特許 5763417 静電容量型入力装置用電極基板及び静電容量型入力装置

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】特許公報(B2)

(11)【特許番号】5763417

(24)【登録日】2015年6月19日

(45)【発行日】2015年8月12日

(54)【発明の名称】静電容量型入力装置用電極基板及び静電容量型入力装置

(51)【国際特許分類】

   G06F 3/041 20060101AFI20150723BHJP

   G06F 3/044 20060101ALI20150723BHJP

【ＦＩ】

   G06F3/041 490

   G06F3/044 124

【請求項の数】4

【全頁数】17

(21)【出願番号】特願2011-116359(P2011-116359)

(22)【出願日】2011年5月24日

(65)【公開番号】特開2012-243289(P2012-243289A)

(43)【公開日】2012年12月10日

【審査請求日】2014年3月31日

(73)【特許権者】

【識別番号】591124765

【氏名又は名称】ジオマテック株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】100088580

【弁理士】

【氏名又は名称】秋山 敦

(74)【代理人】

【識別番号】100111109

【弁理士】

【氏名又は名称】城田 百合子

(72)【発明者】

【氏名】菅原 浩幸

【審査官】 岩橋 龍太郎

(56)【参考文献】

【文献】 特開２０１１−０７６１５５（ＪＰ，Ａ）

【文献】 国際公開第２００９／０５４２２７（ＷＯ，Ａ１）

【文献】 特開２０１０−１５２８０９（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開２０１０−２３１１８６（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開２００７−２４３０５９（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開２０１０−０８６６８４（ＪＰ，Ａ）

【文献】 国際公開第２００６／１２６６０４（ＷＯ，Ａ１）

【文献】 特開２０１０−１８２４７２（ＪＰ，Ａ）

(58)【調査した分野】（Int.Cl.，ＤＢ名）

Ｇ０６Ｆ ３／０３

Ｇ０６Ｆ ３／０４１− ３／０４７

(57)【特許請求の範囲】

【請求項1】

透明基板の一面上に、第１方向に延在する透明な第１の電極パターンと、該第１の電極パターンと絶縁膜を介して交差して第２方向に延在する透明な第２の電極パターンと、を備え、静電容量を検出する静電容量型入力装置用電極基板において、
前記第１の電極パターン及び前記第２の電極パターン上を覆うオーバーコート層と、
該オーバーコート層を覆う屈折率調整層と、を有し、
前記オーバーコート層の上面から前記屈折率調整層の上面までの間には、前記透明基板側から前記屈折率調整層の上面側へ向かって、低屈折率から高屈折率に変わる界面を有し、
前記屈折率調整層は、
前記オーバーコート層上に形成される低屈折率層と、
該低屈折率層よりも屈折率が大きい材料からなり、前記低屈折率層上に形成される高屈折率層と、を有し、
前記オーバーコート層の屈折率をｎ１、前記低屈折率層の屈折率をｎ２、前記高屈折率層の屈折率をｎ３としたとき、
ｎ２＜ｎ１＜ｎ３
であることを特徴とする静電容量型入力装置用電極基板。

【請求項2】

前記屈折率調整層は、前記低屈折率層と、前記高屈折率層とを交互に複数層備えてなることを特徴とする請求項１記載の静電容量型入力装置用電極基板。

【請求項3】

前記低屈折率層は酸化ケイ素からなり、
前記高屈折率層は窒化ケイ素からなることを特徴とする請求項１または２に記載の静電容量型入力装置用電極基板。

【請求項4】

画像表示装置と、該画像表示装置に重ねられて配設される静電容量型入力装置用電極基板と、を備えた静電容量型入力装置であって、
前記静電容量型入力装置用電極基板は、請求項１乃至３のいずれか一項に記載の静電容量型入力装置用電極基板であることを特徴とする静電容量型入力装置。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、静電容量型入力装置用電極基板及び静電容量型入力装置に係り、特に、透明基板上の電極が目立ちにくく、高い透明性を備える静電容量型入力装置用電極基板及び静電容量型入力装置に関する。

【背景技術】

【0002】

近年、携帯電話、電子手帳等の携帯端末（ＰＤＡ、Ｐｅｒｓｏｎａｌ Ｄｉｇｉｔａｌ Ａｓｓｉｓｔａｎｔ）、ゲーム機、カーナビゲーション、パーソナルコンピュータ、券売機、銀行の端末等の電子機器分野において、液晶装置などの表面にタブレット型の入力装置（タッチパネル）が導入されており、飛躍的にその需要が伸びている。このような入力装置では、液晶装置の画像表示領域に表示された指示画像を参照しながら、この指示画像が表示されている箇所にスタイラスペンや指などで触れることにより、指示画像に対応する情報の入力を行うことができる。

【0003】

タッチパネル式入力装置は、スタイラスペンや指で操作エリアに対して入力操作を行ったときに、操作エリア内の入力操作位置を検出し、外部処理装置へ入力操作位置を示す入力信号を出力する。この時の動作原理により、タッチパネル式入力装置は主に、抵抗膜型、静電容量型、電磁誘導型、超音波表面弾性波型、赤外線走査型などがあるが、現在は位置検出がしやすく、コストが抑えられる抵抗膜型の入力装置が比較的多く用いられている。

【0004】

しかし、抵抗膜型の入力装置は、それぞれ一面に透明導電膜を有するフィルムと透明基板を、透明導電膜を対向させて配置した２枚構造で、フィルムを押下して電圧を発生させる構造のため、動作温度範囲が狭く、経時変化に弱いという不都合がある。さらに、衝撃に弱く、寿命が短いという問題点を有している。また、入力装置の面積の拡大に伴う精度の低下や、透明導電膜を有するフィルムと基板の２枚を必要とするため透明性に劣るといった不都合もある。

【0005】

これに対し、静電容量型の入力装置は、透明基板上に透明導電膜のパターンを複数形成することにより入力装置の表面全体に電界を形成し、ユーザーの指が接触又は近接した部分の表面電荷の変化により位置検出を行うため、ほこりや水に強く耐久性があり、さらに高分解能を有する。また、応答速度が高く、さらに指等の導体にしか反応しないため、その他のもの（例えば衣服等）が接触したときの誤作動がないという利点も有している。

【0006】

そして、このような静電容量型の入力装置の分野では、静電容量型入力装置に搭載される電極基板において、高い透明性が求められることから、透明導電膜の電極パターンを視認しにくくする技術が求められている。
特許文献１では、透明基板と透明導電膜との間にアンダーコート層を備え、アンダーコート層を低屈折率層と高屈折率層とによって構成することにより、透明導電膜の電極パターンを視認しにくくする技術が提案されている。

