特許 5770479 ＵＶ支援ナノインプリントリソグラフィー用モールド及びその製造方法

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】特許公報(B2)

(11)【特許番号】5770479

(24)【登録日】2015年7月3日

(45)【発行日】2015年8月26日

(54)【発明の名称】ＵＶ支援ナノインプリントリソグラフィー用モールド及びその製造方法

(51)【国際特許分類】

   B29C 33/38 20060101AFI20150806BHJP

   B29C 59/02 20060101ALI20150806BHJP

   H01L 21/027 20060101ALI20150806BHJP

【ＦＩ】

   B29C33/38

   B29C59/02 BZNM

   H01L21/30 502D

【請求項の数】24

【外国語出願】

【全頁数】18

(21)【出願番号】特願2011-13431(P2011-13431)

(22)【出願日】2011年1月25日

(65)【公開番号】特開2011-156865(P2011-156865A)

(43)【公開日】2011年8月18日

【審査請求日】2014年1月17日

(31)【優先権主張番号】1050570

(32)【優先日】2010年1月28日

(33)【優先権主張国】FR

(73)【特許権者】

【識別番号】509248165

【氏名又は名称】コミサリア ア レネルジ アトミ−ク エ オ エネルジー アルテルナティヴ

(74)【代理人】

【識別番号】100147485

【弁理士】

【氏名又は名称】杉村 憲司

(74)【代理人】

【識別番号】100153017

【弁理士】

【氏名又は名称】大倉 昭人

(74)【代理人】

【識別番号】100158148

【弁理士】

【氏名又は名称】荒木 淳

(72)【発明者】

【氏名】ランディ ステファン

【審査官】 長谷部 智寿

(56)【参考文献】

【文献】 特開２００８−２２１６７４（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開２００９−０２３１１３（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開２０１０−２４５４７０（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特表２０１１−５２８５０６（ＪＰ，Ａ）

(58)【調査した分野】（Int.Cl.，ＤＢ名）

Ｂ２９Ｃ ３３／３８

Ｂ２９Ｃ ５９／０２

Ｇ０３Ｆ ７／００

Ｈ０１Ｌ ２１／０２７

Ｈ０１Ｌ ２１／３０６５

(57)【特許請求の範囲】

【請求項1】

所定波長λdetの光によって支援されるナノインプリントリソグラフィー用モールド（1）であって、
対向する２つの面を有する中間層（5）と、前記中間層の対向する２つの面の一方の面上に設けられ、剛性材料で構成され、層内にマイクロメートルオーダー又はナノメートルオーダーのパターン（3）を有するｎ個の構造ゾーン（30）を有し、ｎは１以上の整数である下層と、前記中間層の対向する２つの面の他方の面上に設けられ、剛性材料で構成され、層内に、前記下層のｎ個の構造ゾーンに対向するｎ個のくぼみが形成され、前記ｎ個のくぼみは材料を充填され、これによりｎ個の部分領域（4）が形成された上層と、を有し、
前記上層（2）は、所定波長λdetの光に対する当該層の透過率が、前記ｎ個の部分領域のいずれの、前記所定波長λdetの光に対する透過率よりも低いような厚さ及び組成を有し、
前記中間層（5）、前記下層（15, 25）、及び前記上層（2）の前記所定波長λdetにおける透過率は、前記中間層（5）、前記下層（15, 25）、及び前記上層（2）を通る前記所定波長λdetの光に対する透過率が、前記ｎ個の部分領域（4）の任意の１つ、前記中間層（5）、及び前記下層（15, 25）を通る前記所定波長λdetの光の透過率よりも小さいような透過率であることを特徴とするナノインプリントリソグラフィー用モールド。

【請求項2】

前記上層の透過率は、前記ｎ個の部分領域の材料の透過率の値の2/3倍以下の値を有することを特徴とする請求項１に記載のナノインプリントリソグラフィー用モールド。

【請求項3】

前記上層の透過率は0.2以下であり、
前記ｎ個の部分領域の各々の透過率は0.65以上であることを特徴とする請求項１に記載のナノインプリントリソグラフィー用モールド。

