特許 5766472 フレキシブルディスプレイ装置の製造方法

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】特許公報(B2)

(11)【特許番号】5766472

(24)【登録日】2015年6月26日

(45)【発行日】2015年8月19日

(54)【発明の名称】フレキシブルディスプレイ装置の製造方法

(51)【国際特許分類】

   H05B 33/10 20060101AFI20150730BHJP

   H05B 33/04 20060101ALI20150730BHJP

   H05B 33/02 20060101ALI20150730BHJP

   H01L 51/50 20060101ALI20150730BHJP

【ＦＩ】

   H05B33/10

   H05B33/04

   H05B33/02

   H05B33/14 A

【請求項の数】23

【全頁数】16

(21)【出願番号】特願2011-49979(P2011-49979)

(22)【出願日】2011年3月8日

(65)【公開番号】特開2011-187446(P2011-187446A)

(43)【公開日】2011年9月22日

【審査請求日】2014年2月19日

(31)【優先権主張番号】10-2010-0021017

(32)【優先日】2010年3月9日

(33)【優先権主張国】KR

(73)【特許権者】

【識別番号】512187343

【氏名又は名称】三星ディスプレイ株式會社

【氏名又は名称原語表記】Ｓａｍｓｕｎｇ Ｄｉｓｐｌａｙ Ｃｏ．，Ｌｔｄ．

(74)【代理人】

【識別番号】100146835

【弁理士】

【氏名又は名称】佐伯 義文

(74)【代理人】

【識別番号】100089037

【弁理士】

【氏名又は名称】渡邊 隆

(74)【代理人】

【識別番号】100108453

【弁理士】

【氏名又は名称】村山 靖彦

(72)【発明者】

【氏名】朴 容煥

(72)【発明者】

【氏名】李 在燮

(72)【発明者】

【氏名】金 武鎭

(72)【発明者】

【氏名】表 瑩信

(72)【発明者】

【氏名】▲セオ▼ 祥準

(72)【発明者】

【氏名】閔 勳基

(72)【発明者】

【氏名】陳 東彦

【審査官】 素川 慎司

(56)【参考文献】

【文献】 特開２０１１−１４２１６８（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開２００９−０３７７９８（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開２００８−０８４８１９（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開２００６−１７１４５４（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開２００３−１０９７７３（ＪＰ，Ａ）

(58)【調査した分野】（Int.Cl.，ＤＢ名）

Ｈ０１Ｌ ５１／５０

Ｈ０５Ｂ ３３／１０

Ｈ０５Ｂ ３３／０２

Ｈ０５Ｂ ３３／０４

(57)【特許請求の範囲】

【請求項1】

複数の陥没部が形成された第１基板を提供する段階と、
前記それぞれの陥没部内に第１プラスチックフィルムを形成する段階と、
前記それぞれの第１プラスチックフィルム上に薄膜トランジスタを形成する段階と、
前記それぞれの薄膜トランジスタ上に前記薄膜トランジスタと電気的に連結されるディスプレイ素子を形成する段階と、
前記ディスプレイ素子の上部を封止する段階と、
前記第１基板をカットする段階と、
前記第１基板を前記第１プラスチックフィルムから分離させる段階と、を含むフレキシブルディスプレイ装置の製造方法。

【請求項2】

前記第１基板をカットする段階は、
前記第１基板上で前記プラスチックフィルムが形成されていない領域をカットすることを特徴とする請求項１に記載のフレキシブルディスプレイ装置の製造方法。

【請求項3】

前記第１基板をカットする段階は、
前記それぞれの陥没部のフレームに沿って前記第１基板をカットすることを特徴とする請求項１に記載のフレキシブルディスプレイ装置の製造方法。

【請求項4】

前記第１基板をカットする段階は、
前記第１基板をパネル別にカットすることを特徴とする請求項１に記載のフレキシブルディスプレイ装置の製造方法。

【請求項5】

前記それぞれの陥没部内に別々にディスプレイパネルが形成されることを特徴とする請求項１に記載のフレキシブルディスプレイ装置の製造方法。

【請求項6】

前記それぞれの陥没部内に第１プラスチックフィルムを形成する段階は、
前記第１基板上に全体的に前記第１プラスチックフィルムを形成する段階と、
前記第１プラスチックフィルムのうち、前記第１基板の上面より突き出た部分を除去する段階と、を含むことを特徴とする請求項１に記載のフレキシブルディスプレイ装置の製造方法。

【請求項7】

前記それぞれの陥没部内に第１プラスチックフィルムを形成する段階は、
ノズルプリンティングまたはインクジェットプリンティング法で前記それぞれの陥没部に前記第１プラスチックフィルムを充填することを特徴とする請求項１に記載のフレキシブルディスプレイ装置の製造方法。

【請求項8】

前記第１基板を前記第１プラスチックフィルムから分離させる段階は、
前記第１基板にレーザーを照射して行われることを特徴とする請求項１に記載のフレキシブルディスプレイ装置の製造方法。

【請求項9】

前記第１プラスチックフィルムは、ポリイミドまたはポリカーボネートのうち、少なくとも１つを含むことを特徴とする請求項１に記載のフレキシブルディスプレイ装置の製造方法。

【請求項10】

前記それぞれの陥没部内に第１プラスチックフィルムを形成する段階の後、
前記第１基板及び第１プラスチックフィルム上に第１バリア層を形成する段階をさらに含むことを特徴とする請求項１に記載のフレキシブルディスプレイ装置の製造方法。

