特許5743127半極性（Ｇａ，Ａｌ，Ｉｎ，Ｂ）Ｎ薄膜、ヘテロ構造およびデバイスの成長と作製のための方法及び装置

発明の名称　半極性（Ｇａ，Ａｌ，Ｉｎ，Ｂ）Ｎ薄膜、ヘテロ構造およびデバイスの成長と作製のための方法及び装置

出願人　ザ　リージェンツ　オブ　ザ　ユニバーシティ　オブ　カリフォルニア　（識別番号 506115514）

　　　　特許公開件数ランキング 396 位（35件）（共同出願を含む）

　　　　特許取得件数ランキング 486 位（19件）（共同出願を含む）

出願人　独立行政法人科学技術振興機構　（識別番号 503360115）

　　　　特許公開件数ランキング 13870 位（0件）（共同出願を含む）

　　　　特許取得件数ランキング 800 位（8件）（共同出願を含む）

公報番号　特許-5743127

公報発行日　2015年7月1

公報URL　https://ipforce.jp/patent-jp-B9-5743127

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