特許 5745046 発光パネル、発光パネルの製造方法、および成膜システム

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】特許公報(B2)

(11)【特許番号】5745046

(24)【登録日】2015年5月15日

(45)【発行日】2015年7月8日

(54)【発明の名称】発光パネル、発光パネルの製造方法、および成膜システム

(51)【国際特許分類】

   H01L 51/50 20060101AFI20150618BHJP

   H05B 33/10 20060101ALI20150618BHJP

   H05B 33/28 20060101ALI20150618BHJP

   H05B 33/26 20060101ALI20150618BHJP

   H05B 33/12 20060101ALI20150618BHJP

   C23C 14/35 20060101ALI20150618BHJP

【ＦＩ】

   H05B33/22 C

   H05B33/14 A

   H05B33/10

   H05B33/28

   H05B33/26 Z

   H05B33/22 A

   H05B33/12 B

   C23C14/35 Z

【請求項の数】28

【全頁数】25

(21)【出願番号】特願2013-519232(P2013-519232)

(86)(22)【出願日】2011年6月8日

(86)【国際出願番号】JP2011003249

(87)【国際公開番号】WO2012168974

(87)【国際公開日】20121213

【審査請求日】2014年2月26日

(73)【特許権者】

【識別番号】514188173

【氏名又は名称】株式会社ＪＯＬＥＤ

(74)【代理人】

【識別番号】110001900

【氏名又は名称】特許業務法人 ナカジマ知的財産綜合事務所

(72)【発明者】

【氏名】西山 誠司

【審査官】 小西 隆

(56)【参考文献】

【文献】 特開２００９−２３１２７４（ＪＰ，Ａ）

【文献】 国際公開第２００８／１４９４９８（ＷＯ，Ａ１）

【文献】 国際公開第２００８／１４９４９９（ＷＯ，Ａ１）

【文献】 特開２００２−３６７７８７（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開２００９−１１４５０７（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開２００９−１４９９２９（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開２００７−２９７６９５（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開２００８−２８５７１９（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開２００６−２９２５４６（ＪＰ，Ａ）

(58)【調査した分野】（Int.Cl.，ＤＢ名）

Ｈ０１Ｌ ５１／５０ − ５１／５６

Ｈ０１Ｌ ２７／３２

Ｈ０５Ｂ ３３／００ − ３３／２８

(57)【特許請求の範囲】

【請求項1】

基板と、当該基板上に形成された発光機能層とを備えた発光パネルであって、
前記発光機能層は、複数の機能層が積層されてなり、複数の機能層には、第一および第二の機能層が含まれており、
積層方向の一方から前記発光機能層を見たときに、積層方向に対して交差する方向に隣接または離間した二つの領域であって隣り合う複数のサブピクセルを含む画素を複数含む領域の一方を第一の発光領域、他方を第二の発光領域と称した場合、
前記第一の発光領域における第一の機能層の膜厚は、前記第二の発光領域における第一の機能層の膜厚より薄く、かつ、前記第一の発光領域における第二の機能層の膜厚は、前記第二の発光領域における第二の機能層の膜厚より厚い
発光パネル。

【請求項2】

前記第一の発光領域の前記第一の機能層及び前記第二の発光領域の前記第一の機能層は、同じ工程で形成される層であり、前記第一の発光領域の前記第二の機能層及び前記第二の発光領域の前記第二の機能層は、同じ工程で形成される層である
請求項１に記載の発光パネル。

【請求項3】

前記第一の発光領域における前記第一の機能層と前記第二の機能層とが積層された光学膜厚と、前記第二の発光領域における前記第一の機能層と前記第二の機能層とが積層された光学膜厚とが同じである
請求項１または２に記載の発光パネル。

【請求項4】

前記第一の機能層と前記第二の機能層は、真空成膜法により成膜された層である
請求項１〜３の何れか１項に記載の発光パネル。

【請求項5】

前記第一の機能層と前記第二の機能層は、積層方向に隣接している
請求項１〜４の何れか１項に記載の発光パネル。

【請求項6】

前記複数の機能層には、陽極と、前記第一および第二の機能層を挟んで前記陽極と対向する陰極とがさらに含まれており、
前記第一の機能層は、前記陽極上に積層された透明導電層であり、
前記第二の機能層は、前記透明導電層上に積層された電荷注入層である
請求項５に記載の発光パネル。

【請求項7】

前記第一の機能層は、ＩＴＯ又はＩＺＯからなり、
前記第二の機能層は、酸化金属からなる
請求項１〜５の何れか１項に記載の発光パネル。

【請求項8】

前記複数の機能層にはさらに、第三の機能層が含まれており、
前記第一の発光領域における第三の機能層の膜厚は、前記第二の発光領域における第三の機能層の膜厚より厚い
請求項１に記載の発光パネル。

【請求項9】

前記第三の機能層は、陽極であり、
前記複数の機能層には、前記第一および第二の機能層を挟んで前記陽極と対向する陰極がさらに含まれており、
前記第一の機能層は、前記陽極上に積層された透明導電層であり、
前記第二の機能層は、前記透明導電層上に積層された電荷注入層である
請求項８に記載の発光パネル。

【請求項10】

前記第三の機能層は、アルミ、銀、またはアルミおよび銀の何れかの合金からなる
請求項８に記載の発光パネル。

【請求項11】

前記第三の機能層は、陰極であり、
前記複数の機能層には、前記第一および第二の機能層を挟んで前記陰極と対向する陽極がさらに含まれており、
前記第一の機能層は、前記陽極上に積層された透明導電層であり、
前記第二の機能層は、前記透明導電層上に積層された電荷注入層である
請求項８に記載の発光パネル。

【請求項12】

基板と、前記基板上に複数の機能層を積層してなる発光機能層とを備え、前記複数の機能層が第一および第二の機能層を含む発光パネルの製造方法であって、
第一の成膜装置で前記第一の機能層を形成する第一工程と、
第二の成膜装置で前記第二の機能層を形成する第二工程を含み、
積層方向の一方から前記発光機能層を見たときに、積層方向に対して交差する方向に隣接または離間した二つの領域であって隣り合う複数のサブピクセルを含む画素を複数含む領域の一方を第一の発光領域、他方を第二の発光領域と称した場合、
前記第一の発光領域における第一の機能層の膜厚は、前記第二の発光領域における第一の機能層の膜厚より薄く、かつ、前記第一の発光領域における第二の機能層の膜厚は、前記第二の発光領域における第二の機能層の膜厚より厚い
発光パネルの製造方法。

【請求項13】

前記第一の発光領域の前記第一の機能層及び前記第二の発光領域の前記第一の機能層は、前記第一工程において共通に形成される層であり、前記第一の発光領域の前記第二の機能層及び前記第二の発光領域の前記第二の機能層は、前記第二工程において共通に形成される層である
請求項１２に記載の発光パネルの製造方法。

【請求項14】

前記第一の発光領域における前記第一の機能層と前記第二の機能層とが積層された光学膜厚と、前記第二の発光領域における前記第一の機能層と前記第二の機能層とが積層された光学膜厚とが同じである
請求項１２または１３に記載の発光パネルの製造方法。

【請求項15】

前記第一の成膜装置は、第一のマグネトロンスパッタ装置であり、
前記第二の成膜装置は、第二のマグネトロンスパッタ装置である
請求項１２に記載の発光パネルの製造方法。

【請求項16】

前記第一のマグネトロンスパッタ装置は、第一のターゲット部材と、主面に配された前記第一のターゲット部材を保持する第一のターゲット部材ホルダと、前記第一のターゲット部材ホルダにおける、前記第一のターゲット部材が配された主面の反対側の面に配された複数の第一のマグネトロンを備え、
前記第二のマグネトロンスパッタ装置は、第二のターゲット部材と、主面に配された前記第二のターゲット部材を保持する第二のターゲット部材ホルダと、前記第二のターゲット部材ホルダにおける、前記第二のターゲット部材が配された主面の反対側の面に配された複数の第二のマグネトロンを備え、
前記基板は、前記第一のマグネトロンスパッタ装置内に前記第一のターゲット部材に対向するように配された後、前記第二のマグネトロンスパッタ装置内に前記第二のターゲット部材に対向するように配され、
前記基板に対する前記複数の第一のマグネトロンそれぞれの位置は、前記基板に対する前記複数の第二のマグネトロンそれぞれの位置と異なる
請求項１５に記載の発光パネルの製造方法。

【請求項17】

前記複数の第一のマグネトロンは、第一の間隔で等間隔に配されており、
前記複数の第二のマグネトロンは、第二の間隔で等間隔に配されており、
前記第一の間隔と前記第二の間隔は等しい
請求項１６に記載の発光パネルの製造方法。

