特許 5759231 めっき装置、めっき方法および配線回路基板の製造方法

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】特許公報(B2)

(11)【特許番号】5759231

(24)【登録日】2015年6月12日

(45)【発行日】2015年8月5日

(54)【発明の名称】めっき装置、めっき方法および配線回路基板の製造方法

(51)【国際特許分類】

   C23C 18/31 20060101AFI20150716BHJP

   C23C 18/32 20060101ALI20150716BHJP

【ＦＩ】

   C23C18/31 E

   C23C18/32

【請求項の数】7

【全頁数】13

(21)【出願番号】特願2011-82643(P2011-82643)

(22)【出願日】2011年4月4日

(65)【公開番号】特開2012-219274(P2012-219274A)

(43)【公開日】2012年11月12日

【審査請求日】2014年1月17日

(73)【特許権者】

【識別番号】000003964

【氏名又は名称】日東電工株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】100098305

【弁理士】

【氏名又は名称】福島 祥人

(72)【発明者】

【氏名】恒川 誠

【審査官】 粟野 正明

(56)【参考文献】

【文献】 特開平０３−２７１３９３（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開平０１−１７２５７７（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開昭６３−１１１１７９（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開昭６２−２５６９６８（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開昭５７−１４５９６９（ＪＰ，Ａ）

(58)【調査した分野】（Int.Cl.，ＤＢ名）

Ｃ２３Ｃ１８／００−２０／０８

(57)【特許請求の範囲】

【請求項1】

導電性部分を有する被めっき対象にめっきを行うためのめっき装置であって、
ニッケルイオンを含む無電解めっき液を収容するめっき槽と、
前記めっき槽内の無電解めっき液に接するように配置される参照電極と、
前記めっき槽内の無電解めっき液に接するように配置される対極と、
前記被めっき対象の前記導電性部分と前記対極との間に流れる電流を制御することにより前記参照電極の電位を基準とする前記被めっき対象の前記導電性部分の電位をニッケルの析出電位以下の一定の値に保持するように構成された制御部とを備えることを特徴とするめっき装置。

【請求項2】

前記析出電位以下の一定の値は、−０．７５Ｖ以下の一定の値であることを特徴とする請求項１記載のめっき装置。

【請求項3】

前記制御部は、前記被めっき対象の導電性部分、前記参照電極および前記対極に接続されるポテンショスタットを含むことを特徴とする請求項１または２記載のめっき装置。

【請求項4】

導電性部分を有する被めっき対象にめっきを行うためのめっき方法であって、
ニッケルのイオンを含む無電解めっき液をめっき槽に収容する工程と、
前記めっき槽内の無電解めっき液に接するように参照電極および対極を配置する工程と、
前記めっき槽内の無電解めっき液に被めっき対象を浸漬させる工程と、
前記被めっき対象の前記導電性部分と前記対極との間に流れる電流を制御することにより前記参照電極の電位を基準とする前記被めっき対象の前記導電性部分の電位をニッケルの析出電位以下の一定の値に保持する工程とを備えることを特徴とするめっき方法。

【請求項5】

前記析出電位以下の一定の値は、−０．７５Ｖ以下の一定の値であることを特徴とする請求項４記載のめっき方法。

【請求項6】

前記電位をニッケルの析出電位以下の一定の値に保持する工程は、ポテンショスタットを用いて前記被めっき対象の前記導電性部分と前記対極との間に流れる電流を制御する工程を含むことを特徴とする請求項４または５記載のめっき方法。

【請求項7】

絶縁層上に所定のパターンを有する導体層を形成する工程と、
前記導体層の表面に請求項４〜６のいずれかに記載のめっき方法により金属薄膜を形成する工程とを備えることを特徴とする配線回路基板の製造方法。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、めっき装置、めっき方法および配線回路基板の製造方法に関する。

