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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】特許公報(B2)
(11)【特許番号】5748837
(24)【登録日】2015年5月22日
(45)【発行日】2015年7月15日
(54)【発明の名称】発光ダイオードならびに発光ダイオードの製造方法
(51)【国際特許分類】
H01L 33/50 20100101AFI20150625BHJP
H01L 33/32 20100101ALI20150625BHJP
【ＦＩ】
H01L33/00 410
H01L33/00 186
【請求項の数】6
【全頁数】11
(21)【出願番号】特願2013-500237(P2013-500237)
(86)(22)【出願日】2011年3月18日
(65)【公表番号】特表2013-522916(P2013-522916A)
(43)【公表日】2013年6月13日
(86)【国際出願番号】US2011029045
(87)【国際公開番号】WO2011116315
(87)【国際公開日】20110922
【審査請求日】2012年11月12日
(31)【優先権主張番号】12/728,080
(32)【優先日】2010年3月19日
(33)【優先権主張国】US
【前置審査】
(73)【特許権者】
【識別番号】595168543
【氏名又は名称】マイクロン テクノロジー， インク．
(74)【代理人】
【識別番号】100106851
【弁理士】
【氏名又は名称】野村 泰久
(74)【代理人】
【識別番号】100074099
【弁理士】
【氏名又は名称】大菅 義之
(72)【発明者】
【氏名】ワトキンス，チャールズ エム．
【審査官】
村井 友和
(56)【参考文献】
【文献】
特開２００３−０６９０８６（ＪＰ，Ａ）
【文献】
特開２００９−２７２６３８（ＪＰ，Ａ）
【文献】
国際公開第２００９／１３１６２７（ＷＯ，Ａ１）
【文献】
国際公開第２００８／１５２６１０（ＷＯ，Ａ１）
【文献】
特開２００９−２６７１６４（ＪＰ，Ａ）
【文献】
特表２００９−５１２１７８（ＪＰ，Ａ）
【文献】
特開２００８−３００４６０（ＪＰ，Ａ）
【文献】
特開２００５−３０３２８９（ＪＰ，Ａ）
【文献】
特開２００６−３０３３７３（ＪＰ，Ａ）
(58)【調査した分野】（Int.Cl.，ＤＢ名）
Ｈ０１Ｌ ３３／００−３３／６４
(57)【特許請求の範囲】
【請求項1】
発光ダイオード（ＬＥＤ）を製造するための方法であって、
第１の光変換材料を前記ＬＥＤ上の第１の領域に付与することと、
第２の光変換材料を前記ＬＥＤ上の、前記第１の領域とは異なる第２の領域に付与することと、
を含み、
前記第１の光変換材料は、ギャップによって前記第２の光変換材料から離間され、前記第１および第２の光変換材料を付与した後に、前記ギャップを通って前記ＬＥＤの少なくとも一部にアクセス可能であって、前記ＬＥＤの動作中、前記ＬＥＤによって発せられた光の少なくとも一部が前記ギャップを通過し、
前記ＬＥＤは同じワークピース上の複数のＬＥＤのうちの１つであり、
前記方法は、
前記第１の光変換材料を前記ワークピース上の複数のＬＥＤ上の前記第１の領域に付与することと、
前記第２の光変換材料を前記ワークピース上の複数のＬＥＤ上の前記第２の領域に付与することと、
を更に含み、
前記ワークピース上の各ＬＥＤは第１および第２の光変換材料の異なる配置を含み、これにより、前記各ＬＥＤの光波長のばらつきが補償するようになされている、方法。
第１の光変換材料を前記ＬＥＤ上の第１の領域に付与することと、
第２の光変換材料を前記ＬＥＤ上の、前記第１の領域とは異なる第２の領域に付与することと、
を含み、
前記第１の光変換材料は、ギャップによって前記第２の光変換材料から離間され、前記第１および第２の光変換材料を付与した後に、前記ギャップを通って前記ＬＥＤの少なくとも一部にアクセス可能であって、前記ＬＥＤの動作中、前記ＬＥＤによって発せられた光の少なくとも一部が前記ギャップを通過し、