【請求項18】

前記第一の機能層と前記第二の機能層は、積層方向に隣接している
請求項１２〜１７の何れか１項に記載の発光パネルの製造方法。

【請求項19】

前記複数の機能層にはさらに、第三の機能層が含まれており、
第三のマグネトロンスパッタ装置で第三の機能層を形成する第三工程を含み、
前記第一の発光領域における第三の機能層の膜厚は、前記第二の発光領域における第三の機能層の膜厚より厚い
請求項１５〜１８の何れか１項に記載の発光パネルの製造方法。

【請求項20】

前記複数の機能層にはさらに、第三の機能層が含まれており、
第三のマグネトロンスパッタ装置で第三の機能層を形成する第三工程を含み、
前記第一の発光領域における第三の機能層の膜厚は、前記第二の発光領域における第三の機能層の膜厚より厚く、
前記第三のマグネトロンスパッタ装置は、第三のターゲット部材と、主面に配された前記第三のターゲット部材を保持する第三のターゲット部材ホルダと、前記第三のターゲット部材ホルダにおける、前記第三のターゲット部材が配された主面の反対側の面に配された複数の第三のマグネトロンを備え、
前記基板に対する前記複数の第三のマグネトロンそれぞれの位置は、前記基板に対する前記複数の第一のマグネトロンそれぞれの位置、および前記基板に対する前記複数の第二のマグネトロンそれぞれの位置と異なる
請求項１６または１７に記載の発光パネルの製造方法。

【請求項21】

前記第一の成膜装置は、第一の蒸着装置であり、
前記第二の成膜装置は、第二の蒸着装置である
請求項１２に記載の発光パネルの製造方法。

【請求項22】

前記第一の蒸着装置は、複数の第一の蒸着源を備え、
前記第二の蒸着装置は、複数の第二の蒸着源を備え、
前記基板は、前記第一の蒸着装置内に前記複数の第一の蒸着源に対向するように配された後、前記第二の蒸着装置内に前記複数の第二の蒸着源に対向するように配され、
前記基板に対する前記複数の第一の蒸着源それぞれの位置は、前記基板に対する前記複数の第二の蒸着源それぞれの位置と異なる
請求項２１に記載の発光パネルの製造方法。

【請求項23】

前記複数の第一の蒸着源は、第一の間隔で等間隔に配されており、
前記複数の第二の蒸着源は、第二の間隔で等間隔に配されており、
前記第一の間隔と前記第二の間隔は等しい
請求項２２に記載の発光パネルの製造方法。

【請求項24】

前記第一の機能層と前記第二の機能層は、積層方向に隣接している
請求項２１〜２３の何れか１項に記載の発光パネルの製造方法。

【請求項25】

前記複数の機能層にはさらに、第三の機能層が含まれており、
第三の蒸着装置で第三の機能層を形成する第三工程を含み、
前記第一の発光領域における第三の機能層の膜厚は、前記第二の発光領域における第三の機能層の膜厚より厚い
請求項２１〜２４の何れか１項に記載の発光パネルの製造方法。

【請求項26】

前記複数の機能層にはさらに、第三の機能層が含まれており、
第三の蒸着装置で第三の機能層を形成する第三工程を含み、
前記第一の発光領域における第三の機能層の膜厚は、前記第二の発光領域における第三の機能層の膜厚より厚く、
前記第三の蒸着装置は、複数の第三の蒸着源を備え、
前記基板に対する前記複数の第三の蒸着源それぞれの位置は、前記基板に対する前記複数の第一の蒸着源それぞれの位置、および前記複数の第二の蒸着源それぞれの位置と異なる
請求項２２または２３に記載の発光パネルの製造方法。

【請求項27】

請求項１に記載の発光パネルの製造に用いられる成膜システムであって、
前記第一の機能層を形成する第一のマグネトロンスパッタ装置、および前記第二の機能層を形成する第二のマグネトロンスパッタ装置を含み、
前記第一のマグネトロンスパッタ装置は、第一のターゲット部材と、主面に配された前記第一のターゲット部材を保持する第一のターゲット部材ホルダと、前記第一のターゲット部材ホルダにおける、前記第一のターゲット部材が配された主面の反対側の面に配された複数の第一のマグネトロンを備え、
前記第二のマグネトロンスパッタ装置は、第二のターゲット部材と、主面に配された前記第二のターゲット部材を保持する第二のターゲット部材ホルダと、前記第二のターゲット部材ホルダにおける、前記第二のターゲット部材が配された主面の反対側の面に配された複数の第二のマグネトロンを備え、
前記基板は、前記第一のマグネトロンスパッタ装置内に前記第一のターゲット部材に対向するように配された後、前記第二のマグネトロンスパッタ装置内に前記第二のターゲット部材に対向するように配され、
前記基板に対する前記複数の第一のマグネトロンそれぞれの位置は、前記基板に対する前記複数の第二のマグネトロンそれぞれの位置と異なる
成膜システム。

【請求項28】

請求項１に記載の発光パネルの製造に用いられる成膜システムであって、
前記第一の機能層を形成する第一の蒸着装置、および前記第二の機能層を形成する第二の蒸着装置を含み、
前記第一の蒸着装置は、複数の第一の蒸着源を備え、
前記第二の蒸着装置は、複数の第二の蒸着源を備え、
前記基板は、前記第一の蒸着装置内に前記複数の第一の蒸着源に対向するように配された後、前記第二の蒸着装置内に前記複数の第二の蒸着源に対向するように配され、
前記基板に対する前記複数の第一の蒸着源それぞれの位置は、前記基板に対する前記複数の第二の蒸着源それぞれの位置と異なる
成膜システム。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、複数の機能層を積層してなる発光機能層を備えた発光パネル、発光パネルの製造方法、および成膜システムに関する。

【背景技術】

【0002】

この種の発光パネルは、次世代の表示および照明用のパネルとして期待され、近年、研究・開発が進められている。一般的な発光パネルの構成について有機ＥＬ表示パネルを例に挙げて説明すると、同パネルでは、ＴＦＴ（薄膜トランジスタ）基板上に層間絶縁膜が形成され、この層間絶縁膜上に陽極（画素電極）がサブピクセル毎に形成されている。陽極のそれぞれは、透明導電層で被覆されており、隣り合う陽極の間のそれぞれには、バンクが形成されている。一方、各陽極上には、透明導電層を介して、所定の色の有機発光層が積層されている。

【0003】

陽極のそれぞれと、当該陽極のそれぞれに積層された有機発光層の間には、必要に応じて、正孔注入層、正孔輸送層または正孔注入兼輸送層が形成されている。

【0004】

さらに、各有機発光層上には、陰極（共通電極）が、パネルの全体に亘って形成されている。陰極と各有機発光層との間には、必要に応じて、電子注入層、電子輸送層または電子注入兼輸送層が形成されている。

【0005】

なお、有機ＥＬ表示パネルの積層構造に関する先行技術文献としては、特許文献１に記載のものがある。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0006】

【特許文献1】特開平５−１６３４８８号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0007】

ところで、有機ＥＬ表示パネル等の発光パネルにおける、陽極から陰極までの機能層（以下、陽極から陰極までの機能層を纏めて「発光機能層」とも記す。）のうち幾つかの機能層は、真空成膜装置（マグネトロンスパッタ装置や蒸着装置等）を用いて成膜される。以下、真空成膜装置としてマグネトロンスパッタ装置を例に挙げ、同装置を用いて成膜される機能層を透明導電層および正孔注入層と想定し、課題を説明する。

【0008】

透明導電層および正孔注入層のそれぞれは、別々のマグネトロンスパッタ装置を用いて成膜される。マグネトロンスパッタ装置のそれぞれには、ターゲット部材が配置され、当該ターゲット部材の裏面に複数のマグネトロンが配置されている。このため、透明導電層および正孔注入層をそれぞれ成膜する際には、複数のマグネトロンの磁界に起因した膜厚のムラが生じることになる。ここで、複数のマグネトロンの配置位置は、両マグネトロンスパッタ装置で共通している。したがって、透明導電層および正孔注入層のそれぞれの膜厚には、共通のムラが存在することになる。例えば、発光パネルにおける第一の発光領域と第二の発光領域を比較した場合、第一の発光領域での透明導電層および正孔注入層の膜厚は共に、第二の発光領域での透明導電層および正孔注入層の膜厚より厚くなっている。つまり、透明導電層における膜厚の厚い部分の上に、正孔注入層における膜厚の厚い部分が積層され、透明導電層における膜厚の薄い部分の上に、正孔注入層における膜厚の薄い部分が積層されている。

