特許5753649欠陥密度が低い単結晶シリコンから得られるシリコン・オン・インシュレーター構造体

発明の名称　欠陥密度が低い単結晶シリコンから得られるシリコン・オン・インシュレーター構造体

出願人　エムイーエムシー・エレクトロニック・マテリアルズ・インコーポレイテッド　（識別番号 392026316）

　　　　特許公開件数ランキング 31340 位（0件）（共同出願を含む）

　　　　特許取得件数ランキング 25341 位（0件）（共同出願を含む）

公報番号　特許-5753649

公報発行日　2015年7月22

公報URL　https://ipforce.jp/patent-jp-B9-5753649

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