができる。

【0049】

次に、１回照射された領域に、遮断領域１０及び透過領域３０がＹ軸に対して反対となるようにマスク５の配置を図３の配置（５ｂ）とした後、上から下の方向（−Ｙ軸方向）に線偏光をＴ２時間の間に１回照射（６ｂ）する。

【0050】

ここで、線偏光のエネルギー量によって液晶分子の配向極角が変化するので、線偏光のエネルギー量を調節して液晶分子の傾斜を調節する。本発明の実施形態においては、８５°以上９０°未満の配向極角を得るために、ＵＶの照射波長は２７０ｎｍ〜３６０ｎｍ、照射エネルギーは１０ｍＪ〜５０００ｍＪの範囲で照射する。

【0051】

このことにより、図３に示したように、図１のマスク５を利用すると、互いに異なる方向（６ａ、６ｂ）に照射された２つの第１照射領域（Ａ）及び第２照射領域（Ｂ）が形成され、照射領域（Ａ、Ｂ）は、それぞれ配向極角が異なる２つの第１配向極角領域（Ａ１、Ｂ１）及び第２配向極角領域（Ａ２、Ｂ２）を含む。点線の矢印は、線偏光が照射された方向を示す。

【0052】

次に、図４に示したように、上部母基板に形成された上部配向膜４７に光配向を行う。上部母基板の光配向は、図１のマスク５のように透過率が互いに異なる遮断領域１０、透過領域２０、及び半透過領域３０を含むマスクを利用して行うことができる。この時、マスク５は、下部配向膜を光配向するために配置した方向と垂直方向になるように配置した後、光配向を行う。

【0053】

つまり、下部配向膜４７を光配向する時、遮断領域１０、半透過領域、２０及び透過領域３０を横方向に配置したとすれば、上部配向膜は、遮断領域１０、半透過領域２０、及び透過領域３０を縦方向に配置する。

【0054】

したがって、上部配向膜の光配向は、マスク５の配置を図４の配置（５ｄ）とした後、右から左に線偏光をＴ４時間の間に１回照射（６ｄ）し、遮断領域１０、透過領域３０がＸ軸に対して反対となるようにマスク５の配置を図４の配置（５ｃ）とした後、左から右に線偏光をＴ５時間の間に１回照射（６ｃ）する。

【0055】

このことにより、図４に示したように、互いに異なる方向に線偏光が照射された第３照射領域（Ｃ）及び第４照射領域（Ｄ）が形成される。それぞれの照射領域は、配向極角が異なる第３配向極角領域（Ｃ１、Ｄ１）及び第４配向極角領域（Ｃ２、Ｄ２）を含む。

【0056】

さらに図２に示すように、図３及び図４に示した方法によってそれぞれ光配向した２つの母基板を結合するための物質からなり、液晶が満たされる部分を定義し、液晶が漏れることを防止するための密封材を形成する（Ｓ２０６）。

【0057】

次に、液晶を滴下（Ｓ２０８）して、下部母基板と上部母基板とを結合する（Ｓ３００）。

【0058】

次に、切断線に沿ってスクライビングして液晶表示装置組立体をそれぞれの液晶セルに分離（Ｓ３０２）する。

【0059】

液晶注入方式によって液晶を満たす場合には、液晶セルを分離した後に液晶を注入する。

【0060】

上述の通り、半透過膜を含むマスクを利用して液晶を配向すれば、同じエネルギーを照射しても、他の配向極角を有するように液晶分子を配向することができる。

【0061】

具体的に、図５乃至図７を参照して説明する。

【0062】

図５は、従来技術に係る光配向後の液晶表示装置の液晶分子の配向を説明するための図面であり、図６は、本発明の実施形態に係る光配向後の液晶表示装置の液晶分子の配向方向による領域を区分した図面であり、図７は、従来技術及び本発明に係る光配向後の液晶表示装置の液晶分子の配向方向を示した図面である。

【0063】

従来の光配向は、マスクが透過領域と遮断領域だけを含むため、従来のような方法で上部配向膜及び下部配向膜を光配向すると、図５に示したように、液晶分子の配向方位角が矢印の方向に循環型をなす４つの領域が形成される。

【0064】

この時、液晶分子の配向極角は同一である。したがって、極角による配向方位角の絶対値は４５°と同一である。

【0065】

これに対し、本発明に係るマスクを利用すれば、図６に示したように、１６個の小領域（Ｄａ、Ｄｂ、Ｄｃ、Ｄｄ）を得ることができ、各小領域は、方位角が異なる４つの領域が集まってそれぞれグループ（Ｇ）を形成する。

【0066】

同じ大きさのマスクを利用して１つの画素を光配向する時、従来技術によれば、図５に示したように１つの画素に４つ領域が形成されるが、本発明の実施形態によれば、図６に示したように、１つの画素に１６個の小領域（Ｄａ〜Ｄｄ）が形成され、それぞれが４つの小領域を含む４つのグループ（Ｇ）が形成される。

【0067】

本発明に係る光配向後の液晶分子の配向極角は、表１に表したように多様な組み合わせによって得ることができる。

【0068】

表１は、本発明の実施形態に係る光配向後の小領域における上部配向膜及び下配配向膜の配向極角を表した表である。

【0069】

【表1】

【0070】

表１を参照すると、第１小領域（Ｄａ）においては、下部配向膜及び上部配向膜の液晶分子の配向極角が８９°と同一であり、第４小領域（Ｄｄ）においては、下部配向膜及び上部配向膜の液晶分子の配向極角が８８°と同一である。しかし、第２小領域（Ｄｂ）及び第３小領域（Ｄｃ）においては、下部配向膜及び上部配向膜の配向極角が８８°または８９°と異なる。

【0071】

このように、上部配向膜及び下部配向膜の配向極角が異なるので、従来とは異なって４５°以外の多様な方位角を形成することができる。

【0072】

図５を参照すると、従来の液晶分子は、上部配向膜及び下部配向膜の配向極角が同一であるため、これらのベクトル合計によって液晶分子は４つの領域においてＸ軸またはＹ軸に対して４５°となるように配向される。

【0073】

しかし、本発明の実施形態においては、上部配向膜及び下部配向膜における極角が異なる部分を含むため、図６に示したように従来とは異なる方位角を有する小領域Ｄｂ及びＤｃが形成される。

【0074】

このように、本発明のように半透過膜を含むマスクを利用すれば、従来よりも多様な配向極角及び配向方位角を有するように液晶分子を配向することができる。したがって、液晶表示装置の視野角を改善することができる。