【0009】

このため、発光機能層として見た場合には、第一の発光領域と第二の発光領域とに大きな膜厚差が存在することになる。

【0010】

そうすると、結果として、発光パネルにおいて輝度ムラが生じ得る。この理由としては、第一の発光領域と第二の発光領域とで光学距離や抵抗値が異なることが考えられる。

【0011】

以上は、真空成膜装置としてマグネトロンスパッタ装置を例に挙げて説明したが、蒸着装置を用いて成膜する場合にも同様の課題が生じる。蒸着装置ではマグネトロンは配置されていないものの、代わりに蒸着源が配置されており、この蒸着源の配置位置に起因して膜厚のムラが生じるためである。

【0012】

そこで、本発明は、発光機能層の膜厚ムラを低減した発光パネルを提供することを目的とする。

【課題を解決するための手段】

【0013】

上記課題を解決するために、本発明の一態様に係る発光パネルは、基板と、当該基板上に形成された発光機能層とを備えた発光パネルであって、前記発光機能層は、複数の機能層が積層されてなり、複数の機能層には、第一および第二の機能層が含まれており、積層方向の一方から前記発光機能層を見たときに、積層方向に対して交差する方向に隣接または離間した二つの領域の一方を第一の発光領域、他方を第二の発光領域と称した場合、前記第一の発光領域における第一の機能層の膜厚は、前記第二の発光領域における第一の機能層の膜厚より薄く、かつ、前記第一の発光領域における第二の機能層の膜厚は、前記第二の発光領域における第二の機能層の膜厚より厚いことを特徴とするとした。

【発明の効果】

【0014】

本発明の一態様に係る発光パネルでは、前記第一の発光領域における第一の機能層の膜厚は、前記第二の発光領域における第一の機能層の膜厚より薄く、かつ、前記第一の発光領域における第二の機能層の膜厚は、前記第二の発光領域における第二の機能層の膜厚より厚い。つまり、第一の機能層と第二の機能層の膜厚分布が異なっている。

【0015】

このため、本発明の一態様に係る発光パネルでは、第一および第二の機能層のそれぞれに膜厚の厚い部分と薄い部分が存在しているにも拘らず、第一の機能層と第二の機能層の膜厚分布が共通の場合に比べて、第一の発光領域と第二の発光領域の膜厚の差は低減される。

【0016】

発光パネルにおける膜厚ムラが低減されるので、当該発光パネルにおける輝度ムラを低減することができる。

【図面の簡単な説明】

【0017】

【図1】（ａ）本発明の実施の形態１に係る表示装置１００の電気的な構成を示すブロック図である。（ｂ）表示パネル１０５が有する一画素回路の回路構成及びその周辺回路との接続を示す図である。

【図2】表示パネル１０５の要部を模式的に示す部分断面図である。

【図3】表示パネル１０５０の微小領域Ａおよび微小領域Ｂのそれぞれにおける、透明導電層と正孔注入層の膜厚を模式的に示す図である。

【図4】（ａ）透明導電層の膜厚分布を示す図である。（ｂ）正孔注入層の膜厚分布を示す図である。（ｃ）透明導電層および正孔注入層の積層膜の輝度分布を示す図である。

【図5】表示パネル１０５の微小領域ａおよび微小領域ｂのそれぞれにおける、透明導電層と正孔注入層の膜厚を模式的に示す図である。

【図6】（ａ）マグネトロンスパッタ装置内の構成を示す図である。（ｂ）基板２１、ターゲット部材２２、および複数のマグネトロン２５の配置関係を模式的に示す図である。（ｃ）基板２１上に形成された機能層２６を模式的に示す図である。

【図7】（ａ）第一のマグネトロンスパッタ装置における、基板３１、ターゲット部材３２、および複数のマグネトロン３５の配置関係を模式的に示す図である。（ｂ）第一のマグネトロンスパッタ装置により基板３１上に形成された透明導電層３６を模式的に示す図である。（ｃ）第二のマグネトロンスパッタ装置における、基板４１、ターゲット部材４２、および複数のマグネトロン４５の配置関係を模式的に示す図である。（ｄ）第二のマグネトロンスパッタ装置により基板４１上に形成された正孔注入層４６を模式的に示す図である。（ｅ）積層膜５６を模式的に示す図である。

【図8】（ａ）第一のマグネトロンスパッタ装置における、基板６１、ターゲット部材６２、および複数のマグネトロン６５の配置関係を模式的に示す図である。（ｂ）第一のマグネトロンスパッタ装置により基板６１上に形成された透明導電層６６を模式的に示す図である。（ｃ）第二のマグネトロンスパッタ装置における、基板７１、ターゲット部材７２、および複数のマグネトロン７５の配置関係を模式的に示す図である。（ｄ）第二のマグネトロンスパッタ装置により基板７１上に形成された正孔注入層７６を模式的に示す図である。（ｅ）積層膜８６を模式的に示す図である。

【図9】表示パネル１０５の製造工程の一例を示す図である。

【図10】表示パネル１０５の製造工程のうち図９に示す工程に後続する部分の一例を示す工程図である。

【図11】表示パネル１０５１の微小領域ａおよび微小領域ｂのそれぞれにおける、陽極および正孔注入層の膜厚を模式的に示す図である。

【図12】表示パネル１０５２の微小領域ａおよび微小領域ｂのそれぞれにおける、透明導電層、正孔注入層、および陽極の膜厚を模式的に示す図である。

【図13】（ａ）第一のマグネトロンスパッタ装置における、基板６１、ターゲット部材６２、および複数のマグネトロン６５の配置関係を模式的に示す図である。（ｂ）第二のマグネトロンスパッタ装置における、基板７１、ターゲット部材７２、および複数のマグネトロン７５の配置関係を模式的に示す図である。（ｃ）陽極の成膜に用いられる第三のマグネトロンスパッタ装置における、基板９１、ターゲット部材９２、および複数のマグネトロン９５の配置関係を模式的に示す図である。

【図14】表示装置１００の外観を例示した図である。

【発明を実施するための形態】

【0018】

＜実施の態様＞
本発明の一態様である発光パネルは、基板と、当該基板上に形成された発光機能層とを備えた発光パネルであって、前記発光機能層は、複数の機能層が積層されてなり、複数の機能層には、第一および第二の機能層が含まれており、積層方向の一方から前記発光機能層を見たときに、積層方向に対して交差する方向に隣接または離間した二つの領域の一方を第一の発光領域、他方を第二の発光領域と称した場合、前記第一の発光領域における第一の機能層の膜厚は、前記第二の発光領域における第一の機能層の膜厚より薄く、かつ、前記第一の発光領域における第二の機能層の膜厚は、前記第二の発光領域における第二の機能層の膜厚より厚いことを特徴とするとした。

【0019】

本発明の一態様に係る発光パネルでは、前記第一の発光領域における第一の機能層の膜厚は、前記第二の発光領域における第一の機能層の膜厚より薄く、かつ、前記第一の発光領域における第二の機能層の膜厚は、前記第二の発光領域における第二の機能層の膜厚より厚い。つまり、第一の機能層と第二の機能層の膜厚分布が異なっている。

【0020】

このため、本発明の一態様に係る発光パネルでは、第一および第二の機能層のそれぞれに膜厚の厚い部分と薄い部分が存在しているにも拘らず、第一の機能層と第二の機能層の膜厚分布が共通の場合に比べて、第一の発光領域と第二の発光領域の膜厚の差は低減される。

【0021】

発光パネルにおける膜厚ムラが低減されるので、当該発光パネルにおける輝度ムラを低減することができる。

【0022】

ここで、本発明の別の態様として、前記第一の機能層と前記第二の機能層は、真空成膜法により成膜された層であるとしてもよい。

【0023】

ここで、本発明の別の態様として、前記第一の機能層と前記第二の機能層は、積層方向に隣接しているとしてもよい。

【0024】

ここで、本発明の別の態様として、前記複数の機能層には、陽極と、前記第一および第二の機能層を挟んで前記陽極と対向する陰極とがさらに含まれており、前記第一の機能層は、前記陽極上に積層された透明導電層であり、前記第二の機能層は、前記透明導電層上に積層された電荷注入層であるとしてもよい。

【0025】

ここで、本発明の別の態様として、前記第一の機能層は、ＩＴＯ又はＩＺＯからなり、前記第二の機能層は、酸化金属からなるとしてもよい。

【0026】

ここで、本発明の別の態様として、前記複数の機能層にはさらに、第三の機能層が含まれており、前記第一の発光領域における第三の機能層の膜厚は、前記第二の発光領域における第三の機能層の膜厚より厚いとしてもよい。

【0027】

ここで、本発明の別の態様として、前記第三の機能層は、陽極であり、前記複数の機能層には、前記第一および第二の機能層を挟んで前記陽極と対向する陰極がさらに含まれており、前記第一の機能層は、前記陽極上に積層された透明導電層であり、前記第二の機能層は、前記透明導電層上に積層された電荷注入層であるとしてもよい。