【請求項4】

前記上層の透過率は0.1未満であり、
前記ｎ個の部分領域の各々の透過率は0.85より大きいことを特徴とする請求項３に記載のナノインプリントリソグラフィー用モールド。

【請求項5】

前記中間層（5）、前記下層（15, 25）、及び前記上層（2）を通る前記所定波長λdetの光の透過率は、20%以下であり、
前記ｎ個の部分領域（4）の任意の１つ、前記中間層（5）、及び前記下層（15, 25）を通る前記所定波長λdetの光の透過率は、65%以上であることを特徴とする請求項１に記載のナノインプリントリソグラフィー用モールド。

【請求項6】

前記ｎ個のくぼみは、前記上層の厚さに等しい深さを有することを特徴とする請求項１に記載のナノインプリントリソグラフィー用モールド。

【請求項7】

前記中間層は、剛体材料で構成され、
前記下層（15）は、前記ｎ個の構造ゾーン（30）があるところのみに存在することを特徴とする請求項１に記載のナノインプリントリソグラフィー用モールド。

【請求項8】

前記中間層及び前記下層は、同一の材料で構成されていることを特徴とする請求項７に記載のナノインプリントリソグラフィー用モールド。

【請求項9】

前記中間層、前記下層及び前記上層は、同一の材料で構成されていることを特徴とする請求項８に記載のナノインプリントリソグラフィー用モールド。

【請求項10】

前記ｎ個の構造ゾーン（30）は、前記下層（15, 25）の厚さ全体に渡って形成されていることを特徴とする請求項１〜９のいずれかに記載のナノインプリントリソグラフィー用モールド。

【請求項11】

前記中間層は、フレキシブル材料で構成され、
前記下層（25）は、前記ｎ個の構造ゾーン（30）の外側においてゼロではない厚さを有することを特徴とする請求項１に記載のナノインプリントリソグラフィー用モールド。

【請求項12】

前記ｎ個の部分領域（4）の前記材料は、フレキシブル材料であることを特徴とする請求項１〜１１のいずれかに記載のナノインプリントリソグラフィー用モールド。

【請求項13】

前記所定波長λdetは、ＵＶ波長範囲内にあることを特徴とする請求項１〜１２のいずれかに記載のナノインプリントリソグラフィー用モールド。

【請求項14】

前記中間層（5）は、シリカ又は窒化シリコンで構成され、
前記下層（15, 25）は、シリカ又は窒化シリコンで構成され、
前記上層（2）は、シリコンで構成され、
前記ｎ個の部分領域（4）は、ポリジメチルシロキサン（PDMS）で構成されていることを特徴とする請求項１に記載のナノインプリントリソグラフィー用モールド。

【請求項15】

請求項１〜１４のいずれかに記載の、所定波長λdetによって支援されるナノインプリントリソグラフィー用モールド（1）を製造する方法であって、
a）初期基板（13）を用意するステップと、
b）前記モールドの前記下層（15, 25）内に、得ようとする前記ｎ個の構造ゾーン（30）のネガティブインプリントを表すパターンに従って、前記初期基板（13）の１面を前面として構造化するステップと、
c）前記初期基板（13）の前記前面上に３層から成る積層を堆積させるステップであって、前記積層の第１層（150）は、構造化するステップb）にて形成したレリーフを覆うとともに前記モールドの前記下層（15, 25）を形成し、前記第１層（150）と前記初期基板（13）は互いに異なる材料で構成され、前記積層の第２層（50）は、前記第１層（150）を覆うとともに前記モールドの前記中間層（5）を形成し、前記積層の第３層（20）は、前記第２層を覆うとともに前記モールドの前記上層（2）を形成するステップと、
d）前記第３層（20）を構造化してｎ個のくぼみを得るステップであって、前記ｎ個のくぼみは前記ｎ個の構造ゾーン（30）に対向するステップと、
e）第４層を前記上層上に堆積させて前記ｎ個のくぼみを覆うことによって、前記モールドの前記ｎ個の部分領域（4）を形成するステップと、
f）前記初期基板（13）を除去するステップとを備え、
前記第３層（20）は、所定波長λdetの光に対する透過率が、前記ｎ個の部分領域（4）のいずれの、前記所定波長λdetの光に対する透過率より小さいような厚さ及び組成を有し、
前記所定波長λdetにおける前記第１、第２、及び第３層の透過率は、前記第１層（150）、前記第２層（50）、及び前記第３層（20）を通る所定波長λdetの光の透過率が、前記ｎ個の部分領域（4）の任意の１つ、前記第１層（150）、及び前記第２層（50）を通る前記所定波長λdetの光の透過率より小さいような透過率であることを特徴とするナノインプリントリソグラフィー用モールドの製造方法。

