特許第5752743号(P5752743)IP Force 特許公報掲載プロジェクト 2022.1.31 β版

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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】特許公報(B2)
(11)【特許番号】5752743
(24)【登録日】2015年5月29日
(45)【発行日】2015年7月22日
(54)【発明の名称】観察装置
(51)【国際特許分類】
   C30B 13/30 20060101AFI20150702BHJP
【FI】
   C30B13/30
【請求項の数】5
【全頁数】10
(21)【出願番号】特願2013-113114(P2013-113114)
(22)【出願日】2013年5月29日
(65)【公開番号】特開2014-231458(P2014-231458A)
(43)【公開日】2014年12月11日
【審査請求日】2013年5月29日
(73)【特許権者】
【識別番号】000110859
【氏名又は名称】キヤノンマシナリー株式会社
(74)【代理人】
【識別番号】100107423
【弁理士】
【氏名又は名称】城村 邦彦
(74)【代理人】
【識別番号】100120949
【弁理士】
【氏名又は名称】熊野 剛
(74)【代理人】
【識別番号】100148987
【弁理士】
【氏名又は名称】前田 礼子
(72)【発明者】
【氏名】野口 俊司
【審査官】 宮崎 園子
(56)【参考文献】
【文献】 特開2001−259883(JP,A)
【文献】 特開昭63−130271(JP,A)
【文献】 特開昭61−078571(JP,A)
【文献】 特開平11−277231(JP,A)
【文献】 特開2009−173485(JP,A)
【文献】 特開2001−261478(JP,A)
【文献】 国際公開第2011/086851(WO,A1)
(58)【調査した分野】(Int.Cl.,DB名)
C30B 13/30
(57)【特許請求の範囲】
【請求項1】
単結晶育成装置における試料溶融部及び結晶育成部の高輝度部と低輝度部とが混在する被観察部位を観察する観察装置であって、
高輝度部のエリアと低輝度部のエリアを指定するエリア指定手段を有し、当該エリア指定手段で指定された高輝度部のエリア及び低輝度部のエリアを観察する観察手段と、
当該観察手段で観察された高輝度部のエリアの光量と低輝度部のエリアの光量を同一乃至近似させる調整手段と、
前記調整手段にて光量が同一乃至近似された両エリアを前記観察手段にて観察してこの両エリアを同時に映し出すモニタ手段とを備えたことを特徴とする観察装置。
【請求項2】
前記調整手段は、前記観察手段を構成するカメラの感度を調整することを特徴とする請求項1に記載の観察装置。
【請求項3】
前記調整手段は、前記観察手段にて取り込んだ画像のソフト処理にて行うことを特徴とする請求項1に記載の観察装置。
【請求項4】
前記調整手段にて調整するエリアは高輝度部エリアであることを特徴とする請求項1に記載の観察装置。
【請求項5】
前記単結晶育成装置は、加熱手段としてレーザ光を用いることを特徴とする請求項1に記載の観察装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、観察装置に関し、特に、単結晶育成装置における試料溶融部及び結晶育成部を観察する観察装置に関する。
【背景技術】
【0002】
単結晶育成装置は、図9及び図10に示すように、対称形の2つの楕円面鏡81,82を有し、各々の一方の焦点F0,F0(図9参照)が一致するように対向結合させて加熱炉を構成する。この回転楕円面鏡81,82の内面、すなわち反射面は、赤外線を高反射率で反射させるために金めっき処理が施されている。各回転楕円面鏡81,82の他方の焦点F1,F2付近には、加熱源、例えば、ハロゲンランプ等の赤外線ランプ83,84が固定配置してある。各回転楕円面鏡81,82の一致した焦点F0(図10参照)には被加熱部85が位置し、上方から鉛直方向に延びる上結晶駆動軸86の下端に固定した原料棒87と、下方から鉛直方向に延びる下結晶駆動軸88の上端に固定された種結晶棒89とを突き合わせてある。前記上結晶駆動軸86および下結晶駆動軸88は、図示するように、保持部材90,91によって気密に保持され、図示しないサーボモータ等の駆動モータで回転自在、かつ、同期または相対速度を有して昇降自在に保持されている。
