特許 5750528 部品内蔵回路基板

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】特許公報(B1)

(11)【特許番号】5750528

(24)【登録日】2015年5月22日

(45)【発行日】2015年7月22日

(54)【発明の名称】部品内蔵回路基板

(51)【国際特許分類】

   H05K 3/46 20060101AFI20150702BHJP

【ＦＩ】

   H05K3/46 Q

   H05K3/46 N

【請求項の数】6

【全頁数】13

(21)【出願番号】特願2014-63845(P2014-63845)

(22)【出願日】2014年3月26日

【審査請求日】2014年7月25日

(73)【特許権者】

【識別番号】000204284

【氏名又は名称】太陽誘電株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】110001863

【氏名又は名称】特許業務法人アテンダ国際特許事務所

(72)【発明者】

【氏名】濱田 芳樹

(72)【発明者】

【氏名】中村 浩

【審査官】 遠藤 秀明

(56)【参考文献】

【文献】 特開２０１２−２０９５２７（ＪＰ，Ａ）

(58)【調査した分野】（Int.Cl.，ＤＢ名）

Ｈ０５Ｋ ３／４６

(57)【特許請求の範囲】

【請求項1】

導体層と絶縁体層とを積層してなる回路基板と、該回路基板内に埋設された部品とを備えた部品内蔵回路基板において、
前記回路基板は、他の導体層より厚みが大きく且つグランドとして機能する導体層であるコア層を含み、前記部品はコア層に形成された貫通孔内に配置されており、
前記コア層に対向する導体層であって前記貫通孔を厚み方向に投影した領域には、高周波信号を伝送する信号線が形成されており、
前記部品は、前記信号線を厚み方向に投影した領域の少なくとも一部に形成されたグランドとして機能するグランド導体を備えた
ことを特徴とする部品内蔵回路基板。

【請求項2】

前記部品のグランド導体を厚み方向に投影した領域における前記信号線の線幅が、コア層と対向する領域における前記信号線の線幅よりも大きい
ことを特徴とする請求項１記載の部品内蔵回路基板。

【請求項3】

前記部品は、基板と、該基板の全部又は一部を覆い且つ前記グランド導体として機能する金属体とを含む
ことを特徴とする請求項１又は２記載の部品内蔵回路基板。

【請求項4】

前記部品は、基板を含み、
該基板の表層又は内層には前記グランド導体が形成されている
ことを特徴とする請求項１又は２記載の部品内蔵回路基板。

【請求項5】

前記部品は、前記グランド導体として機能する導体層と絶縁体層とを積層した回路基板からなる
ことを特徴とする請求項１又は２記載の部品内蔵回路基板。

【請求項6】

前記部品は、半導体素子を含み、
該半導体素子の表面には前記グランド導体が形成されている
ことを特徴とする請求項１又は２記載の部品内蔵回路基板。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、高周波通信モジュールなどに用いられる部品内蔵回路基板に関する。

【背景技術】

【0002】

高周波通信モジュールなどで用いられる部品内蔵回路基板としては、従来、絶縁体層と導体層とを積層してなり、他の導体層より厚みが大きく且つグランドとして機能する導体層である金属製のコア層を含み、該コア層に形成した貫通孔にデュプレクサやフィルタなどの各種電子部品を配置するものが知られている（特許文献１参照）。この従来の部品内蔵回路基板では、コア層は回路基板の内層に位置しており、コア層の両面側に絶縁体層及び導体層が積層されている。またコア層に対向する導体層には、高周波信号を伝送する信号線が形成されている。このような部品内蔵回路基板では、コア層により、回路基板の強度を確保するとともに内蔵電子部品のシールド性が高いものとなるという利点を有している。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0003】

