特許第5756667号(P5756667)IP Force 特許公報掲載プロジェクト 2022.1.31 β版

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特許5756667凹部バリア層を備えた高電子移動度トランジスタ
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  • 特許5756667-凹部バリア層を備えた高電子移動度トランジスタ 図000002
  • 特許5756667-凹部バリア層を備えた高電子移動度トランジスタ 図000003
  • 特許5756667-凹部バリア層を備えた高電子移動度トランジスタ 図000004
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