【請求項11】

前記ディスプレイ素子は、有機発光素子を含むことを特徴とする請求項１に記載のフレキシブルディスプレイ装置の製造方法。

【請求項12】

前記ディスプレイ素子の上部を封止する段階は、
薄膜封止法で行われることを特徴とする請求項１に記載のフレキシブルディスプレイ装置の製造方法。

【請求項13】

前記ディスプレイ素子の上部を封止する段階は、
複数の第２陥没部が形成された第２基板を提供し、前記それぞれの第２陥没部内に第２プラスチックフィルムを形成し、封止部材を形成する段階と、
前記封止部材を前記ディスプレイ素子の上部に結合する段階と、を含むことを特徴とする請求項１に記載のフレキシブルディスプレイ装置の製造方法。

【請求項14】

前記封止部材は、前記ディスプレイ素子と別途に製造され、前記ディスプレイ素子と結合することを特徴とする請求項１３に記載のフレキシブルディスプレイ装置の製造方法。

【請求項15】

前記封止部材を形成する段階は、
前記第２基板及び第２プラスチックフィルム上に第２バリア層を形成する段階をさらに含むことを特徴とする請求項１３に記載のフレキシブルディスプレイ装置の製造方法。

【請求項16】

前記第２バリア層を形成する段階は、
８０℃〜４００℃間の高温蒸着工程を通じて前記第２バリア層を形成することを特徴とする請求項１５に記載のフレキシブルディスプレイ装置の製造方法。

【請求項17】

前記第２バリア層は、光硬化性物質を含み、前記光硬化性物質が光硬化されつつ、前記封止部材が前記ディスプレイ素子の上部に結合することを特徴とする請求項１５に記載のフレキシブルディスプレイ装置の製造方法。

【請求項18】

前記第２バリア層は、粘着性物質を含み、前記粘着性の第２バリア層により前記封止部材が前記ディスプレイ素子の上部に結合することを特徴とする請求項１５に記載のフレキシブルディスプレイ装置の製造方法。

【請求項19】

前記第１基板をカットする段階は、
前記第１基板と前記第２基板とを同時にカットすることを特徴とする請求項１３に記載のフレキシブルディスプレイ装置の製造方法。

【請求項20】

前記第１基板を前記第１プラスチックフィルムから分離させる段階の後、
前記第２基板を前記第２プラスチックフィルムから分離させる段階をさらに含むことを特徴とする請求項１３に記載のフレキシブルディスプレイ装置の製造方法。

【請求項21】

前記第２基板を前記第２プラスチックフィルムから分離させる段階は、
前記第２基板にレーザーを照射して行われることを特徴とする請求項２０に記載のフレキシブルディスプレイ装置の製造方法。

【請求項22】

複数の陥没部が形成された第１基板を提供する段階と、
前記それぞれの陥没部内に第１プラスチックフィルムを形成する段階と、
前記それぞれの第１プラスチックフィルム上に薄膜トランジスタを形成する段階と、
前記それぞれの薄膜トランジスタ上に前記薄膜トランジスタと電気的に連結されるディスプレイ素子を形成する段階と、
前記ディスプレイ素子の上部を封止する段階と、
レーザーを照射して前記第１プラスチックフィルム、その上部に形成された前記薄膜トランジスタ及びディスプレイ素子を前記第１基板からパネル別に分離させる段階と、を含むフレキシブルディスプレイ装置の製造方法。

【請求項23】

前記それぞれの陥没部内に別々にディスプレイパネルが形成されることを特徴とする請求項２２に記載のフレキシブルディスプレイ装置の製造方法。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、フレキシブルディスプレイ装置の製造方法に係り、さらに詳細には、薄膜トランジスタなどを備えたディスプレイ部のカットが容易なフレキシブルディスプレイ装置の製造方法に関する。

【背景技術】

【0002】

薄膜トランジスタ（ＴＦＴ：ｔｈｉｎ ｆｉｌｍ ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）を備えた液晶ディスプレイ装置（ｌｉｑｕｉｄ ｃｒｙｓｔａｌ ｄｉｓｐｌａｙ ｄｅｖｉｃｅ）及び有機発光ディスプレイ装置（ｏｒｇａｎｉｃ ｌｉｇｈｔ ｅｍｉｔｔｉｎｇ ｄｉｓｐｌａｙ ｄｅｖｉｃｅ）は、現在デジタルカメラやビデオカメラまたは携帯情報端末機（ＰＤＡ）や携帯電話などのモバイル機器用のディスプレイとしてその市場を拡大している。

【0003】

このようなモバイル機器用としては、軽薄で、容易には割れない特性が要求される。軽薄に製作するために、製造時に薄いガラス材基板を使用する方法以外に、既存のガラス材基板を使用して製作した後、このガラス材基板を機械的または化学的方法で薄くする方法が導入された。しかし、このような工程は複雑でかつ割れやすくて、実用化には問題点があった。

【0004】

また、このようなモバイル機器は、携帯しやすく、多様な形状のディスプレイ装置に適用されるために、曲面具現が可能なフレキシブルな特性が要求される。しかし、既存のガラス材基板は、フレキシブル特性を具現し難い問題点があった。

【0005】

このような問題点を解決するために、低温多結晶シリコン薄膜トランジスタをプラスチック材基板上に形成しようとする試みがあった。プラスチックは、０．２ｍｍ程度の厚さで形成しても割れにくく、また比重がガラスより小さくて、既存のガラス材基板と比較した時、重量を１／５以下に軽減させることができ、曲面具現が可能であるという長所がある。