【背景技術】

【0002】

通常、無電解めっきでは、被めっき物の表面に触媒を付着させた後、その被めっき物を無電解めっき液に浸漬させ、電流を流すことなく還元反応により被めっき物の表面に金属を析出させる。無電解めっきによれば、絶縁物の表面にも金属被膜を形成することが可能である。そのため、無電解めっきは、産業界で広く利用されている。

【0003】

近年、様々な電子機器に高密度化および高精細化された配線回路基板が用いられている。配線回路基板の製造時には、銅からなる配線パターンの表面にニッケルまたはクロム等の金属薄膜が無電解めっきにより形成される。この場合、通電が困難な微小な導体部分および絶縁体部分にも、金属薄膜の形成が可能となる。

【0004】

無電解めっきでは、電解めっきに比べて金属薄膜の成長速度は遅いが、面内での厚みのばらつきが小さいことから、大きな厚みを必要としない均一な金属薄膜の形成には有用である。

【0005】

特許文献１には、無電解めっきにより形成される金属薄膜の厚さを最適値に制御するために、無電解めっき液の析出速度を測定する無電解めっき析出速度測定装置が記載されている。その無電解めっき析出速度測定装置では、無電解めっき液中の電極対間に周期的に電圧を印加することにより分極抵抗を測定し、測定した分極抵抗に基づいて無電解めっき液の析出速度を算出する。特許文献１には、算出された析出速度を用いることにより、無電解めっきにより形成される金属薄膜の厚さを最適値に制御することができると記載されている。

【0006】

無電解めっき液中に参照電極を配置した状態で、無電解めっき液中に被めっき物を浸漬させると、被めっき物と参照電極との間に例えば約−４５０Ｖの電位差が生じる。この電位差は、数十秒程度の過渡期間の経過後に例えば約−９５０Ｖ程度で定常状態となる。それにより、めっき処理の化学反応が開始される。

【0007】

しかしながら、この過渡期間は、無電解めっき液の成分、温度および水素イオン指数等の要因に影響される。そこで、特許文献２に記載された無電解めっき装置では、無電解めっき液と接触する第１の電極、および被めっき物と接触する第２の電極を備える。第２の電極に安定化電源により−９５０Ｖの電圧が２秒間印加される。それにより、めっき処理の化学反応が強制的に開始される。このようにして、めっき時間を管理することができる。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0008】

【特許文献1】特開平４−１５２２６１号公報

【特許文献2】特開平１−２７５７７１号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0009】

上記のように、特許文献１の無電解めっき析出速度測定装置を用いると、無電解めっき液中の金属の析出速度を測定することができる。また、特許文献２の無電解めっき装置を用いると、特定のタイミングでめっき処理の化学反応を強制的に開始させることができる。

【0010】

しかしながら、無電解めっきは、化学反応によるめっきであるため、無電解めっき液が使用とともに劣化する。無電解めっき液の劣化状態により析出速度が異なる。それにより、無電解めっきにより形成される金属薄膜の厚みにばらつきが生じる。金属薄膜の厚みを均一にするためには、被めっき対象の搬送速度またはめっき時間を変化させる必要がある。そのため、被めっき対象の搬送速度またはめっき時間の制御が複雑になる。

【0011】

本発明の目的は、簡単な制御で被めっき対象の表面に均一に金属薄膜を形成することが可能なめっき装置、めっき方法およびそれを用いた配線回路基板の製造方法を提供することである。

