特許第5743127号(P5743127)IP Force 特許公報掲載プロジェクト 2022.1.31 β版

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特許5743127半極性（Ｇａ，Ａｌ，Ｉｎ，Ｂ）Ｎ薄膜、ヘテロ構造およびデバイスの成長と作製のための方法及び装置
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