【0006】

しかし、このようなプラスチック材基板上に薄膜トランジスタとディスプレイ素子とを形成する過程で、プラスチック材基板を薄く製作する場合、基板上に薄膜トランジスタとディスプレイ素子とを順次に形成する過程で、プラスチック材基板のフレキシブルな特性のために、基板が基板上に形成された荷重を支え難く、ハンドリングしにくいという問題点があった。

【0007】

これを解決するために、ガラス材基板上にプラスチック材基板を薄く形成し、その上に薄膜トランジスタとディスプレイ素子とを含むディスプレイ部を形成した後、プラスチック材基板からガラス材基板を分離させる方法が研究されている。この場合、一般的に大面積の基板上に複数のディスプレイ部を形成した後、これをパネル単位でカットする方法が用いられる。ところが、この場合、ガラス材基板とプラスチック材基板との二枚の基板をカットせねばならないために、基板のカットが容易ではないという問題点が存在した。

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0008】

本発明は、前記問題点を含んだ多様な問題点を解決するためのものであって、ディスプレイ部のパネル別カット工程を容易に行えるフレキシブルディスプレイ装置の製造方法を提供することを目的とする。

【課題を解決するための手段】

【0009】

本発明は、複数の陥没部が形成された第１基板を提供する段階と、前記それぞれの陥没部内に第１プラスチックフィルムを形成する段階と、前記それぞれの第１プラスチックフィルム上に薄膜トランジスタを形成する段階と、前記それぞれの薄膜トランジスタ上に前記薄膜トランジスタと電気的に連結されるディスプレイ素子を形成する段階と、前記ディスプレイ素子の上部を封止（ｅｎｃａｐｓｕｌａｔｉｏｎ）する段階と、前記第１基板をカットする段階と、前記第１基板を前記第１プラスチックフィルムから分離させる段階と、を含むフレキシブルディスプレイ装置の製造方法を提供する。

【0010】

本発明において、前記第１基板をカットする段階は、前記第１基板上で前記プラスチックフィルムが形成されていない領域をカットしうる。

【0011】

本発明において、前記第１基板をカットする段階は、前記それぞれの陥没部のフレームに沿って前記第１基板をカットしうる。

【0012】

本発明において、前記第１基板をカットする段階は、前記第１基板をパネル別にカットしうる。

【0013】

本発明において、前記それぞれの陥没部内に別々にディスプレイパネルが形成されうる。

【0014】

本発明において、前記それぞれの陥没部内に第１プラスチックフィルムを形成する段階は、前記第１基板上に全体的に前記第１プラスチックフィルムを形成する段階と、前記第１プラスチックフィルムのうち、前記第１基板の上部表面より突き出た部分を除去する段階と、を含むことができる。

【0015】

本発明において、前記それぞれの陥没部内に第１プラスチックフィルムを形成する段階は、ノズルプリンティングまたはインクジェットプリンティング法で前記それぞれの陥没部に前記第１プラスチックフィルムを充填しうる。

【0016】

本発明において、前記第１基板を前記第１プラスチックフィルムから分離させる段階は、前記第１基板にレーザーを照射して行える。

【0017】

本発明において、前記第１プラスチックフィルムは、ポリイミドまたはポリカーボネートのうち、少なくとも１つを含むことができる。

【0018】

本発明において、前記それぞれの陥没部内に第１プラスチックフィルムを形成する段階の後、前記第１基板及び第１プラスチックフィルム上に第１バリア層を形成する段階をさらに含むことができる。

【0019】

本発明において、前記ディスプレイ素子は、有機発光素子（ＯＬＥＤ：ｏｒｇａｎｉｃ ｌｉｇｈｔ ｅｍｉｔｔｉｎｇ ｄｉｏｄｅ）を含むことができる。

【0020】

本発明において、前記ディスプレイ素子の上部を封止（ｅｎｃａｐｓｕｌａｔｉｏｎ）する段階は、薄膜封止（ｔｈｉｎ ｆｉｌｍ ｅｎｃａｐｓｕｌａｔｉｏｎ）方法で行える。

【0021】

本発明において、前記ディスプレイ素子の上部を封止する段階は、複数の第２陥没部が形成された第２基板を提供し、前記それぞれの第２陥没部内に第２プラスチックフィルムを形成して、封止部材を形成する段階と、前記封止部材を前記ディスプレイ素子の上部に結合する段階と、を含むことができる。

【0022】

ここで、前記封止部材は、前記ディスプレイ素子と別途に製造されて、前記ディスプレイ素子と結合されうる。

【0023】

ここで、前記封止部材を形成する段階は、前記第２基板及び第２プラスチックフィルム上に第２バリア層を形成する段階をさらに含むことができる。

【0024】

ここで、前記第２バリア層を形成する段階は、８０℃〜４００℃の高温蒸着工程を通じて前記第２バリア層を形成しうる。

【0025】

ここで、前記第２バリア層は、光硬化性物質を含み、前記光硬化性物質が光硬化されつつ、前記封止部材が前記ディスプレイ素子の上部に結合しうる。

【0026】

ここで、前記第２バリア層は、粘着性物質を含み、前記粘着性の第２バリア層により前記封止部材が前記ディスプレイ素子の上部に結合しうる。

【0027】

ここで、前記第１基板をカットする段階は、前記第１基板と前記第２基板とを同時にカットしうる。

【0028】

ここで、前記第１基板を前記第１プラスチックフィルムから分離させる段階の後、前記第２基板を前記第２プラスチックフィルムから分離させる段階をさらに含むことができる。

【0029】

ここで、前記第２基板を前記第２プラスチックフィルムから分離させる段階は、前記第２基板にレーザーを照射して行える。

【0030】

他の側面による本発明は、複数の陥没部が形成された第１基板を提供する段階と、前記それぞれの陥没部内に第１プラスチックフィルムを形成する段階と、前記それぞれの第１プラスチックフィルム上に薄膜トランジスタを形成する段階と、前記それぞれの薄膜トランジスタ上に前記薄膜トランジスタと電気的に連結されるディスプレイ素子を形成する段階と、前記ディスプレイ素子の上部を封止する段階と、レーザーを照射して前記第１プラスチックフィルム、その上部に形成された前記薄膜トランジスタ及びディスプレイ素子を前記第１基板からパネル別に分離させる段階と、を含むフレキシブルディスプレイ装置の製造方法を提供する。

