【発明の効果】
【0015】
以上のような本発明に係る液晶表示装
置によれば、データラインの半減構造において充電量の変化を減少させることができる。この結果、フリッカー現象を除去することができる。
【0016】
以下、添付図面を参照して、本発明の好ましい実施形態をより詳細に説明する。以下説明される実施形態は、第1画素部と第2画素部に対して、それぞれ互いに反対の極性を有する電荷が印加される反転構造を基準にして説明する。第1画素部と第2画素部に同一の極性を有する電荷が印加される構造では、以下に説明される第1画素部と第2画素部に印加されるゲート信号をいずれかを逆に入力すれば良い。
【0017】
図1は、本発明の一実施形態による液晶表示装置を説明するブロック図である。
図2は
図1に示された第1ゲート駆動部及び第2ゲート駆動部で液晶パネルの画素部に出力されるゲート信号を説明する波形図である。
【0018】
図1及び
図2に示すように、液晶表示装置100は、第1タイミング制御部110、第1データ駆動部120、第1ゲート駆動部130、第2ゲート駆動部140、及び液晶パネル150を含む。
【0019】
第1タイミング制御部110は、外部から第1データ信号DATA1、各種同期信号Hsync、Vsync、データイネーブル信号DE及びメインクロックMCLKの入力を受ける。第1タイミング制御部110は、第2データ信号DATA2とデータ駆動信号LOAD、STHとを第1データ駆動部120に出力する。
【0020】
第1タイミング制御部110は、第1ゲート駆動信号GCK1、STV1及び第1ゲートオン/オフ電圧VON1/VOFF1を第1ゲート駆動部130に出力し、第2ゲート駆動信号GCK2、STV2及び第2ゲートオン/オフVON2/VOFF2を第2ゲート駆動部140に出力する。ここで、第1垂直開始信号STV1は、第2垂直開始信号STV2よりも先行する。それにより、第1ゲート駆動部130が駆動された後、第2ゲート駆動部140が駆動される。第1垂直開始信号STV1の立ち上がり(rising edge)と第2垂直開始信号STV2の立ち上がりは1フレーム(H)区間分だけ離隔される。または、第1垂直開始信号STV1の立下り(falling edge)と第2垂直開始信号STV2の立ち下りは1H区間分だけ離隔される。
【0021】
第2ゲートオン/オフ電圧VON2/VOFF2は、液晶パネル150に形成されたスイッチング素子を正常的にターンオン/オフさせるレベルである。本実施形態において前記スイッチング素子は薄膜トランジスタである。
【0022】
一例では、第1ゲートオフ電圧VOFF1と第2ゲートオフ電圧VOFF2)は同一で、第1ゲートオン電圧VON1は、前記第2ゲートオン電圧VON2よりも大きい。このような例において、前記ゲートオン電圧は前記液晶パネル150の薄膜トランジスタをターンオンするに要求されるレベルより高い。
【0023】
また、他の例では、第1ゲートオン電圧VON1は第2ゲートオン電圧VON2よりも大きく、第1ゲートオフ電圧VOFF1は第2ゲートオフ電圧VOFF2よりも小さい。例えば、第2ゲートオフ電圧VON2が−6Vであると、第1ゲートオフ電圧VON1は−7Vであり、第2ゲートオン電圧VON2が20Vであると、第1ゲートオン電圧VON1は25Vである。
【0024】
前記第1データ駆動部120が前記第1タイミング制御部110から第2データ信号を受信したとき、前記第2データ信号をデータ電圧(階調電圧)に変更し、変更されたデータ電圧D1、D2、・・・Dm(ここで、mは整数)を液晶パネル150に印加する。
【0025】
第1ゲート駆動部130は前記第1ゲート駆動信号GCK1、STV1に応答して、液晶パネル150の奇数番目のゲートラインを起動する奇数番目のゲート信号AG1、AG3、・・・、AGn−3、AGn−1(ここで、nは偶数)を液晶パネル150に順次に印加する。
【0026】
第2ゲート駆動部140は前記第2ゲート駆動信号GCK2、STV2に応答して液晶パネル150の偶数番目のゲートラインを起動する偶数番目のゲート信号AG2,AG4、・・・、AGn−2、AGnを順次に液晶パネル150に印加する。前記奇数番目のゲート信号AG1、AG3、・・・、AGn−3、AGn−1と前記偶数番目のゲート信号AG2、AG4、・・・、AGn−2、AGnは交互に出力される。
【0027】