【課題を解決するための手段】

【0012】

［１］本発明
（１）第１の発明に係るめっき装置は、導電性部分を有する被めっき対象にめっきを行うためのめっき装置であって、ニッケルイオンを含む無電解めっき液を収容するめっき槽と、めっき槽内の無電解めっき液に接するように配置される参照電極と、めっき槽内の無電解めっき液に接するように配置される対極と、被めっき対象の導電性部分と対極との間に流れる電流を制御することにより参照電極の電位を基準とする被めっき対象の導電性部分の電位をニッケルの析出電位以下の一定の値に保持するように構成された制御部とを備えるものである。
そのめっき装置においては、参照電極の電位を基準とする被めっき対象の導電性部分の電位がニッケルの析出電位以下の一定の値に保持される。それにより、ニッケルイオンを含む無電解めっき液の状態が変化した場合でも、被めっき対象の導電性部分での金属の析出速度が一定に保たれる。したがって、簡単な制御で被めっき対象の導電性部分に均一に金属薄膜を形成することができる。
（２）析出電位以下の一定の値は、−０．７５Ｖ以下の一定の値であってもよい。
（３）制御部は、被めっき対象の導電性部分、参照電極および対極に接続されるポテンショスタットを含んでもよい。
この場合、ポテンショスタットが被めっき対象の導電性部分と対極との間に流れる電流を制御することにより、参照電極の電位を基準とする被めっき対象の導電性部分の電位を容易にニッケルの析出電位以下の一定の値に保持することが可能となる。
（４）第２の発明に係るめっき方法は、導電性部分を有する被めっき対象にめっきを行うためのめっき方法であって、ニッケルのイオンを含む無電解めっき液をめっき槽に収容する工程と、めっき槽内の無電解めっき液に接するように参照電極および対極を配置する工程と、めっき槽内の無電解めっき液に被めっき対象を浸漬させる工程と、被めっき対象の導電性部分と対極との間に流れる電流を制御することにより参照電極の電位を基準とする被めっき対象の導電性部分の電位をニッケルの析出電位以下の一定の値に保持する工程とを備えるものである。
そのめっき方法においては、参照電極の電位を基準とする被めっき対象の導電性部分の電位がニッケルの析出電位以下の一定の値に保持される。それにより、ニッケルのイオンを含む無電解めっき液の状態が変化した場合でも、被めっき対象の導電性部分での金属の析出速度が一定に保たれる。したがって、簡単な制御で被めっき対象の導電性部分に均一に金属薄膜を形成することができる。
（５）析出電位以下の一定の値は、−０．７５Ｖ以下の一定の値であってもよい。
（６）電位をニッケルの析出電位以下の一定の値に保持する工程は、ポテンショスタットを用いて被めっき対象の導電性部分と対極との間に流れる電流を制御する工程を含んでもよい。
この場合、ポテンショスタットにより被めっき対象の導電性部分と対極との間に流れる電流を制御することにより、参照電極の電位を基準とする被めっき対象の導電性部分の電位を容易にニッケルの析出電位以下の一定の値に保持することが可能となる。
（７）第３の発明に係る配線回路基板の製造方法は、絶縁層上に所定のパターンを有する導体層を形成する工程と、導体層の表面に第２の発明に係るめっき方法により金属薄膜を形成する工程とを備えるものである。
この場合、ニッケルのイオンを含む無電解めっき液の状態が変化する場合でも、簡単な制御で配線回路基板の導体層の表面に金属薄膜を均一に形成することが可能となる。
［２］参考形態
（１）第１の参考形態に係る無電解めっき装置は、導電性部分を有する被めっき対象に無電解めっきを行うための無電解めっき装置であって、無電解めっき液を収容するめっき槽と、めっき槽内の無電解めっき液に接するように配置される参照電極と、参照電極の電位を基準とする被めっき対象の導電性部分の電位を一定に保持する制御部とを備えるものである。

【0013】

その無電解めっき装置においては、参照電極の電位を基準とする被めっき対象の導電性部分の電位が一定に保持される。それにより、無電解めっき液の状態が変化した場合でも、被めっき対象の導電性部分での金属の析出速度が一定に保たれる。したがって、簡単な制御で被めっき対象の導電性部分に均一に金属薄膜を形成することができる。

【0014】

（２）無電解めっき装置は、めっき槽内の無電解めっき液に接するように配置される対極をさらに備え、制御部は、参照電極の電位を基準とする被めっき対象の導電性部分の電位が一定になるように被めっき対象の導電性部分と対極との間に流れる電流を制御してもよい。

【0015】

この場合、被めっき対象の導電性部分と対極との間に流れる電流を制御することにより、参照電極の電位を基準とする被めっき対象の導電性部分の電位を容易に一定に保持することが可能となる。