【0031】

本発明において、前記それぞれの陥没部内に別々にディスプレイパネルが形成されうる。

【発明の効果】

【0032】

本発明のフレキシブルディスプレイ装置の製造方法によれば、ディスプレイ部のパネル別カット工程を容易に行うことが可能である。

【図面の簡単な説明】

【0033】

【図1】本発明の一実施例によるフレキシブルディスプレイ装置であって、有機発光ディスプレイ装置の製造工程を概略的に示す断面図である。

【図2A】本発明の一実施例によるフレキシブルディスプレイ装置であって、有機発光ディスプレイ装置の製造工程を概略的に示す断面図である。

【図2B】本発明の一実施例によるフレキシブルディスプレイ装置であって、有機発光ディスプレイ装置の製造工程を概略的に示す断面図である。

【図3】本発明の一実施例によるフレキシブルディスプレイ装置であって、有機発光ディスプレイ装置の製造工程を概略的に示す断面図である。

【図4】本発明の一実施例によるフレキシブルディスプレイ装置であって、有機発光ディスプレイ装置の製造工程を概略的に示す断面図である。

【図5】本発明の一実施例によるフレキシブルディスプレイ装置であって、有機発光ディスプレイ装置の製造工程を概略的に示す断面図である。

【図6】本発明の一実施例によるフレキシブルディスプレイ装置であって、有機発光ディスプレイ装置の製造工程を概略的に示す断面図である。

【図7】本発明の一実施例によるフレキシブルディスプレイ装置であって、有機発光ディスプレイ装置の製造工程を概略的に示す断面図である。

【図8】本発明の一実施例によるフレキシブルディスプレイ装置であって、有機発光ディスプレイ装置の製造工程を概略的に示す断面図である。

【図9】本発明の一実施例によるフレキシブルディスプレイ装置であって、有機発光ディスプレイ装置の製造工程を概略的に示す断面図である。

【図10】本発明の一実施例によるフレキシブルディスプレイ装置であって、有機発光ディスプレイ装置の製造工程を概略的に示す断面図である。

【図11】本発明の一実施例によるフレキシブルディスプレイ装置であって、有機発光ディスプレイ装置の製造工程を概略的に示す断面図である。

【図12】本発明の一実施例によるフレキシブルディスプレイ装置であって、有機発光ディスプレイ装置の製造工程を概略的に示す断面図である。

【発明を実施するための形態】

【0034】

以下、添付された図面を参照して本発明の実施例を詳細に説明すれば、次の通りである。

【0035】

図１ないし図１２は、本発明の一実施例によるフレキシブルディスプレイ装置であって、有機発光ディスプレイ装置の製造工程を概略的に示す断面図である。

【0036】

まず、図１に図示されたように、複数の陥没部１０１ａが形成された第１基板１０１を提供する。

【0037】

ところで、ディスプレイ装置の製作時に、一枚の基板上に複数枚のパネルが同時に形成されているために、封止工程が完了した後、プラスチックフィルムから基板を分離する前にそれぞれのパネルを分離するためのカット工程が必要となる。このような工程において、既存のガラス基板のカット時に使用するダイアモンドホイール（ｄｉａｍｏｎｄ ｗｈｅｅｌ）のみを利用してカットする場合、基板上に高分子で形成されたプラスチックフィルムがコーティングされた状態であるために、プラスチックフィルムが裂けたり、ＴＦＴまたは配線などが破損したりする問題が発生した。これを解決するために、レーザーを利用して１次でプラスチックフィルムをカットし、さらにダイアモンドホイールを利用して基板を２次カットする方案が提示された。しかし、このような工程を進行するためには、既存に使われていないレーザー設備がさらに必要であるために、コスト高の原因となりうる。

【0038】

このような問題点を解決するために、本発明の一実施例によるフレキシブルディスプレイ装置の製造方法では、第１基板１０１に各パネル領域別に陥没部１０１ａを形成した後、前記陥没部１０１ａにプラスチックフィルム、薄膜トランジスタ及びディスプレイ素子を形成することによって、カット領域にはプラスチックフィルムが形成されず、これによってプラスチックフィルムがカットされないことを特徴としている。

【0039】

ここで、第１基板１０１は、後述する分離段階でレーザービームが通過される透光性基板であることが望ましい。また、その機械的強度が十分であって、その上部に多様な素子または層が形成される場合であっても、変形のない材質で形成されたものを利用することが望ましい。本実施例では、このような材質としてガラス材基板を使用したが、前記の特性を持つ材質ならば、ガラス材基板に限らず、多様な種類の第１基板１０１が利用されうることはいうまでもない。

【0040】

次いで、図２Ａ及び図２Ｂに示されたように、第１基板１０１の前記複数の陥没部１０１ａに第１プラスチックフィルム１１１を形成する。この場合、次の２種の方法を例示することができる。