前記ＬＥＤは同じワークピース上の複数のＬＥＤのうちの１つであり、
前記方法は、
前記第１の光変換材料を前記ワークピース上の複数のＬＥＤ上の前記第１の領域に付与することと、
前記第２の光変換材料を前記ワークピース上の複数のＬＥＤ上の前記第２の領域に付与することと、
を更に含み、
前記ワークピース上の各ＬＥＤは第１および第２の光変換材料の異なる配置を含み、これにより、前記各ＬＥＤの光波長のばらつきが補償するようになされている、方法。
【請求項2】
前記第１の光変換材料は、前記ワークピース上の２つ以上のＬＥＤに同時にまたは略同時に付与され、
前記第２の光変換材料は、前記ワークピース上の２つ以上のＬＥＤに同時にまたは略同時に付与される、請求項１に記載の方法。
前記第２の光変換材料は、前記ワークピース上の２つ以上のＬＥＤに同時にまたは略同時に付与される、請求項１に記載の方法。
【請求項3】
前記第１の光変換材料は黄色もしくは黄色がかった蛍光体を含み、前記第２の光変換材料は赤色蛍光体を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項4】
前記第１の光変換材料を付与することおよび前記第２の光変換材料を付与することは、前記ＬＥＤ上へ前記第１および第２の光変換材料をスクリーン印刷することを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項5】
前記第１の光変換材料を付与することは、第１のフォトリソグラフィー工程を用いて前記第１の光変換材料を付与することを含み、
前記第２の光変換材料を付与することは、第２のフォトリソグラフィー工程を用いて前記第２の光変換材料を付与することを含む、 請求項１に記載の方法。
前記第２の光変換材料を付与することは、第２のフォトリソグラフィー工程を用いて前記第２の光変換材料を付与することを含む、 請求項１に記載の方法。
【請求項6】
前記第１の光変換材料は第１の蛍光体を含み、前記第２の光変換材料は第２の蛍光体を含み、
前記第１の光変換材料を付与することは、
前記ＬＥＤ上に第１のフォトレジスト材料を付与してパターン化することと、
電気泳動を使用して前記第１のフォトレジスト材料中の開口内へ前記第１の蛍光体を堆積することと、
を含み、
前記第２の光変換材料を付与することは、
前記第１のフォトレジスト材料を除去することと、
前記ＬＥＤ上に第２のフォトレジスト材料を付与してパターン化することと、
電気泳動を使用して前記第２のフォトレジスト材料中の開口内へ前記第２の蛍光体を堆積することと、
前記第２のフォトレジスト材料を除去することと、
を含む、請求項１に記載の方法。
前記第１の光変換材料を付与することは、
前記ＬＥＤ上に第１のフォトレジスト材料を付与してパターン化することと、
電気泳動を使用して前記第１のフォトレジスト材料中の開口内へ前記第１の蛍光体を堆積することと、
を含み、
前記第２の光変換材料を付与することは、
前記第１のフォトレジスト材料を除去することと、
前記ＬＥＤ上に第２のフォトレジスト材料を付与してパターン化することと、
電気泳動を使用して前記第２のフォトレジスト材料中の開口内へ前記第２の蛍光体を堆積することと、
前記第２のフォトレジスト材料を除去することと、
を含む、請求項１に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本開示は、一般的に発光ダイオードならびに発光ダイオードを製造するための方法に向けたものである。
【背景技術】
【0002】
発光ダイオード（ＬＥＤ）は、コンピュータ・モニタ、テレビジョン、携帯電話、デジタル・カメラおよび他の電子デバイス、ならびに種々の応用のための効率的な光源である。白色光ＬＥＤもまた、一般的な照明、建築用、戸外用、商用のおよび／または住居用の照明において利用可能である。しかしながら、ＬＥＤは概して特定の一波長を放射するだけなので、真の白色光ＬＥＤは得られない。人間の眼が色を白と受容するには、波長の混合が必要である。