【0007】

また、特許文献２では、１枚の透光性基板上において、互いに交差する方向に電極パターンを延在させて、各電極パターンの交差部を小さくし、さらにその交差部において、透光性の薄膜（透明導電膜）を積層した構造とすることにより、電極パターンの交差部を目立ちにくくする技術が提案されている。

【0008】

さらに、特許文献３では、透明基板上に一層の透明導電膜からなる電極パターン（特許文献３では「配線パターン」と記載されている）を形成し、その上に低屈折率誘電体材料からなる層と、高屈折率誘電体材料からなる層を交互に積層させることにより、電極パターンを視認しにくくする技術が提案されている。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0009】

【特許文献1】特開２００８−９８１６９号公報

【特許文献2】特開２００８−３１０５５０号公報

【特許文献3】特開２０１０−８６６８４号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0010】

上記のように、特許文献１において開示された技術によれば、電極パターンを構成する透明導電膜の下に、低屈折率層と高屈折率層とによって構成されるアンダーコート層を形成することにより、電極パターンを視認しにくくすることができる。
また、特許文献２で開示された技術では、各電極パターンの交差部の幅を小さくすると共に透明導電膜で形成することにより、電極パターンの交差部を目立ちにくくすることができる。
さらに、特許文献３の技術によれば、直接、透明導電膜からなる電極パターンの上に、低屈折率誘電体層と高屈折率誘電体層とを交互に積層することにより、電極パターンを視認しにくくすることができる。

【0011】

しかし、特許文献１〜３で開示された技術では、透明基板上に形成される電極パターン、電極パターンの交差部、さらには、電極パターン以外に備えられる配線パターンについて、それぞれを視認しにくくする効果が得られるものの、実際の静電容量型入力装置用電極基板においては、基板全面にわたって均一にこのような効果を得ることが難しく、局所的には電極パターンが視認される場合があり、より均一に電極パターンや配線パターンを目立ちにくくする技術が求められていた。より詳細には、静電容量型入力装置用電極基板においては、電極パターンは全面にわたって厚さが均一ではなく、局所的に複数の層が積層する構成を備えており、厚み方向において段差部（凹凸部）が形成されるため、この段差部を視認しにくくすることができる技術が求められていた。

【0012】

本発明は、上記の問題点に鑑みてなされたものであり、その目的は、複数の層を積層して形成される電極の厚み方向における段差部が目立ちにくく、全面にわたって均一に高い透明性を備えた静電容量型入力装置用電極基板を提供することにある。
また、本発明の他の目的は、静電容量型入力装置用電極基板の透明性を向上させることにより、静電容量型入力装置用電極基板の下方に備えられる画像表示領域の視認性が極めて高い静電容量型入力装置を提供することにある。

【課題を解決するための手段】

【0013】

前記課題は、本発明の静電容量型入力装置用電極基板によれば、透明基板の一面上に、第１方向に延在する透明な第１の電極パターンと、該第１の電極パターンと絶縁膜を介して交差して第２方向に延在する透明な第２の電極パターンと、を備え、静電容量を検出する静電容量型入力装置用電極基板において、前記第１の電極パターン及び前記第２の電極パターン上を覆うオーバーコート層と、該オーバーコート層を覆う屈折率調整層と、を有し、前記オーバーコート層の上面から前記屈折率調整層の上面までの間には、前記透明基板側から前記屈折率調整層の上面側へ向かって、低屈折率から高屈折率に変わる界面を有し、前記屈折率調整層は、前記オーバーコート層上に形成される低屈折率層と、該低屈折率層よりも屈折率が大きい材料からなり、前記低屈折率層上に形成される高屈折率層と、を有し、前記オーバーコート層の屈折率をｎ１、前記低屈折率層の屈折率をｎ２、前記高屈折率層の屈折率をｎ３としたとき、ｎ２＜ｎ１＜ｎ３であること、により解決される。

【0014】

このように、本発明の静電容量型入力装置用電極基板は、第１の電極パターン及び第２の電極パターンの上に、オーバーコート層を備え、さらにその上には屈折率調整層を備えている。そして、この屈折率調整層は、オーバーコート層の上面から屈折率調整層の上面までの間において、透明基板側から屈折率調整層の上面側へ向かって低屈折率から高屈折率に変わる界面を備えるように形成されている。すなわち、オーバーコート層と屈折率調整層との界面、または屈折率調整層の内部には、透明基板側から屈折率調整層の上面側へ向かって、低屈折率から高屈折率に変化する界面が形成される。
そして、上記構成の屈折率を調整する層を備えることにより、第１の電極パターン、絶縁膜、第２の電極パターンが積層されて厚さ方向に凹凸を備える構成の静電容量型入力装置用電極であっても、電極パターンの凹凸が目立ちにくくなり、透明基板の全面にわたって均一な外観とすることができる。
本発明の静電容量型入力装置用電極基板は、各電極パターン上に直接屈折率調整層を形成するのではなく、各電極パターン上にオーバーコート層を設けてその上面を均一に平滑な状態とした上で、さらに上記の屈折率調整層を備えるため、電極パターンの凹凸に由来する局所的に大きな反射率により凹凸部が視認されることを解消することができる。
したがって、本発明の静電容量型入力装置用電極基板は、電極パターンを極めて目立ちにくくすることが可能となる。

【0015】

また、オーバーコート層上において、低屈折率層及び高屈折率層からなる屈折率調整層を形成することにより、屈折率調整層の内部に屈折率が変化する界面が形成される。したがって、オーバーコート層と、オーバーコート層よりも屈折率の大きい単層の屈折率調整層を備えることにより、屈折率が変化する界面を形成した場合と比較して、上記のように、複層からなる屈折率調整層を備えた方が、電極パターンがさらに視認されにくくなる。
そして、オーバーコート層、低屈折率層、高屈折率層の各屈折率について、上記式を満たすように各層の材料を選択することにより、電極パターンの凹凸をさらに視認されにくくすることができる。また、透明基板の上面（すなわち、屈折率調整層が形成された側）における光の全反射を抑制することができるため、静電容量型入力装置に本発明の静電容量型入力装置用電極基板が搭載された際、視認性を極めて向上させることができる。

【0016】

また、このとき、前記屈折率調整層は、前記低屈折率層と、前記高屈折率層とを交互に複数層備えてなると好適である。
このように、屈折率調整層において、透過率が低下しない程度で低屈折率層と高屈折率層とを交互に複数層にわたって積層させることにより、電極パターンを目立ちにくくする効果をさらに高めることができる。