【特許文献1】特許第５４２０１０４号

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0004】

上記従来の部品内蔵回路基板では、前記導体層における信号線の特性インピーダンスを規定するパラメータの１つは該信号線とグランドとして機能するコア層との距離である。したがって、信号線の特性インピーダンスは、コア層と対向している箇所と、コア層が存在しない箇所すなわちコア層の貫通孔と対向している箇所とでは大きく値が異なる。このため、回路基板の設計時においては、コア層に形成された貫通孔を回路基板の厚み方向に投影した領域に信号線が配置されないよう、すなわち貫通孔の投影領域を迂回するように設計していた。しかし、このような設計思想では、部品配置・パターン作成が限定されてしまうので、実装密度の向上が困難であるとともに設計の自由度が低いものとなるという問題があった。

【0005】

一方、このような問題を解決するために、信号線が形成された導体層とコア層との間に、いわゆるベタグランドと呼ばれる大面積のグランド導体が形成された導体層を介在させることが考えられる。しかし、この手法では、層数が増えるので部品内蔵回路基板の薄型化が困難であった。

【0006】

本発明は、このような事情に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、高い実装密度及び薄型化を実現できる部品内蔵回路基板を提供することにある。

【課題を解決するための手段】

【0007】

上記目的を達成するために、本願発明に係る部品内蔵回路基板は、導体層と絶縁体層とを積層してなる回路基板と、該回路基板内に埋設された部品とを備えた部品内蔵回路基板において、前記回路基板は、他の導体層より厚みが大きく且つグランドとして機能する導体層であるコア層を含み、前記部品はコア層に形成された貫通孔内に配置されており、前記コア層に対向する導体層であって前記貫通孔を厚み方向に投影した領域には、高周波信号を伝送する信号線が形成されており、前記部品は、前記信号線を厚み方向に投影した領域の少なくとも一部に形成されたグランドとして機能するグランド導体を備えたことを特徴とする。

【0008】

本発明によれば、信号線は、コア層が存在しない箇所すなわちコア層の貫通孔と対向している箇所であっても、該貫通孔内に配置されている部品に含まれるグランド導体により、所定の特定インピーダンスを得ることができる。これにより、回路基板の設計時において、コア層に形成された貫通孔を回路基板の厚み方向に投影した領域に信号線が配置されないように制限する必要がなくなる。したがって、実装密度を向上させることができるとともに設計自由度が向上する。

【0009】

本願発明の好適な態様の一例としては、前記部品のグランド導体を厚み方向に投影した領域における前記信号線の線幅が、コア層と対向する領域における前記信号線の線幅よりも大きいことを特徴とするものが挙げられる。これにより信号線の特性インピーダンスを、コア層と対向している箇所と、コア層が存在しない箇所すなわちコア層の貫通孔と対向している箇所とで近づけることができる。これにより伝送路としての周波数特性が向上する。

【0010】

本発明において内蔵部品としては種々のものを用いることができる。例えば、前記部品は、基板と、該基板の全部又は一部を覆い且つ前記グランド導体として機能する金属体とを含むことを特徴とするものが挙げられる。また例えば、前記部品は、基板を含み、該基板の表層又は内層には前記グランド導体が形成されていることを特徴とするものが挙げられる。また例えば、前記部品は、前記グランド導体として機能する導体層と絶縁体層とを積層した回路基板からなることを特徴とするものが挙げられる。また例えば、前記部品は、半導体素子を含み、該半導体素子の表面には前記グランド導体が形成されていることを特徴とするものが挙げられる。

【発明の効果】

【0011】

以上説明したように本発明に係る部品内蔵回路基板は、回路基板の設計時において、コア層に形成された貫通孔を回路基板の厚み方向に投影した領域に信号線が配置されないように制限する必要がなくなるので、実装密度を向上させることができるとともに設計自由度が向上する。