【0016】

（３）制御部は、被めっき対象の導電性部分、参照電極および対極に接続されるポテンショスタットを含んでもよい。

【0017】

この場合、ポテンショスタットが被めっき対象の導電性部分と対極との間に流れる電流を制御することにより、参照電極の電位を基準とする被めっき対象の導電性部分の電位を容易に一定に保持することが可能となる。

【0018】

（４）第２の参考形態に係る無電解めっき方法は、導電性部分を有する被めっき対象に無電解めっきを行うための無電解めっき方法であって、無電解めっき液をめっき槽に収容する工程と、めっき槽内の無電解めっき液に接するように参照電極を配置する工程と、めっき槽内の無電解めっき液に被めっき対象を浸漬させる工程と、参照電極の電位を基準とする被めっき対象の導電性部分の電位を一定に保持する工程とを備えるものである。

【0019】

その無電解めっき方法においては、参照電極の電位を基準とする被めっき対象の導電性部分の電位が一定に保持される。それにより、無電解めっき液の状態が変化した場合でも、被めっき対象の導電性部分での金属の析出速度が一定に保たれる。したがって、簡単な制御で被めっき対象の導電性部分に均一に金属薄膜を形成することができる。

【0020】

（５）無電解めっき方法は、めっき槽内の無電解めっき液に接するように対極を配置する工程をさらに備え、導電性部分の電位を一定に保持する工程は、参照電極の電位を基準とする被めっき対象の導電性部分の電位が一定になるように被めっき対象の導電性部分と対極との間に流れる電流を制御する工程を含んでもよい。

【0021】

この場合、被めっき対象の導電性部分と対極との間に流れる電流を制御することにより、参照電極の電位を基準とする被めっき対象の導電性部分の電位を容易に一定に保持することが可能となる。

【0022】

（６）電流を制御する工程は、ポテンショスタットを用いて被めっき対象の導電性部分と対極との間に流れる電流を制御する工程を含んでもよい。

【0023】

この場合、ポテンショスタットにより被めっき対象の導電性部分と対極との間に流れる電流を制御することにより、参照電極の電位を基準とする被めっき対象の導電性部分の電位を容易に一定に保持することが可能となる。

【0024】

（７）第３の参考形態に係る配線回路基板の製造方法は、絶縁層上に所定のパターンを有する導体層を形成する工程と、導体層の表面に第２の参考形態に係る無電解めっき方法により金属薄膜を形成する工程とを備えるものである。

【0025】

この場合、無電解めっき液の状態が変化する場合でも、簡単な制御で配線回路基板の導体層の表面に金属薄膜を均一に形成することが可能となる。

【発明の効果】

【0026】

本発明によれば、簡単な制御で被めっき対象の導電性部分に均一に金属薄膜を形成することができる。

【図面の簡単な説明】

【0027】

【図1】本発明の一実施の形態に係るめっき装置の構成を示す模式図である。

【図2】被めっき対象の一例を示す模式的断面図である。

【図3】実施例および比較例１，２，３で用いた長尺状基材の幅方向の断面図である。

【図4】実施例において図３の長尺状基材にめっきを行うために用いためっきシステムの概略図である。

【図5】比較例１において図３の長尺状基材にめっきを行うために用いためっきシステムの概略図である。

【図6】比較例２，３において図３の長尺状基材にめっきを行うために用いためっきシステムの概略図である。

【発明を実施するための形態】

【0028】

以下、本発明の実施の形態に係るめっき装置およびめっき方法について図面を参照しながら詳細に説明する。

【0029】

（１）めっき装置の構成
図１は本発明の一実施の形態に係るめっき装置の構成を示す模式図である。図１のめっき装置１は、被めっき対象として長尺状基材１０にめっきを行うために用いられる。