本実施形態において、奇数番目のゲート信号AG1、AG3、・・・、AGn−3、AGn−1のレベルは、前記偶数番目のゲート信号AG2、AG4、・・・、AGn−2、AGnのレベルよりも相対的に大きい。後に充電される偶数番目のゲート信号AG2、AG4、・・・AGn−2、AGn対応する画素部には、先に充電される奇数番目のゲート信号AG1、AG3、・・・、AGn−3、AGn−1に対応する画素部と反対の極性の電荷が印加される。従って、先に充電される奇数番目のゲート信号AG1、AG3、・・・、AGn−3、AGn−1に対応する画素部に充電された電荷によって、偶数番目のゲート信号AG2、AG4、・・・、AGn−2、AGnに対応する画素部には反対の極性の電荷がより容易に充電される。従って、偶数番目のゲート信号AG2、AG4、・・・、AGn−2、AGnのレベルが奇数番目のゲート信号AG1、AG3、・・・、AGn−3、AGn−1のレベルよりも低くならなければならない。
【0028】
これとは反対に、後に充電される偶数番目のゲート信号AG2、AG4、・・・、AGn−2、AGn)に対応する画素部に、先に充電される奇数番目のゲート信号AG1、AG3、・・・、AGn−3、AGn−1に対応する画素部と同一の極性の電荷が印加される場合、先に充電される奇数番目のゲート信号AG1、AG3、・・・、AGn−3、AGn−1に対応する画素部に充電された電荷によって、偶数番目のゲート信号AG2、AG4、・・・AGn−2、AGnに対応する画素部に同一の極性の電荷は容易に充電されない。従って、偶数番目のゲート信号AG2、AG4、・・・、AGn−2、AGnのレベルが奇数番目のゲート信号AG1、AG3、・・・、AGn−3、AGn−1のレベルより高くなることが必要である。
【0029】
液晶パネル150は、ゲート信号スキャン信号または走査信号:AG1、AG2、・・・AGn−1、AGnを伝達する複数のゲートライン(走査ラインまたはスキャンライン)と、データ電圧D1、D2、・・・、Dmを伝達する複数のデータライン(ソースライン)を含む。液晶パネル150は、ゲートラインの数が増加され、データラインの数が減少されたデータライン半減構造を有する。
【0030】
前記データライン半減構造の液晶パネルは、互いに隣接するゲートラインと互いに隣接するデータラインによって画定される領域に第1画素部及び第2画素部を有する。
【0031】
一例で、前記第1画素部は、第1薄膜トランジスタTFT、第1薄膜トランジスタ(TFTのドレインに電気的に連結された第1液晶キャパシタClcを含む。一例で、前記第2画素部は第2薄膜トランジスタTFT、及び前記第2薄膜トランジスタTFTのドレイン電極に電気的に連結された第2液晶キャパシタClcを含む。ストレージキャパシタCstは、前記第1液晶キャパシタ及び第2液晶キャパシタに連結され、前記第1画素部と前記第2画素部が共有する。
【0032】
図3は、
図2に示された液晶パネルに形成された画素部を詳細に示した概略構成図である。
【0033】
図3に示すように、第1画素部P1は第1ゲートラインGL1に電気的に連結され、第2画素部P2は第2ゲートラインGL2に電気的に連結される。第1画素部P1は第1データラインDL1に電気的に連結され、第2画素部P2は第2データラインDL2に電気的に連結される。
【0034】
第1画素部P1には第1ゲートラインGL1から分岐されたゲート電極、第1データラインDL1から分岐されたソース電極とドレイン電極で構成された第1トランジスタTR1、及び第1画素電極210が形成される。第1トランジスタTR1のドレイン電極は、第1コントロール515を介して第1画素電極210と電気的に連結される。
【0035】
第2画素部P2には前記第2ゲートラインGL2から分岐されたゲート電極、第2データラインDL2から分岐されたソース電極とドレイン電極で構成された第2トランジスタTR2、及び第2画素電極220が形成される。第2トランジスタTR2のドレイン電極は、第2コントロール225を介して第2画素電極220と電気的に連結される。
【0036】
一方、前記第1ゲートラインGL1に隣接し、前記第1ゲートラインGL1と並行するように延長され前記第1画素部P1及び第2画素部P2にかけて第1ストレージライン240aが形成され、第2ゲートラインGL2に隣接し、第2ゲートラインGL2と並行するように延長され第1画素部P1及び第2画素部P2にかけて第2ストレージライン240bが形成される。
【0037】