【0041】

まず、図２Ａに示されたように、スピンコーティング方式またはスロットダイ（ｓｌｏｔ ｄｉｅ）方式などを使用して、前記第１基板１０１上の全体に第１プラスチックフィルム１１１を形成した後、第１基板１０１の上面より突き出ている部分を除去する方法を使用して、第１基板１０１の陥没部１０１ａに第１プラスチックフィルム１１１を形成する。

【0042】

または図２Ｂに示されたように、ノズルプリンティングまたはインクジェットプリンティングのようなドロップ方式で、第１基板１０１の陥没部１０１ａが形成された領域にのみ第１プラスチックフィルム１１１を充填することで、第１基板１０１の陥没部１０１ａに第１プラスチックフィルム１１１を形成することもできる。

【0043】

このような方法によって、図３に示されたように、第１基板１０１の陥没部１０１ａが第１プラスチックフィルム１１１で充填される。

【0044】

ここで、第１プラスチックフィルム１１１は、従来のガラス材基板に比べて比重が小さくて軽く、割れ難く、曲面具現が可能な特性を有したプラスチック材で形成されうる。前記第１プラスチックフィルム１１１は、厚さが薄いほど軽くて薄膜ディスプレイの実現に有利であるが、後述する分離段階で第１基板１０１を分離した後にも、第１プラスチックフィルム１１１は、プラスチックフィルム上に形成された層と素子とによる荷重を維持できる程度の厚さを確保せねばならない。このような第１プラスチックフィルム１１１の厚さは５〜１００μｍ程度が望ましいが、これは、５μｍ以下の厚さで第１基板１０１を分離する場合、第１プラスチックフィルム１１１のみでその上に形成された層と素子の形状を安定して維持し難く、１００μｍ以上の厚さは、本発明による薄型の有機発光素子の具現に適さないからである。

【0045】

ここで、前記第１プラスチックフィルム１１１は、ポリイミドまたはポリカーボネートで形成されうる。ポリイミドは、機械的強度が優秀で最大工程可能温度が約４５０℃であって、他の高分子材料に比べて耐熱性が優れている。従って、ポリイミド基板上に薄膜トランジスタ及び有機発光素子を形成する工程で、一定の加熱過程を経ても、各素子と層との荷重による反りが生じず、フレキシブルディスプレイ基板の役割を安定して行える。

【0046】

次いで、図４に示されたように、第１基板１０１の第１プラスチックフィルム１１１の上部に第１バリア層１１２を形成した後、第１バリア層１１２の上部に薄膜トランジスタ（ＴＦＴ：ｔｈｉｎ ｆｉｌｍ ｔｒａｎｓｉｔｏｒ）を形成する。図４では、薄膜トランジスタの一例としてトップゲート（ｔｏｐ ｇａｔｅ）方式の薄膜トランジスタが備えられた場合を示している。しかし、ボトムゲート（ｂｏｔｔｏｍ ｇａｔｅ）方式など他の構造の薄膜トランジスタが備えられうることはいうまでもない。以下では、便宜上、図４に示された形の薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）が備えられた場合について説明する。

【0047】

まず、第１プラスチックフィルム１１１の上部には、第１バリア層１１２が形成される。第１バリア層１１２は、ＳｉＯ_ｘ、ＳｉＮ_ｘ、ＳｉＯＮ、ＡｌＯ、ＡｌＯＮなどの無機物からなり、またはアクリルまたはポリイミドなどの有機物からなりうる。または、有機物と無機物とが交互に積層されることもある。この第１バリア層１１２は、酸素と水分とを遮断する役割を行うと同時に、第１プラスチックフィルム１１１から発生する水分または不純物の拡散を防止するか、結晶化時に熱の伝達速度を調節することによって、半導体の結晶化がよくなされるような役割を果たす。

【0048】

一方、図４に示されたように、トップゲート型薄膜トランジスタが備えられる場合、第１バリア層１１２上に半導体層１２１、ゲート絶縁膜１１３、ゲート電極１２２、層間絶縁膜１１４、コンタクトホール１２４、ソース電極とドレイン電極１２３a、１２３ｂ、及び保護膜１１５（図５）が順次に形成される。

【0049】

半導体層１２１は、ポリシリコンで形成され、この場合、所定領域が不純物でドーピングされうる。もちろん半導体層１２１は、ポリシリコンではないアモルファスシリコンで形成され、さらにペンタセンのような多様な有機半導体物質で形成されこともある。

【0050】

半導体層１２１がポリシリコンで形成される場合、アモルファスシリコンを形成し、これを結晶化させてポリシリコンに変化させる。このような結晶化方法としては、ＲＴＡ（Ｒａｐｉｄ Ｔｈｅｒｍａｌ Ａｎｎｅａｌｉｎｇ）工程、ＳＰＣ法（Ｓｏｌｉｄ Ｐｈａｓｅ Ｃｒｙｓｔａｌｌｚａｔｉｏｎ）、ＥＬＡ法（Ｅｘｃｉｍｅｒ Ｌａｓｅｒ Ａｎｎｅａｌｉｎｇ）、ＭＩＣ（Ｍｅｔａｌ Ｉｎｄｕｃｅｄ Ｃｒｙｓｔａｌｌｉｚａｔｉｏｎ）、ＭＩＬＣ法（Ｍｅｔａｌ Ｉｎｄｕｃｅｄ Ｌａｔｅｒａｌ Ｃｒｙｓｔａｌｌｉｚａｔｉｏｎ）またはＳＬＳ法（Ｓｅｑｕｅｎｔｉａｌ Ｌａｔｅｒａｌ Ｓｏｌｉｄｉｆｉｃａｔｉｏｎ）など多様な方法が適用されうる。本発明によるプラスチックフィルムを使用するためには、高温の加熱工程が要求されない方法を利用することが望ましい。従来の半導体を活性化させる過程では、高温の工程が持続されることによって、基板の温度が４００〜５００℃まで上昇し、それによってプラスチックフィルムを使用できない問題があった。しかしながら、最近では、プラスチックフィルムの耐熱性が向上して、低温ポリシリコン（ＬＴＰＳ：ｌｏｗ ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ ｐｏｌｙ−ｓｉｌｉｃｏｎ）工程を３００℃以上でも実施可能となった。そして、本実施例のように、プラスチックフィルム、望ましくは、ポリイミド基板を使用して薄膜トランジスタを形成可能となった。