【0030】

図１のめっき装置１は、めっき槽２を備える。めっき槽２は、無電解めっき液３０を収容する。本実施の形態では、無電解めっき液３０は、ニッケル（Ｎｉ）のイオンを含む。

【0031】

めっき槽２の対向する一対の側壁にはそれぞ開口が設けられる。一方の開口を閉塞するように、水平方向に延びる一対の搬送ローラ２１，２２が回転可能に設けられる。また、他方の開口を閉塞するように水平方向に延びる一対の搬送ローラ２３，２４が回転可能に設けられる。

【0032】

送出ロール３１から長尺状基材１０が送り出される。長尺状基材１０は、一対の搬送ローラ２１，２２間、めっき槽２内および一対の搬送ローラ２３，２４間を通って巻取ロール３２により巻き取られる。送出ロール３１および巻取ロール３２が回転することにより、長尺状基材１０が矢印の方向に搬送される。送出ロール３１および巻取ロール３２の回転速度は、搬送制御装置７により制御される。それにより、長尺状基材１０の搬送速度が制御される。

【0033】

長尺状基材１０は、例えば、回路付きサスペンション基板の製造工程における半製品である。半製品は、例えばステンレスからなる長尺状の金属基板、例えばポリイミドからなる絶縁層および所定のパターンを有する例えば銅からなる導体層を順に備える。導体層は、例えば配線、パッド電極または接地導体である。

【0034】

めっき装置１は、ポテンショスタット３、一対の導通部材４、参照電極５および対極６を備える。一方の導通部材４は、めっき槽２の上流側で長尺状基材１０の導体層に電気的に接触するように設けられ、他方の導通部材４は、めっき槽２の下流側で長尺状基材１０の導体層に電気的に接触するように設けられる。この場合、長尺状基材１０の導体層が作用電極となる。

【0035】

参照電極５および対極６は、めっき槽２内の無電解めっき液３０中に浸漬される。参照電極５は、例えば飽和カロメル電極である。対極６は、例えば白金（Ｐｔ）からなる不溶性電極である。対極６はアノード（陽極）となり、長尺状基材１０の導体層がカソードとなる。

【0036】

導通部材４、参照電極５および対極６は、ポテンショスタット３に接続される。ポテンショスタット３は、参照電極５の電位を基準とする長尺状基材１０の導体層（作用電極）の電位が一定になるように、長尺状基材１０の導体層（作用電極）と対極６との間に流れる電流を制御する。すなわち、ポテンショスタット３は、長尺状基材１０の導体層と参照電極５との間の電位差を一定に保持する。参照電極５の電位を基準とする長尺状基材１０の導体層（作用電極）の電位は、−０．７５Ｖ以下の一定値に保持されることが好ましく、ニッケルの析出電位以下であれば任意の値に設定することができる。参照電極５の電位を基準とする長尺状基材１０の導体層（作用電極）の電位は、例えば約−０．８Ｖに保持される。

【0037】

（２）被めっき対象の一例およびめっき方法
図２は被めっき対象の一例を示す模式的断面図である。図２（ａ）はめっき前の被めっき対象を示し、図２（ｂ）はめっき後の被めっき対象を示す。

【0038】

図２の被めっき対象は、図１の長尺状基材１０を用いて形成される回路付きサスペンション基板である。図２には、回路付きサスペンション基板の一部が示される。図２（ａ）に示すように、長尺状基材１０は、例えばステンレスからなる金属基板１１を備える。金属基板１１上に、例えばポリイミドからなる絶縁層１２、銅からなる導体層１３、および例えばポリイミドからなる絶縁層１４が順に形成される。絶縁層１４は、導体層１３の表面の一部が露出するように設けられる。

【0039】

回路付きサスペンション基板の製造工程では、図２（ｂ）に示すように、導体層１３の露出した表面にめっきにより例えばニッケルから金属薄膜１５が形成される。金属薄膜１５の厚みは、例えば０．０３μｍ以上５μｍ以下である。