第1画素部P1には第1ストレージライン240aの一端と第2ストレージライン240bの一端とを連結させ、第1データラインDL1と並行した第3ストレージライン240cが形成される。例えば、第3ストレージライン240cは第1画素電極210と部分的に重畳されるように形成される。
【0038】
また、第2画素部P1には第1ストレージライン240aの他端と第2ストレージライン240bの他端とを連結させ、第3ストレージライン240c及び第2データラインDL2と並行な第4ストレージライン240dが形成される。例えば、第4ストレージライン240dは第2画素電極220と部分的に重畳されるように形成される。
【0039】
前記第1画素部P1及び第2画素部P2が隣接する領域で第1ストレージライン240aと第2ストレージライン240bの中央を互いに連結し、第1データラインDL1及び第2データラインDL2に並行して延長されるように、第5ストレージライン240eが形成される。例えば、第5ストレージライン240eは第1画素電極210と部分的に重畳され、第2画素電極220と部分的に重畳されるように形成される。従って、第1画素部P1と第2画素部P2と第5ストレージライン240eを共有する。
【0040】
ここで、第1ストレージライン240a及び第2ストレージライン240bの一部、第3ストレージライン240c及び第5ストレージライン240eの一部によってストレージキャパシタの下部電極が形成される。また、第1ストレージライン240a及び第2ストレージライン240bの一部、第4ストレージライン240d及び第5ストレージライン240eの一部によってストレージキャパシタの下部電極が形成される。
【0041】
前記第1〜第5ストレージライン240a〜240eは、第1トランジスタTR1及び第2トランジスタTR2のソース電極及びドレイン電極を形成する同一の金属物質で同一の工程で形成される。
【0042】
従って、第1〜第5ストレージライン240a〜240eは、ゲート絶縁膜上に形成されストレージキャパシタの下部電極を画定し、第1〜第5ストレージライン240a〜240e上部には絶縁膜(図示せず)が形成されストレージキャパシタの誘電体を画定し、前記絶縁膜(図示せず)上に形成された第1画素電極210及び第2画素電極220はストレージキャパシタCstの上部電極を画定する。
【0043】
図4は、
図1に示された液晶パネルの画素部を説明する等価回路図である。
【0044】
図4に示すように、画素部は第1データラインDL1及び第2データラインDL2と第1ゲートラインGL1及び第2ゲートラインGL2によって取り囲まれた領域に形成される。前記画素部は第1薄膜トランジスタTFT1、前記第1薄膜トランジスタTFT1に電気的に連結された第1画素部P1、第2薄膜トランジスタTFT2、第2薄膜トランジスタTFT2に電気的に連結された第2画素部P2を含む。
【0045】
第1薄膜トランジスタTFT1のゲート、ソース、及びドレインは、第1ゲートラインGL1、第1データラインDL1及び第1画素部P1にそれぞれ連結され、第2薄膜トランジスタTFT2のゲート電極、ソース電極及びドレイン電極は、第2ゲートラインGL2、第2データラインDL2、及び第2ピクセルP2にそれぞれ連結される。
【0046】
図4に示された画素部の構造は第1画素部P1と第2画素部P2が互いに隣接する第1データラインDL1及び第2データラインDL2によって取り囲まれるデータライン半減構造である。前記データライン半減構造において、第1データラインDL1と第1画素部P1と間には第1カップリングキャパシタCdp1が存在し、第1ピクセルP1と第2画素部P2との間には第2カップリングキャパシタCdp2が存在し、第2ピクセルP2と第2データラインDL2との間には第3カップリングキャパシタCdp3が存在する。
【0047】
一般的な駆動方式によると、第1ゲートラインGL1が駆動され第1画素部P1が充電された後、第2ゲートラインGL2が駆動され第2ピクセルP2が充電される。
【0048】
従って、前記第2画素部P2は、まず充電された第1画素部P1の影響で非正常的に充電される。結果的に、画面全体的に奇数番目のデータラインに電気的に連結された画素部と偶数番目のデータラインに電気的に連結された画素部との間の充電量の差異は縦線のフリッカー現象を発生させる。
【0049】
しかし、本発明の第1実施形態によると、相対的に先に充電される第1画素部(P1)に対しては相対的に大きいレベルの第1ゲート信号を用いて充電動作を実施し、相対的に後に充電される第2画素部P2に対して正常的なレベルの第2ゲート信号を用いて充電動作を実施するので、前記フリッカー現象を除去することができる。