【0075】

図７及び図８は、本発明の他の実施形態に係る光配向用マスクである。

【0076】

図７のマスク７は、光透過率が１００％である複数の透過領域５０を含み、透過領域５０を除外した部分は遮断領域４０で、透過率が０％である。図８のマスク８は、複数の透過領域５０を除外した部分は半透過領域６０で、透過率が２５〜５０％である。半透過領域６０は、図１の半透過領域と同様な方法によって形成することができる。

【0077】

図７，図８に示す実施形態においては、説明を容易にするために、複数の透過領域のうちの２つの透過領域５０を中心に説明するが、図１に示したような３つの領域を備えるマスク７、８を用いることも可能である。

【0078】

図７及び図８のマスクを利用して光配向する方法について、図９Ａ乃至図９Ｅ、図１０Ａ乃至図１０Ｅを参照して具体的に説明する。

【0079】

図９Ａ乃至図９Ｅは、図７及び図８の光マスクを利用して下部配向膜を光配向する方法を説明するための図面である。図１０Ａ乃至図１０Ｅは、図７及び図８の光マスクを利用して上部配向膜を光配向する方法を説明するための図面である。図１１は、図７及び図８の光マスクを利用して光配向した後の液晶表示装置の液晶配向方向による領域を区分した図面である。

【0080】

まず、図９Ａに示したように、下部配向膜（図示せず）に、図７のマスク７と図８のマスク８の透過領域５０が重畳するように配置する。次に、図９Ｂに示したように、図８のマスク８を下方（−Ｙ軸方向）に移動して、図７の透過領域５０と図８の半透過領域６０とが一部重畳するように配置する。次に、左側から右側に線偏光を１回照射（＋Ｘ軸方向）（６ｅ）する。このことにより、下方に向かって遮断領域４０、半透過領域６０、及び透過領域５０の順に光が照射された領域が形成される。

【0081】

次に、図９Ｃに示したように、照射された領域に遮断領域４０、半透過領域６０、及び透過領域５０が、最初とは反対になるように整列する（最初に光配向したものは図示せず）。つまり、図９Ａで透過領域５０と対応する部分を、図９Ｃではマスク７、８の遮断領域４０及び半透過領域６０が重畳するように整列する。

【0082】

その後、図９Ｄに示したように、図８のマスク８を上方向（＋Ｙ軸方向）に移動して、図７の透過領域５０と図８の半透過領域６０とが一部重畳するように配置する。そして、右側から左側に線偏光を１回照射（６ｆ）する。このことにより、下方に向かって透過領域５０、半透過領域６０、及び遮断領域４０の順に光が照射された領域が形成される。

【0083】

図９Ｂ及び図９Ｄに示したように２回にわたって線偏光を照射すると、図９Ｅに示したようにそれぞれ異なる方向に線偏光が照射された第５照射領域（Ｈ）及び第６照射領域（Ｊ）が形成される。それぞれの照射領域は、配向極角が異なる第５配向極角領域（Ｈ１、Ｊ１）及び第６配向極角領域（Ｈ２、Ｊ２）を含む。

【0084】

次に、図１０Ａに示したように、上部配向膜（図示せず）に図７のマスク７と図８のマスク８の透過領域５０が重畳するように配置する。この時、下部配向膜を光配向した方向と垂直方向になるようにマスクを配置した後、光配向を行う。つまり、半透過領域６０、遮断領域４０、及び透過領域５０が横方向（Ｘ軸及び−Ｘ軸方向）に交互に配置される。

【0085】

そして、図１０Ｂに示したように、図８のマスク８を右側方向（＋Ｘ軸方向）に移動して、図７のマスク７の透過領域５０と図８のマスク８の半透過領域６０とが一部重畳するように配置する。次に、上から下の方向（−Ｙ軸方向）に線偏光を照射（６ｇ）する。このことにより、右側方向に向かって半透過領域６０、透過領域５０、及び遮断領域６０の順に光が照射された領域が形成される。

【0086】

次に、図１０Ｃに示したように、１次照射された領域の上に遮断領域４０、半透過領域６０、及び透過領域５０が最初とは反対になるように整列する（最初に光配向したものは図示せず）。

【0087】

つまり、図１０Ａで透過領域５０と対応する部分を、図１０Ｃではマスク７、８の遮断領域４０及び半透過領域６０が重畳するように整列する。

【0088】

その後、図１０Ｄに示したように、図８のマスク８を左側方向（−Ｘ軸方向）に移動して、図７のマスク７の透過領域５０と図８のマスク８の半透過領域６０とが一部重畳するように配置する。そして、下から上の方向（＋Ｙ軸方向）に線偏光を照射（６ｈ）する。このことにより、右側（＋Ｘ軸方向）に向かって遮断領域４０、透過領域５０、及び半透過領域６０の順に光が照射された領域が形成される。

【0089】

したがって、図１０Ｅに示したように、互いに異なる方向に線偏光が照射された第７照射領域（Ｋ）及び第８照射領域（Ｌ）が形成される。それぞれの照射領域は、配向極角が異なる第７配向極角領域（Ｋ１、Ｌ１）及び第８配向極角領域（Ｋ２、Ｌ２）を含む。

【0090】

次に、上部母基板及び下部母基板を組み立てれば、図１１に示したように多様な方向（Ｄｅ、Ｄｆ、Ｄｇ、Ｄｈ）に液晶分子を配向することができる。

【0091】

図１１を参照すると、小領域のうち、Ｄｆ、Ｄｇは上下部基板の配向極角が異なり、Ｄｅ、Ｄｈは上下部基板の配向極角が同一である。したがって、Ｄｆ、Ｄｇ領域の配向方位角は４５°となるが、Ｄｅ、Ｄｈの配向方位角は４５°より小さいか、または大きい。

【0092】

以上の光配向方法を利用した液晶表示装置における光配向について具体的に説明する。光配向は、図１２乃至図２３に示したような多様な配置の液晶表示装置に使用することができる。

【0093】

図１２は、本発明の一実施形態に係る液晶表示装置の１つの画素に対する等価回路図である。

【0094】

図１２に示すように、本実施形態に係る液晶表示装置は、複数のゲート線（ＧＬ）、複数対のデータ線（ＤＬａ、ＤＬｂ）、及び複数の維持電極線（ＳＬ）を含む信号線と、これに接続された複数の画素（ＰＸ）とを含む。液晶表示装置を構造的に見れば、互いに対向する下部表示板１００と上部表示板２００、及びその間に挿入されている液晶層３を含む。

【0095】

各画素（ＰＸ）は一対の副画素（ＰＸａ、ＰＸｂ）を含み、副画素（ＰＸａ、ＰＸｂ）は、スイッチング素子（Ｑａ、Ｑｂ）、液晶キャパシタ（Ｃｌｃａ、Ｃｌｃｂ）、及びストレージキャパシタ（ｓｔｏｒａｇｅ ｃａｐａｃｉｔｏｒ）（Ｃｓｔａ、Ｃｓｔｂ）を含む。