【0003】
ＬＥＤによって白色光を模擬するための従来の技術の１つは、基材（例えば、窒化インジウムガリウム（ＩｎＧａＮ））に光変換材料（例えば、蛍光体）を蒸着することを含む。作動中に、ＩｎＧａＮ基材は青色光を放射し、光変換材料を刺激して黄色光を放射させる。黄色光が人間の眼の赤色及び緑色の受容体を刺激するので、基材および光変換材料が適切に整合すると、青色光と黄色光との混合の結果として目に白の呈色が与えられる。しかしながら、適切に整合しなければ、組合せ発光は灰色がかった白色となり、電子デバイスの色忠実度を低減し得る。
【図面の簡単な説明】
【0004】
【発明の概要】
【課題を解決するための手段】
【0005】
上に形成された（複数の）ＬＥＤを有するマイクロエレクトロニクスワークピース（マイクロ電子ワークピース）およびこの種の（複数の）ＬＥＤを製造するための方法のさまざまな実施形態について以下に説明する。用語「マイクロエレクトロニクスワークピース（マイクロ電子ワークピース）」は、全体を通じてマイクロエレクトロニクスデバイス（マイクロ電子デバイス）、マイクロメカニカルデバイス（マイクロ機械デバイス）、データ記憶エレメント、読み出し／書き込みコンポーネントおよび他のフィーチャーがその上および／またはそこに形成された基 板を含む。たとえば、基板は半導体片（例えばシリコンウェーハ、砒化ガリウムウェーハまたは他の半導体ウェーハ）、非導電性片（例えばさまざまなセラミッ ク基板）または導電性片でありえる。この種のシステムとしばしば関連する周知の構造、システムおよび方法は、不必要に本技術のさまざまな実施形態の記述を 不明瞭にすることを避けるために示さないかまたは詳述しなかった。関連した技術の当業者は、したがって、本技術が付加的な実施形態を有することができ、そ して、本技術が図１Ａ〜８に関して示されまたは後述される要素の幾つかを用いずに実践できることを理解するだろう。
【発明を実施するための形態】
【0006】
図１Ａは、複数のマイクロエレクトロニクスデバイス（マイクロ電子デバイス）またはマイクロ電子コンポーネント１２０を含む半導体ウェーハ１１０の形態のマイクロエレクトロニクスワークピース（マイクロ電子ワークピース）１００である。後述の少なくとも幾つかの工程は、ウェーハレベルでマイクロエレクトロニクスワークピース１００に対して実施でき、そして、デバイス１２０がより大きいウェーハ１１０から個片化（単 一化）されたあと、他の工程をマイクロエレクトロニクスワークピース１００の個々のマイクロエレクトロニクスデバイス１２０に実施できる。したがって、特 に明記しない限り、マイクロエレクトロニクスワークピースの文脈で後述する構造および方法は、ウェーハ１１０、ウェーハ１１０から形成されるデバイス １２０および／または支持部材に取り付けられた一つ以上のデバイス１２０のアセンブリに適用できる。図１Ｂは、図１Ａに示されるウェーハ１１０から個片化された後の個々のデバイス１２０の概略図である。デバイス１２０は、オプションとして保護封入体内に封入される、動作可能なマイクロエレクトロニクス構造を含むことができる。たとえば、デバイス１２０はＩｎＧａＮおよび／または他のタイプの（複数の）ＬＥＤ、トランジスタ、キャパシタ、カラーフィルタ、鏡および／または他のタイプの電気的／機械的／光学的ワークピースを含むことができる。デバイス１２０は、ピン、ボンドパッド、半田ボール、再配線構造および／または他の導電性構造によって外部構造上のデバイスに対して電気的に接続し得る。
【0007】