【0050】
図5は
図1に示された液晶表示装置の画素部を説明する回路図である。
図6は
図5に示されたゲート電極とデータ電圧を説明する波形図である。
【0051】
図5及び
図6に示すように、第1データラインDL1に印加される第1データ電圧VD1は、ゲート信号AG1に基づいて充電される。第1画素部PX1は第1薄膜トランジスタTFT1、第1液晶キャパシタClc1、及び第1ストレージキャパシタCst1を含む。
【0052】
第1データ電圧VD1は共通電圧VCOM対比正極性を有する。第1ゲート信号AG1は第1ゲートラインGL1に供給され第1ゲートラインGL1に電気的に連結された第1薄膜トランジスタTFT1をアクティブさせる。第1データ電圧VD1は、第1薄膜トランジスタTFT1を経由して、共通して連結された第1液晶キャパシタClc1及び第1ストレージキャパシタCst1に充電される。第1ストレージキャパシタCst1の一端は第1薄膜トランジスタTFT1のドレイン電極に電気的に連結され、他端はストレージ電圧VSTに電気的に連結される。
【0053】
第2データラインDL2に印加される第2データ電圧VD2は第2ゲート信号AG2に基づいて第2ピクセル部PX2に充電される。第2画素部PX2は第2薄膜トランジスタTFT2、第2液晶キャパシタClc2及び第2ストレージキャパシタCst2を含む。第2ストレージキャパシタCst2の一端は第2薄膜トランジスタTFT2のドレイン電極に電気的に連結され、他端は第1ストレージキャパシタCst1の一端に共通して連結される。
【0054】
第2データ電圧VD2は、共通電圧VCOM対して負の極性を有する。第2ゲート信号AG2は第2ゲートラインGL2に供給され第2ゲートラインGL2に電気的に連結された第2薄膜トランジスタTFT2をアクティブさせる。第2データ電圧VD2は第2薄膜トランジスタTFT2を経由して、共通して連結された第2液晶キャパシタClc1及び第2ストレージキャパシタCst2に充電される。
【0055】
第2ゲート信号AG2のハイレベルは、通常的に第2薄膜トランジスタTFT2をターンオンさせる程度である。一方、第1ゲート信号AG1のハイレベルは、第2ゲート信号AG2のハイレベルより相対的に高い。一例で、第2ゲート信号AG2はローレベル及びハイレベルが−6V及び20Vによってそれぞれ定義されると、第1ゲート信号AG1のローレベル及びハイレベルは−7Vと25Vによってそれぞれ定義される。
【0056】
図5及び
図6では互いに隣接するデータラインに共通電圧に対して反対の極性のデータ電圧が印加される例を示したが、互いに隣接するデータラインに共通電圧に対して同一の極性のデータ電圧が印加されても良い。この場合、まず、充電された第1画素電極の電荷が第2画素電極の同一極性電荷の充電を妨害するので反対に第2ゲート信号AG2のパルスの大きさを大きくする必要がある。例えば、第2ゲート信号AG2のローレベル及びハイレベルがそれぞれ−7Vと25Vに定義され、第1ゲート信号AG1のローレベル及びハイレベルがそれぞれ−6Vと20Vに定義される。
【0057】
図7を参照しつつ、第1画素部PX1及び第2ピクセルPX2に充電されるデータ電圧の充電量特性を説明する。
【0058】
図7は、
図5に示されたデータ電圧の充電量特性を説明する波形図である。
【0059】
図7を参照すると、相対的に大きい電位差を有する第1ゲート信号AG1が駆動されることにより、第1データ電圧VD1が第1画素部PX1に充電される。
【0060】
続いて、第1ゲート信号の振幅より小さい第2ゲート信号AG2が駆動されることにより、第1データ電圧と反対極性の第2データ電圧VD2が第2ピクセルPX2に充電される。後充電される第2画素部PX2には第1ピクセル部PX1の電荷の引力のためより容易に充電される。従って、第1ゲート信号AG1より振幅の小さい第2ゲート信号AG2によって、先充電される第1画素部PX1の第1充電量QC1と実質的に同一の第2充電量QC2が第2ピクセル部PX1に充電される。
【0061】
この結果、縦線で現れるフリッカー現象が除去される。
【0062】
示されてはいないが、第1データ電圧VD1及び第2データ電圧VD2が同一の極性を有し、第2ゲート信号AG2が第1ゲート信号AG1より相対的に高い電圧差を有する場合、第1及び第2充電量QC1、QC2は実質的に同一であることは同業者であれば自明なことである。