【図面の簡単な説明】

【0012】

【図1】第１の実施形態に係る部品内蔵回路基板の外観斜視図

【図2】図１のＸ軸方向の断面図

【図3】図１のＹ軸方向の断面図

【図4】信号線とグランド導体等との関係を説明する平面図

【図5】信号線とグランド導体等との関係を説明する他の例に係る平面図

【図6】信号線とグランド導体等との関係を説明する他の例に係る平面図

【図7】信号線とグランド導体等との関係を説明する他の例に係る平面図

【図8】信号線とグランド導体等との関係を説明する他の例に係る平面図

【図9】信号線とグランド導体等との関係を説明する他の例に係る平面図

【図10】第２の実施形態に係る部品内蔵回路基板における信号線とグランド導体等との関係を説明する平面図

【図11】第３の実施形態に係る部品内蔵回路基板の断面図

【図12】第４の実施形態に係る部品内蔵回路基板の断面図

【図13】第５の実施形態に係る部品内蔵回路基板の断面図

【図14】第５の実施形態の他の例に係る部品内蔵回路基板の断面図

【図15】比較例１を説明する図

【図16】比較例２を説明する図

【図17】実施例１を説明する図

【図18】実施例２及び３を説明する図

【図19】比較例及び実施例の特性インピーダンスのシミュレーション結果

【発明を実施するための形態】

【0013】

（第１の実施の形態）
本発明の第１の実施の形態に係る部品内蔵回路基板について図面を参照して説明する。図１は部品内蔵回路基板の外観斜視図、図２は図１のＸ軸方向の断面図、図３は図１のＹ軸方向の断面図である。

【0014】

本実施の形態では、部品内蔵回路基板の一方の主面上に各種電子部品を実装するとともに、該主面の全面に亘って前記電子部品を被覆するように封止部材を設けることにより、回路モジュールとして親回路基板に実装して利用されるものについて説明する。また、本実施の形態では、携帯電話通信を含む各種通信機能を集約した通信モジュールに用いられる部品内蔵回路基板について説明する。

【0015】

部品内蔵回路基板１００は、導体層と絶縁体層とを積層してなる多層回路基板である。部品内蔵回路基板１００は、図１に示すように、導電性が良好で且つ比較的厚い金属製の導体層であるコア層２００と、コア層２００の一方の主面（上面）側に形成された積層体層３００と、コア層２００の他方の主面（下面）側に形成された積層体層４００とを備えている。積層体層３００及び積層体層４００は、コア層２００の両主面にビルドアップ工法にて形成されたものである。

【0016】

積層体層３００，４００は、図２及び図３に示すように、それぞれ複数（本実施の形態では２つ）の絶縁体層３１１〜３１２，４１１〜４１２と導体層３２１〜３２２，４２１〜４２２とを備えている。絶縁体層３１１，４１１はコア層２００の主面と隣接する。導体層３２１，４２１はそれぞれ、積層体層３００，４００の内層に相当するとともに、コア層２００の主面と対向する導体層である。また導体層３２２，４２２は部品内蔵回路基板１００の一方の主面に露出する表層に相当する。導体層３２２には、高周波信号を伝送する回路パターン、各種部品を実装するためのランド、検査用のパッド等が形成される。また、導体層４２２には、親回路基板と接続するための端子電極や、各種部品を実装するためのランド等が形成される。導体層間の接続には周知のビアホールやスルーホールが用いられる。

【0017】

コア層２００には部品収容用の貫通孔２０１が形成されている。該貫通孔２０１には、後述する部品５００が配置されている。したがってコア層２００は、内蔵する部品５００の高さよりも厚みが大きく且つ曲げ強度が大きいことが好ましい。またコア層２００は導電性材料からなり、電気的には基準電位（グランド）が与えられる。したがってコア層２００を部品内蔵回路基板１００の導体層の１つと解釈できる。本実施の形態では、金属板、より詳しくは銅製又は銅合金製の金属板によりコア層２００を形成している。貫通孔２０１内であって内蔵部品５００との隙間には樹脂などの絶縁体が充填されている。