【0017】

さらにこのとき、前記低屈折率層は酸化ケイ素からなり、前記高屈折率層は窒化ケイ素からなると好適である。
このように、低屈折率層及び高屈折率層を上記材料によって形成すると、電極パターンの凹凸を視認されにくくする効果が特に高くなる。また、これら材料は、入手が容易であり、均一に成膜しやすい点から、特に好適に用いられる。

【0018】

また、前記課題は、本発明の静電容量型入力装置によれば、画像表示装置と、該画像表示装置に重ねられて配設される静電容量型入力装置用電極基板と、を備えた静電容量型入力装置であって、前記静電容量型入力装置用電極基板は、請求項１乃至３のいずれか一項に記載の静電容量型入力装置用電極基板であることにより解決される。

【0019】

上記のように、本発明の静電容量型入力装置用電極基板は、電極パターンによる凹凸が目立ちにくく、透明基板全面にわたって均一に高い透明性を備える。したがって、静電容量型入力装置用電極基板を介して画像表示装置の画像領域を目視する際、画像表示領域の視認性を極めて良好にすることができる。

【発明の効果】

【0020】

本発明の静電容量型入力装置用電極基板は、オーバーコート層を設け、その表面を均一とした上に屈折率調整層を備えているため、複数の層を積層して形成される電極の厚み方向における段差部が目立ちにくく、全面にわたって均一に高い透明性を備える。
また、静電容量型入力装置に備えられる静電容量型入力装置用電極基板の透明性が極めて向上するため、静電容量型入力装置において、静電容量型入力装置用電極基板の下方に備えられる画像表示領域の視認性を極めて向上させることができる。

【図面の簡単な説明】

【0021】

【図1】本発明の実施形態に係る静電容量型入力装置用電極基板を搭載した静電容量型入力装置の概略斜視図である。

【図2】本発明の実施形態に係る静電容量型入力装置用電極基板のパターン図である。

【図3】本発明の実施形態に係る静電容量型入力装置用電極基板のパターン図を一部拡大した説明図である。

【図4】図３のＡ−Ａ線に相当する概略断面図である。

【発明を実施するための形態】

【0022】

以下、本発明の実施形態について、図を参照して説明する。なお、以下に説明する部材、材料、構成等は、本発明を限定するものではなく、本発明の趣旨に沿って各種改変することができることは勿論である。また、以下、「静電容量型入力装置用電極基板」を単に「電極基板」と称し、さらに、特に説明がない場合、「屈折率」とは、真空（ｎ＝１）に対する各材料の屈折率、すなわち絶対屈折率を示すものとする。

【0023】

図１〜図４は本発明の実施形態に係るものであり、図１は静電容量型入力装置用電極基板を搭載した静電容量型入力装置の概略斜視図、図２は静電容量型入力装置用電極基板のパターン図、図３は静電容量型入力装置用電極基板のパターン図を一部拡大した説明図、図４は図３のＡ−Ａ線に相当する概略断面図である。

【0024】

［静電容量型入力装置Ｄの構成］
本発明の実施形態に係る電極基板１は、図１に示すように、画像表示装置２に重ねて組み合わされることにより、静電容量型入力装置Ｄを構成する。静電容量型入力装置Ｄは、少なくとも電極基板１と、画像表示装置２とフレキシブルフラットケーブル３を備えている。静電容量型入力装置Ｄにおいて、電極基板１は、画像表示装置２の目視側、すなわちユーザーが操作する側に重ねて配設され、電極基板１の表面には、ユーザーが入力操作を行うための入力部１ａと、入力部１ａからの信号を外部へ出力するための出力部１ｂが備えられている。なお、図１では、入力部１ａ及び出力部１ｂを簡略化して図示しているが、これらは、後述のように、各種電極パターン又は配線パターンを備えている。

【0025】

そして、電極基板１の出力部１ｂに対し、入力された信号を出力するためのフレキシブルフラットケーブル３の一端が接続されている。一方、フレキシブルフラットケーブル３の他端は不図示の検出用駆動回路（検出部）に接続される。また、静電容量型入力装置Ｄの操作時に、操作に影響を及ぼさない領域であれば、駆動用ＩＣがＣＯＧ（Ｃｈｉｐ Ｏｎ Ｇｌａｓｓ）実装されていてもよく、適宜公知の手段が用いられる。

【0026】

静電容量型入力装置Ｄに搭載される画像表示装置２は、一般的な液晶パネル、有機ＥＬパネル等を用いることができ、動画や静止画を表示する。
静電容量型入力装置Ｄにおいては、電流量の比率を計測することにより、その位置を判別する静電容量方式を採用している。以下、その操作を説明する。

【0027】

静電容量型入力装置Ｄは、電極基板１を備え、その操作時、ユーザーは画像表示装置２に表示された画像を、透明な電極基板１を介して視認し、対応する入力情報を確認する。そして画像表示装置２に表示された指示用画像に対応する位置を、電極基板１上で指等を用いて触れることにより、情報の入力を行う。この時、導体である指が触れると、電極基板１上に配設された検出電極（第１の電極パターン１０、第２の電極パターン２０）との間で静電容量を持つようになる。その結果として指で触れた位置の静電容量が低下し、その位置を不図示の検出用駆動回路（検出部）により算出することにより行われるものである。

【0028】

［電極基板１の構成］
（１．入力部１ａ及び出力部１ｂの構成）
電極基板１は、図２のように、透明基板４上に、第１方向としてのｘ軸方向に延設される第１の電極パターン１０、第２方向としてのｙ軸方向に延設される第２の電極パターン２０を備えている。そして、第１の電極パターン１０及び第２の電極パターン２０によって、入力部１ａが形成される。また、各電極パターンに接続される配線パターン４０、５０、及び配線パターン４０、５０に備えられた接続端子４０ａ、５０ａが透明基板４上に成膜されることにより、出力部１ｂが形成される。なお、図２は電極基板１のパターンの一部を示している。

【0029】

このとき、透明基板４は、ガラス、フィルムを含む樹脂基板などの透明且つ絶縁性の材料を用いることができる。ガラス、樹脂基板は金属などの導電性のある基板のように、絶縁膜を形成する必要がないため、操作が煩雑になることが無く好適であるが、導電性基板上に、絶縁膜を形成したものを透明基板４として用いてもよい。また、フィルムは、電極基板１を可撓性のあるフレキシブルなものとすることができる。
なお、一般には、透明基板４上に、酸化ニオブ（Ｎｂ_２Ｏ_５）、酸化ケイ素（ＳｉＯ_２）等からなる屈折率調整層を設け、その上に第１の電極パターン１０、第２の電極パターン２０を成膜する構成が採用されるが、図４では、この屈折率調整層を省略し、透明基板４上に直接第１の電極パターン１０、第２の電極パターン２０を成膜した構成を示している。

