特許5748033自立ＧａＮ基板、ＧａＮ結晶、ＧａＮ単結晶の製造方法および半導体デバイスの製造方法

発明の名称　自立ＧａＮ基板、ＧａＮ結晶、ＧａＮ単結晶の製造方法および半導体デバイスの製造方法

出願人　三菱化学株式会社　（識別番号 5968）

　　　　特許公開件数ランキング 30460 位（0件）（共同出願を含む）

　　　　特許取得件数ランキング 24686 位（0件）（共同出願を含む）

公報番号　特許-5748033

公報発行日　2015年7月15

公報URL　https://ipforce.jp/patent-jp-B9-5748033

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