【0028】

ここで、本発明の別の態様として、前記第三の機能層は、アルミ、銀、またはアルミおよび銀の何れかの合金からなるとしてもよい。

【0029】

ここで、本発明の別の態様として、前記第三の機能層は、陰極であり、前記複数の機能層には、前記第一および第二の機能層を挟んで前記陰極と対向する陽極がさらに含まれており、前記第一の機能層は、前記陽極上に積層された透明導電層であり、前記第二の機能層は、前記透明導電層上に積層された電荷注入層であるとしてもよい。

【0030】

ここで、本発明の一態様である発光パネルの製造方法は、基板と、前記基板上に複数の機能層を積層してなる発光機能層とを備え、前記複数の機能層が第一および第二の機能層を含む発光パネルの製造方法であって、第一の成膜装置で前記第一の機能層を形成する第一工程と、第二の成膜装置で前記第二の機能層を形成する第二工程を含み、積層方向の一方から前記発光機能層を見たときに、積層方向に対して交差する方向に隣接または離間した二つの領域の一方を第一の発光領域、他方を第二の発光領域と称した場合、前記第一の発光領域における第一の機能層の膜厚は、前記第二の発光領域における第一の機能層の膜厚より薄く、かつ、前記第一の発光領域における第二の機能層の膜厚は、前記第二の発光領域における第二の機能層の膜厚より厚いとしてもよい。

【0031】

ここで、本発明の別の態様として、前記第一の成膜装置は、第一のマグネトロンスパッタ装置であり、前記第二の成膜装置は、第二のマグネトロンスパッタ装置であるとしてもよい。

【0032】

ここで、本発明の別の態様として、前記第一のマグネトロンスパッタ装置は、第一のターゲット部材と、主面に配された前記第一のターゲット部材を保持する第一のターゲット部材ホルダと、前記第一のターゲット部材ホルダにおける、前記第一のターゲット部材が配された主面の反対側の面に配された複数の第一のマグネトロンを備え、前記第二のマグネトロンスパッタ装置は、第二のターゲット部材と、主面に配された前記第二のターゲット部材を保持する第二のターゲット部材ホルダと、前記第二のターゲット部材ホルダにおける、前記第二のターゲット部材が配された主面の反対側の面に配された複数の第二のマグネトロンを備え、前記基板は、前記第一のマグネトロンスパッタ装置内に前記第一のターゲット部材に対向するように配された後、前記第二のマグネトロンスパッタ装置内に前記第二のターゲット部材に対向するように配され、前記基板に対する前記複数の第一のマグネトロンそれぞれの位置は、前記基板に対する前記複数の第二のマグネトロンそれぞれの位置と異なるとしてもよい。

【0033】

本態様の発光パネルの製造方法では、第一のマグネトロンスパッタ装置と第二のマグネトロンスパッタ装置でマグネトロンの配置が異なるため、第一の機能層と第二の機能層の膜厚分布は異なることになる。したがって、第一の機能層と第二の機能層の膜厚分布が共通している場合と比べて、これらの積層膜の膜厚差を低減することができる。

【0034】

ここで、本発明の別の態様として、前記複数の第一のマグネトロンは、第一の間隔で等間隔に配されており、前記複数の第二のマグネトロンは、第二の間隔で等間隔に配されており、前記第一の間隔と前記第二の間隔は等しいとしてもよい。

【0035】

ここで、本発明の別の態様として、前記第一の機能層と前記第二の機能層は、積層方向に隣接しているとしてもよい。

【0036】

ここで、本発明の別の態様として、前記複数の機能層にはさらに、第三の機能層が含まれており、第三のマグネトロンスパッタ装置で第三の機能層を形成する第三工程を含み、前記第一の発光領域における第三の機能層の膜厚は、前記第二の発光領域における第三の機能層の膜厚より厚いとしてもよい。

【0037】

ここで、本発明の別の態様として、前記第三のマグネトロンスパッタ装置は、第三のターゲット部材と、主面に配された前記第三のターゲット部材を保持する第三のターゲット部材ホルダと、前記第三のターゲット部材ホルダにおける、前記第三のターゲット部材が配された主面の反対側の面に配された複数の第三のマグネトロンを備え、前記基板に対する前記複数の第三のマグネトロンそれぞれの位置は、前記基板に対する前記複数の第一のマグネトロンそれぞれの位置、および前記基板に対する前記複数の第二のマグネトロンそれぞれの位置と異なるとしてもよい。

【0038】

本態様の発光パネルの製造方法では、第一のマグネトロンスパッタ装置、第二のマグネトロンスパッタ装置、および第三のマグネトロンスパッタ装置でマグネトロンの配置が異なるため、第一の機能層、第二の機能層、および第三の機能層の膜厚分布はそれぞれ異なることになる。したがって、第一の機能層、第二の機能層、および第三の機能層の膜厚分布が共通している場合と比べて、これらの積層膜の膜厚差を低減することができる。

【0039】

ここで、本発明の別の態様として、前記第一の成膜装置は、第一の蒸着装置であり、前記第二の成膜装置は、第二の蒸着装置であるとしてもよい。

【0040】

ここで、本発明の別の態様として、前記第一の蒸着装置は、複数の第一の蒸着源を備え、前記第二の蒸着装置は、複数の第二の蒸着源を備え、前記基板は、前記第一の蒸着装置内に前記複数の第一の蒸着源に対向するように配された後、前記第二の蒸着装置内に前記複数の第二の蒸着源に対向するように配され、前記基板に対する前記複数の第一の蒸着源それぞれの位置は、前記基板に対する前記複数の第二の蒸着源それぞれの位置と異なるとしてもよい。

【0041】

本態様の発光パネルの製造方法では、第一の蒸着装置と第二の蒸着装置で蒸着源の配置が異なるため、第一の機能層と第二の機能層の膜厚分布は異なることになる。したがって、第一の機能層と第二の機能層の膜厚分布が共通している場合と比べて、これらの積層膜の膜厚差を低減することができる。

【0042】

ここで、本発明の別の態様として、前記複数の第一の蒸着源は、第一の間隔で等間隔に配されており、前記複数の第二の蒸着源は、第二の間隔で等間隔に配されており、前記第一の間隔と前記第二の間隔は等しいとしてもよい。

【0043】

ここで、本発明の別の態様として、前記第一の機能層と前記第二の機能層は、積層方向に隣接しているとしてもよい。

【0044】

ここで、本発明の別の態様として、前記複数の機能層にはさらに、第三の機能層が含まれており、第三の蒸着装置で第三の機能層を形成する第三工程を含み、前記第一の発光領域における第三の機能層の膜厚は、前記第二の発光領域における第三の機能層の膜厚より厚いとしてもよい。

【0045】

ここで、本発明の別の態様として、前記第三の蒸着装置は、複数の第三の蒸着源を備え、前記基板に対する前記複数の第三の蒸着源それぞれの位置は、前記基板に対する前記複数の第一の蒸着源それぞれの位置、および前記複数の第二の蒸着源それぞれの位置と異なるとしてもよい。

【0046】

本態様の発光パネルの製造方法では、第一の蒸着装置、第二の蒸着装置、および第三の蒸着装置で蒸着源の配置が異なるため、第一の機能層、第二の機能層、および第三の機能層の膜厚分布はそれぞれ異なることになる。したがって、第一の機能層、第二の機能層、および第三の機能層の膜厚分布が共通している場合と比べて、これらの積層膜の膜厚差を低減することができる。

【0047】

ここで、本発明の一態様である発光パネルの製造に用いられる成膜システムは、基板と、前記基板上に複数の機能層を積層してなる発光機能層とを備え、前記複数の機能層が第一および第二の機能層を含む発光パネルの製造に用いられる成膜システムであって、前記第一の機能層を形成する第一のマグネトロンスパッタ装置、および前記第二の機能層を形成する第二のマグネトロンスパッタ装置を含み、前記第一のマグネトロンスパッタ装置は、第一のターゲット部材と、主面に配された前記第一のターゲット部材を保持する第一のターゲット部材ホルダと、前記第一のターゲット部材ホルダにおける、前記第一のターゲット部材が配された主面の反対側の面に配された複数の第一のマグネトロンを備え、前記第二のマグネトロンスパッタ装置は、第二のターゲット部材と、主面に配された前記第二のターゲット部材を保持する第二のターゲット部材ホルダと、前記第二のターゲット部材ホルダにおける、前記第二のターゲット部材が配された主面の反対側の面に配された複数の第二のマグネトロンを備え、前記基板は、前記第一のマグネトロンスパッタ装置内に前記第一のターゲット部材に対向するように配された後、前記第二のマグネトロンスパッタ装置内に前記第二のターゲット部材に対向するように配され、前記基板に対する前記複数の第一のマグネトロンそれぞれの位置は、前記基板に対する前記複数の第二のマグネトロンそれぞれの位置と異なるとしてもよい。