【0003】
前記原料棒87および種結晶棒89が配置された空間m1を、赤外線ランプ83,84が配置された空間m2と区画して、単結晶育成室92を形成する透明な石英管93を設けて、上記単結晶育成室92に結晶育成に対して好適な不活性ガス等を充満させる。
【0004】
この単結晶育成装置によれば、回転楕円面鏡81,82の第1,第2の焦点F1,F2に配置された赤外線ランプ83,84から照射される赤外線を、上記回転楕円面鏡81,82で反射させ、共通の焦点F0に位置する被加熱部85に集光させて赤外線加熱する。この赤外線加熱による輻射エネルギーにより、被加熱部85の原料棒87の下端および種結晶棒89の上端を加熱溶融させながら、円滑に接触させることにより、原料棒87と種結晶棒89間の被加熱部85に溶融帯を形成させる。
【0005】
そして、下端に原料棒87を固定した上結晶駆動軸86と上端に種結晶棒89を固定した下結晶駆動軸88とを共に回転させ、かつ、同期または相対速度を有してゆっくり下方に向かって移動させることによって、原料棒87と種結晶棒89間の溶融帯94が次第に原料棒87側に移動し、その後、結晶が成長して単結晶が育成される。なお、図11における87aは原料棒87側の固液界面を示し、89aは種結晶棒89側の固液界面を示している。
【0006】
前記単結晶育成装置では、加熱源に赤外線ランプ83,84を用いていた。これに対して、近年では、加熱源としてレーザ源を用いたものがある(特許文献1)。赤外線ランプなどの加熱源に比較して、レーザ源の全加熱エネルギーを直接、被加熱部に供給することができ、従来の回転楕円面鏡が不要で構成が著しく簡単になり、点検や保守も容易になる。また、レーザ源はレーザの直進性によりその配設位置が、従来の赤外線ランプのように回転楕円面鏡の一方の焦点に限定されないので、被加熱部から離隔して配設することが可能で、複数のレーザ源を被加熱部の周囲に配置することが容易に実現可能になる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0007】
【特許文献1】特開2007−145629号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0008】
ところが、レーザ源による溶融の場合、集光された焦点のみ試料の溶融が行われることになる。このため、試料溶融部は発熱により高輝度となる。これに対して、結晶成長後の固化部(ファセット形成部)は発熱が無く低輝度である。また、可視反射光も存在しない。すなわち、図7に示すように、試料溶融部(溶融位置)100での光量が大であり、ファセット形成部101での光量はほぼ0である。
【0009】
このような状態において、試料溶融部100と固化部101とを同一カメラで観察しようとすると、コントラスト差が大きく、試料溶融部100と固化部101との同時観察を行えなかった。すなわち、図8に示すように、溶融部100のハレーション102により同時に観察することができない。この場合、溶融部100のハレーション102を抑える操作を行えば、固化部101が暗くなりすぎて観察できない。
【0010】
本発明は、上記課題に鑑みて、一視野内でコントラスト差のある対象物を同時観察が可能な観察装置を提供する。
【課題を解決するための手段】
【0011】
本発明の観察装置は、高輝度部と低輝度部とが混在する被観察部位を観察する観察装置であって、高輝度部のエリア及び低輝度部のエリアを観察する観察手段と、高輝度部のエリアの光量と低輝度部のエリアの光量を同一乃至近似させる調整手段と、調整手段にて光量が同一乃至近似された両エリアを観察手段に観察してこの両エリアを同時に映し出すモニタ手段とを備えたものである。
【0012】
本発明の観察装置によれば、調整手段にて、高輝度部のエリアと低輝度部のエリアとも光量をほぼ同じにすることができる。観察手段にて、光量をほぼ同じとした高輝度部のエリアと低輝度部のエリアとの観察ができる。そして、モニタ手段にて、観察手段に観察された両エリアを同時に映し出すことができる。