図２Ａ〜６は、本技術の実施形態によって（複数の）ＬＥＤ上へ選択的に光変換材料を付与する方法のさまざまな段階を示す。下記で詳述する通り、１つ以上 の光変換材料または変換材料（例えば蛍光体）は、ワークピースまたはウェーハ上の各ＬＥＤの個別の領域上へ付与できる。用語「蛍光体」は、励起された粒子 （例えば電子および／または光子）に暴露した後、輝くことを維持できる材料を意味する。光変換材料（複数の光変換材料）は、ウェーハ全体の 色自由度補償を助成するために各ＬＥＤ上へパターン化されるまたは選択的に付与できる。更に、ウェーハ上の個々の構成要素の色（複数の色）は、本願明細書 において記載されている方法を用いて正確に調整または制御できる。
【0008】
図２Ａは、ワークピース２００上に光変換材料を付与する前の初期段階における、マイクロエレクトロニクスワークピース２００の一部の部分概略上面図である。図２Ｂは、実質的に図２Ａの線２Ｂ−２Ｂに沿った部分概略側面断面図である。図２Ａおよび２Ｂを共に参照すると、マイクロエレクトロニクスワークピース２００は、前側すなわちアクティブ側２０４（図２Ｂ）を有する半導体基板２０２および前側２０４（図２Ｂ）に形成されたＬＥＤ ２１０（例えばＩｎＧａＮＬＥＤ）を含む。単一のＬＥＤ２１０だけが示されているものの、図２Ａ−６に関して本願明細書において記載されている方法がワークピース２００全体に同時にまたはほぼ同時に複数のデバイスに実行できることはいうまでもない。
【0009】
ワークピース２００は、図１Ａおよび１Ｂを参照して上述したワークピース１００と全般的に類似の幾つかのフィーチャーを含み得る。たとえ ば、基板２０２はウェーハ上のダイ・パターンに配置される複数のマイクロエレクトロニクスデバイスまたは構成要素（例えばＬＥＤ ２１０）を有する半導体ウェーハであり得る。個々のＬＥＤ２１０もまた、端子２１２（例えば図２Ａで示すボンドパッド）および端子２１２に電気的に結合す る回路（図示せず）を含む。ＩｎＧａＮＬＥＤを形成するための１つの技術には、サファイヤ（Ａｌ２Ｏ３）お よび／またはシリコン（Ｓｉ）基板上に金属有機化学蒸着（ＭＯＣＶＤ）工程におけるエピタキシャル成長によって窒素ドープ型ＧａＮ、ＩｎＧａＮ、および燐 ドープ型ＧａＮを順次に付与することを含み得る。しかしながら、他の実施形態において、他の適切な技術をＬＥＤ ２１０形成に用いてもよい。
【0010】
光変換材料は、様々な異なる方法を使用してＬＥＤ２１０上に選択的に付与できる。たとえば、図示した実施形態において、第１のマスクまた はレチクル２２０は、ＬＥＤ２１０上に配置される。第１のマスク２２０は、ＬＥＤ２１０上の第１の光変換材料（図示されていないが、図３Ａおよび３Ｂを参 照して下記に詳細に記載される）の所望のパターンと一致している複数のアパーチャまたは開口２２２を含む。第１のマスク２２０はＬＥＤ２１０の上表面から 離隔した離散的要素であり得る、または、マスク２２０はＬＥＤ２１０（図２Ｂの破線に示す）の上表面に付与されるフォトレジスト材料または他の適切なマス ク材料を含むことができ、フォトリソグラフィーおよび／または他の適切な技術を使用してパターン化される。端子２１２もまた、処理の間の短絡または汚染 （コンタミネーション）を妨ぐためにマスクされ得る。
【0011】
図３Ａおよび３Ｂを参照すると、第１の光変換材料または第１の変換材料２２４（例えば黄色蛍光体）は、ＬＥＤ ２１０上に所望のパターンで付与される。第１の光変換材料２２４は、スクリーン印刷プロセスおよび／または他の適切な方法を使用して付与される。上記した通り、第１の光変換材料２２４がＬＥＤ ２１０の所望の領域だけの上へ選択的に付与されるように、第１のマスク２２０は特定の接触領域を除外するように構成される。図示した実施形態において、第１の光変換材料２２４は、ＬＥＤ２１０上の選択されたパターンで配置された複数のブロックまたは「島」を含む。第１の光変換材料２２４の個々の部分は、複数の第１のギャップまたは溝２２５によって相互に分離される。図３Ａおよび３Ｂに示したパターンは単に、第１の光変換材料２２４の特定のパターンの代表的なものに過ぎない。第１の光変換材料２２４は、多種多様な異なるパターンまたは配置でＬＥＤ ２１０上へ付与できる。
【0012】