【0048】

ここで、本発明の一態様である発光パネルの製造に用いられる成膜システムは、基板と、前記基板上に複数の機能層を積層してなる発光機能層とを備え、前記複数の機能層が第一および第二の機能層を含む発光パネルの製造に用いられる成膜システムであって、前記第一の機能層を形成する第一の蒸着装置、および前記第二の機能層を形成する第二の蒸着装置を含み、前記第一の蒸着装置は、複数の第一の蒸着源を備え、前記第二の蒸着装置は、複数の第二の蒸着源を備え、前記基板は、前記第一の蒸着装置内に前記複数の第一の蒸着源に対向するように配された後、前記第二の蒸着装置内に前記複数の第二の蒸着源に対向するように配され、前記基板に対する前記複数の第一の蒸着源それぞれの位置は、前記基板に対する前記複数の第二の蒸着源それぞれの位置と異なるとしてもよい。
＜実施の形態１＞
ここでは、発光パネルとして表示パネルを例に挙げて説明する。

【0049】

−表示装置１００の概略−
図１（ａ）は、本発明の実施の形態１に係る表示パネル１０５を含む表示装置１００の電気的な構成を示すブロック図である。図１（ａ）に示されるように、表示装置１００は、制御回路１０１と、メモリ１０２と、走査線駆動回路１０３と、データ線駆動回路１０４と、画素回路が行列状に配置された表示パネル１０５を備える。表示パネル１０５は、例えばエレクトロルミネッセント（以下、「ＥＬ」と記す。）表示パネルであり、有機ＥＬ表示パネルとしてもよい。

【0050】

図１（ｂ）は、表示パネル１０５が有する一画素回路の回路構成及びその周辺回路との接続を示す図である。図１（ｂ）に示されるように、画素回路２０８は、ゲート線２００と、データ線２０１と、電源線２０２と、スイッチングトランジスタ２０３と、駆動トランジスタ２０４と、陽極２０５と、保持容量２０６と、陰極２０７を含んで構成される。スイッチングトランジスタ２０３及び駆動トランジスタ２０４は、薄膜トランジスタ素子である。

【0051】

周辺回路は、走査線駆動回路１０３とデータ線駆動回路１０４を備える。また、スイッチングトランジスタ２０３、駆動トランジスタ２０４、及び保持容量２０６により駆動部２０９が構成されている。

【0052】

データ線駆動回路１０４から供給された信号電圧は、スイッチングトランジスタ２０３を介して駆動トランジスタ２０４のゲート端子へと印加される。駆動トランジスタ２０４は、そのデータ電圧に応じた電流をソース−ドレイン端子間に流す。この電流が陽極２０５へと流れることにより、その電流に応じた発光輝度が得られる。

【0053】

−表示パネル１０５の概略構成−
図２は、表示パネル１０５の要部を模式的に示す部分断面図である。図２に示されるように、ＴＦＴ基板１上に層間絶縁膜２が形成されており（本明細書では、ＴＦＴ基板１上に層間絶縁膜２が形成されたものを「基板１２０」と定義する。）、この層間絶縁膜２上に、陽極３がサブピクセル単位で行列状に形成されている。Ｘ軸方向に隣り合う３つのサブピクセルの組み合わせにより１画素（ピクセル）が構成される。

【0054】

各陽極３上には透明導電層４が形成され、それぞれの透明導電層４を覆うように層間絶縁膜２上には正孔注入層５が形成されている。

【0055】

正孔注入層５上であって、隣り合う陽極３の間に相当する領域のそれぞれには、バンク６が形成されている。バンク６で規定された各領域内において正孔注入層５上には、正孔輸送層７が形成され、正孔輸送層７上には所定の色の発光層８が積層されている。

【0056】

さらに、発光層８上には、電子輸送層９、陰極１１、及び封止層１２が、それぞれバンク６で規定された領域を超えて隣接するサブピクセルのものと連続するように形成されている。

【0057】

−透明導電層と正孔注入層が共通の膜厚分布を有する場合−
表示パネル１０５の特徴部分を説明する前に、当該表示パネル１０５の比較対象として、二つの機能層が共通の膜厚分布を有する表示パネルについて説明する。ここでは、二つの機能層として透明導電層および正孔注入層を例に挙げて説明する。

【0058】

図３は、表示パネル１０５０の微小領域Ａおよび微小領域Ｂのそれぞれにおける、透明導電層と正孔注入層の膜厚を模式的に示す図である。微小領域ＡおよびＢは、積層方向の一方から発光機能層を見たときに、積層方向に対して交差する方向に離間した領域であり、例えば、複数の画素からなる領域である。

【0059】

透明導電層および正孔注入層が共通の膜厚分布を有しているため、図３に示されるように、微小領域Ａにおける透明導電層４Ａの膜厚は、微小領域Ｂにおける透明導電層４Ｂの膜厚よりも厚く、同様に、微小領域Ａにおける正孔注入層５Ａの膜厚も、微小領域Ｂにおける正孔注入層５Ｂの膜厚よりも厚くなっている。

【0060】

共通の膜厚分布を有する透明導電層と正孔注入層が積層されることで、機能層単体の場合に比べ、微小領域Ａと微小領域Ｂには、より大きな膜厚差が生じている。

【0061】

次に、共通の膜厚分布を有する透明導電層と正孔注入層が積層されることにより、輝度にどのような影響を与えるかを実験により検証した。ただし、ここでは、ガラス基板上に透明導電層および正孔注入層の二層のみを積層し実験を行った。透明導電層として酸化インジウム亜鉛（ＩＺＯ）を、正孔注入層として酸化タングステン（ＷＯｘ）を用いた。

【0062】

図４は、透明導電層および正孔注入層のそれぞれの膜厚分布、並びにこれらを積層した積層膜の輝度分布を示す図である。図４（ａ）は、透明導電層の膜厚分布を示し、図４（ｂ）は、正孔注入層の膜厚分布を示す。図４（ａ）、（ｂ）に示されるように、透明導電層および正孔注入層のそれぞれの膜厚は一定ではなく、ムラが生じているのがわかる。図４（ａ）、（ｂ）では、色の濃い部分が膜厚の厚い部分を示している。

【0063】

また、図４（ａ）と図４（ｂ）を比較すると、透明導電層および正孔注入層のそれぞれの膜厚分布が共通していることがわかる。

【0064】

図４（ｃ）は、透明導電層および正孔注入層の積層膜の輝度分布を示す。図４（ｃ）に示されるように、透明導電層および正孔注入層の積層膜には、膜厚ムラに対応した輝度ムラが発生していることがわかる。この原因として、微小領域Ａと微小領域Ｂとで光学距離や抵抗値が異なっていることが考えられる。したがって、積層膜の膜厚差が大きくなるほど、輝度ムラも大きくなると考えられる。

【0065】

このように、共通の膜厚分布を有する透明導電層と正孔注入層が積層されること、つまり、透明導電層と正孔注入層の積層膜の表面に膜厚差が生じることで、輝度ムラが発生するという問題が生じる。

【0066】

−透明導電層と正孔注入層が異なる膜厚分布を有する場合−
続いて、表示パネル１０５の特徴部分を説明する。表示パネル１０５では、透明導電層と正孔注入層が異なる膜厚分布を有している。

【0067】

図５は、表示パネル１０５の微小領域ａおよび微小領域ｂのそれぞれにおける、透明導電層と正孔注入層の膜厚を模式的に示す図である。微小領域ａおよびｂは、積層方向の一方から発光機能層を見たときに、積層方向に対して交差する方向に離間した領域であり、例えば、複数の画素からなる領域である。図５に示されるように、微小領域ａにおける正孔注入層５ａの膜厚が、微小領域ｂにおける正孔注入層５ｂの膜厚よりも厚くなっているのに対し、微小領域ａにおける透明導電層４ａの膜厚は、微小領域ｂにおける透明導電層４ｂの膜厚よりも薄くなっている。

【0068】

つまり、透明導電層４と正孔注入層５の膜厚分布が異なっており、透明導電層４における膜厚の薄い部分４ａの上に、正孔注入層５における膜厚の厚い部分５ａが積層され、透明導電層４における膜厚の厚い部分４ｂの上に、正孔注入層５における膜厚の薄い部分５ｂが積層されている。

【0069】

このため、表示パネル１０５では、透明導電層および正孔注入層のそれぞれに膜厚の厚い部分と薄い部分が存在しているにも拘らず、微小領域ａと微小領域ｂにおける、透明導電層および正孔注入層の積層膜の膜厚の差は、透明導電層および正孔注入層のそれぞれが共通の膜厚分布を有する場合に比べて、低減される。したがって、表示パネル１０５における輝度ムラを低減することができる。