【0013】
被観察部位内において、高輝度部のエリア又は低輝度部のエリアを指定するエリア指定手段を備え、前記調整手段がエリア指定手段にて指定されたエリアの光量を他方のエリアの光量に近づけて、観察手段にて、調整手段にて光量が調整されたエリアと、調整手段にて光量が調整されていないエリアとを観察するものであってもよい。
【0014】
調整手段は、観察手段を構成するカメラの感度を調整するものとできる。ここで、カメラとしては、CCDカメラやCMOSカメラで構成できる。カメラの感度を調整としては、フィルタ等を用いることができる。また、調整手段は、観察手段にて取り込んだ画像のソフト処理にて行うことも可能である。ソフト処理として、パソコン(パーソナルコンピュータ)にて行わせることができる。調整手段にて調整するエリアは高輝度部エリアであるのが好ましい。
【0015】
本発明の観察方法は、高輝度部と低輝度部とが混在する被観察部位を観察する観察方法であって、高輝度部のエリアの光量と低輝度部のエリアの光量を同一乃至近似させた後、高輝度部のエリアと低輝度部のエリアとを同時に映し出すものである。
【0016】
この観察方法では、高輝度部のエリアの光量を低輝度部のエリアの光量に近づけた後、高輝度部のエリアと低輝度部のエリアとを同時に映し出すことができる。
【0017】
また、高輝度部と低輝度部とが混在する被観察部位を、単結晶育成装置における試料溶融・結晶育成部とすることができる。また、単結晶育成装置は、加熱手段としてレーザ光を用いることができる。
【発明の効果】
【0018】
本発明では、観察手段に観察された両エリア(高輝度部のエリアと低輝度部のエリア)を、ほぼ同じ光量で同時に映し出すことができるので、一視野内でコントラスト差のある対象物(被観察部位)を同時観察することができる。
【0019】
エリア指定手段にて指定されたエリアの光量を他方のエリアの光量に近づけるものでは、制御性に安定する。また、調整手段は、観察手段を構成するカメラの感度を調整することででき、観察手段にて取り込んだ画像のソフト処理にて行うことででき、調整手段を簡単に構成できる。
【0020】
単結晶育成装置において、加熱手段としてレーザ光を用いた場合、試料溶融部は発熱によって高輝度となり、結晶成長後の固化部(ファセット形成部)は発熱が無く低輝度となる。このため、高輝度部と低輝度部とが混在する被観察部位として、加熱手段としてレーザ光を用いた単結晶育成装置における試料溶融部及び結晶育成部に最適となる。
【図面の簡単な説明】
【0021】
図1】本発明の実施形態を示す観察装置の構成を示す簡略ブロック図である。
図2】前記観察装置の要部断面図である。
図3】前記観察装置の要部断簡略平面図である。
図4】本発明の実施形態を示す観察方法を示す簡略ブロック図である。
図5】前記観察装置にて試料を観察している状態のモニタ画面図である。
図6】本発明の他の実施形態を示す観察装置の構成を示す簡略ブロック図である。
図7】試料溶融部を示す簡略斜視図である。
図8】従来の観察方法で試料を観察している状態のモニタ画面図である。
図9】従来の単結晶育成装置の断面図である。
図10】前記図9のD−D線断面図である。
図11】単結晶育成試料の溶融部乃至固化部を示す拡大図である。
【発明を実施するための形態】
【0022】
以下本発明の実施の形態を図1図6に基づいて説明する。
【0023】
図2図3とは、加熱手段としてレーザ光を用いる単結晶育成装置を示し、この場合、レーザ源11(11A,11B,11C,11D,11E)を図3に示すように、例えば周方向に沿って所定ピッチ(具体的には、72度ピッチ)で5機配設されている。レーザ光照射部14は、上方から鉛直方向に延びる上結晶駆動軸15の下端に固定した原料棒16と、下方から鉛直方向に延びる下結晶駆動軸17の上端に固定された種結晶棒18とを突き合わせたものである。前記上結晶駆動軸15および下結晶駆動軸17は、保持部材19,20によって気密に保持され、図示しないサーボモータ等の駆動モータで回転自在、かつ、同期あるいは非同期で、昇降自在に保持されている。
【0024】