【0063】
図8は、本発明の他の実施形態による液晶表示装置を説明するブロック図である。
図9は
図8に示された第1ゲート駆動部及び第2ゲート駆動部から出力されるゲート信号を説明する波形図である。
【0064】
図8及び
図9を参照すると、液晶表示装置300は、第1タイミング制御部310、第1データ駆動部320、第1ゲート駆動部330、第2ゲート駆動部340、及び液晶パネル350を含む。
【0065】
第1タイミング制御部310は、外部から第1データ信号DATA1、各種同期信号Hsync、Vsync、データイネーブル信号DE及びメインクロックMCLKの提供を受け、第2データ信号DATA2、第2データ信号DATA2の出力のためのデータ駆動信号LOAD、STHを第1データ駆動部320に出力する。第1タイミング制御部310は第1ゲート駆動信号GCK1、STV1、OE1を第1ゲート駆動部330に出力し、第2ゲート駆動信号GCK、STV2、OE2を第2ゲート駆動部340に出力する。
【0066】
ここで、第1垂直開始信号STV1の立ち上がりと第2垂直開始信号STV2の上昇エッジは1H区間分だけ離隔される。または、第1垂直開始信号STV1の立ち下りと第2垂直開始信号STV2の立ち下りには1H区間分だけ離隔される。それにより、第1ゲート駆動部330に駆動された後第2ゲート駆動部340が駆動される。
【0067】
第1出力イネーブル(enable signal)信号OE1と第2出力イネーブル信号OE2は互いに異なるパルス幅を有する。第1出力イネーブル信号OE1は奇数番目のゲート信号BG1、BG3、・・・、BGn−1ここで、nは偶数が相対的に広いパルス幅を有するように制御する。本実施形態において、第1出力イネーブル信号OE1は奇数番目のゲート信号BG1、BG3、・・・、BGn−1それぞれが相対的に広いパルス幅を有するように制御する。第2出力イネーブル信号OE2は偶数番目のゲート信号BG2、BG4、・・・、BGnが相対的に狭いパルス幅を有するように制御する。
【0068】
第1データ駆動部320は、第1タイミング制御部310から第2データ信号DATA2が受信し、第2データ信号DATA2をデータ電圧諧調電圧に変更し、変更されたデータ電圧D1、D2、・・・、Dmを液晶パネル350に印加する。
【0069】
第1ゲート駆動部330は第1ゲート駆動信号GCK1、STV1に応答して液晶パネル350の奇数番目のゲートラインを起動する奇数番目のゲート信号BG1、BG3、・・・、BGn−3、BGn−1を液晶パネル350に順次に印加する。
【0070】
第2ゲート駆動部340は、第2ゲート駆動信号GCK2、STV2に応答して液晶パネル350の偶数番目のゲートラインを起動する偶数番目のゲート信号BG2、BG4、・・・、BGn−2、BGnを順次に液晶パネル350に印加する。奇数番目のゲート信号BG1、BG3、・・・、BGn−3、BGn−1と偶数番目のゲート信号 BG2、BG4、・・・、BGn−2、BGnは交互に出力される。
【0071】
本実施形態において、
図9に示されたように、奇数番目のゲート信号BG1、BG3、・・・、BGn−3、BGn−1のパルス幅は偶数番目のゲート信号BG2、BG4、・・・、BGn−2、BGnのパルス幅より相対的に大きい。後に充電される偶数番目のゲート信号BG2、BG4、・・・、BGn−2、BGnに対応する画素部には、先に充電される奇数番目のゲート信号BG1、BG3、・・・、BGn−3、BGn−1に対応する画素部と反対の極性の電荷が印加される。従って、先に充電される奇数番目のゲート信号BG1、BG3、・・・、BGn−3、BGn−1に対応する画素部に充電された電荷によって、偶数番目のゲート信号BG2、BG4、…BGn−2、BGnに対応する画素部には反対極性の電荷がより容易に充電される。従って、偶数番目のゲート信号BG2、BG4、・・・、BGn−2、BGnのパルス幅が奇数番目のゲート信号BG1、BG3、・・・、BGn−3、BGn−1のパルス幅より小さくなければならない。
【0072】