【0096】

スイッチング素子（Ｑａ、Ｑｂ）は、下部表示板１００に設けられている薄膜トランジスタなどの三端子素子であって、その制御端子はゲート線（ＧＬ）と接続されており、入力端子はデータ線（ＤＬａ、ＤＬｂ）と接続されており、出力端子は液晶キャパシタ（Ｃｌｃａ、Ｃｌｃｂ）及びストレージキャパシタ（Ｃｓｔａ、Ｃｓｔｂ）と接続されている。

【0097】

液晶キャパシタ（Ｃｌｃａ、Ｃｌｃｂ）は、副画素電極１９１ａ、１９１ｂと共通電極２７０とを二端子とし、二端子の間の液晶層３部分を誘電体として形成される。

【0098】

液晶キャパシタ（Ｃｌｃａ、Ｃｌｃｂ）の補助的な役割を果たすストレージキャパシタ（Ｃｓｔａ、Ｃｓｔｂ）は、下部表示板１００に具備された維持電極線（ＳＬ）と副画素電極１９１ａ、１９１ｂとが絶縁体を介して重畳して形成され、維持電極線（ＳＬ）には共通電圧Ｖｃｏｍなどの定められた電圧が印加される。

【0099】

２つの液晶キャパシタ（Ｃｌｃａ、Ｃｌｃｂ）に充電される電圧は、互いに若干の差が生じるように設定されている。例えば、液晶キャパシタ（Ｃｌｃａ）に印加されるデータ電圧が、液晶キャパシタ（Ｃｌｃｂ）に印加されるデータ電圧に比べ、常に低いかまたは高いように設定する。このように２つの液晶キャパシタ（Ｃｌｃａ、Ｃｌｃｂ）の電圧を適切に調節すれば、側面から見る映像を、正面で見る映像に最大限近くすることができるので、液晶表示装置の側面視認性を向上させることができる。

【0100】

それでは、図１３及び図１４を参照して、本発明の一実施形態に係る液晶表示装置についてさらに詳細に説明する。

【0101】

図１３は、本発明の一実施形態に係る液晶表示装置の配置図であり、図１４は、図１３のＸＩＶ−ＸＩＶ線に沿った断面図である。

【0102】

図１３及び図１４に示すように、本発明の一実施形態に係る液晶表示装置は、互いに対向する下部表示板１００と上部表示板２００、及びこれら２つの表示板１００、２００の間に挿入されている液晶層３を含む。

【0103】

最初に、下部表示板１００について説明する。

【0104】

絶縁基板１１０の上に、複数のゲート線（ｇａｔｅ ｌｉｎｅ）１２１及び複数の維持電極線（ｓｔｏｒａｇｅ ｅｌｅｃｔｒｏｄｅ ｌｉｎｅ）１３１、１３５が形成されている。

【0105】

ゲート線１２１は、ゲート信号を伝達し、主に図の左右方向に延びている。各ゲート線１２１は、上方に突出した複数の第１ゲート電極（ｇａｔｅ ｅｌｅｃｔｒｏｄｅ）１２４ａ及び第２ゲート電極１２４ｂと、下方に突出した突出部１２２とを含む。

【0106】

維持電極線１３１、１３５は、ゲート線１２１と実質的に平行に延びた幹線（ｓｔｅｍ）１３１と、環状の維持電極（ｓｔｏｒａｇｅ ｅｌｅｃｔｒｏｄｅ）１３５とを含む。維持電極１３５の一部分は幅が拡張されており、維持電極線１３１、１３５の形状及び配置は種々の形態に変更することができる。

【0107】

ゲート線１２１及び維持電極線１３１、１３５の上にはゲート絶縁膜（ｇａｔｅ ｉｎｓｕｌａｔｉｎｇ ｌａｙｅｒ）１４０が形成されており、ゲート絶縁膜１４０の上には非晶質または結晶質シリコンなどからなる複数の半導体１５４ａ、１５４ｂが形成されている。

【0108】

半導体１５４ａ、１５４ｂの上にはそれぞれ複数対のオーミックコンタクト部材（ｏｈｍｉｃ ｃｏｎｔａｃｔ）１６３ａ、１６３ｂ、１６５ａ、１６５ｂが形成されており、オーミックコンタクト部材１６３ａ、１６３ｂ、１６５ａ、１６５ｂは、シリサイド（ｓｉｌｉｃｉｄｅ）またはｎ型不純物が高濃度にドーピングされているｎ＋水素化非晶質シリコンなどの物質で形成することができる。

【0109】

オーミックコンタクト部材１６３ａ、１６３ｂ、１６５ａ、１６５ｂ及びゲート絶縁膜１４０の上には、複数対のデータ線（ｄａｔａ ｌｉｎｅ）１７１ａ、１７１ｂ及び複数対の第１ドレイン電極１７５ａと第２ドレイン電極（ｄｒａｉｎ ｅｌｅｃｔｒｏｄｅ）１７５ｂが形成されている。

【0110】

データ線１７１ａ、１７１ｂはデータ信号を伝達し、主に図の上下方向に延びてゲート線１２１及び維持電極線の幹線１３１と交差する。データ線１７１ａ、１７１ｂは第１ゲート電極１２４ａ及び第２ゲート電極１２４ｂに向かって延び、Ｕ字状に曲がった第１ソース電極１７３ａ及び第２ソース電極（ｓｏｕｒｃｅ ｅｌｅｃｔｒｏｄｅ）１７３ｂを含み、第１ソース電極１７３ａ及び第２ソース電極１７３ｂは、それぞれ第１ゲート電極１２４ａ及び第２ゲート電極１２４ｂを中心に第１ドレイン電極１７５ａ及び第２ドレイン電極１７５ｂと対向する。

【0111】

第１ドレイン電極１７５ａ及び第２ドレイン電極１７５ｂは、それぞれ第１ソース電極１７３ａ及び第２ソース電極１７３ｂによって一部取り囲まれた一端から上方に延びており、反対側の他端は他の層との接続のために面積が拡大されたパッド部を構成することができる。

【0112】

しかし、第１ドレイン電極１７５ａ及び第２ドレイン電極１７５ｂをはじめとするデータ線１７１ａ、１７１ｂの形状及び配置は、種々の形態に変更することができる。

【0113】

第１ゲート電極１２４ａ、第１ソース電極１７３ａ、及び第１ドレイン電極１７５ａは、第１半導体１５４ａと共にそれぞれ第１薄膜トランジスタ（ｔｈｉｎ ｆｉｌｍ ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ、ＴＦＴ）（Ｑａ）を形成し、第２ゲート電極１２４ａ、１２４ｂ、第２ソース電極１７３ｂ、及び第２ドレイン電極１７５ｂは、第２半導体１５４ｂと共にそれぞれ第２薄膜トランジスタ（Ｑｂ）を形成する。