【0018】

積層体層３００，４００の内層の導体層３２１，４２１には、高周波信号を伝送する信号線６１０と、グランドとして機能するグランド導体６２０が形成されている。グランド導体６２０は、ビアホールを介してコア層２００及び導体層３２２，４２２のグランド導体に接続されている。

【0019】

本発明の第１の特徴的な点は、導体層３２１，４２１における信号線６１０の配線パターンにある。具体的には、導体層３２１，４２１であってコア層２００の貫通孔２０１を部品内蔵回路基板１００の厚み方向に投影した領域に信号線６１０の少なくとも一部が形成されている。本実施の形態では、図２及び図３に示すように、このような信号線６１０を、親回路基板への実装側に位置する積層体層４００の内層である絶縁体層４１１に形成した。

【0020】

また本発明の第２の特徴的な点は、貫通孔２０１内に配置された部品５００は、グランドとして機能するグランド導体５１０を備えており、且つ、該グランド導体は信号線６１０を厚み方向に投影した領域の少なくとも一部又は全部に形成されている。本実施の形態では、部品５００として、例えばフィルタ素子やＩＣ（Integrated Circuit）などの電子部品ではなく、回路基板５００を用いた。該回路基板５００としては、コンデンサやインダクタや抵抗などの各種電子部品を内蔵した部品内蔵回路基板でもいいし、配線のみが形成された印刷配線板などでもよい。また、部品内蔵回路基板の形態としても種々のものを用いることができる。例えば、低温焼成セラミック（ＬＴＣＣ）により形成されたもの、ＩＰＤ（Integrated Passive Device）と呼ばれる技術により形成されたもの、樹脂基板に電子部品を埋め込む手法により形成されたものなどがある。

【0021】

本実施の形態のように他の導体層より厚みの大きいコア層２００を有する部品内蔵回路基板１００では、同体積のコア層を有さない回路基板よりも基板内部における配線可能面積が小さくなってしまう。しかし本実施の形態では、コア層２００の貫通孔２０１に、内蔵部品として別の回路基板５００を埋設することにより、配線可能面積が大きくなり、設計の自由度が高くなるという利点がある。特に、内蔵部品としての回路基板５００は、部品内蔵回路基板１００とは別プロセスで製造でき、しかも貫通孔２０１内に密閉されるので、回路基板５００として高密度・高精度のものを用いることができる。これにより、全体としてより高い実装密度を得ることができる。

【0022】

前述したように本発明では、内蔵部品としての回路基板５００に、グランド導体５１０の層が形成されていることが特徴的である。該グランド導体５１０は、回路基板５００内のビアホール等を介して回路基板５００の表面或いは側面の端子電極５２０に接続し、さらに部品内蔵回路基板１００のビアホール等を介して、最終的に部品内蔵回路基板１００においてグランド電位が与えられる箇所に接続している。本実施の形態では、グランド導体５１０はグランド導体６２０を介して電気的にコア層２００と接続している。

【0023】

次に、図４を参照して、信号線６１０と、貫通孔２０１と、内蔵部品としての回路基板５００と、該回路基板５００のグランド導体５１０との関係について説明する。図４は信号線６１０が形成された絶縁体層４１１を部品内蔵回路基板１００の底面側からみた平面図である。図４に示すように、信号線６１０は、矩形の貫通孔２０１を横切るように形成されている。信号線６１０の幅は一定である。部品５００は貫通孔２０１の内壁と所定の距離をおいて配置されている。部品５００のグランド導体５１０は、部品５００の外形よりやや小さい矩形に形成されている。

【0024】

本実施の形態に係る部品内蔵回路基板１００によれば、貫通孔２０１を投影した領域においても、内蔵部品としての回路基板５００内に形成されているグランド導体５１０により、信号線６１０は所望の特性インピーダンスを得ることが容易となる。これにより、部品内蔵回路基板１００の設計時において、コア層２００に形成された貫通孔２０１を部品内蔵回路基板１００の厚み方向に投影した領域に信号線６１０が配置されないように制限する必要がなくなる。したがって、実装密度を向上させることができるとともに設計自由度が向上する。