【0040】

長尺状基材１０のめっき時には、図１のめっき槽２内に無電解めっき液３０を収容する。また、無電解めっき液３０に接触するように、参照電極５および対極６を配置する。長尺状基材１０の導体層１３に電気的に接触するように導通部材４を配置する。

【0041】

本例では、長尺状基材１０の導体層１３の一部が金属基板１１に接続されている。この場合、導通部材４が金属基板１１に接触するように設けられてもよい。

【0042】

この状態で、長尺状基材１０がめっき槽２内の無電解めっき液３０中を一定速度で搬送されるように搬送制御装置７が送出ロール３１および巻取ロール３２を回転させる。長尺状基材１０の搬送中に、参照電極５の電位を基準とする長尺状基材１０の導体層１３の電位が一定となるように、ポテンショスタット３が長尺状基材１０の導体層１３と対極６との間に流れる電流を制御する。

【0043】

これにより、長尺状基材１０の導体層１３の露出した表面にニッケルからなる金属薄膜１５が形成される。

【0044】

（３）実施の形態の効果
本実施の形態に係るめっき装置１によれば、参照電極５の電位を基準とする長尺状基材１０の導体層１３の電位が一定に保持される。それにより、無電解めっき液３０の劣化が進んだ場合でも、無電解めっき液３０中の金属の析出速度が一定に保たれる。したがって、長尺状基材１０の搬送速度を変化させることなく、長尺状基材１０の導体層１３の表面に均一にニッケルからなる金属薄膜１５を形成することができる。その結果、めっき時に搬送制御装置７による長尺状基材１０の搬送速度の制御が簡単になる。

【0045】

また、ポテンショスタット３を用いることにより、参照電極５の電位を基準とする長尺状基材１０の導体層１３の電位を容易に一定に保持することができる。

【0046】

（４）他の実施の形態
上記実施の形態では、無電解めっき液３０がニッケルのイオンを含むが、これに限定されない。例えば、無電解めっき液３０が、金（Ａｕ）、Ｓｎ（錫）、銀（Ａｇ）、銅（Ｃｕ）、錫合金、または銅合金等の種々の金属のイオンまたは合金を含んでもよい。

【0047】

また、上記実施の形態では、被めっき対象が長尺状基材１０の銅からなる導体層１３であるが、被めっき対象の材料はこれに限定されない。被めっき対象の材料は、銅合金、ニッケル（Ｎｉ）、アルミニウム（Ａｌ）、銀（Ａｇ）、錫（Ｓｎ）または錫合金等の他の金属または合金であってもよい。

【0048】

さらに、上記実施の形態では、被めっき対象が回路付きサスペンション基板の半製品である長尺状基材１０であるが、被めっき対象はこれに限定されない。被めっき対象がフレキシブル配線回路基板、またはリジッド配線回路基板等の他の配線回路基板またはそれらの半製品であってもよい。また、被めっき対象は配線回路基板に限らず、めっき装置１を用いて種々の対象物にめっきを行うことができる。

【0049】

また、上記実施の形態では、ロール・トゥ・ロール方式により長尺状基材１０を搬送しつつ導体層１３にめっきを行う例について説明したが、本発明は、バッチ式のめっき装置にも適用可能である。バッチ式のめっき装置では、被めっき対象を搬送することなく、めっき槽内の無電解めっき液中に一定時間浸漬させる。この場合、無電解めっき液の劣化が進行しても、無電解めっき液中の金属の析出速度が一定に保たれる。したがって、無電解めっき液中への被めっき対象の浸漬時間を一定に管理することにより、被めっき対象の表面に均一に金属薄膜を形成することができる。

【0050】

さらに、上記実施の形態では、制御部の一例としてポテンショスタット３が用いられる。制御部として、ポテンショスタット３の代わりに他の制御回路が用いられてもよい。

【0051】

（５）実施例
実施例および比較例１，２，３では、図３の構成を有する長尺状基材１０の表面にめっきによりニッケルからなる金属薄膜を形成した。

【0052】

図３は実施例および比較例１，２，３で用いた長尺状基材１０の幅方向の断面図である。図３に示すように、長尺状基材１０はステンレスからなる金属基板１１を備える。金属基板１１上に、ポリイミドからなる絶縁層１２および銅からなる導体層１３が順に形成される。導体層１３は、図示しない部分で金属基板１１に電気的に導通している。長尺状基材１０の幅は、３０ｃｍである。