【0030】

（２．第１の電極パターン１０及び第２の電極パターン２０の構成）
第１の電極パターン１０は、ｘ軸方向で隣り合って形成される複数の第１の電極部１１と、隣り合う第１の電極部１１、１１を接続する第１の接続部１２とを備えている。また、第２の電極パターン２０は、ｙ軸方向で隣り合って形成される複数の第２の電極部２１と、隣り合う第２の電極部２１、２１を接続する第２の接続部２２とを備えている。

【0031】

本実施形態において、第１の電極パターン１０に備えられた第１の電極部１１（図３を参照）及び第２の電極パターン２０に備えられた第２の電極部２１は、操作面側から見てそれぞれ略菱形に形成されている。なお、第１の電極部１１、第２の電極部２１の形状は、菱形に限定されるものではなく、六角形等、透明基板４上を均一に隙間なく覆うことができる形状を採用することができる。ここで、菱形を採用した場合、その一辺の長さは４〜８ｍｍとすると好ましい。

【0032】

第１の電極パターン１０において、互いに隣り合う第１の電極部１１、１１は、隣り合う略菱形の頂点同士で第１の接続部１２によって連続して形成され、結果としてｘ軸方向に連続した第１の電極パターン１０を形成する。一方、第２の電極パターン２０において、互いに隣り合う第２の電極部２１、２１は、隣り合う略菱形の頂点同士に備えられた絶縁膜６０（図４を参照）の接触孔６１において、第２の接続部２２によって電気的に接続され、結果としてｙ軸方向に連続した第２の電極パターン２０を形成する。なお、第２の接続部２２が第２の電極部２１を電気的に接続するための構成に関しては、以下で詳述する。

【0033】

第１の電極パターン１０と第２の電極パターン２０とは、互いに交差部３０において交差し、両者は絶縁膜６０を介して交差することによって電気的に絶縁されている。なお、第１の電極パターン１０及び第２の電極パターン２０が交わる角度は図２のように垂直対応関係でもよいし、その他垂直でない角度で透明基板４上に配設されても良い。
なお、これら第１の電極パターン１０及び第２の電極パターン２０上には、以下で詳述するように、絶縁膜６０、オーバーコート層７０、屈折率調整層８０（低屈折率層８１、高屈折率層８２）が順に積層されている。

【0034】

さらに、第１の電極パターン１０を形成する第１の電極部１１及び第１の接続部１２、第２の電極パターン２０を形成する第２の電極部２１及び第２の接続部２２は透明な導電膜が用いられ、たとえばＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）、ＩＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｚｉｎｃ Ｏｘｉｄｅ）、ＡＺＯ（Ａｌｕｍｉｎｉｕｍ Ｚｉｎｃ Ｏｘｉｄｅ）等を用いることができ、好ましくはＩＴＯを用いる。これら電極パターンにおいて、第１の電極部１１、第１の接続部１２、第２の電極部２１、第２の接続部２２の厚さは１０〜２０ｎｍ程度が好ましい。

【0035】

第１の電極パターン１０（第１の電極部１１及び第１の接続部１２）、第２の電極パターン２０（第２の電極部２１及び第２の接続部２２）を構成する上記透明導電膜の成膜方法としては、スプレー熱分解法、ＣＶＤ法等の化学的成膜法と蒸着法、スパッタリング法等の物理的成膜法に大別することができる。なかでもスパッタリング法は、得られる膜の抵抗値及び透過率の経時変化が少なく、成膜条件の制御が容易であるため、好ましい。

【0036】

隣り合う第１の電極部１１、１１同士を接続する第１の接続部１２は、その幅（図３のｙ軸方向の長さ）を４０〜２００μｍとすると好ましい。また、第２の電極部２１、２１同士を接続する第２の接続部２２も同様の幅（図３のｘ軸方向の長さ）で形成することができる。

【0037】

（３．配線パターン４０、５０の構成）
配線パターン４０、５０は、図２のように、第１の電極パターン１０（より詳細には第１の電極部１１）及び第２の電極パターン２０（より詳細には第２の電極部２１）に対し、接するようにして形成される。このように、配線パターン４０、５０を可能な限り長く第１の電極パターン１０及び第２の電極パターン２０に接する構成とすると、抵抗を小さくすることができるため好ましい。

【0038】

配線パターン４０、５０及び接続端子４０ａ、５０ａは、透明基板４（又は絶縁膜６０）上に、金属層の単層又は少なくとも１層以上の金属層を含む複層を備えた導電体によって形成される。配線パターン４０、５０は、それぞれ第１の電極パターン１０、第２の電極パターン２０と接続端子４０ａ、５０ａとを電気的に接続しており、この接続端子４０ａ、５０ａにおいて、フレキシブルフラットケーブル３に接続される。

【0039】

この時、接続端子４０ａ、５０ａ上に、異方導電性フィルム（ＡＣＦ）、フレキシブルフラットケーブル３をこの順に重ねて１４０℃程度に加熱して熱圧着する。なお、ＡＣＦを用いて接続するだけでなく、はんだ接続等の他の接続方法で接続するものであっても良く、フレキシブルフラットケーブル３の代わりに金属導線を用いてもよい。金属導線をフレキシブルフラットケーブル３の代わりに用いる場合は、その接続方法をワイヤボンディング、はんだ、レーザー溶接などとすることができる。

【0040】

配線パターン４０、５０、接続端子４０ａ、５０ａは金属層（金属薄膜）の単層又は少なくとも１層以上の金属層を含む複層を備えた導電体膜によって形成される。そして、金属層の材料としては金、銀、銅、モリブデン（Ｍｏ）、ニオブ（Ｎｂ）、アルミ（Ａｌ）等の金属を単体、あるいはそれぞれの合金を用いることができる。好ましくはエッチングによりパターニングしやすい銀、銅、銀合金、銅合金、ＭＡＭ（ＭｏもしくはＭｏ合金／ＡｌもしくはＡｌ合金／ＭｏもしくはＭｏ合金の３層構造）より選択される何れかとするとよい。より詳細には、Ｍｏ合金はＮｂを含有するもの、Ａｌ合金はＮｄを含有するものとすると好ましい。Ａｌを含有した材料を用いることにより、比較的安価に製造することができると共に、導通性を確保できるため好適である。