【0114】

第１薄膜トランジスタ（Ｑａ）及び第２薄膜トランジスタ（Ｑｂ）のチャネルは、それぞれ第１ソース電極１７３ａと第１ドレイン電極１７５ａとの間の第１半導体１５４ａ、及び第２ソース電極１７３ｂと第２ドレイン電極１７５ｂとの間の第２半導体１５４ｂに形成される。

【0115】

オーミックコンタクト部材１６３ａ、１６３ｂ、１６５ａ、１６５ｂは、その下の半導体１５４ａ、１５４ｂと、その上のデータ線１７１ａ、１７１ｂ及びドレイン電極１７５ａ、１７５ｂとの間にだけ存在し、これらの間の接触抵抗を低くする。半導体１５４ａ、１５４ｂには、ソース電極１７３ａ、１７３ｂとドレイン電極１７５ａ、１７５ｂとの間をはじめとして、データ線１７１ａ、１７１ｂ及びドレイン電極１７５ａ、１７５ｂによって覆われずに露出した部分がある。

【0116】

データ線１７１ａ、１７１ｂ、ドレイン電極１７５ａ、１７５ｂ、及び露出した半導体１５４ａ、１５４ｂ部分の上には、窒化ケイ素または酸化ケイ素などからなる下部保護膜１８０ｐが形成されている。

【0117】

下部保護膜１８０ｐの上にはカラーフィルタ２３０が形成されており、カラーフィルタ２３０は画素の長さ方向に沿って長く形成されている。カラーフィルタ２３０は、フォトエッチング工程を利用するか、またはインクジェット印刷方法を利用して形成することができ、インクジェット印刷方法によって形成する場合、カラーフィルタを閉じるための隔壁などをさらに形成することができる。

【0118】

カラーフィルタ２３０の上には上部保護膜１８０ｑが形成されている。上部保護膜１８０ｑは無機絶縁物または有機絶縁物などで形成することができ、上部表面を平坦に形成することができる。無機絶縁物の例としては、窒化ケイ素及び酸化ケイ素が挙げられる。有機絶縁物は感光性（ｐｈｏｔｏｓｅｎｓｉｔｉｖｉｔｙ）を有してもよく、その誘電定数（ｄｉｅｌｅｃｔｒｉｃ ｃｏｎｓｔａｎｔ）は約４．０以下であることが好ましい。上部保護膜１８０ｑの上には複数の画素電極（ｐｉｘｅｌ ｅｌｅｃｔｒｏｄｅ）１９１が形成されている。

【0119】

各画素電極１９１は、間隙９５を間において互いに分離されている第１副画素電極１９１ａ及び第２副画素電極１９１ｂを含む。間隙９５は維持電極１３５と重畳して、間隙９５による光漏れを防止する。間隙９５はテクスチャの形態によって屈曲した形状とすることができ、この屈曲した部分によって２つの副画素電極１９１ａ、１９１ｂは間隙９５を間において上部と下部とが噛み合った形態を有する。

【0120】

第１副画素電極１９１ａは、ほぼ四角形状で、下部角が第１ドレイン電極１７５ａ及び第２ドレイン電極１７５ｂの境界線に沿って凹むように形成されている。

【0121】

第１副画素電極１９１ａは第１ドレイン電極１７５ａに向かって突出した突出部１９５ａを含み、突出部１９５ａはコンタクトホール１８５ａによって第１ドレイン電極１７５ａと物理的、電気的に接続されている。

【0122】

そして、第２副画素電極１９１ｂは、データ線１７１ａ、１７１ｂに沿って延びた一対の枝１９６を含む。枝１９６は、第１副画素電極１９１ａとデータ線１７１ａ、１７１ｂとの間に位置し、第１副画素電極１９１ａの下端で接続部１９７に接続される。したがって、第１副画素電極１９１ｂは、第２副画素電極１９１ｂ、枝１９６、及び接続部１９７によって取り囲まれている。第２副画素電極１９１ｂの２つのいずれか一つの枝は突出部１９５ｂを含み、突出部１９５ｂはコンタクトホール１８５ｂによって第２ドレイン電極１７５ｂと物理的、電気的に接続されている。

【0123】

第２副画素電極１９１ｂが占める面積は、第１副画素電極１９１ａが占める面積より大きくしてもよく、この時、第２副画素電極１９１ｂは第１副画素電極１９１ａの面積より１．０倍から２．２倍程度の大きさで形成することができる。

【0124】

第２副画素電極１９１ｂの上部境界線は、前段のゲート線の突出部１２２と重畳して保持容量を形成することができる。

【0125】

画素電極１９１の上には配向膜１１が形成されている。

【0126】

次に、上部表示板２００について説明する。

【0127】

上部表示板２００は、透明な絶縁基板２１０の上には光漏れを遮断する遮光部材（ｌｉｇｈｔ ｂｌｏｃｋｉｎｇ ｍｅｍｂｅｒ）２２０が形成されている。遮光部材２２０は、データ線１７１ａ、１７１ｂに沿って形成されており、薄膜トランジスタと対応する部分を含む。本発明の実施形態においては、ゲート線１２１と重畳する遮光部材を形成しなかったが、ゲート線１２１と対応する遮光部材をさらに形成することも可能である。

【0128】

本発明の実施形態においては、遮光部材を上部基板に形成したが、下部基板に形成することも可能である。

【0129】

遮光部材２２０の上には共通電極２７０が全面に形成されており、共通電極２７０の上に配向膜２１が形成されている。

【0130】

以上、説明した本発明の一実施形態に係る液晶表示装置は、既に説明した光配向法によって配向膜が配向されており、図１５、図１６、図２４、図２５を参照して詳細に説明する。

【0131】

図１５、図１６、図２４、及び図２５は、本発明の一実施形態に係る液晶表示装置の光配向を説明するために、図１３の画素電極及び小領域を示した図面である。

【0132】

図１５は、図３及び図４に示した光配向法を利用して配向したもので、画素を中心に説明する。なお、図では説明を容易にするために画素電極のみを示し、その他の構成を省略している。

【0133】

図１５に示したように、複数の画素（Ｐｘ）はそれぞれ第１副画素電極及び第２副画素電極を含む。各画素は、図３及び図４に示した光配向法によって配向されて、多様な方向に配向された複数の小領域（Ｄａ〜Ｄｄ）を含む。

【0134】

複数の小領域のうちの方位角が４５°のＤａは第１副画素電極１９１ａの周縁に配置し、Ｄｄは第２副画素電極１９１ｂの中間に配置する。そして、方位角が４５°より大きいかまたは小さいＤｂは第１副画素電極１９１ｂの中間に配置し、Ｄｃは第２副画素電極１９１ｂの周縁に配置する。