【0025】

なお、図５に示すように、信号線６１０は、少なくとも回路基板５００のグランド導体５１０の投影領域においては、他の領域、具体的にはコア層２００と対向する領域における線幅よりも、大きくしてもよい。これにより、コア層２００と対向する領域における特性インピーダンスと、貫通孔２０１と対向する領域における特性インピーダンスの差を小さくすることができる。なお、信号線６１０の線幅が大きい箇所の端部は、グランド導体５１０の端部と厳密に一致する必要はない。すなわち、所望の回路特性的に十分な範囲内で特性インピーダンスを得られるのであれば多少のずれは容認される。具体的には、信号線６１０の線幅が大きい箇所の端部は、例えば図６に示すようにグランド導体５１０の端部よりも内側となってもよいし、例えば図７に示すようにグランド導体５１０の端部よりも外側となっていてもよい。また、信号線６１０の線幅が大きい箇所の端部位置についてグランド導体５１０の端部を基準とするのではなく、図８に示すように回路基板５００の端部を基準としてもよいし、図９に示すように貫通孔２０１の端部を基準としてもよい。これらの場合であっても、信号線６１０の線幅が大きい箇所の端部は、厳密に回路基板５００や貫通孔２０１の端部と一致する必要はない。すなわち、所望の回路特性的に十分な範囲内で特性インピーダンスを得られるのであれば多少のずれは容認される。

【0026】

（第２の実施の形態）
次に、本発明の第２の実施の形態について図面を参照して説明する。前記第１の実施の形態に係る部品内蔵回路基板１００では、コア層２００に対して一方の側の導体層４２１に形成された信号線６１０のみが、貫通孔２０１の投影領域を横切るように形成されていた。本実施の形態に係る部品内蔵回路基板１１０では、図１０に示すように、コア層２００に対して他方の側の導体層３２１に形成された信号線６３０も、貫通孔２０１の投影領域を横切るように形成されている。ここで、部品内蔵回路基板１１０を厚み方向に透過してみた場合、信号線６１０と信号線６３０は交差しており、且つ、少なくとも信号線６１０と信号線６３０の交差部に内蔵部品としての回路基板５００のグランド導体５１０が介在している。

【0027】

このような部品内蔵回路基板１１０では、信号線６１０と信号線６３０の間に内蔵部品としての回路基板５００のグランド導体５１０が存在しているので、信号線間の干渉、すなわちクロストークを抑えることができる。他の作用効果については第１の実施の形態と同様である。なお、本実施の形態についても上記第１の実施の形態と同様の変形を適用できることは言うまでもない。

【0028】

（第３の実施の形態）
本発明の第３の実施の形態に係る部品内蔵回路基板について図１１を参照して説明する。図１１は、第３の実施の形態に係る部品内蔵回路基板の断面図である。

【0029】

本実施の形態が上記各実施の形態と異なる点は、内蔵部品としての回路基板５００の構成にある。他の構成については上記各実施の形態と同様である。本実施の形態に係る部品内蔵回路基板１２０では、図１１に示すように、回路基板５００のグランド導体５１１が該回路基板５００の表層に形成されている。該グランド導体５１１は、周知のビアホールを介して導体層４２１のグランド導体６２０と接続している。また該グランド導体６２０は、前述したように、周知のビアホールを介してコア層２００と接続している。

【0030】

このような部品内蔵回路基板１２０における作用効果は、上記各実施の形態と同様である。また、本実施の形態についても上記各実施の形態と同様の変形を適用できることは言うまでもない。

【0031】

（第４の実施の形態）
本発明の第４の実施の形態に係る部品内蔵回路基板について図１２を参照して説明する。図１２は、第４の実施の形態に係る部品内蔵回路基板の断面図である。