前記原料棒16および種結晶棒18が配置された空間m1を、レーザ源11が配置された空間m2と区画して、単結晶育成室21を形成する透明な石英管22を設けて、上記単結晶育成室21に結晶育成に対して好適な雰囲気ガスを充満させている。
【0025】
前記の単結晶育成装置によれば、レーザ源11(11A,11B,11C,11D,11E)から照射されるレーザL(L1、L2,L3,L4,L5)を、被加熱部14に集中させてレーザ加熱する。そして、下端に原料棒16を固定した上結晶駆動軸15と上端に種結晶棒18を固定した下結晶駆動軸17とを回転させ、かつ、同期あるいは非同期で、ゆっくり下方に向かって移動させる。
【0026】
前記単結晶育成装置には、図1に示すように、試料溶融部及び結晶育成部(被加熱部14であって、観察部位S)を観察する観察装置を備えている。観察装置は、試料溶融部及び結晶育成部を観察する観察手段26と、前記観察手段26における観察エリアに光量を調整する調整手段27と、観察手段26に観察された映し出すモニタ手段28とを備えたものである。すなわち、レーザ光照射によって、試料は、溶解部24と、結晶成形後の固化部(ファセット形成部)25とが形成される。
【0027】
この場合、溶解部24は発熱により高輝度となり、固化部25は発熱がなく低輝度となる。このため、観察エリアには、図5に示すように、高輝度のエリアH1と、低輝度のエリアH2とがあり、この観察装置には、図1に示すように、エリアH1、H2を指定する指定手段30を備える。前記観察手段26は、図5に示す高輝度のエリアH1と、低輝度のエリアH2とを観察可能となっている。具体的には、CCDカメラやCMOSカメラ等で構成できる。指定手段30としては、CPU(Central Processing Unit)を中心としてROM(Read Only Memory)やRAM(Random Access Memory)等がバスを介して相互に接続されたマイクロコンピューターからなる制御手段にて構成できる。また、この制御手段には記憶手段が接続される。記憶手段としての記憶装置は、HDD(Hard Disc Drive)やDVD(Digital Versatile Disk)ドライブ、CD−R(Compact Disc-Recordable)ドライブ、EEPROM(Electronically Erasable and Programmable Read Only Memory)等からなる。なお、ROMには、CPUが実行するプログラムやデータが格納されている。
【0028】
調整手段27が、図5に示す高輝度のエリアH1の光量を落とすものであり、CCDカメラやCMOSカメラ等で構成される観察手段26に付設される絞り用のフィルターをもって構成できる。すなわち、カメラの撮像素子の感度を落とすことになる。
【0029】
そして、調整手段27としては、高輝度のエリアH1の光量を落として、低輝度のエリアH2の光量に近づける。ここで、近づけるとは、観察手段26を構成するCCDカメラやCMOSカメラ等の一つの同一カメラで、高輝度のエリアH1と低輝度のエリアH2とが観察可能となればよい。このため、高輝度のエリアH1の光量と、低輝度のエリアH2の光量とが同一であっても、多少相違するものであってもよい。
【0030】
モニタ手段28とは、図5に示すようなモニタ画面(ディスプレイ画面)Mを備えたものであり、観察手段26にて撮影された画像であって、調整手段27によって、光量が調整された画像がモニタ画面Mに表示される。
【0031】
次に、前記のように構成された観察装置に用いた観察方法を図4を用いて説明する。観察手段26にて撮影された画像を映し出すモニタ画面M上において、前記指定手段30により、高輝度のエリアH1を指定する(ステップS1)。高輝度のエリアH1は、溶解部24を含むものである。その後、この高輝度のエリアH1の光量を調整する(ステップS2)。この場合、観察手段26を構成するカメラの撮像素子の感度を落すことになる。
【0032】
そして、この高輝度のエリアH1の光量を落とした画像を、観察手段26を構成するカメラに取り込み(ステップS3)、この画像をモニタ画面上に表示する(ステップS4)。
【0033】