それとは反対に、後に充電される偶数番目のゲート信号BG2、B4、・・・、BGn−2、BGnに対応する画素部に、先に充電される奇数番目のゲート信号BG1、BG3、・・・、BGn−3、BGn−1に対応する画素部と同一の極性の電荷が印加される場合、先に充電される奇数番目のゲート信号BG1、BG3、・・・、BGn−3、BGn−1に対応する画素部に充電された電荷によって、偶数番目のゲート信号BG2、BG4、・・・、BGn−2、BGnに対応する画素部には同一の極性の電荷は容易に充電されない。従って、偶数番目のゲート信号BG2、BG4、・・・、BGn−2、BGnのパルスの幅が奇数番目のゲート信号BG1、BG3、・・・、BGn−3、BGn−1のパルス幅より大きくなければならない。
【0073】
液晶パネル350はゲート信号スキャン信号または走査信号BG1、BG2、・・・、BGn−1、BGnを伝達する複数のゲートライン走査ラインまたはスキャンラインと、データ電圧D1、D2、・・・、Dmを伝達する複数のデータラインソースラインを含む。液晶パネル350はゲートラインの数が増加され、データラインの数が減少されたデータ半減構造を有する。データライン半減構造は
図3及び
図4に説明されたところである。
【0074】
図10は、
図8に示された液晶表示装置の画素部を説明する回路図である。
図11は、
図10に示されたゲート電圧及びデータ電圧を説明する波形図である。
図10は、
図5と比較し同一の構成要素については同一の参照符号を付与している。
【0075】
図10及び
図11を参照すると、第1データラインDL1に印加される第1データ電圧VD1は第1ゲート信号BG1に基づいて第1画素部PX1に充電される。
【0076】
第1データ電圧VD1は、共通電圧VCOM対して正極性を有する。第1ゲート信号BG1は第1ゲートラインGL1に供給され第1ゲートラインGL1に電気的に連結された第1薄膜トランジスタTFT1を駆動させる。第1データ電圧VD1は第1薄膜トランジスタTFT1を経由して、共通して連結された第1液晶キャパシタClc1及び第1ストレージキャパシタCst1に充電される。
【0077】
第2データラインDL2に印加される第2データ電圧VD2は第2ゲート信号BG2に基づいて第2ピクセル部PX2に充電される。第2データ電圧VD2は共通電圧VCOM対比負極性を有する。第2ゲート信号BG2は第2ゲートラインGL2に供給され第2ゲートラインGL2に電気的に連結された第2薄膜トランジスタTFT2を駆動させる。第2データ電圧VD2は第2薄膜トランジスタTFT2を経由して、共通して連結された第2液晶表示装置Clc1及び第2ストレージキャパシタCst2に充電される。
【0078】
第2ゲート信号BG2のパルス幅は通常的に第2薄膜トランジスタTFT2をターンオンさせる程度である。反面、第1ゲート信号BG1のパルス幅は第2ゲート信号BG2のパルス幅より相対的に大きい。第1及び第2ゲート信号BG1、BG2のパルス幅は互いに異なる第1及び第2出力イネーブル信号OE1、OE2によって調節される。
【0079】
図10及び
図11では、互いに隣接するデータラインに共通電圧対比反対極性のデータ電圧が印加されることを示したが、互いに隣接するデータラインに共通電圧対比互いに同一極性のデータ電圧が印加されることもできる。この場合、まず、充電された第1画素電極の電荷が第2画素電極の同一の極性の電荷の充電を妨害するので反対に第2ゲート信号BG2のパルス幅の大きさを大きくする必要がある。
【0080】
図12を参照しつつ、第1及び第2画素部PX1、PX2に充電されるデータ電圧の充電量特性を説明する。
【0081】
図12は、
図10に示されたデータ電圧の充電量特性を説明する波形図である。
【0082】
図12を参照すると、相対的に広いパルス幅を有する第1ゲート信号BG1が駆動されることにより、第1ピクセル部PX1が充電される。
【0083】
続いて、第1ゲート信号のパルス幅より小さいパルス幅を有する第2ゲート信号BG2が駆動されることにより、
第1データ電圧と反対極性の第2データ電圧VD2が第2画素部PX2に充電される。後充電される第2ピクセル部PX2には第1画素部PX1の電荷の引力のため容易に充電される。
【0084】
従って、第1ゲート信号BG1よりパルス幅の小さい第2ゲート信号BG2によって、先充電される第1ピクセル部PX1の第1充電量QC1と実質的に同一の第2充電量QC2が第2画素部に充電される。
【0085】
それにより、縦線で現れるフリッカー現象が除去される。示されてはいないが、第1及び第2データ電圧VD1、VD2が同一の極性を有し、第2ゲート信号BG2が第1ゲート信号BG1より相対的に高い電圧差を有する実施形態において、第1及び第2充電量QC1、QC2は実質的に同一であることは当業者であれば自明なことである。