特許第5756405号(P5756405)IP Force 特許公報掲載プロジェクト 2022.1.31 β版

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特許5756405酸化物超電導導体用配向膜下地層の成膜方法、酸化物超電導導体用配向膜付き基材の製造方法、酸化物超電導導体用配向膜付き基材、および酸化物超電導導体用配向膜下地層の成膜装置
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  • 特許5756405-酸化物超電導導体用配向膜下地層の成膜方法、酸化物超電導導体用配向膜付き基材の製造方法、酸化物超電導導体用配向膜付き基材、および酸化物超電導導体用配向膜下地層の成膜装置 図000003
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