このように、前記観察装置を用いた観察方法では、調整手段27には、高輝度部のエリアH1と低輝度部のエリアH2とも光量をほぼ同じにすることができる。観察手段26にて、光量をほぼ同じとした高輝度部のエリアH1と低輝度部のエリアH2との観察ができる。そして、モニタ手段28にて、観察手段26に観察された両エリアを同時に映し出すことができる。
【0034】
このように、本発明では、観察手段26に観察された両エリア(高輝度部のエリアH1と低輝度部のエリアH2)をほぼ同一の光量で同時に映し出すことができるので、一視野内でのコントラスト差のある対象物(被観察部位S)を同時観察することができる。このため、作業者(オペレータ)は、溶解部24と結晶成形後の固化部(ファセット形成部)25とを同時に観察でき、これらの部位の状態を的確に把握できる。そして、この観察に基づいて、単結晶育成装置におけるレーザ光の照射エネルギーを調整したり、下端に原料棒16と下結晶駆動軸17との回転速度や下降速度を調整する。このため、安定して高精度に単結晶の育成が可能となる。
【0035】
エリア指定手段30にて指定されたエリアの光量を他方のエリアの光量に近づけるものでは、制御性に安定する。また、調整手段27は、観察手段26を構成するカメラの感度を調整するこができ、調整手段26を簡単に構成できる。
【0036】
このように、単結晶育成装置において、加熱手段としてレーザ光を用いた場合、試料溶融部は発熱によって高輝度となり、結晶成長後の固化部(ファセット形成部)は発熱が無く低輝度とたる。このため、高輝度部と低輝度部とが混在する被観察部位として、加熱手段としてレーザ光を用いた単結晶育成装置における試料溶融部及び結晶育成部に最適となる。
【0037】
調整手段27として、観察手段26にて取り込んだ画像のソフト処理にて行うことができる。すなわち、図6に示すように、観察手段26を構成するカメラと、モニタ手段28との間に、パソコン(パーソナルコンピュータ)等からなる調整手段27を介在させたものであってもよい。そして、調整手段27に予めプログラムされたソフト演算処理手段によって、撮像素子の感度を落とす効果を奏するソフト処理を行うようにする。このように、ソフト処理にて行っても、調整手段26を簡単に構成できる。また、この調整手段27として、前記指定手段30を構成する制御手段にて構成してもよく、調整手段27にて構成したパソコンにて、前記指定手段30を構成してもよい。
【0038】
前記実施形態では、高輝度のエリアH1の光量の調整(下げる調整)を行っていたが、逆に、高輝度のエリアH1の光量を調整することなく、低輝度のエリアH2の光量を調整するようにしてもよい。すなわち、低輝度のエリアH2の光量を上げるようにしてもよい。このように、低輝度のエリアH2の光量を上げようにして、高輝度のエリアH1の光量と低輝度のエリアH2の光量とを同一乃至近似させるようにすれば、観察手段26を構成するCCDカメラやCMOSカメラ等の一つの同一カメラで、高輝度のエリアH1と低輝度のエリアH2とが観察可能となる。
【0039】
また、高輝度のエリアH1の光量と低輝度のエリアH2の光量との両者を調整するようにしてもよい。この場合でも、輝度のエリアH1の光量と低輝度のエリアH2の光量とを同一乃至近似させることができ、観察手段26を構成するCCDカメラやCMOSカメラ等の一つの同一カメラで、高輝度のエリアH1と低輝度のエリアH2とが観察可能となる。
【0040】
以上、本発明の実施形態につき説明したが、本発明は前記実施形態に限定されることなく種々の変形が可能であって、例えば、使用するレーザとしては、固体レーザ、半導体レーザ、液体レーザ、又は気体レーザ等の種々のレーザを用いることができる。また、前記図2に示す単結晶育成装置では、レーザ源11が、試料の周方向に沿って72度ピッチで、5機配置されて、5方向からレーザ光を照射するものであったが、これに限るものではなく、試料の周りに配設されるレーザ源11の数の増減は任意である。
【0041】
また、本発明の観察装置としては、単結晶育成装置に限るものではなく、高輝度部と低輝度部とが混在する被観察部位を観察するものであればよく、例えば、溶接部(アーク溶接部)等の観察に用いてもよい。
【符号の説明】
【0042】
26 観察手段
27 調整手段
28 モニタ手段
30 指定手段
S 被観察部材
図1
図2
図3
図4
図5
図6
図7
図8
図9
図10
図11