第１の光変換材料２２４は、刺激を受けると所望の波長で発光する組成物を有し得る。たとえば、一実施形態において、第１の光変換材料２２４は、燐含有セリウム（III）ドープ型イットリウムアルミニウムガーネット（Ｃｅ：ＹＡＧまたはＹＡＧ：Ｃｅ）を特定の濃度で含み得る。この種の材料は、光ルミネセンスの下で緑色から黄色まで、そして、赤色までの広範囲の色を放射することができる。他の実施形態において、第１の光変換材料２２４は、ネオジムドープ型ＹＡＧ、ネオジム-クロミウム二重ドープ型ＹＡＧ、エルビウムドープ型ＹＡＧ、イッテルビウムドープ型ＹＡＧ、ネオジム-セリウム二重ドープ型ＹＡＧ、ホルミウム‐クロミウム‐ツリウム三重ドープ型ＹＡＧ、ツリウムドープ型ＹＡＧ、クロミウムドープ型ＹＡＧ、ジスプロシウムドープ型ＹＡＧ、サマリウムドープ型ＹＡＧ、テルビウムドープ型ＹＡＧ、および／または他の適切な燐組成物を含み得る。他の実施形態において、第１の光変換材料２２４は、ユウロピウム蛍光体（例えばＣａＳ：Ｅｕ、ＣａＡｌＳｉＮ３：Ｅｕ、Ｓｒ２Ｓｉ５Ｎ８：Ｅｕ、ＳｒＳ：Ｅｕ、 Ｂａ２Ｓｉ５Ｎ８：Ｅｕ、 Ｓｒ２ＳｉＯ４：Ｅｕ、 ＳｒＳｉ２Ｎ２Ｏ２：Ｅｕ、 ＳｒＧａ２Ｓ４：Ｅｕ、ＳｒＡｌ２Ｏ４：Ｅｕ、 Ｂａ２ＳｉＯ４：Ｅｕ、Ｓｒ４Ａｌ１４Ｏ２５：Ｅｕ、 ＳｒＳｉＡｌ２Ｏ３Ｎ：Ｅｕ、ＢａＭｇＡｌ１０Ｏ１７：Ｅｕ、Ｓｒ２Ｐ２Ｏ７：Ｅｕ、ＢａＳＯ４：Ｅｕ、および／またはＳｒＢ４Ｏ７：Ｅｕ）を含み得る。光変換材料の前述のリストは、網羅的ではない。蛍光体材料はまた、適切なキャリヤ材料（エポキシ、シリコーン、その他）に混合できる。
【0013】
上記した通り、第１の光変換材料（そして、任意のそれに続く光変換材料）は、選択的に多くの異なる方法を使用してＬＥＤ２１０に付与できる。たとえば、 ＬＥＤ２１０上に第１の光変換材料２２４を選択的に付与するための適切な他の方法において、蛍光体材料（例えば、Ｃｅ：ＹＡＧ）は感光性の材料（例えば ＰＶＡおよび重クロム酸アンモニウム）と混合でき、そして、組成物の層はＬＥＤ２１０上へ付与される。フォトリソグラフィーの手順は選択的に組成物の部分 を露光するために用いられ、露光した部分はＬＥＤ２１０上の所望の位置で「固定され」、第１の光変換材料２２４を形成する。この付与／露光／現像工程は、 ＬＥＤ２１０上へ選択的に追加の光変換材料を付与するために何度も繰り返され得る。
【0014】
第１の光変換材料２２４を選択的に付与するためのさらに別の適切な技術は、ＬＥＤ２１０上にフォトレジスト材料をスピン塗布し、材料をパターン化してＬＥＤ２１０の所望面積または領域上に開口を形成することを含む。第１の光変換材料２２４は、電気泳動または適切な他の工程を使用して開口内に、およびＬＥＤ２１０上へ付与できる。第１の光変換材料２２４を付与した後に、フォトレジストは除去できる。代替の実施形態において、感光性材料を使用するよりはむしろ、ある他の適切な材料はＬＥＤ２１０上へ付与でき、開口はエキシマ・レーザ・アブレーションまたは適切な他の工程を使用して、選択的に形成できる。更に他の実施形態において、他の適切な技術は、ＬＥＤ ２１０上へ選択的に第１の光変換材料２２４（そして、任意のそれに続く光変換材料）を付与するために用い得る。
【0015】
図４Ａおよび４Ｂを参照すると、第２のマスクまたはレチクル２３０は、ＬＥＤ２１０上に配置される。第２のマスク２３０は、ＬＥＤ ２１０上の第２の光変換材料（図示されないが、図５Ａおよび５Ｂを参照して下記に詳述される）の所望のパターンに対応する複数のアパーチャまたは開口２３２を含む。第１のマスク２２０と同様に、第２のマスク２３０はＬＥＤ ２１０の上表面から離隔した離散的構成要素であり得る、または、第２のマスク２３０はＬＥＤ２１０上の表面に付与されるフォトレジスト材料または他の適切なマスク材料を含むことができて、フォトリソグラフィーおよび／または他の適切な技術を使用してパターン化される。
【0016】