【0032】

本実施の形態が上記各実施の形態と異なる点は、内蔵部品５００の種別にある。他の構成については上記各実施の形態と同様である。本実施の形態に係る部品内蔵回路基板１３０では図１２に示すように、内蔵部品５００として、基板５３０と、該基板５３０の全部又は一部を覆い且つグランド導体として機能する金属製の蓋体であるケース５４０とを含むものを用いた。このような内蔵部品５００の例としては、表面弾性波（ＳＡＷ：Surface Acoustic Wave）フィルタやバルク弾性波（ＢＡＷ：Bulk Acoustic Wave）フィルタ、などのフィルタ素子、これらフィルタ素子を複数備えたデュプレクサやトリプレクサ、クワッドプレクサなどの受動部品が挙げられる。本実施の形態では内蔵部品５００として、送信用フィルタ５５１と受信用フィルタ５５２とを有するデュプレクサを用いた。該デュプレクサ５００の底面にはグランド電極５６０が形成されている。グランド電極５６０は、デュプレクサ５００の基板５３０内におけるビアホールを介して前記ケース５４０と接続している。また、グランド電極５６０は、周知のビアホールを介して導体層４２１のグランド導体６２０と接続している。さらに該グランド導体６２０は、前述したように、周知のビアホールを介してコア層２００と接続している。本実施の形態に係る部品内蔵回路基板１３０では、導体層３２１のケース５４０に対向する領域において信号線６１０が形成されている。

【0033】

このような部品内蔵回路基板１３０における作用効果は、上記各実施の形態と同様である。また、本実施の形態についても上記各実施の形態と同様の変形を適用できることは言うまでもない。

【0034】

（第５の実施の形態）
本発明の第５の実施の形態に係る部品内蔵回路基板について図１３を参照して説明する。図１３は、第５の実施の形態に係る部品内蔵回路基板の断面図である。

【0035】

本実施の形態が上記各実施の形態と異なる点は、内蔵部品５００の種別にある。他の構成については上記各実施の形態と同様である。本実施の形態に係る部品内蔵回路基板１４０では、内蔵部品５００として能動部品であるＩＣ（Integrated Circuit）を用いた。該ＩＣ５００は、一方の主面（上面）にグランド層５８０が形成され、他方の主面（底面）には端子電極が形成されている。ＩＣ５００のパッケージ形態は種々のものが採用できる。例えばＢＧＡ（Ball Grid Array）やＣＳＰ（Chip Size Package）、ＷＬ−ＣＳＰ（Wafer Level ？ Chip Size Package）などが挙げられる。本実施の形態では、ＷＬ−ＣＳＰを用いた。ＩＣ５００は、図１３に示すように、支持基板として半導体（ベアチップ）５７０の表面にグランド層５８０が形成されている。グランド層５８０は、周知のビアホールを介して導体層３２１に形成されたグランド導体６２０と接続している。さらにグランド導体６２０は、前述したように、周知のビアホールを介してコア層２００と接続している。一方、半導体５７０の端子は接続構造体５７１を介してＩＣ５００底面の端子電極５７２に引き出されている。本実施の形態に係る部品内蔵回路基板１４０では、ＩＣ５００のグランド層５８０に対向する領域において信号線６１０が形成されている。

【0036】

このような部品内蔵回路基板１４０における作用効果は、上記各実施の形態と同様である。また、本実施の形態についても上記各実施の形態と同様の変形を適用できることは言うまでもない。

【0037】

なお、本実施の形態ではＩＣ５００のグランド層５８０が、該グランド層５８０と対向する導体層３２１に形成されたグランド導体６２０とビアホールを介して接続していた。一方、図１４に示すように、グランド層５８０が半導体５７０内のビアホールを介してＩＣ５００内のグランド導体と接続しているのであれば、ＩＣ５００のグランド端子５７３と導体層４２１に形成されたグランド導体６２０とを周知のビアホールで接続するようにしてもよい。