【0053】

以下のように、長尺状基材１０の導体層１３の表面にニッケルからなる金属薄膜をめっきにより形成した。

【0054】

図４は実施例において図３の長尺状基材１０にめっきを行うために用いためっきシステムの概略図である。

【0055】

図４のめっきシステムにおいては、めっき装置１の上流側に酸洗処理槽５１、水洗処理槽５２，５３、Ｐｄ（パラジウム）触媒処理槽５４および水洗処理槽５５が順に設けられる。めっき装置１の下流側に水洗処理槽５６，５７、エアーナイフ処理槽５８および乾燥処理槽５９が順に設けられる。めっき装置１の構成は、図１に示しためっき装置１の構成と同様である。

【0056】

送出ロール３１から送り出された長尺状基材１０が処理槽５１〜５５、めっき装置１および処理槽５７〜５９を通過して巻取ロール３２により巻き取られる。

【0057】

長尺状基材１０には、酸洗処理槽５１において酸洗処理が行われ、水洗処理槽５２，５３において水洗処理が行われる。さらに、Ｐｄ触媒処理槽５４において、長尺状基材１０の表面にパラジウム（Ｐｄ）触媒が付着される。めっき装置１において、上記実施の形態の方法により長尺状基材１０の導体層１３の表面にめっきによりニッケルからなる金属薄膜（Ｎｉ薄膜）が形成される。その後、水洗処理槽５６，５７において、長尺状基材１０に水洗処理が行われた後、エアーナイフ処理槽５８において、長尺状基材１０の表面に付着する水分が吹き飛ばされ、乾燥処理槽５９において長尺状基材１０が乾燥される。

【0058】

図５は比較例１において図３の長尺状基材１０にめっきを行うために用いためっきシステムの概略図である。

【0059】

図５のめっきシステムにおいては、図４のめっき装置１の代わりにめっき装置１Ａが設けられる。めっき装置１Ａは、無電解めっき液を収容するめっき槽２を備える。めっき装置１Ａには、図４のポテンショスタット３、導通部材４、参照電極５および対極６が設けられない。

【0060】

図６は比較例２，３において図３の長尺状基材１０にめっきを行うために用いためっきシステムの概略図である。

【0061】

図６のめっきシステムにおいては、図４のめっき装置１の代わりにめっき装置１Ｂが設けられる。めっき装置１Ｂにおいては、図４のポテンショスタット３の代わりに整流器８が設けられる。整流器８は、導通部材４および対極６に接続される。また、図４の参照電極５は設けられない。

【0062】

実施例および比較例１〜３において、Ｐｄ触媒として、奥野製薬株式会社製ＩＣＰアクセラを用い、Ｐｄ触媒処理槽５４にて、３０℃で１分間触媒処理を行った。また、Ｎｉを含む無電解めっき液として、奥野製薬株式会社製ＩＣＰニコロンＦＰＦを用い、めっき装置１，１Ａ，１Ｂにて、８２℃で６分間めっきを行った。長尺状基材１０の搬送速度は、１ｍ／分（一定）とした。

【0063】

実施例では、図４のポテンショスタット３により参照電極５の電位を基準とする長尺状基材１０の導体層１３の電位を−０．８３Ｖで一定に保持した。

【0064】

比較例１では、長尺状基材１０の導体層１３の電位を制御しなかった。比較例２では、図６の整流器８によりめっきの開始後の３０秒間、７０ｍＡの電流を対極６と長尺状基材１０の導体層１３との間に流した。比較例３では、図６の整流器８によりめっきの期間中に、継続して７０ｍＡの電流を対極６と長尺状基材１０の導体層１３との間に流した。