【0135】

図１６に示したように、Ｄａを第１副画素電極１９１ａの中間に配置し、Ｄｄを第２副画素電極１９１ｂの周縁に配置することもできる。このとき、Ｄｂは第１副画素電極１９１ａの周縁に配置し、Ｄｃを第２副画素電極１９１ｂａの中間に配置することとなる。これは、図１５に示す例におけるマスクの位置と異なるように配置して形成することができ、また、図１５とは異なって隣接する２つの画素にわたってマスクを対応させて形成することができる。

【0136】

液晶表示装置において、透過率は配向方位角が４５°の時に最大であるので、Ｄａ及びＤｄをＤｂ及びＤｃより広い面積を有するように形成することが好ましい。

【0137】

本発明によって図１のマスクを使用すれば、図２４及び図２５に示したような循環型配向を得ることができる。

【0138】

つまり、図２４に示したように、Ｄａ乃至Ｄｄを１つのグループ（Ｆ）とする時、１つの画素（Ｐｘ）は４個のグループを含み、４個のグループは循環型配向をなす。

【0139】

この時、各グループ（Ｆ）に含まれる小領域（Ｄａ〜Ｄｄ）は、それぞれ異なる方位角を有するように配向される。

【0140】

そして、図２５に示したように、第１副画素電極１９１ａまたは第２副画素電極１９１ｂでそれぞれ循環型配向をなすことができる。この時、第１副画素電極１９１ａまたは第２副画素電極１９１ｂはそれぞれ４個のグループ（Ｆ）を含み、４個のグループは循環型配向をなす。

【0141】

図１７は、本発明の他の実施形態に係る液晶表示装置用薄膜トランジスタ表示板の配置図である。

【0142】

大部分の層間構造は図１３及び図１４の液晶表示装置と同一なので、異なる部分についてのみ具体的に説明する。

【0143】

図１７に示すように、基板上に第１ゲート電極１２４ａ、第２ゲート電極１２４ｂ、及び突出部１２２を含むゲート線１２１と、維持電極１３５を含む維持電極線１３１とが形成されている。

【0144】

ゲート線１２１は、図１３の実施形態とは異なって、突出部１２２が上方に突出して対応する画素電極１９１と重畳する。そして、図の上下方向に延びた導電体１２６をさらに含む。

【0145】

維持電極１３５は、図１３の実施形態とは異なって、環状に接続されず、下部が分離されている。

【0146】

ゲート線１２１及び維持電極線１３１の上にはゲート絶縁膜（図示せず）が形成されており、ゲート絶縁膜の上には半導体１５４ａ、１５４ｂ及びオーミックコンタクト部材（図示せず）が形成されている。

【0147】

オーミックコンタクト部材の上には、ゲート線１２１と交差する第１データ線１７１ａ及び第２データ線１７１ｂが形成されている。第１データ線１７１ａと第２データ線１７１ｂは、Ｃ字状に形成された第１ソース電極１７３ａ及び第２ソース電極１７３ｂを含む。

【0148】

第１ドレイン電極１７５ａと第２ドレイン電極１７５ｂの一端部は、それぞれ第１ソース電極１７３ａと第２ソース電極１７３ｂによって取り囲まれており、他端部は他の層との接触のために拡張されている。第１ドレイン電極１７５ａは導電体１２６と重畳する。

【0149】

第１データ線１７１ａ、第２データ線１７１ｂ、第１ドレイン電極１７５ａ、及び第２ドレイン電極１７５ｂは、オーミックコンタクト部材と同一の平面パターンを有する。オーミックコンタクト部材は、ソース電極１７３ａ、１７３ｂとドレイン電極１７５ａ、１７５ｂとの間の露出した部分を除いて、半導体１５４ａ、１５４ｂの大部分と同一の平面パターンを有する。これは、層が異なるデータ線、オーミックコンタクト部材、及び半導体を１つの厚さが異なる感光膜を利用して形成するためである。しかし、図１３に示したように、各層によって異なる感光膜を利用して形成することも可能である。

【0150】

第１データ線１７１ａ、第２データ線１７１ｂ、第１ドレイン電極１７５ａ、及び第２ドレイン電極１７５ｂの上には、保護膜（図示せず）が形成されている。

【0151】

保護膜の上には画素電極１９１が形成されており、画素電極１９１は間隙９５を間において分離されている第１副画素電極１９１ａ及び第２副画素電極１９１ｂを含む。

【0152】

第２副画素電極１９１ｂは、図１３の実施形態とは異なって、第１副画素電極１９１ａを中心に上部に位置する上部第２副画素電極１９１ｂｂと下部に位置する下部第２副画素電極１９１ｂａとで形成され、第１副画素電極１９１ａは、上部第２副画素電極１９１ｂｂ、下部第２副画素電極１９１ｂａ、及び枝１９６によって取り囲まれている。

【0153】

第１ドレイン電極１７５ａは、下部第２副画素電極１９１ｂａを横切って維持電極１３５の分離された部分を経て、コンタクトホール１８５ａによって第１副画素電極１９１ａと接続し、第２ドレイン電極１７５ｂは、下部第２副画素電極１９１ｂａとコンタクトホール１８５ｂによって接続される。

【0154】

上述した図１７の薄膜トランジスタ表示板を含む液晶表示装置も、既に説明した光配向法によって配向することができ、図１８を参照して詳細に説明する。

【0155】

図１８は、本発明の一実施形態に係る液晶表示装置の光配向を説明するために、図１７の画素電極及び小領域を示した図面である。

【0156】

図１８は、図１０Ａ乃至図１１Ｅに示した光配向法を利用して配向したもので、画素を中心に説明する。なお、図では説明を容易にするために画素電極のみを示して他の構成を省略している。

【0157】

図１８に示したように、複数の画素（Ｐｘ）は、それぞれ第１副画素電極及び第２副画素電極を含む。そして、各画素は、図１０Ａ及び図１１Ｅに示した光配向法によって配向されて、多様な方向に配向された複数の小領域（Ｄｅ〜Ｄｈ）を含む。

【0158】

複数の小領域のうち、方位角が４５°のＤｆは第１副画素電極１９１ａの中間に配置し、Ｄｇは第２副画素電極１９１ｂの周縁に配置する。そして、４５°でないＤｅは第１副画素電極１９１ａの周縁に配置し、Ｄｈは第２副画素電極１９１ｂの中間に配置している。

【0159】

図１１のＲ部分に各画素を対応させて、第１副画素電極１９１ａと第２副画素電極１９１ｂの周縁にそれぞれＤｆ、Ｄｈが位置し、第１副画素電極１９１ａと第２副画素電極１９１ｂの中間にＤｅ、Ｄｇが位置するように配置できる。