【0038】

以上、本発明の第１〜第５の実施の形態について詳述したが本発明はこれに限定されるものではない。例えば上記実施の形態では、コア層２００に形成された貫通孔２０１内には１つの部品５００のみを配置していたが、複数の部品５００を貫通孔２０１内に配置するようにしてもよい。

【0039】

また、上記各実施の形態では、回路モジュールとして用いられる部品内蔵回路基板について説明したが他の用途であっても本発明を適用できる。

【実施例】

【0040】

本発明の実施例について図面を参照して説明する。ここでは、本発明の効果を検証するため下記のモデルについてシミュレーションを行った。まず比較例について説明する。比較例１に係る回路基板９００は、図１５に示すように、厚み３４０μｍのコア層９１０と厚み２５μｍの絶縁体層９２０とを積層してなる。絶縁体層９２０の上面には幅４５μｍの信号線９３０が直線上に形成されている。比較例２に係る回路基板９００は、図１６に示すように、前記比較例１のコア層９１０に貫通孔９１１を形成し、該貫通孔９１１内にシールド導体を有さない部品９５０を配置したものである。

【0041】

実施例１は、図１７に示すように、前記比較例２に対して、部品９５０の表面であって少なくとも信号線９３０の投影領域にシールド導体９５１を形成したものである。該シールド導体９５１の幅は２００μｍとした。実施例１における信号線９３０の幅は各比較例と同じ４５μｍとした。

【0042】

実施例２及び３は、図１８に示すように、前記実施例１に対して、信号線９３０の幅を貫通孔９１１と対向する領域においては他の領域よりも太くしている。貫通孔９１１と対向する領域における信号線９０３の幅は、実施例２では１００μｍ、実施例３では１２０μｍとした。貫通孔９１１と対向しない領域における信号線９０３の幅は、前記実施例１と同じ４５μｍとした。なお、図１６〜図１８では、説明の簡単のため、絶縁体層９２０を透過して記載している点に注意されたい。

【0043】

このような環境において、各比較例及び各実施例について信号線９３０の特性インピーダンスを１００ＭＨｚから６ＧＨｚの範囲でシミュレーションにより求めた。図１９にシミュレーション結果を示す。図１９から明らかなように、本発明に係る実施例１〜３の特性インピーダンスは、各比較例よりも低く且つ安定していることが分かった。特に、実施例２及び３の特性インピーダンスは、実施例１よりも更に低く且つ安定していることが分かった。このことは、所望の特性インピーダンスを得るためには、本発明に係る実施例１〜３は各比較例よりも絶縁体層９２０を薄くできることを意味する。したがって、本発明では、貫通孔９１１が形成されたコア層９１０を有する回路基板９００において、貫通孔９０１と対向する領域にも信号線９３０を形成することが可能であるので実装密度が向上するとともに、回路基板９００の厚みも小さく抑えることができることが分かった。

【符号の説明】

【0044】

１００，１１０，１２０，１３０，１４０…部品内蔵回路基板、２００…コア層、２０１…貫通孔、３００，４００…積層体層、３１１，３１２，４１１，４１２…絶縁体層、３２１，３２２，４２１，４２２…導体層、５００…部品、５１０…グランド導体、６１０…信号線

【要約】

【課題】高い実装密度及び薄型化を実現できる部品内蔵回路基板を提供する。
【解決手段】部品内蔵回路基板１００は、貫通孔２０１が形成された導体層であるコア層２００を含み、貫通光２０１に部品５００が配置されている。コア層２００に対向する導体層４２１であって貫通孔２０１を厚み方向に投影した領域には、高周波信号を伝送する信号線６１０が形成されており、部品５００は、前記信号線６１０を厚み方向に投影した領域の少なくとも一部に形成されたグランドとして機能するグランド導体５１０を備えた。
【選択図】図３

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】

【図11】

【図12】

【図13】

【図14】

【図15】

【図16】

【図17】

【図18】

【図19】