【0041】

また、配線パターン４０、５０等を構成する導電体膜は、上記材料からなる金属層と、金属酸化物層が交互に積層された構成とすると好ましい。
このような構成とすることにより、配線パターン４０、５０及び接続端子４０ａ、５０ａにおける反射が抑制され、透明基板４の表側（すなわち、第１の電極パターン１０及び第２の電極パターン２０が形成されている面）から目視した場合、配線パターン４０、５０等がより視認されにくくなるため好適である。
なお、金属酸化物層を構成する材料としては、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）、Ｎｂ、Ｖ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｇａ、Ｇｅを添加したＩＴＯ、ＩＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｚｉｎｃ Ｏｘｉｄｅ）、ＩＧＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｇｅｒｍａｎｉｕｍ Ｏｘｉｄｅ）等のインジウム複合酸化物が挙げられる。

【0042】

配線パターン４０、５０、接続端子４０ａ、５０ａを構成する導電体膜の厚さは３０〜４００ｎｍ程度（導電体膜が複層の場合はその合計が２００〜５００ｎｍ程度）、その短手方向の幅は４〜４０μｍ程度であると好ましい。このような幅とすることにより、配線パターン４０、５０、接続端子４０ａ、５０ａを構成する導電体膜を視認しにくくすることができる。
また、配線パターン４０、５０、接続端子４０ａ、５０ａは、十分な導電性を得ることができれば、透明導電膜によって形成しても良い。配線パターン４０、５０等を透明導電膜で形成する場合には、上記の幅（４〜４０μｍ）よりも大きく形成することも可能である。

【0043】

さらに、導電体膜において、透明基板４から最も近い位置に形成される層（すなわち、最下層）を金属酸化物層によって形成することにより、配線パターン４０、５０及び接続端子４０ａ、５０ａ及び導電部材５１ａにおける反射が抑制され、透明基板４の裏側（すなわち、第１の電極パターン１０及び第２の電極パターン２０が形成されていない面）から目視した場合、より視認されにくくなるため好適である。

【0044】

（４．絶縁膜６０の構成）
図３において、大面積を有する第１の電極部１１及び第２の電極部２１、さらに交差部３０を含む透明基板４上には、絶縁膜６０（ただし、図３では不図示）が形成される。絶縁膜６０は、第１の電極パターン１０（第１の電極部１１、第１の接続部１２）及び第２の電極パターン２０（第２の電極部２１、第２の接続部２２）だけでなく、これらの設けられていない部分（すなわち、各電極パターンの間の部分）においても設けられ、第１の電極パターン１０と第２の電極パターン２０との絶縁を維持するため、透明基板４のほぼ全面にわたって形成される。
ただし、絶縁膜６０は、第２の電極パターン２０において、第２の接続部２２と第２の電極部２１とを接続するため、絶縁膜６０の一部において開口するように、接触孔６１が形成される。また、配線パターン４０、５０及び接続端子４０ａ、５０ａが形成された部分においても、絶縁膜６０によって覆われた構成とするのが好ましいが、第１の電極パターン１０及び第２の電極パターン２０に接続可能であれば、絶縁膜６０上に配線パターン４０、５０等が設けられていても良い。

【0045】

そして、図４に示すように、隣り合って形成された第２の電極部２１、２１同士を互いに電気的に接続するように、第２の接続部２２が絶縁膜６０上に架設されている。このとき、第２の接続部２２の端部は、接触孔６１、６１を介して第２の電極部２１、２１に接触するように形成される。この構成により、第２の電極部２１及び第２の接続部２２が電気的に接続され、第２の電極パターン２０を構成する。すなわち、離間して隣り合う第２の電極部２１、２１同士を、第２の接続部２２が絶縁膜６０上をブリッジするように形成することにより、複数隣り合って配設される第２の電極パターン２０間を接続する。この時、第２の接続部２２は、接触部２２ａにおいて、第２の電極部２１と接触している。

【0046】

絶縁膜６０を構成する材料としては透明な絶縁材料を用いるのが好ましく、酸化ケイ素（ＳｉＯ_２）、酸化アルミニウム（Ａｌ_２Ｏ_３）、ポリイミド樹脂、アクリル樹脂等を用いることができ、その厚さは０．３〜３．０μｍ程度が好ましい。このとき、絶縁膜６０をより薄くすることにより、第２の接続部２２の端部付近における厚みを小さくすることができる。その結果、第２の接続部２２の端部付近が視認されにくくなるため、絶縁膜６０は、電気的な特性を満たすことができれば、可能な限り薄くするとよい。

【0047】

また、このような各電極パターンの視認されやすさは、絶縁膜６０において、各電極パターンを覆う部分の接触孔６１付近における厚さ方向の曲率（すなわち、第２の接続部２２の端部側の厚さ方向の曲率）にも依存する。この曲率が小さく、絶縁膜６０の端部がなだらかに傾斜しているほど、各電極パターン（特に接触孔６１付近の第２の接続部２２による凹凸部）を視認されにくくすることができる。

【0048】

絶縁膜６０の形成方法としては、蒸着法、スパッタリング法、ディッピング法、印刷法を用いることができる。そして絶縁膜６０は、無機系の膜の場合はエッチングにより、樹脂を用いたときは必要部を硬化させた後の未硬化部の除去により、パターニングされて接触孔６１を形成する。

【0049】

（５．オーバーコート層７０の構成）
上記のように、交差部３０において互いに電気的に絶縁された第１の電極パターン１０及び第２の電極パターン２０上には、さらにオーバーコート層７０が積層される。オーバーコート層７０は、電極基板１において、各膜（第１の電極パターン１０、第２の電極パターン２０、配線パターン４０、５０、絶縁膜６０）を積層させた透明基板４上の全面を覆うように形成されている。

【0050】

オーバーコート層７０は透明基板４上に配設された各部材の耐環境性を高めると共に、電極基板１が外力により変形した際に懸念されるクラックの発生を防ぐ効果を有する。オーバーコート層７０には、基本的に、上記絶縁膜６０と同様の材料で形成することができ、酸化ケイ素（ＳｉＯ_２）、酸化アルミニウム（Ａｌ_２Ｏ_３）などを蒸着法、スパッタリング法、ディッピング法等により形成してもよいし、ポリイミド樹脂、アクリル樹脂等をスクリーン印刷法によって形成してもよい。さらに、紫外線等で硬化する感光性樹脂を用いることも可能である。