【0051】

半導体層１２１とゲート電極１２２との間を絶縁するために、その間にゲート絶縁膜１１３が形成される。このゲート絶縁膜１１３は、シリコンオキシドまたはシリコンナイトライドのような絶縁性物質で形成され、もちろんそれ以外にも絶縁性有機物などで形成されうる。

【0052】

ゲート電極１２２は、多様な導電性物質で形成されうる。例えば、Ｍｇ、Ａｌ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、ＭｏＷまたはＡｕなどの物質で形成され、この場合にも、単一層だけではなく、複数層の形で形成することができるなど多様な変形が可能である。

【0053】

層間絶縁膜１１４は、シリコンオキシドまたはシリコンナイトライドのような絶縁性物質で形成され、もちろんそれ以外にも、絶縁性有機物で形成されうる。前記層間絶縁膜１１４とゲート絶縁膜１１３とを選択的に除去して、ソース及びドレイン領域が露出されるコンタクトホール１２４を形成しうる。そして、前記コンタクトホール１２４が埋め込まれるように層間絶縁膜１１４上に前述したゲート電極１２２用の物質で、単一層または複数層の形状にソース及びドレイン電極１２３a、１２３ｂを形成する。

【0054】

ソース及びドレイン電極１２３a、１２３ｂの上部には、保護膜（パッシベーション層及び／または平坦化膜）１１５（図５）が備えられて、下部の薄膜トランジスタを保護して平坦化させる。この保護膜（図５の１１５参照）は、多様な形で構成されうるが、ＢＣＢ（ｂｅｎｚｏｃｙｃｌｏｂｕｔｅｎｅ）またはアクリルのような有機物、またはＳｉＮ_ｘのような無機物で形成され、単層で形成されるか、二重あるいは多重層で構成されうるなど多様な変形が可能である。

【0055】

次いで、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）の上部にディスプレイ素子が形成される。本明細書では、ディスプレイ素子として有機発光素子（ＯＬＥＤ）を例示しているが、本発明の思想は、これに限定されず、多様なディスプレイ素子が本発明に適用されうる。

【0056】

薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）の上部に有機発光素子（ＯＬＥＤ）を形成するために、まず、図５に示されたように、ソース電極またはドレイン電極の一電極にコンタクトホール１３０を形成して第１電極１３１と電気的に連結させるようにする。

【0057】

ここで、第１電極１３１は、後で有機発光素子に備えられる電極のうち、一電極として機能するものであって、多様な導電性物質で形成されうる。この第１電極１３１は、後で形成される有機発光素子によって透明電極として形成されても、反射型電極として形成されても良い。透明電極として使われる時には、ＩＴＯ、ＩＺＯ、ＺｎＯまたはＩｎ_２Ｏ_３で備えられ、反射型電極として使われる時には、Ａｇ、Ｍｇ、Ａｌ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ａｕ、Ｎｉ、Ｎｄ、Ｉｒ、Ｃｒ及びこれらの化合物で反射膜を形成した後、その上にＩＴＯ、ＩＺＯ、ＺｎＯまたはＩｎ_２Ｏ_３を形成しうる。

【0058】

次いで、図６に示されたように、第１電極１３１上に第１電極１３１の少なくとも一部が露出されるように絶縁性物質でパターニングされた画素定義膜１１６を形成し、次いで、図７に示されたように、第１電極１３１の露出された部分に発光層を含む中間層１３２を形成し、この中間層１３２を中心に、第１電極１３１に対向する第２電極１３３を形成することによって有機発光素子（ＯＬＥＤ）を製造しうる。

【0059】

図７において、中間層１３２は、各副画素、すなわちパターニングされた各第１電極１３１にのみ対応すべく、パターニングされたものとして図示されているが、これは副画素の構成を説明するために、便宜上、そのように図示したものであって、中間層１３２は、隣接した副画素の中間層１３２と一体に形成されうることはいうまでもない。また中間層１３２のうち、一部の層は、各副画素別に形成され、他の層は、隣接した副画素の中間層１３２と一体に形成されうるなどその多様な変形が可能である。