【0070】

−表示パネル１０５の各部構成−
ＴＦＴ基板１は、例えば、無アルカリガラス、ソーダガラス、無蛍光ガラス、燐酸系ガラス、硼酸系ガラス、石英、アクリル系樹脂、スチレン系樹脂、ポリカーボネート系樹脂、エポキシ系樹脂、ポリエチレン、ポリエステル、シリコーン系樹脂、又はアルミナ等の絶縁性材料の基板本体上に、ＴＦＴ、配線部材、および当該ＴＦＴを被覆するパッシベーション膜など（図示せず）を形成した構成である。基板本体は有機樹脂フィルムであってもかまわない。

【0071】

層間絶縁膜２は、ＴＦＴ基板１の表面段差を平坦に調整するために設けられ、ポリイミド系樹脂またはアクリル系樹脂等の絶縁材料で構成されている。

【0072】

陽極３は、アルミニウム（Ａｌ）、あるいはアルミニウム合金で形成されている。なお、陽極３は、例えば、銀（Ａｇ）、銀とパラジウムと銅との合金、銀とルビジウムと金との合金、モリブデンとクロムの合金（ＭｏＣｒ）、ニッケルとクロムの合金（ＮｉＣｒ）等で形成されていても良い。

【0073】

透明導電層４は、製造過程において陽極３が自然酸化するのを防止する保護層として機能する。透明導電層４の材料は、発光層８で発生した光に対して十分な透光性を有する導電性材料により形成されればよく、例えば、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）やＩＺＯなどが好ましい。室温で成膜しても良好な導電性を得ることができるからである。

【0074】

正孔注入層５は、正孔を発光層８に注入する機能を有する。例えば、ＷＯｘ、酸化モリブデン（ＭｏＯｘ）、酸化モリブデンタングステン（ＭｏｘＷｙＯｚ）などの遷移金属の酸化物を含む金属酸化物から形成される。

【0075】

バンク６は、樹脂等の有機材料で形成されており絶縁性を有する。有機材料の例として、アクリル系樹脂、ポリイミド系樹脂、ノボラック型フェノール樹脂等が挙げられる。バンク６は、有機溶剤耐性を有することが好ましい。さらに、バンク６はエッチング処理、ベーク処理等がされることがあるので、それらの処理に対して過度に変形、変質などをしないような耐性の高い材料で形成されることが好ましい。

【0076】

正孔輸送層７は、例えば、特開平５−１６３４８８号に記載のトリアゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、ポリアリールアルカン誘導体、ピラゾリン誘導体及びピラゾロン誘導体、フェニレンジアミン誘導体、アリールアミン誘導体、アミノ置換カルコン誘導体、オキサゾール誘導体、スチリルアントラセン誘導体、フルオレノン誘導体、ヒドラゾン誘導体、スチルベン誘導体、ポリフィリン化合物、芳香族第三級アミン化合物及びスチリルアミン化合物、ブタジエン化合物、ポリスチレン誘導体、ヒドラゾン誘導体、トリフェニルメタン誘導体、テトラフェニルベンジン誘導体である。特に好ましくは、ポリフィリン化合物、芳香族第三級アミン化合物及びスチリルアミン化合物で形成される。

【0077】

発光層８が有機発光層である場合には、例えば、ポリフルオレン、ポリフェニレンビニレン、ポリアセチレン、ポリフェニレン、ポリパラフェニレンエチレン、ポリ３−ヘキシルチオフェンやこれらの誘導体などの高分子材料や、特開平５−１６３４８８号公報に記載のオキシノイド化合物、ペリレン化合物、クマリン化合物、アザクマリン化合物、オキサゾール化合物、オキサジアゾール化合物、ペリノン化合物、ピロロピロール化合物、ナフタレン化合物、アントラセン化合物、フルオレン化合物、フルオランテン化合物、テトラセン化合物、ピレン化合物、コロネン化合物、キノロン化合物及びアザキノロン化合物、ピラゾリン誘導体及びピラゾロン誘導体、ローダミン化合物、クリセン化合物、フェナントレン化合物、シクロペンタジエン化合物、スチルベン化合物、ジフェニルキノン化合物、スチリル化合物、ブタジエン化合物、ジシアノメチレンピラン化合物、ジシアノメチレンチオピラン化合物、フルオレセイン化合物、ピリリウム化合物、チアピリリウム化合物、セレナピリリウム化合物、テルロピリリウム化合物、芳香族アルダジエン化合物、オリゴフェニレン化合物、チオキサンテン化合物、シアニン化合物、アクリジン化合物、８−ヒドロキシキノリン化合物の金属錯体、２−ビピリジン化合物の金属錯体、シッフ塩とＩＩＩ族金属との錯体、オキシン金属錯体、希土類錯体等の蛍光物質で形成されることが好ましい。

【0078】

電子輸送層９は、例えば、特開平５−１６３４８８号公報のニトロ置換フルオレノン誘導体、チオピランジオキサイド誘導体、ジフェキノン誘導体、ペリレンテトラカルボキシル誘導体、アントラキノジメタン誘導体、フレオレニリデンメタン誘導体、アントロン誘導体、オキサジアゾール誘導体、ペリノン誘導体、キノリン錯体誘導体で形成される。

【0079】

なお、電子注入性を更に向上させる点から、上記電子輸送層を構成する材料に、Ｎａ，Ｂａ，Ｃａなどのアルカリ金属またはアルカリ土類金属をドーピングしてもよい。

【0080】

陰極１１は、例えば、ＩＴＯやＩＺＯ等で形成される。

【0081】

封止層１２は、発光層８等が水分に晒されたり、空気に晒されたりすることを抑制する機能を有し、例えば、酸化シリコン（ＳｉＯ），窒化シリコン（ＳｉＮ）、酸窒化シリコン（ＳｉＯＮ）、炭化ケイ素（ＳｉＣ），炭素含有酸化シリコン（ＳｉＯＣ），窒化アルミニウム（ＡｌＮ），酸化アルミニウム（Ａｌ_２Ｏ_３）等の材料で形成される。

【0082】

−成膜システムの構成−
成膜システムは、例えば複数の真空成膜装置を含んで構成される。ここでは、真空成膜装置としてマグネトロンスパッタ装置を例に挙げて説明する。

【0083】

まず、マグネトロンスパッタ装置の構成について簡単に説明する。図６（ａ）は、マグネトロンスパッタ装置内の構成を示す図である。マグネトロンスパッタ装置（不図示）内には、図６（ａ）に示されるように、基板２１とターゲット部材２２が対向配置されている。基板２１は基板ホルダ２３により保持されている。ターゲット部材２２は、ターゲット部材ホルダ２４により保持され、当該ターゲット部材ホルダ２４における、ターゲット部材２２が保持された面と反対側の面には、複数のマグネトロン２５が配置されている。

【0084】

図６（ｂ）は、基板２１、ターゲット部材２２、および複数のマグネトロン２５の配置関係を模式的に示す図である。図６（ｂ）に示されるように、基板２１に対して、複数のマグネトロン２５は、等間隔に配置されている。

【0085】

図６（ｃ）は、基板２１上に形成された機能層２６を模式的に示す図である。ただし、この機能層２６は、複数のマグネトロンが図６（ｂ）で示すように配置されたマグネトロンスパッタ装置で成膜されたものである。

【0086】

図６（ｂ）と図６（ｃ）から、機能層２６における、マグネトロン２５が配置された部分に相当する部分２６ａの膜厚が、マグネトロン２５が配置されていない部分に相当する部分２６ｂの膜厚より厚くなっていることがわかる。つまり、機能層２６には、複数のマグネトロンの配置に起因した膜厚ムラが生じている。

【0087】

このことを踏まえた上で、二つのマグネトロンスパッタ装置でマグネトロンの配置が共通している場合と、マグネトロンの配置が異なる場合とで、どのような差異が生じるのか説明する。

【0088】

−二つのマグネトロンスパッタ装置でマグネトロンの配置が共通している場合−
まず、二つのマグネトロンスパッタ装置でマグネトロンの配置が共通している場合について説明する。

【0089】

成膜システムとして、ここでは、インライン型の成膜システムを想定し、当該システムは、第一の成膜装置として透明導電層を成膜する第一のマグネトロンスパッタ装置、および第二の成膜装置として正孔注入層を成膜する第二のマグネトロンスパッタ装置を含むものとする。

【0090】

図７（ａ）は、第一のマグネトロンスパッタ装置における、基板３１、ターゲット部材３２、および複数のマグネトロン３５の配置関係を模式的に示す図である。図７（ｂ）は、第一のマグネトロンスパッタ装置により基板３１上に形成された透明導電層３６を模式的に示す図である。