【0051】

オーバーコート層７０の厚さは、０．３〜３．０μｍ程度が好ましい。電極基板１全体の光の透過率を一定値以上に確保することができれば、オーバーコート層７０の厚みを大きく形成するとよい。オーバーコート層７０を厚く形成することにより、その下方に形成される各層（第１の電極パターン１０，第２の電極パターン２０等）による厚み方向における段差を緩和し、その表面をより均一に平滑な状態とすることができる。その結果、各電極パターンをより視認されにくくすることができる。

【0052】

そして、オーバーコート層７０を形成する材料は、後述の屈折率調節層８０との関係に依存して、特に光の屈折率が低い材料を用いると好ましい。例えば、酸化ケイ素（ＳｉＯ_２）の光の屈折率は１．４６、フッ化マグネシウム（ＭｇＦ）の光の屈折率は１．３８、アクリル樹脂の屈折率は１．４９であるから、これら材料によってオーバーコート層７０を形成すると特に好適である。なお、詳細は後述するが、このようにオーバーコート層７０を屈折率の低い材料によって形成することにより、屈折率調節層８０を構成する総数を削減することができるため、電極基板１全体としての透明性を向上させることができる。

【0053】

（６．屈折率調整層８０の構成）
本発明の電極基板１において、オーバーコート層７０の上方（上面７０ａ上）には、さらに屈折率調整層８０が形成される。屈折率調整層８０は、透明基板４側から低屈折率層８１、高屈折率層８２の順に積層されることによって形成される。なお、十分な光の透過率を得ることができれば、低屈折率層８１、高屈折率層８２の順でさらに積層させても良い。

【0054】

このように、オーバーコート層７０の上面７０ａ上に、透明基板４側から、低屈折率層８１、高屈折率層８２を順に備えることにより、オーバーコート層７０よりも下方（透明基板４側）に形成される各層を視認しにくくする効果を得ることができる。換言すると、透明基板４側から屈折率調整層８０の上面（高屈折率層８２の上面８２ａ）側へ向かって低屈折率から高屈折率に変化する界面（すなわち、低屈折率層８１の上面８１ａが界面となる）を備えることにより、各電極パターンを視認されにくくすることができる。

【0055】

このように、低屈折率層８１、高屈折率層８２からなる屈折率調整層８０を各電極パターンの上に直接積層するのではなく、オーバーコート層７０上を介してさらに積層することにより、各電極パターン（特に厚さ方向の凹凸部）を視認されにくくすることができる。

【0056】

低屈折率層８１を構成する材料としては、光の屈折率が１．５０以下の材料であるとよい。この条件を満たす材料として、酸化ケイ素（ＳｉＯ_２）、フッ化マグネシウム（ＭｇＦ）等が挙げられる。
また、高屈折率層８２を構成する材料としては、光の屈折率が１．８以上の材料であるとよい。この条件を満たす材料として、窒化ケイ素（ＳｉＮ）、チタン酸化物（ＴｉＯ_２）、ジルコニウム酸化物（ＺｒＯ_２）、タンタル酸化物（Ｔａ_２Ｏ_５）、ニオブ酸化物（Ｎｂ_２Ｏ_５）等が挙げられる。

【0057】

上記のように、低屈折率層８１を形成する材料として挙げられる酸化ケイ素（ＳｉＯ_２）の光の屈折率は１．４６、フッ化マグネシウム（ＭｇＦ）の光の屈折率は１．３８であるから、低屈折率材料として好適である。
また、高屈折率層８２を形成する材料として挙げられる窒化ケイ素（ＳｉＮ）の光の屈折率は１．９０、チタン酸化物（ＴｉＯ_２）の光の屈折率は約２．３、ジルコニウム酸化物（ＺｒＯ_２）の光の屈折率は２．０、タンタル酸化物（Ｔａ_２Ｏ_５）の光の屈折率は２．１、ニオブ酸化物（Ｎｂ_２Ｏ_５）の光の屈折率は２．３であり、高屈折率材料として好適である。

【0058】

そして、これらの材料の中でも、特に低屈折率層８１を形成する材料として、酸化ケイ素（ＳｉＯ_２）、高屈折率層８２を形成する材料として、窒化ケイ素（ＳｉＮ）を用いると好ましい。上記材料の組み合わせで屈折率調整層８０を形成することにより、各電極パターンの厚さ方向の凹凸部を特に視認されにくくすることができる。
また、窒化ケイ素（ＳｉＮ）は、耐熱性、耐摩耗性、耐食性が高いことから、高屈折率層８２よりも下方に形成される各層を保護するという点でも有用である。

【0059】

このとき、上記オーバーコート層７０をアクリル樹脂（屈折率：１．４９）によって形成すると好適である。このように、透明基板４側からアクリル樹脂（屈折率：１．４９）、酸化ケイ素（屈折率：１．４６）、窒化ケイ素（屈折率：１．９０）を積層させることにより、オーバーコート層７０、低屈折率層８１、高屈折率層８２の屈折率をそれぞれｎ１、ｎ２、ｎ３としたとき、以下の式１を満たすことができる。
ｎ２＜ｎ１＜ｎ３・・・・（式１）

【0060】

このように、式１の関係を満たす屈折率を備えたオーバーコート層７０、低屈折率層８１、高屈折率層８２を形成することにより、各電極パターンの凹凸部をさらに視認されにくくすることができる。

【0061】

（（他の実施形態））
さらに、上記オーバーコート層７０の説明においても記載したように、オーバーコート層７０を低屈折率材料（例えば、アクリル樹脂、ＳｉＯ_２、ＭｇＦ等）によって形成することにより、屈折率調整層８０の構成を簡素化することができる。オーバーコート層７０を低屈折率材料によって形成することにより、屈折率調整層８０は、高屈折率層８２のみを形成すれば足りる。すなわち、オーバーコート層７０が低屈折率層８１の役割を果たし、オーバーコート層７０の上面７０ａが、低屈折率から高屈折率に変化する界面となるようにすることができる。このように、オーバーコート層７０の上方に、高屈折率層８２のみからなる屈折率調整層８０を形成することによっても、透明基板４側から屈折率調整層８０の上面（高屈折率層８２の上面８２ａ）側へ向かって低屈折率から高屈折率に変化する界面（すなわち、オーバーコート層７０の上面７０ａが界面となる）が形成されるため、各電極パターンを視認されにくくする効果を得ることができる。

【0062】

このように、本発明の電極基板１において、各電極パターンや配線パターン４０、５０を均一に覆うオーバーコート層７０の上方に、さらに屈折率調整層８０を備えることにより、各電極パターン、さらには配線パターン４０、５０を視認されにくくすることができる。