次に図５Ａ及び５Ｂを参照すると、第２の光変換材料２３４（例えば赤色蛍光体）は、ＬＥＤ２１０上に所望のパターンで選択的に付与される。図示した実施 形態において、たとえば、第２の光変換材料２３４は、ＬＥＤ２１０上の選択されたパターンで配置された複数のブロックまたは「島」を含み、そのパターンで は、第２の光変換材料２３４が第１の光変換材料２２４の隣接した部分に接触してもよくまたは接触しなくてもよい。第２の光変 換材料２３４の個々の部分は、たとえば、互いに分離され、第１の光変換材料２２４は複数の第２のギャップまたはチャネル２３５によって分離される。図５Ａ 及び５Ｂに示されるパターンは単に、第２の光変換材料２３４用の１つの特定のパターンの代表的なものに過ぎない。第２の光変換材料２３４は、多種多様な異 なるパターンまたは配置でＬＥＤ２１０上へ付加できる。
【0017】
第２の光変換材料２３４は、図３Ａおよび３Ｂを参照して上述した第１の光変換材料（例えば、Ｃｅ：ＹＡＧ、等）の材料と類似した材料を含むことができ る。加えて、第２の光変換材料２３４は、図３Ａおよび３Ｂを参照して上述した第１の光変換材料２２４を付与するために用いる材料と同様な材料を使用して、ＬＥＤ２１０上へ付与できる。しかしながら他の実施形態において、第２の光変換材料２３４は、異なる材料から構成されおよび／または異なる技術を使用して、ＬＥＤ２１０上へ付与できる。
【0018】
図６は、第１および第２の光変換材料２２４および２３４がＬＥＤ２１０の所望の部分に選択的に付与され、第２のマスク２３０（図５Ａ及び５Ｂ）は除去された後の、ワークピース２００の部分概略上面図である。ＬＥＤ２１０は、どの光変換材料も含まない青色光を通過させる複数の非塗布もしくは非被覆部分２４０を含む。ＬＥＤ２１０はしたがって、非塗布部分２４０、第１の光変換材料２２４の部分、および第２の光変換材料２３４の部分の配置と寄与に基づいて所望の色の光を生成するように構成されている。第１および第２の光変換材料２２４および２３４用の特定の組成物の選択およびＬＥＤ２１０上の第１および第２の光変換材料２２４および２３４のＬＥＤ２１０上への正確な配置によって、ＬＥＤ２１０は、任意の所望の色の光（例えば白色光）も生成できることはいうまでもない。さらに、２つの光変換材料だけが本願明細書において記載されているものの、他の実施形態において、単一の光変換材料のみまたは２より多くの光変換材料をＬＥＤ２１０上へ付加できる。
【0019】
先述の通り、単一のＬＥＤ２１０のみが図２Ａ〜６に関して示されているが、本願明細書において記載されている方法はワークピース２００全体の複数のＬＥＤ２１０ に、同時にまたはほぼ同時に実行できる。一実施形態において、たとえば、ワークピース２００上の各ＬＥＤ２１０は、光変換材料の同一であるか全般的に同一 のパターンを使用して処理できる。しかしながら他の実施形態において、個々のＬＥＤ２１０上の光変換材料のパターンは、ワークピース２００全体で変化でき る。たとえば、ウェーハレベルでマイクロエレクトロニクスデバイスを製造する１つの挑戦では、個々のマイクロエレクトロニクスデバイスの相違を配慮してい る。たとえば、同じマイクロエレクトロニクスワークピース上のマイクロエレクトロニクスデバイスの形成の間のエピタキシャル成長、化学的機械研摩、ウェットエッ チング、および／または、他の操作の処理の相違によってワークピース２００の一領域のＬＥＤに他の領域とは異なる波長で発光させる。その結果、ワークピー ス２００全体の各ＬＥＤが選択的に付与された光変換材料の同じパターンを含む場合、少なくとも幾つかのＬＥＤからの発光は不一致もしくはオフホワイト（例 えば、赤、青および／または緑色をおびた）であり得る。図２Ａ〜６に関連して上記した方法の実施形態は、ワークピース２００全体のＬＥＤの前述の発光変動 を、第１および第２の光変換材料２２４および２３４の組成および／または配置を個々のＬＥＤ２１０に具体的に合わせることにより、解消できる。
【0020】