【0160】

上述の実施形態においては、第１副画素電極及び第２副画素電極にそれぞれ異なるデータ線を接続して電圧を異ならせる構造について説明したが、以下の実施形態においては、１つのデータ線を利用して第１副画素電極及び第２副画素電極の電圧を異ならせる構造について説明する。

【0161】

図１９は、本発明の一実施形態に係る液晶表示装置の１つの画素に対する等価回路図である。

【0162】

図１９を参照すると、ゲート線１２１、降圧キャパシタ用維持電極線１３２、降圧ゲート線１２５、及びデータ線１７１を含む信号線と、これに接続された画素（ＰＸ）とを含む。

【0163】

画素（ＰＸ）は、第１スイッチング素子（Ｑａ）、第２スイッチング素子（Ｑｂ）、第３スイッチング素子（Ｑｃ）、第１液晶キャパシタ（Ｃｌｃａ）、第２液晶キャパシタ（Ｃｌｃｂ）、第１ストレージキャパシタ（Ｃｓｔａ）、第２ストレージキャパシタ（Ｃｓｔｂ）、及び降圧キャパシタ（Ｃｓｔｄ）を含む。ここで、第１スイッチング素子（Ｑａ）と第１薄膜トランジスタ（Ｑａ）、第２スイッチング素子（Ｑｂ）と第２薄膜トランジスタ（Ｑｂ）、及び、第３スイッチング素子（Ｑｃ）と第３薄膜トランジスタ（Ｑｃ）は、それぞれ同一の符号を付けた。

【0164】

第１スイッチング素子（Ｑａ）及び第２スイッチング素子（Ｑｂ）はそれぞれゲート線１２１及びデータ線１７１に接続されており、第３スイッチング素子（Ｑｃ）は降圧ゲート線１２５に接続されている。

【0165】

第１スイッチング素子（Ｑａ）及び第２スイッチング素子（Ｑｂ）は、下部表示板に設けられた薄膜トランジスタなどの三端子素子であって、その制御端子はゲート線１２１と接続されており、入力端子はデータ線１７１と接続されており、出力端子は、第１液晶キャパシタ（Ｃｌｃａ）及び第２液晶キャパシタ（Ｃｌｃｂ）と、第１ストレージキャパシタ（Ｃｓｔａ）及び第２ストレージキャパシタ（Ｃｓｔｂ）とそれぞれ接続されている。

【0166】

第３スイッチング素子（Ｑｃ）も下部表示板１００に設けられた薄膜トランジスタなどの三端子素子であって、制御端子は降圧ゲート線１２５と接続されており、入力端子は第２液晶キャパシタ（Ｃｌｃｂ）と接続されており、出力端子は降圧キャパシタ（Ｃｓｔｄ）と接続されている。

【0167】

第１液晶キャパシタ（Ｃｌｃａ）及び第２液晶キャパシタ（Ｃｌｃｂ）は、それぞれ第１スイッチング素子（Ｑａ）及び第２スイッチング素子（Ｑｂ）と接続された第１副画素電極１９１ａ及び第２副画素電極１９１ｂと、上部表示板の共通電極とが重畳して形成される。第１ストレージキャパシタ（Ｃｓｔａ）及び第２ストレージキャパシタ（Ｃｓｔｂ）は、維持電極１３５をはじめとする維持電極線１３１と、第１副画素電極１９１ａ及び第２副画素電極１９１ｂとが重畳して形成される。

【0168】

降圧キャパシタ（Ｃｓｔｄ）は、第３スイッチング素子（Ｑｃ）の出力端子と維持電極線１３１に接続されており、下部表示板に設けられた維持電極線１３１と第３スイッチング素子（Ｑｃ）の出力端子とが絶縁体を介して重畳して形成される。

【0169】

まず、ゲート線１２１にゲートオン電圧（Ｖｏｎ）が印加されると、これに接続された第１薄膜トランジスタ（Ｑａ）及び第２薄膜トランジスタ（Ｑｂ）が導通する。

【0170】

これにより、データ線１７１のデータ電圧は、導通した第１スイッチング素子（Ｑａ）及び第２スイッチング素子（Ｑｂ）を通じて第１副画素電極１９１ａ及び第２副画素電極１９１ｂに同一に印加される。第１液晶キャパシタ（Ｃｌｃａ）及び第２液晶キャパシタ（Ｃｌｃｂ）は、共通電極の共通電圧Ｖｃｏｍと第１副画素電極１９１ａ及び第２副画素電極１９１ｂの電圧の差に応じて充電されるので、第１液晶キャパシタ（Ｃｌｃａ）の充電電圧と第２液晶キャパシタ（Ｃｌｃｂ）の充電電圧も互いに同一である。この時、降圧ゲート線１２５にはゲートオフ電圧（Ｖｏｆｆ）が印加される。

【0171】

ゲート線１２１にゲートオフ電圧（Ｖｏｆｆ）が印加されると同時に、降圧ゲート線１２５にゲートオン電圧（Ｖｏｎ）が印加されると、ゲート線１２１に接続された第１スイッチング素子（Ｑａ）及び第２スイッチング素子（Ｑｂ）は遮断され、第３スイッチング素子（Ｑｃ）は導通する。これにより、第２スイッチング素子（Ｑｂ）の出力端子と接続された第２副画素電極１９１ｂの電荷が降圧キャパシタ（Ｃｓｔｄ）に流れて、第２液晶キャパシタ（Ｃｌｃｂ）の電圧が下降する。

【0172】

本実施形態に係る液晶表示装置がフレーム反転（ｆｒａｍｅ ｉｎｖｅｒｓｉｏｎ）で駆動され、現在フレームでデータ線１７１に共通電圧Ｖｃｏｍを基準として極性が正（＋）のデータ電圧が印加される場合を例として説明する。この場合、直前フレームが終了した後に降圧キャパシタ（Ｃｓｔｄ）には負（−）の電荷が集まるようになる。現在フレームで第３スイッチング素子（Ｑｃ）が導通すると、第２副画素電極１９１ｂの正（＋）の電荷が第３スイッチング素子（Ｑｃ）を通じて降圧キャパシタ（Ｃｓｔｄ）に流れて、降圧キャパシタ（Ｃｓｔｄ）には正（＋）の電荷が集まり、第２液晶キャパシタ（Ｃｌｃｂ）の電圧は下降するようになる。次のフレームにおいては、反対に、第２副画素電極１９１ｂに負（−）の電荷が充電された状態で第３スイッチング素子（Ｑｃ）が導通することによって、第２副画素電極１９１ｂの負（−）の電荷が降圧キャパシタ（Ｃｓｔｄ）に流れて降圧キャパシタ（Ｃｓｔｄ）には負（−）の電荷が集まり、第２液晶キャパシタ（Ｃｌｃｂ）の電圧も下降するようになる。