【0065】

実施例および比較例１〜３において長尺状基材１０の導体層１３の表面に形成されたＮｉ薄膜の平均の厚みを表１に示す。

【0066】

【表1】

【0067】

無電解めっき液が新しい時点（新液時）、長尺状基材１０を１０００ｍめっき処理した時点、長尺状基材１０を２０００ｍめっき処理した時点、および長尺状基材１０を３０００ｍめっき処理した時点で長尺状基材１０の導体層１３の表面に形成されたＮｉ薄膜の平均厚みをそれぞれ測定した。Ｎｉ薄膜の平均厚みは、長尺状基材１０の幅方向の複数の位置におけるＮｉ薄膜の厚みの平均値である。

【0068】

表１に示されるように、実施例では、４回の測定時点でのＮｉ薄膜の平均厚みが０．８５μｍ、０．９２μｍ、０．８１μｍおよび０．８６μｍとなり、ばらつき（最大の平均厚みと最小の平均厚みとの差）が０．１１μｍとなった。この場合、無電解めっき液の劣化によるＮｉ膜の厚みの低下は見られなかった。

【0069】

比較例１では、３回の測定時点でのＮｉ薄膜の平均厚みが１．０３μｍ、０．７８μｍおよび０．６８μｍとなり、ばらつき（最大の平均厚みと最小の平均厚みとの差）が０．３５μｍとなった。長尺状基材１０を３０００ｍめっき処理した時点では、導体層１３の表面にＮｉが析出しなかった。この場合、無電解めっき液の劣化によるＮｉ膜の厚みの低下の傾向が顕著に現れた。

【0070】

比較例２では、４回の測定時点でのＮｉ薄膜の平均厚みが０．９８μｍ、０．８５μｍ、０．７８μｍおよび０．６５μｍとなり、ばらつき（最大の平均厚みと最小の平均厚みとの差）が０．３３μｍとなった。この場合も、無電解めっき液の劣化によるＮｉ膜の厚みの低下の傾向が顕著に現れた。

【0071】

比較例３では、４回の測定時点でのＮｉ薄膜の平均厚みが１．０５μｍ、０．９３μｍ、０．８３μｍおよび０．８５μｍとなり、ばらつき（最大の平均厚みと最小の平均厚みとの差）が０．２２μｍとなった。この場合、無電解めっき液の劣化によるＮｉ膜の厚みの低下の傾向が現れた。また、無電解めっき液が新しい初期の段階では、対極６と長尺状基材１０の導体層１３との間に流した電流の効果はなかった。

【0072】

このように、実施例では、無電解めっき液が劣化した場合でも、Ｎｉ膜の平均厚みのばらつきが比較例１〜３に比べて小さくなるとともに、Ｎｉ膜の厚みが低下しなかった。したがって、参照電極５の電位を基準とする長尺状基材１０の導体層１３の電位を一定に保持することにより、無電解めっき液３０の劣化が進んだ場合でも、長尺状基材１０の搬送速度を変化させることなく、長尺状基材１０の導体層１３の表面に均一にニッケルからなるＮｉ薄膜を形成できることがわかった。

【産業上の利用可能性】

【0073】

本発明は、配線回路基板等の種々の被めっき対象にめっきを行うため等に利用することができる。

【符号の説明】

【0074】

１，１Ａ，１Ｂ めっき装置
２ めっき槽
３ ポテンショスタット
４ 導通部材
５ 参照電極
６ 対極
７ 搬送制御装置
８ 整流器
１０ 長尺状基材
１１ 金属基板
１２，１４ 絶縁層
１３ 導体層
１５ 金属薄膜
２１，２２，２３，２４ 搬送ローラ
３０ 無電解めっき液
３１ 送出ロール
３２ 巻取ロール
５１ 酸洗処理槽
５２，５３，５５，５６，５７ 水洗処理槽
５４ Ｐｄ（パラジウム）触媒処理槽
５８ エアーナイフ処理槽
５９ 乾燥処理槽

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】