しかしながら他の実施形態において、各ＬＥＤ２１０のためのパターンをカスタマイズすることよりむしろ選択的に付与した光変換材料のパターンが、ワークピース２００上の特定の領域の複数のＬＥＤ のために使用し得る。たとえば、オペレータは個々のＬＥＤ２１０の領域のための代表として、ワークピース２００上の選択されたＬＥＤ２１０の発光特性を測 定することができる。更なる実施形態において、測定された発光特性は、平均化、濾過、および／または他様に操作できて個々のＬＥＤ２１０の領域の代表的値 として、値を導出することができる。さらに他の実施形態において、処理されるワークピースは前もってソートされることができ、同様な発光特性を有するワー クピースの第１のバッチが個々のワークピース上の素子のための光変換材料の第１の選択されたパターンを使用して、一緒に処理されることができて、ワーク ピースの第２のバッチは、個々のワークピース、等の上のデバイスのための光変換材料の第２のパターンを使用して、一緒に処理されることができる。
【0021】
図７および８は、図２Ａ〜６を参照して上述したように、マイクロエレクトロニクスワークピース上へ選択的に光変換材料を付与する方法の２つの更なる実施形態を示す。図７および８のそれぞれにおいて、幾つかのフィーチャーは、図２Ａ〜６のワークピース２００と関連して議論された上記と同一であってもよい。したがって、同様な参照番号は図２Ａ〜６ならびに図７および８の同様な構成要素を意味する。
【0022】
図７は、たとえば、本技術の他の実施形態によってＬＥＤ２１０上に光変換材料を付与したワークピース３００を部分概略上面図である。より具体的には、ワークピース３００は第１の光変換材料３２４および第２の光変換材料３３４が、図６の第１および第２の光変換材料２２４および２３４とは選択的に。異なるパターンのＬＥＤ２１０上へ付与されたという点で図２Ａ〜６に示されるワークピース２００と異なる。本実施形態において、たとえば、第１の光変換材料３２４は、ＬＥＤ２１０全体にわたり複数の一般的な同心円を含む。他の形状、例えば、三角形、六角形等もまた、考慮される。第１の光変換材料３２４の個々の環状部は、チャネルまたはギャップ３２５によって分離される。これらのチャネルまたはギャップ３２５の一部は、非塗布領域３４０を含み、ＬＥＤ２１０から青色光が通過できる。
【0023】
図８は、本技術の更に他の実施形態によってＬＥＤ２１０上に光変換材料を付与したワークピース４００の部分概略上面図である。ワークピース４００は、第１の光変換材料４２４がＬＥＤ２１０全体の複数の個々の矩形状部分のＬＥＤ２１０上へ付与されたという点で、図２Ａ〜７に関して上記したワークピース２００および３００と異なる。第１の光変換材料４２４の個々の矩形状部 分は、チャネルまたはギャップ４２５によって分離される。第２の光変換材料４３４の個々の部分は、第１の光変換材料４２４の直線状部分の配置と一般に一致 しているパターンのＬＥＤ２１０上へ付与される。さらに他の実施形態において、第１のおよび／または第２の光変換材料の一部は、他の形状（例えば、多角形 の）または適切なパターンのＬＥＤ２１０上へ、選択的に付与できる。
【0024】
前述のことから、本技術のある実施形態が説明のために本願明細書において記載されていたことはいうまでもない、しかしながら、そのさまざまな変更は本技術の趣旨および権利範囲から逸脱することなく実行できる。たとえば、ある実施形態の文脈に記載されている構造および／または工程は他の実施形態において組合せることができるかまたは消去できる。特に、ある実施形態に関して上記した第１のおよび／または第２の光変換材料の配置はウェーハ全体の選択されたＬＥＤ上へ選択的に付与される１つ以上の付加的光変換材料を含むことができ、または、上記した光変換材料のうちの１つ以上は省略できる。さらに、本技術のある実施形態と関連する効果がこれらの実施形態の文脈に記載されると共に、他の実施形態はまた、この種の効果を呈することができ、実施形態が必ずしも必要とする全技術の権利範囲内に含まれる効果を示すというわけではない。したがって、本技術の実施形態は添付請求項以外では制限されることはない。