【0173】

このように本実施形態によれば、データ電圧の極性に関係なく、第２液晶キャパシタ（Ｃｌｃｂ）の充電電圧を第１液晶キャパシタ（Ｃｌｃａ）の充電電圧より常に低くすることができる。したがって、第１液晶キャパシタ（Ｑｌｃａ）及び第２液晶キャパシタ（Ｃｌｃｂ）の充電電圧を異ならせることによって、液晶表示装置の側面視認性を向上させることができる。

【0174】

以上の回路を含む液晶表示装置の薄膜トランジスタ表示板について、図２０乃至図２３を参照して具体的に説明する。

【0175】

図２０は、本発明の他の実施形態に係る液晶表示装置用薄膜トランジスタ表示板である。図２０の層間構造は図１３及び図１４と大部分同一なので、異なる部分についてのみ具体的に説明する。

【0176】

図２０に示すように、基板上に複数のゲート線１２１、複数の降圧ゲート線１２５、複数の維持電極線１３１、及び降圧キャパシタ用維持電極線１３２が形成されている。

【0177】

ゲート線１２１及び降圧ゲート線１２５は、主に図の左右方向に延びて、ゲート信号を伝達する。ゲート線１２１は幅が拡張されたゲート電極１２４を含み、降圧ゲート線１２５は上方に突出した第３ゲート電極１２４ｃを含む。ゲート電極１２４は第１ゲート電極及び第２ゲート電極が１つに接続されたもので、図１３の実施形態と同様に分離して形成することができる。

【0178】

維持電極線１３１及び降圧キャパシタ用維持電極線１３２も主に図の左右方向に延び、維持電極線１３１は環状の維持電極１３５を含む。降圧キャパシタを構成する降圧キャパシタ用維持電極線１３２は、維持電極線１３１と分離して形成することができるが、同一の共通電圧が印加されるので、接続（図示せず）することも可能である。

【0179】

ゲート線１２１、降圧ゲート線１２５、維持電極線１３１、及び降圧キャパシタ用維持電極線１３２の上には、ゲート絶縁膜（図示せず）が形成されている。

【0180】

ゲート絶縁膜の上には半導体１５４が形成されている。説明を容易にするために、半導体１５４のうちのゲート電極１２４と重畳する部分の一部を第１半導体１５４ａとし、それ以外の部分を第２半導体１５４ｂとする。そして、第３ゲート電極１２４ｃと重畳する部分を第３半導体１５４ｃとする。

【0181】

半導体１５４の上には複数の線状オーミックコンタクト部材及び島型オーミックコンタクト部材（図示せず）が形成されている。

【0182】

線状オーミックコンタクト部材及び島型オーミックコンタクト部材の上には、複数のデータ線１７１、複数の第１ドレイン電極１７５ａ、複数の第２ドレイン電極１７５ｂ、及び複数の第３ドレイン電極１７５ｃが形成されている。

【0183】

データ線１７１は、データ信号を伝達し、主に図の上下方向に延びてゲート線１２１及び降圧ゲート線１２５と交差する。各データ線１７１はゲート電極１２４と重畳するソース電極１７３を含む。ソース電極１７３は第１ドレイン電極１７５ａを取り囲む第１ソース電極１７３ａと、第２ドレイン電極１７５ｂを取り囲む第２ソース電極１７５ｂとが１つに形成されたもので、反対方向に入口を有し、ほぼＸ字状をなす。

【0184】

第１ドレイン電極１７５ａ及び第２ドレイン電極１７５ｂの一端部は、それぞれのソース電極１７３ａ、１７３ｂによって取り囲まれている。第１ドレイン電極１７５ａの他端部は、他の層と接続するために幅が拡張されている。第２ドレイン電極１７５ｂは他の層と接続するために幅が拡張された部分を有し、第２ドレイン電極１７５ｂの他端部は第３スイッチング素子（Ｑｃ）の第３ソース電極１７３ｃとなる。

【0185】

第３ドレイン電極１７５ｃの一端部はＵ字状をなす第３ソース電極１７３ｃによって取り囲まれており、他端部１７７は幅が拡張されており、降圧キャパシタ用維持電極線１３２と重畳して降圧キャパシタ（Ｃｓｔｄ）を形成する。

【0186】

ゲート電極１２４、第１ソース電極１７３ａ、第１ドレイン電極１７５ａ、及び第１半導体１５４ａは第１薄膜トランジスタを形成し、ゲート電極１２４、第２ソース電極１７３ｂ、第２ドレイン電極１７５ｂ、及び第２半導体１５４ｂは第２薄膜トランジスタを形成し、第３ゲート電極１２４ｃ、第３ソース電極１７３ｃ、第３ドレイン電極１７５ｃ、及び第３半導体１５４ｃは第３薄膜トランジスタを形成する。

【0187】

薄膜トランジスタのチャネルは、第１ソース電極１７３ａと第１ドレイン電極１７５ａとの間の半導体１５４ａ、第２ソース電極１７３ｂと第２ドレイン電極１７５ｂとの間の半導体１５４ｂ、及び第３ソース電極１７３ｃと第３ドレイン電極１７３ｃとの間の半導体１５４ｃに形成される。

【0188】

第１半導体１５４ａ〜第３半導体１５４ｃを含む半導体１５４、１５４ｃは、第１ソース電極１７３ａ〜第３ソース電極１７３ｃと第１ドレイン電極１７５ａ〜第３ドレイン電極１７５ｃとの間のチャネル領域を除いては、第１ソース電極１７３ａ〜第３ソース電極１７３ｃ、第１ドレイン電極１７５ａ〜第３ドレイン電極、及びデータ線１７１と実質的に同一の平面形状を有する。

【0189】

半導体１５４、１５４ｃと第１ソース電極１７３ａ〜第３ソース電極１７３ｃ、第１ドレイン電極１７５ａ〜第３ドレイン電極、及びデータ線１７１の形状は、各層によって別途の感光膜を形成した後にパターニングすれば、図３及び図４に示したように異なる形状とすることもできる。

【0190】

第１ソース電極１７３ａ〜第３ソース電極１７３ｃ、及び第１ドレイン電極１７５ａ〜第３ドレイン電極１７５ｃの上には、コンタクトホール１８５ａ、１８５ｂを有する保護膜（図示せず）が形成されている。