【0091】

図７（ｃ）は、第二のマグネトロンスパッタ装置における、基板４１、ターゲット部材４２、および複数のマグネトロン４５の配置関係を模式的に示す図である。図７（ｄ）は、第二のマグネトロンスパッタ装置により基板４１上に形成された正孔注入層４６を模式的に示す図である。

【0092】

図７（ａ）および図７（ｃ）は図６（ｂ）と、図７（ｂ）および図７（ｄ）は図６（ｃ）とそれぞれ同一である。つまり、第一のマグネトロンスパッタ装置と第二のマグネトロンスパッタ装置のマグネトロンの配置は同一あり、これらのマグネトロンスパッタ装置により形成された透明導電層３６および正孔注入層４６の膜厚分布は共通している。

【0093】

このため、図７（ｂ）、（ｄ）、（ｅ）に示されるように、透明導電層３６上に正孔注入層４６が積層されると、透明導電層および正孔注入層の積層膜５６の最も厚い部分と最も薄い部分との差ｔｈ３は、透明導電層３６および正孔注入層４６のそれぞれの最も厚い部分と最も薄い部分との差ｔｈ１、ｔｈ２より大きくなる。したがって、表示パネルにおける輝度ムラも大きくなる。

【0094】

−二つのマグネトロンスパッタ装置でマグネトロンの配置が異なる場合−
次に、二つのマグネトロンスパッタ装置でマグネトロンの配置が異なる場合について説明する。

【0095】

図８（ａ）は、第一のマグネトロンスパッタ装置における、基板６１、ターゲット部材６２、および複数のマグネトロン６５の配置関係を模式的に示す図である。図８（ｂ）は、第一のマグネトロンスパッタ装置により基板６１上に形成された透明導電層６６を模式的に示す図である。

【0096】

図８（ｃ）は、第二のマグネトロンスパッタ装置における、基板７１、ターゲット部材７２、および複数のマグネトロン７５の配置関係を模式的に示す図である。図８（ｄ）は、第二のマグネトロンスパッタ装置により基板７１上に形成された正孔注入層７６を模式的に示す図である。

【0097】

図８（ａ）と図８（ｃ）を比較すると、ターゲット部材６２に対する複数のマグネトロン６５それぞれの位置は、ターゲット部材７２に対する複数のマグネトロン７５それぞれの位置と異なっていることがわかる。具体的には、図８（ａ）と図８（ｃ）では、複数のマグネトロンが等間隔で配置されているという点で共通しているが、図８（ｃ）では、図８（ａ）に示す隣り合うマグネトロンの間のそれぞれの領域に当たる部分にマグネトロンが配置されている。つまり、図８（ａ）と図８（ｃ）では、マグネトロンの配置が半周期ずれている。このため、基板に対向したターゲット部材面付近における磁界の分布は、図８（ａ）と図８（ｃ）で異なり、その結果、第一および第二のマグネトロンスパッタ装置のそれぞれにより成膜された透明導電層６６および正孔注入層７６の膜厚分布も異なることになる。具体的には、図８（ｂ）と図８（ｄ）を対比すると明らかなように、透明導電層６６の膜厚の厚い部分６６aに対応する正孔注入層７６の部分７６ａの膜厚が薄く、透明導電層６６の膜厚の薄い部分６６ｂに対応する正孔注入層７６の部分７６ｂの膜厚が厚くなっている。

【0098】

したがって、これらを積層した場合には、図８（ｅ）に示される、積層膜８６の最も厚い部分と最も薄い部分との差ｔｈ４は、図７（ｅ）に示される、積層膜５６の最も厚い部分と最も薄い部分との差ｔｈ３より小さくなる。つまり、それぞれのマグネトロンスパッタ装置におけるマグネトロンの配置を一致させないことで、積層膜８６の膜厚差が低減される。特にここでは、それぞれのマグネトロンスパッタ装置でマグネトロンの配置が半周期ずれているため、透明導電層６６の最も厚い部分に、正孔注入層７６の最も薄い部分が積層され、透明導電層６６の最も薄い部分に、正孔注入層７６の最も厚い部分が積層される。このため、積層膜８６の膜厚差が最も小さくなる。

【0099】

なお、正孔注入層の平均膜厚は、透明導電層における最も膜厚の厚い部分と最も膜厚の薄い部分との差と同程度が好ましい。積層膜の膜厚ムラをより低減することができるからである。また、正孔注入層が透明導電層に対してかなり薄い場合であっても、積層膜の膜厚ムラを低減することができる。正孔注入層の膜厚分布は、当該正孔注入膜の厚みによらず生じるためである。

【0100】

以上のように、積層膜８６の膜厚差が低減されるため、表示パネルにおける輝度ムラも低減される。

【0101】

−製造方法−
続いて、表示パネル１０５の製造工程を例示する。図９，１０は、表示パネル１０５の製造工程の一例を示す図である。なお、図９，１０では、表示パネル１０５の一部を抜き出して模式的に示している。

【0102】

まず、ＴＦＴ基板１上に形成された層間絶縁膜２上にＡｇ薄膜を成膜する。Ａｇ薄膜の成膜には、マグネトロンスパッタリング法や真空蒸着法などの真空成膜法を用いることができる。

【0103】

次に、Ａｇ薄膜上にＩＴＯ薄膜を成膜する。ＩＴＯ薄膜の膜厚は、例えば１０〜５０ｎｍであり、ＩＴＯ薄膜の成膜には、マグネトロンスパッタリング法や真空蒸着法などの真空成膜法を用いることができる。例えば、図８（ａ）に示した第一のマグネトロンスパッタ装置を用いてもよい。

【0104】

Ａｇ薄膜及びＩＴＯ薄膜を成膜後、例えばフォトリソグラフィでパターニングすることにより、行列状に陽極３及び透明導電層４を形成する（図９（ａ）参照）。

【0105】

次に、ＷＯｘ、又はＭｏｘＷｙＯｚを含む組成物を用いて、行列状に陽極３及び透明導電層４が形成されたＴＦＴ基板１の表面に、ＷＯｘ、ＭｏＯｘ、又はＭｏｘＷｙＯｚの正孔注入層５を成膜する（図９（ｂ）参照）。正孔注入層５の膜厚は、例えば５〜４０ｎｍであり、正孔注入層５の成膜には、マグネトロンスパッタリング法や真空蒸着法などの真空成膜法を用いることができる。例えば、図８（ｃ）に示した第二のマグネトロンスパッタ装置を用いてもよい。

【0106】

次に、正孔注入層５上に絶縁性有機材料からなるバンク材料層を形成する。バンク材料層の形成は、例えば塗布等により行うことができる。その後、バンク材料層上に所定形状の開口部を持つマスクを重ね、マスクの上から感光させた後、余分なバンク材料層を現像液で洗い出す。これによりバンク材料層のパターニングが完了する。以上で、バンク６が完成する（図１０（ａ）参照）。

【0107】

次に、バンク６で区画された各領域内に、例えばインクジェット法により、正孔輸送層の材料を含む組成物インクを滴下し、その組成物インクを乾燥させて正孔輸送層７を形成する。

【0108】

正孔輸送層７形成後、バンク６で区画された各領域内に、例えばインクジェット法により、発光材料を含む組成物インクを滴下し、その組成物インクを乾燥させて発光層８を形成する（図１０（ｂ）参照）。

【0109】

なお、正孔輸送層７および発光層８は、ディスペンサー法、ノズルコート法、スピンコート法、凹版印刷、凸版印刷等により形成しても良い。

【0110】

発光層８形成後、電子輸送層９および陰極（例えばＩＴＯ薄膜からなる）１１を形成し、さらに陰極１１上に封止層１２を形成する（図１０（ｃ）参照）。電子輸送層９および陰極１１の成膜には、マグネトロンスパッタリング法や真空蒸着法などの真空成膜法を用いることができる。

【0111】

以上のように本実施の形態の表示パネル１０５によれば、透明導電層４と正孔注入層５の膜厚分布が一致していないので、透明導電層４の最も膜厚の厚い部分と、正孔注入層５の最も膜厚の厚い部分が一致せずにずれて積層されている。同様に、透明導電層４の最も膜厚の薄い部分と、正孔注入層５の最も膜厚の薄い部分がずれて積層されている。