【0060】

中間層１３２は、低分子または高分子有機物で形成されうる。低分子有機物を使用する場合、正孔注入層（ＨＩＬ：ｈｏｌｅ ｉｎｊｅｃｔｉｏｎ ｌａｙｅｒ）、正孔輸送層（ＨＴＬ：ｈｏｌｅ ｔｒａｎｓｐｏｒｔ ｌａｙｅｒ）、有機発光層（ＥＭＬ：ｅｍｉｓｓｉｖｅ ｌａｙｅｒ）、電子輸送層（ＥＴＬ：ｅｌｅｃｔｒｏｎ ｔｒａｎｓｐｏｒｔ ｌａｙｅｒ）、電子注入層（ＥＩＬ：ｅｌｅｃｔｒｏｎ ｉｎｊｅｃｔｉｏｎ ｌａｙｅｒ）などが単一あるいは複合構造で積層されて形成され、使用可能な有機材料も銅フタロシアニン（ＣｕＰｃ：ｃｏｐｐｅｒ ｐｈｔｈａｌｏｃｙａｎｉｎｅ）、Ｎ，Ｎ−ジ（ナフタレン−１−イル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−ベンジジン（Ｎ，Ｎ’−Ｄｉ（ｎａｐｈｔｈａｌｅｎｅ−１−ｙｌ）−Ｎ,Ｎ’−ｄｉｐｈｅｎｙｌ−ｂｅｎｚｉｄｉｎｅ：ＮＰＢ）、トリス−８−ヒドロキシキノリンアルミニウム（ｔｒｉｓ−８−ｈｙｄｒｏｘｙｑｕｉｎｏｌｉｎｅ ａｌｕｍｉｎｕｍ）（Ａｌｑ３）などをはじめとして、多様に適用可能である。これら低分子有機物は、マスクを利用した真空蒸着などの方法で形成されうる。

【0061】

高分子有機物の場合には、概して正孔輸送層（ＨＴＬ）及び発光層（ＥＭＬ）で備えられた構造を有し、この際、前記正孔輸送層としてＰＥＤＯＴを使用し、発光層としてＰＰＶ（Ｐｏｌｙ−Ｐｈｅｎｙｌｅｎｅｖｉｎｙｌｅｎｅ）系及びポリフルオレン（Ｐｏｌｙｆｌｕｏｒｅｎｅ）系など高分子有機物質を使用し、これをスクリーン印刷やインクジェット印刷法で形成しうる。

【0062】

第２電極１３３も第１電極１３１と同様に、透明電極または反射型電極として備えられうるが、透明電極として使われる時は、Ｌｉ、Ｃａ、ＬｉＦ／Ｃａ、ＬｉＦ／Ａｌ、Ａｌ、Ｍｇ及びこれらの化合物からなる層と、この層上にＩＴＯ、ＩＺＯ、ＺｎＯまたはＩｎ_２Ｏ_３などの透明電極形成用物質で形成された補助電極やバス電極ラインを具備しうる。そして、反射型電極として使われる時は、Ｌｉ、Ｃａ、ＬｉＦ／Ｃａ、ＬｉＦ／Ａｌ、Ａｌ、Ｍｇ及びこれらの化合物を全面蒸着して形成する。

【0063】

次いで、前記ディスプレイ素子、詳細には、有機発光素子（ＯＬＥＤ）を封止する。このように、有機発光素子を封止するために、一般的な薄膜封止方法を使用しうる。このような薄膜封止方法は、公知の技術であるために、本明細書ではこれについての詳細な説明は省略する。

【0064】

または、図８に示されたように、別途の封止部材１５０を備えることもある。

【0065】

詳細には、本発明の一実施例によるフレキシブルディスプレイ装置の製造方法では、封止部材１５０を別途に製造し、この封止部材１５０を有機発光素子（ＯＬＥＤ）の上部に結合した後、封止部材１５０の第２基板１５１を分離しうる。

【0066】

すなわち、一般的な薄膜封止方法によると、有機発光素子（ＯＬＥＤ）製造工程の最後の工程として封止工程が有機発光素子（ＯＬＥＤ）上に直接行われるので、有機発光素子（ＯＬＥＤ）の劣化を避けるため、工程温度が８０℃を超えられず、及び無機膜蒸着時に有機発光素子（ＯＬＥＤ）を直接劣化させるプラズマも考慮する必要がとりわけある。

【0067】

このような問題点を解決するために、本発明の一実施例によるフレキシブルディスプレイ装置の製造方法は、基板、プラスチックフィルム及びバリア層で構成された封止部材を別途に形成し、封止部材を有機発光素子（ＯＬＥＤ）に結合した状態で基板を分離させる方法を適用することによって、有機発光素子（ＯＬＥＤ）の封止が容易になることを一特徴とする。

【0068】

ここで、本発明の一実施例によるフレキシブルディスプレイ装置の封止部材１５０を提供するために、第２基板１５１上に第２プラスチックフィルム１５２及び第２バリア層１５３を順次に形成する。これをさらに詳細に説明すれば、次の通りである。

【0069】

まず、図２Ａ及び図２Ｂで記述したように、複数の陥没部が形成された第２基板１５１を提供した後、第２基板１５１の前記複数の陥没部に第２プラスチックフィルム１５２を形成する。そして、第２基板１５１の第２プラスチックフィルム１５２上に第２バリア層１５３を形成する。このように、第２基板１５１の陥没部に第２プラスチックフィルム１５１を形成する方法については、図２で詳細に説明したので、ここではその詳細な説明は省略する。

【0070】

ここで、第２基板１５１としては前述した第１基板１０１と同じガラス材基板を使用しうる。また、第２プラスチックフィルム１５２として、前述した第１プラスチックフィルム１１１のように、従来のガラス材基板に比べて比重が小さくて軽く、割れ難く、曲面具現が可能な特性を有したプラスチック材で形成しうる。ここで、第２プラスチックフィルム１５２の厚さは、１０〜１００μｍ程度が望ましい。ここで、前記第２プラスチックフィルム１５２は、ポリイミドまたはポリカーボネートなどで形成しうる。