【0063】

（７．接着層９０、保護基板５、反射防止膜１００の構成）
屈折率調整層８０の上には、反射防止膜１００を備えた保護基板５がさらに接着される。すなわち、屈折率調整層８０の上には、さらに接着層９０、保護基板５、反射防止膜１００が順に備えられる。これら接着層９０、保護基板５、反射防止膜１００は公知の材料を用いることができる。接着層９０としては、例えば、ＨＢＲ樹脂等を用いることができ、保護基板５としては上記透明基板４と同じように、ガラス、樹脂基板などの透明且つ絶縁性の材料が用いられる。また、反射防止膜１００を構成する材料としてはフッ化マグネシウム（ＭｇＦ_２）や酸化ケイ素（ＳｉＯ_２）等の無機化合物、フッ素樹脂等の有機化合物を用いることができる。

【0064】

［電極基板１の製造方法］
次に、本発明の実施形態に係る電極基板１に関し、その製造方法を具体的に説明する。

【0065】

（１．第１の電極パターン及び第２の電極部形成工程）
まず、透明基板４上に、第１の電極部１１、第１の接続部１２及び第２の電極部２１を各部同時に成膜する。
電極基板１の透明基板４上において、全領域にわたって真空蒸着法、スパッタリング法、ＣＶＤ法等を用いて透明導電膜を成膜する。その後、スピンコーターや吹きつけにより、フォトレジストを塗布し、成膜される第１の電極部１１、第１の接続部１２、第２の電極部２１が透明基板４上の適切な位置に配設されるようにマスクを用いて露光する。なおこの時、操作面側から見て、菱形に形成された第１の電極部１１、第２の電極部２１の一辺がそれぞれ４〜８ｍｍ、第１の電極部１１と第２の電極部２１の間隔が４０〜２００μｍとなるように設計する。

【0066】

露光後、透明導電膜が積層された透明基板４を現像液に浸すことにより、不要な部分（すなわち、第１の電極部１１、第１の接続部１２、第２の電極部２１に相当しない部分）のフォトレジストを除去する。フォトレジストを除去した後、各膜が積層された透明基板４をエッチング溶液に浸すことにより、フォトレジストに覆われていない部分の透明導電膜を腐食させ、除去する。その後、溶剤を用いてフォトレジストを完全に除去することにより、第１の電極部１１、第１の接続部１２、第２の電極部２１を形成する。

【0067】

第１の電極部１１、第１の接続部１２、第２の電極部２１の成膜時、透明導電膜材料としてはＩＴＯを用い、透明基板４上にスパッタリングにより形成すると好ましい。

【0068】

また、露光に用いる光源として超高圧水銀灯、Ｘ線、ＫｒＦエキシマーレーザー、ＡｒＦエキシマーレーザー等を用いることができるが、より微細なパターニングを行うには、短波長のものが望ましい。本実施形態では、オーク製作所製ジェットプリンタ：光源ＣＨＭ−２０００（超高圧水銀灯）を用いた。

【0069】

さらにまた、フォトレジストとしてはポジ型レジストが用いられる。本実施形態ではＡＺエレクトロニックマテリアルズ株式会社製ＡＺＲＦＰ−２３０Ｋ２を用いた。東京応化製ＯＦＰＲ−８００ＬＢを採用しても良い。
また、現像液としては有機塩基溶液、無機塩基溶液を用いることができるが、無機塩基溶液の使用時は、金属イオンが混入する可能性があるため、有機塩基溶液を用いると好ましい。具体的には、ＴＭＡＨ（Ｔｅｔｒａ Ｍｅｔｈｙｌ Ａｍｍｏｎｉｕｍ Ｈｙｄｒｏｘｙｄｅ）水溶液等が挙げられる。本実施形態では東京応化株式会社社製ＰＭＥＲを用いた。さらにこの時、エッチング溶液として、シアン系、王水系、ヨウ素系、シュウ酸系等のエッチング溶液を用いることができる。本実施形態では、硝酸、臭化水素酸、塩化第２鉄溶液を用いた。さらに、フォトレジストを洗浄する溶剤としてはアルカリ溶液が用いられ、好ましくはＴＭＡＨを用いる。本実施形態においてもＴＭＡＨを用いた。

【0070】

上述のフォトレジスト、現像液、エッチング溶液、溶剤はこの限りではなく、第１の電極部１１、第１の接続部１２、第２の電極部２１を形成する材料に依存し、適宜選択することができる。
なお、本実施形態においては、比較的安価で大量生産が可能なウェットエッチングによる方法を示したが、ドライエッチングにより第１の電極部１１、第１の接続部１２、第２の電極部２１をパターニングしてもよい。

【0071】

（２．絶縁膜成膜工程）
第１の電極部１１、第１の接続部１２、第２の電極部２１を成膜した後、絶縁膜６０を、電極基板１の透明基板４上において全領域にわたって成膜する。

【0072】

まず、電極基板１の透明基板４上の全領域にわたって真空蒸着法、スパッタリング法、ＣＶＤ法等を用いて絶縁膜６０を成膜する。その後、スピンコーターや吹きつけにより、フォトレジストを塗布し、接触孔６１が透明基板４上の適切な位置に配設されるようにマスクを用いて露光する。露光後、各膜が積層された透明基板４を現像液に浸すことにより、不要な部分（すなわち、接触孔６１に相当する部分）のフォトレジストを除去する。フォトレジストを除去した後、各膜が積層された透明基板４をエッチング溶液に浸すことにより、フォトレジストに覆われていない部分の絶縁膜を除去する。その後、溶剤を用いてフォトレジストを完全に除去することにより、接触孔６１以外の部分に絶縁膜６０が形成される。なお、このとき、接触孔６１に相当する部分だけでなく、各電極パターンと、配線パターン４０、５０とが接続される部分においても開口するように絶縁膜６０が形成される。
絶縁膜６０として感光性の樹脂を用いることもできる。印刷あるいはディッピングによる樹脂の塗布の後、マスクを通しての露光により必要な部分を硬化させ、その後、不要な未硬化部分を除去する。感光性樹脂を用いることにより、製造工程としては、より簡略化することができる。

【0073】

上記のフォトレジスト、現像液、エッチング溶液、溶剤は、絶縁膜６０を形成する材料に依存し、適宜選択することができる。
なお、本実施形態においては、比較的安価で大量生産が可能なウェットエッチングによる方法を示したが、ドライエッチングにより絶縁膜６０に形成される接触孔６１をパターニングしてもよい。