【0112】

したがって、透明導電層４および正孔注入層５の積層膜における膜厚ムラを低減することができるので、結果として、表示パネルにおける輝度ムラを低減することができる。
＜変形例＞
以上、本発明に係る発光パネルについて、表示パネルを例に挙げて実施の形態に基づいて説明したが、本発明は上記実施の形態に限られないことは勿論である。例えば、以下のような変形例が考えられる。
（１）微小領域ａにおける正孔注入層の膜厚が、微小領域ｂにおける正孔注入層の膜厚より薄く、かつ、微小領域ａにおける透明導電層の膜厚が、微小領域ｂにおける透明導電層の膜厚より厚くなっていてもよい。
（２）マグネトロンスパッタ装置により成膜される二つの機能層として透明導電層および正孔注入層を例に挙げて説明したが、他の機能層（例えば、陽極、電子輸送層、陰極等）であってもよい。また、これら二層の機能層は、必ずしも積層方向に隣接している必要はなく、離れていてもよい。ただし、その場合には、二つの機能層の間に、インクジェット等の塗布法により形成される機能層を介在させない必要がある。塗布法により形成される機能層の形状には、当該機能層の下層の形状が反映されないからである。

【0113】

ここでは、互いに離れた二つの機能層として陽極および正孔注入層を例に挙げて説明する。図１１は、表示パネル１０５１の微小領域ａおよび微小領域ｂのそれぞれにおける、陽極および正孔注入層の膜厚を模式的に示す図である。図１１に示される表示パネル１０５１では、微小領域ａにおける陽極３ａの膜厚が、微小領域ｂにおける陽極３ｂの膜厚よりも薄くなっているのに対し、微小領域ａにおける正孔注入層５ａの膜厚は、微小領域ｂにおける正孔注入層５ｂの膜厚よりも厚くなっている。このように、二つの機能層が互いに離れていたとしても、マグネトロンの配置が異なる別々のマグネトロン装置を用いてこれらを成膜することで、積層膜の膜厚ムラを低減することができる。

【0114】

また、二層の機能層に限定する必要はなく、三層以上の機能層についても同様のことが言える。ここでは、三つの機能層として透明導電層、正孔注入層、および陽極を例に挙げて説明する。

【0115】

図１２は、表示パネル１０５２の微小領域ａおよび微小領域ｂのそれぞれにおける、透明導電層、正孔注入層、および陽極の膜厚を模式的に示す図である。

【0116】

図１２に示される表示パネル１０５２では、微小領域ａにおける正孔注入層５ａの膜厚が、微小領域ｂにおける正孔注入層５ｂの膜厚よりも厚くなっているのに対し、微小領域ａにおける透明導電層４ａの膜厚は、微小領域ｂにおける透明導電層４ｂの膜厚よりも薄くなっている。加えて、微小領域ａにおける陽極３ａの膜厚は、微小領域ｂにおける陽極３ｂの膜厚よりも厚くなっている。

【0117】

続いて、図１３（ａ）は、第一のマグネトロンスパッタ装置における、基板６１、ターゲット部材６２、および複数のマグネトロン６５の配置関係を模式的に示す図である。図１３（ｂ）は、第二のマグネトロンスパッタ装置における、基板７１、ターゲット部材７２、および複数のマグネトロン７５の配置関係を模式的に示す図である。図１３（ｃ）は、陽極の成膜に用いられる第三のマグネトロンスパッタ装置における、基板９１、ターゲット部材９２、および複数のマグネトロン９５の配置関係を模式的に示す図である。

【0118】

図１３（ａ）は図８（ａ）と同一であり、図１３（ｂ）は図８（ｃ）と同一である。つまり、図１３（ａ）と図１３（ｂ）では、マグネトロンの配置が半周期ずれており、図１３（ｂ）では、図１３（ａ）に示す隣り合うマグネトロンの間のそれぞれの領域に当たる部分にマグネトロンが配置されている。

【0119】

また、図１３（ａ）と図１３（ｃ）では、マグネトロンの配置が１／４周期ずれている。したがって、ターゲット部材９２に対する複数のマグネトロン９５それぞれの位置が、ターゲット部材６２に対する複数のマグネトロン６５それぞれの位置、およびターゲット部材７２に対する複数のマグネトロン７５それぞれの位置と異なっている。

【0120】

マグネトロンの配置が全てのマグネトロンスパッタ装置で異なるので、これらの装置で成膜された機能層の積層膜の膜厚差を低減することができる。

【0121】

なお、ここでは、三つの機能層として透明導電層、正孔注入層、および陽極を例に挙げて説明したが、他の機能層であってもよい。
（３）正孔輸送層および電子輸送層はそれぞれ一層として説明したが、それぞれ二層以上からなるとしてもよい。この場合、それぞれの正孔輸送層の膜厚分布が異なっていてもよいし、それぞれの電子輸送層の膜厚分布が異なっていてもよい。これにより、これらの積層膜の膜厚ムラを低減することができる。
（４）複数のマグネトロンは等間隔に配置されていたが、必ずしも等間隔である必要はない。複数の機能層のそれぞれにおける、膜厚の最も厚い部分同士、最も薄い部分同士が積層されないよう、各マグネトロンスパッタ装置において複数のマグネトロンが配置されていればよい。したがって、膜厚分布が複数の機能層で一致しなければ、どのような配置であってもよい。例えば、複数のマグネトロンを徐々に間隔が広くなるように配置してもよいし、また、複数のマグネトロンを斜めに配置してもよい。また、マグネトロンの形状は、四角形に限らず、円形でも多角形でもよい。
（５）真空成膜装置としてマグネトロンスパッタ装置を例に挙げて説明したが、蒸着装置、ＣＶＤ装置、スパッタ装置、メッキ装置等を用いてもよい。ここでは、蒸着装置を用いた場合について簡単に説明する。蒸着装置内には、複数のマグネトロンの代わりに、基板に対向して複数の蒸着源が例えば等間隔に配置されている。この蒸着装置を用いて成膜された機能層における、蒸着源に相当する領域の膜厚は、隣り合う蒸着源の間に相当する領域の膜厚より厚くなる。つまり、成膜された機能層には、蒸着源の配置に起因した膜厚ムラが生じる。したがって、蒸着源の配置が異なる別々の蒸着装置を用いて各機能層を成膜することで、積層膜の膜厚ムラを低減することができる。
（６）微小領域ａおよびｂのそれぞれは、複数の画素からなる領域と説明したが、１画素からなる領域としてもよいし、一画素よりも小さい領域としてもよい。また、微小領域ａおよびｂのそれぞれは、画素を基準にした領域でなくてもよい。さらに、微小領域微小領域ａおよびｂは、機能層の積層方向に対して交差する方向に隣接した領域であってもよい。
（７）表示装置１００の外観を示さなかったが、例えば、図１４に示すような外観を有する。
（８）発光パネルとして表示装置用の表示パネルを例に挙げて説明したが、照明装置用の発光パネルであってもよい。
（９）第一の成膜装置として第一のマグネトロンスパッタ装置、第二の成膜装置として第二のマグネトロンスパッタ装置を例に挙げ、二つの層を別々のマグネトロンスパッタ装置により成膜する場合について説明したが、二つの層を同一のマグネトロンスパッタ装置で成膜してもよい。

【0122】

この場合、同一のマグネトロンスパッタ装置内におけるマグネトロンの配置を層毎に変更すること等により、異なる膜厚分布を有する膜を成膜することができる。
（１０）第一の成膜装置が第一のＣＶＤ装置であり、第二の成膜装置が第二のＣＶＤ装置であってもよいし、第一の成膜装置が第一の蒸着装置であり、第二の成膜装置が第二の蒸着装置であってもよい。

【0123】

また、マグネトロンスパッタ装置、蒸着装置、ＣＶＤ装置、スパッタ装置、およびメッキ装置のうち２つ以上を組み合わせた成膜システムであってもよい。例えば、第一および第二の成膜装置の一方がマグネトロンスパッタ装置であり、他方が蒸着装置であってもよいし、一方がＣＶＤ装置であり、他方が蒸着装置であってもよいし、一方がマグネトロンスパッタ装置であり、他方がＣＶＤ装置であってもよい。

【産業上の利用可能性】

【0124】

本発明は、表示装置や照明装置に利用可能である。

【符号の説明】

【0125】

１００ 表示装置
１０１ 制御回路
１０２ メモリ
１０３ 走査線駆動回路
１０４ データ線駆動回路
１０５ 表示パネル
２００ ゲート線
２０１ データ線
２０２ 電源線
２０３ スイッチングトランジスタ
２０４ 駆動トランジスタ
２０５ 陽極
２０６ 保持容量
２０７ 陰極
２０８ 画素回路
２０９ 駆動部
１ ＴＦＴ基板
２ 層間絶縁膜
３ 陽極
４ 透明導電層
５ 正孔注入層
６ バンク
７ 正孔輸送層
８ 発光層
９ 電子輸送層
１１ 陰極
１２ 封止層

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】

【図11】

【図12】

【図13】

【図14】