【0071】

第２バリア層１５３は、ＳｉＯ_ｘ、ＳｉＮ_ｘ、ＳｉＯＮ、ＡｌＯ、ＡｌＯＮなどの無機物からなり、またはアクリルまたはポリイミドなどの有機物からなりうる。または有機物と無機物とが交互に積層されうる。この第２バリア層１５３は、酸素と水分とを遮断する役割を行うと同時に、第２プラスチックフィルム１５２から発生する水分または不純物の拡散を防止するか、結晶化時に熱の伝達速度を調節することによって、半導体の結晶化がよくなされるような役割を果たす。

【0072】

ここで、前記第２バリア層１５３は、概略８０℃〜４００℃でなされる高温蒸着工程によって形成されうる。この方法において、封止部材１５０を別途に製作して有機発光素子（ＯＬＥＤ）に結合させることによって、封止部材１５０は高温蒸着工程で形成可能な第２バリア層１５３を含ませることができる。そして、このように封止部材１５０に第２バリア層１５３が備えられることによって、有機発光素子（ＯＬＥＤ）がさらに安定して保護される効果が得られる。

【0073】

次いで、図９に示されたように、有機発光素子（ＯＬＥＤ）の上部に封止部材１５０を配置した後、これらを合着する。有機発光素子（ＯＬＥＤ）と封止部材（１５０）とを合着するために、第１基板１０１と第２基板１５１とを分離（ａｂｌａｔｉｏｎ）するのに使われるレーザービーム（図１１のＬ参照）が活用されうる。または、有機発光素子（ＯＬＥＤ）と封止部材（１５０）とを合着するための他の方法として、第２バリア層１５３に所定の粘着性を有する材料を添加し、有機発光素子（ＯＬＥＤ）の上部に封止部材１５０を配置した後、こられを圧着することによって、有機発光素子（ＯＬＥＤ）と封止部材１５０とを結合することもできる。

【0074】

次いで、図１０に示されたように、パネル別にカット工程を行う。この際、カット工程は基板１０１、１５１のうち、プラスチックフィルム１１１、１５２が形成されていない領域で行われる。すなわち、第１基板１０１の各パネル領域別に陥没部１０１ａを形成した後、前記陥没部１０１ａにプラスチックフィルム、薄膜トランジスタ及びディスプレイ素子を形成したので、陥没部１０１ａのエッジ部に沿ってカットを行えば、ダイアモンドホイールを用いてガラス材質の基板１０１、１５１をカットする方法でそれぞれのパネルが分離される。

【0075】

最後に、図１１に示されたように、レーザービームＬを照射して第１基板１０１及び第２基板１５１を分離させることによって、図１２に示されたように、第１プラスチックフィルム１１１上に薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）及び有機発光素子（ＯＬＥＤ）が備えられたフレキシブルディスプレイ装置が得られる。すなわち、第１基板１０１及び第２基板１５１を分離させるために、レーザービームＬを照射するところ、このようなレーザービームＬとしては、光干渉性（ｃｏｈｅｒｅｎｅｎｔ）の１００ｎｍないし３５０ｎｍの波長を有する光として、ＡＦ、Ｋｒ、ＸｅなどとハロゲンガスＦ_２、ＨＣｌなどとを組合わせたＸｅＣｌ、ＫｒＦ、ＡｒＦなどを使用しうる。

【0076】

一方、図面にはパネル別にカット工程を行った後、レーザービームＬを照射して第１基板１０１及び第２基板１５１を分離させると示されているが、本発明の思想は、これに限定されない。言い換えれば、パネル単位で第１プラスチックフィルム１１１及び第２プラスチックフィルム１５２が形成されるために、第１プラスチックフィルム１１１及び第２プラスチックフィルム１５２にレーザーを照射すると、第１プラスチックフィルム１１１及び第２プラスチックフィルム１５２が第１基板１０１及び第２基板１５１から分離されるように形成することによって、別途のカット工程なしにも、各パネルが基板から分離されうる。

【0077】

本発明によって、一回のカット工程だけで基板をパネル別にカット可能となって、工程が簡単となり製造収率が向上する効果が得られる。また、有機発光素子（ＯＬＥＤ）に直接封止工程を行わなくても良いために、無機膜の蒸着時にプラズマにより有機発光素子（ＯＬＥＤ）が劣化する危険性が低下した。また、高温でも耐えられるプラスチックフィルム上に無機膜を形成することが可能となった。また、基板を分離させた後には、プラスチックフィルムが外部に露出されるために、別途の保護フィルムを備える必要性がなくなった。さらに、前述したようになされた本発明のフレキシブルディスプレイ装置の製造方法によれば、薄く、軽く、衝撃に強く、また曲面の具現が可能なフレキシブル特性に優れた有機発光ディスプレイ装置を製造しうる。

【符号の説明】

【0078】

１０１ 第１基板
１０１ａ 陥没部
１１１ 第１プラスチックフィルム
１１２ 第１バリア層
１１３ ゲート絶縁膜
１１４ 層間絶縁膜
１１５ 保護膜
１１６ 画素定義膜
１２１ 半導体層
１２２ ゲート電極
１２３a、１２３ｂ ソース電極とドレイン電極
１２４ コンタクトホール
１３０ コンタクトホール
１３１ 第１電極
１３２ 中間層
１３３ 第２電極
１５０ 封止部材
１５１ 第２基板
１５２ 第２プラスチックフィルム
１５３ 第２バリア層

【図1】

【図2A】

【図2B】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】

【図11】

【図12】