【0074】

（３．第２の接続部形成工程）
絶縁膜６０を成膜、パターニングした後、第２の接続部２２を形成する。第２の接続部２２は、以下のようにエッチング工程を経ることにより形成する。

【0075】

まず、電極基板１の透明基板４上の、少なくとも第２の接続部２２が形成される範囲において真空蒸着法、スパッタリング法、ＣＶＤ法等を用いて透明導電膜を成膜する。その後、スピンコーターや吹きつけにより、フォトレジストを塗布し、成膜される第２の接続部２２が透明基板４上（より詳細には、第２の電極部２１上）の適切な位置に配設されるようにマスクを用いて露光する。

【0076】

露光後、各膜が積層された透明基板４を現像液に浸すことにより、不要な部分（すなわち、第２の接続部２２に相当しない部分）のフォトレジストを除去する。フォトレジストを除去した後、各膜が積層された透明基板４をエッチング溶液に浸すことにより、フォトレジストに覆われていない部分の透明導電膜を腐食させ、除去する。その後、溶剤を用いてフォトレジストを完全に除去することにより、第２の接続部２２を形成する。

【0077】

第２の接続部２２の形成時、透明導電膜材料としてＩＴＯを用い、上記の透明基板４上にスパッタリングにより形成すると好ましい。
また、第２の接続部２２は、透明導電体膜（ＩＴＯ、ＡＺＯ等）ではなく、導電体膜材料として例えば金、銀、銅、モリブデン（Ｍｏ）、ニオブ（Ｎｂ）、アルミ（Ａｌ）等の金属を単体、あるいはそれぞれの合金等を用いてもよい。このように、第２の接続部２２を形成する材料として、透明導電体材料以外の金属を用いた場合、第２の接続部２２の短手方向の幅を極めて小さくすることにより、第２の接続部２２を目視されにくくすることができる。

【0078】

なお、フォトレジスト、現像液、エッチング溶液、溶剤は、第２の接続部２２を形成する材料に依存し、適宜選択することができる。
なお、本実施形態においては、比較的安価で大量生産が可能なウェットエッチングによる方法を示したが、ドライエッチングにより第２の接続部２２を形成してもよい。

【0079】

（４．オーバーコート層成膜工程）
上述のように第２の接続部２２を形成した後、各膜を積層させた透明基板４上の全面にオーバーコート層７０を成膜する。オーバーコート層７０として、スクリーン印刷法により、ポリイミド樹脂、アクリル樹脂等の膜を形成する。また、蒸着法、スパッタリング法、ディッピング法等により酸化ケイ素（ＳｉＯ_２）、酸化アルミニウム（Ａｌ_２Ｏ_３）、フッ化マグネシウム（ＭｇＦ）等から構成される膜を形成しても良い。好ましくは、屈折率の低いアクリル樹脂によってオーバーコート層７０を成膜するのがよい。
（５．屈折率調整層成膜工程）

【0080】

上述のようにオーバーコート層７０を形成した後、オーバーコート層７０上を覆うように屈折率調整層８０を成膜する。このとき、屈折率調整層８０を構成する低屈折率層８１、高屈折率層８２を、蒸着法、スパッタリング法、ディッピング法、スクリーン印刷法等によりオーバーコート層７０上に順に形成する。
このとき、低屈折率層８１構成する材料は、上記のように、酸化ケイ素（ＳｉＯ_２）、フッ化マグネシウム（ＭｇＦ）等から選択される。また、高屈折率層８２を構成する材料は、窒化ケイ素（ＳｉＮ）、チタン酸化物（ＴｉＯ_２）、ジルコニウム酸化物（ＺｒＯ_２）、タンタル酸化物（Ｔａ_２Ｏ_５）、ニオブ酸化物（Ｎｂ_２Ｏ_５）等から選択される。

【0081】

（６．保護基板接着工程）
屈折率調整層８０を成膜した後、保護基板５を接着する。この保護基板５の接着工程は、公知の手法が用いられる。
例えば、保護基板５の一方側の面（静電容量型入力装置Ｄに搭載された際に目視される側）には、反射防止膜１００が予め備えられており、他方側の面に接着層８０を印刷法等の手法により形成し、上記屈折率調整層８０上に接着する手法が用いられる。なお、保護基板５を接着層８０によって接着した後、印刷法やスパッタリング法等の手法により、反射防止膜１００を形成しても良い。

【0082】

上述のように、本発明の電極基板１は、第１の電極パターン１０及び第２の電極パターン２０の上方にオーバーコート層７０が形成され、このオーバーコート層７０上に屈折率調整層８０が備えられている。
一方、第１の電極パターン１０及び第２の電極パターン２０の交差部３０において電気的に絶縁されており、この交差部付近では、厚さ方向において凹凸部（段差部）が形成される。したがって、一般に、凹凸部が視認されやすいが、上記のように、オーバーコート層７０によって第１の電極パターン１０及び第２の電極パターン２０を覆い、さらにオーバーコート層７０の上方に屈折率調整層８０を形成することにより、各電極パターン（特に厚さ方向における凹凸部）を視認されにくくすることができる。

【0083】

また、上記構成の電極基板１を備えることにより、本発明の静電容量型入力装置Ｄは、画像表示領域の視認性が極めて高くなる。
したがって、静電容量型入力装置Ｄは、携帯電話、電子手帳等の携帯端末（ＰＤＡ、Ｐｅｒｓｏｎａｌ Ｄｉｇｉｔａｌ Ａｓｓｉｓｔａｎｔ）、ゲーム機、カーナビゲーション、パーソナルコンピュータ、券売機、銀行の端末等の電子機器分野において有用であると期待される。

【符号の説明】

【0084】

１ 電極基板
１ａ 入力部
１ｂ 出力部
２ 画像表示装置
３ フレキシブルフラットケーブル
４ 透明基板
５ 保護基板
１０ 第１の電極パターン（入力部）
１１ 第１の電極部
１２ 第１の接続部
２０ 第２の電極パターン（入力部）
２１ 第２の電極部
２２ 第２の接続部
２２ａ 接触部
３０ 交差部
４０，５０ 配線パターン（出力部）
４０ａ，５０ａ 接続端子（出力部）
６０ 絶縁膜
６１ 接触孔
７０ オーバーコート層
７０ａ 上面
８０ 屈折率調整層
８１ 低屈折率層
８１ａ 上面
８２ 高屈折率層
８２ａ 上面
９０ 接着層
１００ 反射防止膜
Ｄ 静電容量型入力装置

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】