【0191】

保護膜の上には第１副画素電極１９１ａ及び第２副画素電極１９１ｂを含む画素電極１９１が形成されている。

【0192】

図１７の実施形態の構成のように、第２副画素電極１９１ｂは、第１副画素電極１９１ａを中心に上部に位置する第２副画素電極１９１ｂａと、下部に位置する第２副画素電極１９１ｂｂとを含む。上部及び下部に位置する第２副画素電極１９１ｂａ、１９１ｂｂは枝１９６によって接続されている。

【0193】

第１副画素電極１９１ａはコンタクトホール１８５ａによって第１ドレイン電極１７５ａと接続し、第２副画素電極１９１ｂはコンタクトホール１８５ｂによって第２ドレイン電極１７５ｂと接続される。

【0194】

上述した液晶表示装置も、図２１に示したように、多様な方向に配向された複数の小領域を含むことができる。

【0195】

図２１は、本発明の一実施形態に係る液晶表示装置の光配向を説明するために、図２０の画素電極及び小領域を示した図面である。

【0196】

図３及び図４の光配向法によって光配向すれば、図２１に示したように、第１副画素電極１９１ａにＤｃ及びＤｄが位置し、第２副画素電極１９１ｂにＤａ、Ｄｂが位置する構成を実現できる。

【0197】

図２２は、本発明の一実施形態に係る液晶表示装置用薄膜トランジスタ表示板の配置図である。図２２の層間構成は大部分図２０の実施形態と同一なので、異なる部分についてのみ具体的に説明する。

【0198】

図２２に示すように、基板上に、複数のゲート電極１２４を有する複数のゲート線１２１、複数の第３ゲート電極１２４ｃを有する複数の降圧ゲート線１２５、及び導電体１２６が形成されている。

【0199】

ゲート線１２１と同一の方向に複数の維持電極１３５を有する維持電極線１３１が形成されている。

【0200】

図２２の実施形態は、図２０の実施形態とは異なって、別途の降圧キャパシタ用維持電極線を含まず、維持電極１３５からデータ線に沿って延びた一対の枝１３６を含み、２つのいずれか１つの枝は、端部が拡張された降圧キャパシタ用拡張部１３７を含む。

【0201】

ゲート線１２１、降圧ゲート線１２５、維持電極線１３１の上にはゲート絶縁膜（図示せず）が形成されている。

【0202】

ゲート絶縁膜の上には第１半導体１５４ａ及び第２半導体１５４ｂを含む半導体１５４及び第３半導体１５４ｃが形成されている。各半導体の上には複数の線状オーミックコンタクト部材及び島型オーミックコンタクト部材（図示せず）が形成されている。

【0203】

線状オーミックコンタクト部材と島型オーミックコンタクト部材の上には、第１ソース電極１７３ａ及び第２ソース電極１７３ｂが接続されたソース電極１７３を有する複数のデータ線１７１、複数の第１ドレイン電極１７５ａ、複数の第２ドレイン電極１７５ｂ、及び複数の第３ドレイン電極１７５ｃが形成されている。第１ソース電極１７３ａ及び第２ソース電極１７３ｂは図３の実施形態と同様に接続されているが、分離して形成することも可能である。第２ドレイン電極１７５ｂの一端部は第３薄膜トランジスタの第３ソース電極１７３ｃとなる。

【0204】

第３ドレイン電極１７５ｃの一端部は第３ソース電極１７３ｃによって取り囲まれており、他端部１７７は幅が拡張されており、降圧キャパシタ用拡張部１３７と重畳して降圧キャパシタ（Ｃｓｔｄ）を形成する。

【0205】

第１ソース電極１７３ａ〜第３ソース電極１７３ｃ、第１ドレイン電極１７５ａ〜第３ドレイン電極１７５ｃの上には、コンタクトホール１８５ａ、１８５ｂを有する保護膜（図示せず）が形成されている。

【0206】

保護膜の上には第１副画素電極１９１ａ及び第２副画素電極１９１ｂを含む画素電極１９１が形成されている。第２副画素電極１９１ｂは、第１副画素電極１９１ａを中心に上部に位置する第２副画素電極１９１ｂｂと、下部に位置する第２副画素電極１９１ｂａとを含む。下部及び上部に位置する第２副画素電極１９１ｂａ、１９１ｂｂは枝１９６によって接続されている。

【0207】

第１副画素電極１９１ａはコンタクトホール１８５ａによって第１ドレイン電極１７５ａと接続し、第２副画素電極１９１ｂはコンタクトホール１８５ｂによって第２ドレイン電極１７５ｂと接続される。

【0208】

図２２の実施形態に係る薄膜トランジスタ表示板を含む液晶表示装置も、既に説明した光配向法によって配向することができる。

【0209】

図２３は、本発明の一実施形態に係る液晶表示装置の光配向を説明するために、図２０の画素電極及び小領域を示した図面である。

【0210】

図２３に示したように、図１０Ａ乃至図１１Ｅの光配向法によって光配向すれば、第１副画素電極１９１ａにＤｇ、Ｄｈが位置して、下部第２副画素電極１９１ｂａ及び上部第２副画素電極１９１ｂｂを有する第２副画素電極１９１ｂにＤｅ、Ｄｆが位置するように構成できる。

【0211】

以上、本発明の好ましい実施形態について詳細に説明したが、本発明の権利範囲はこれらに限定されず、次の特許請求の範囲で定義している本発明の基本概念を利用した当業者の種々の変形及び改良形態も本発明の権利範囲に属するものである。

【符号の説明】

【0212】

１０ 遮断領域
１５、２５境界線
２０ 透過領域
３０ 半透過領域
４５ 配向膜
１５４ａ、１５４ｂ、１５４ｃ 第１、第２、第３半導体
１７３ａ、１７３ｂ、１７３ｃ 第１、第２、第３ソース電極
１７５ａ、１７５ｂ、１７５ｃ 第１、第２、第３ドレイン電極
１８０ｑ 上部保護膜
１８０ｐ 下部保護膜
１９１ 画素電極
１９１ａ、１９１ｂ 副画素電極
２１０ 絶縁基板
２２０ 遮光部材
２３０ カラーフィルタ
ＰＸ 画素
ＰＸａ、ＰＸｂ 副画素
Ｑａ、Ｑｂ、Ｑｃ 第１、第２、第３スイッチング素子
Ｃｌｃａ、Ｃｌｃｂ 第１、第２液晶キャパシタ
Ｃｓｔａ、Ｃｓｔｂ 第１ストレージキャパシタ 、第２ストレージキャパシタ
Ｃｓｔｄ 降圧キャパシタ

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9A】

【図9B】

【図9C】

【図9D】

【図9E】

【図10A】

【図10B】

【図10C】

【図10D】

【図10E】

【図11】

【図12】

【図13】

【図14】

【図15】

【図16】

【図17】

【図18】

【図19】

【図20】

【図21】

【図22】

【図23】

【図24】

【図25】