【請求項16】

前記第３層（20）の透過率は0.2以下であり、
前記ｎ個の部分領域（4）の各々の透過率は0.65以上であることを特徴とする請求項１５に記載のナノインプリントリソグラフィー用モールド（1）の製造方法。

【請求項17】

前記第１層（150）、前記第２層（50）、及び前記第３層（20）を通る前記所定波長λdetの光の透過率は、20%以下であり、
前記ｎ個の部分領域（4）の任意の１つ、前記第１層（150）、及び前記第２層（50）を通る前記所定波長λdetの光の透過率は、65%以上であることを特徴とする請求項１５に記載のナノインプリントリソグラフィー用モールドの製造方法。

【請求項18】

ステップb）は、
前記初期基板（13）の１面上に感光樹脂の層（14）を堆積させるステップと、
前記第１層内に得ようとする前記ｎ個の構造ゾーンのネガティブインプリントを表す絶縁パターンに従って、前記感光樹脂の層を絶縁するステップと、
前記絶縁した樹脂の層（14）をエッチングするステップと、
前記初期基板の前記１面における、前記樹脂の層で覆われていない部分領域をエッチングするステップとを備えていることを特徴とする請求項１５に記載のナノインプリントリソグラフィー用モールドの製造方法。

【請求項19】

ステップd）は、
前記第３層の１面上に感光樹脂の層（16）を堆積させるステップと、
前記第３層の中で得ようとする前記ｎ個のくぼみのポジティブインプリントを表す絶縁パターンに従って、前記感光樹脂の層を絶縁するステップと、
前記絶縁した樹脂の層をエッチングするステップと、
前記第３層の前記１面における、前記樹脂の層で覆われていない部分領域をエッチングするステップとを備えていることを特徴とする請求項１５に記載のナノインプリントリソグラフィー用モールドの製造方法。

【請求項20】

請求項１〜１４のいずれかに記載の、所定波長λdetによって支援されるナノインプリントリソグラフィー用モールド（1）を製造する方法であって、
a）３層から成る積層を用意するステップであって、前記積層の第１層（150）は前記モールドの前記下層（15）を形成し、前記積層の第２層（50）は、前記第１層（150）を覆うとともに前記モールドの前記中間層（5）を形成し、前記積層の第３層（20）は、前記第２層（50）を覆うとともに前記モールドの前記上層（2）を形成するステップと、
b）前記積層の前記第１層（150）を構造化して前記ｎ個の構造ゾーン（30）を得るステップと、
c）前記積層の前記第３層（20）内にｎ個のくぼみを形成するステップであって、前記ｎ個のくぼみは前記ｎ個の構造ゾーン（30）に対向するステップと、
d）前記第３層（20）上に第４層を堆積させて、前記ｎ個のくぼみを覆うことによって、前記モールドの前記ｎ個の部分領域（4）を形成するステップとを備え、
前記第３層（20）は、所定波長λdetの光に対する当該層の透過率が、前記ｎ個の部分領域（4）のいずれの、前記所定波長λdetの光に対する透過率よりも小さいような厚さと組成を有し、
前記所定波長λdetにおける前記第１層（150）、前記第２層（50）、及び前記第３層（20）の透過率は、前記第１層（150）、前記第２層（50）、及び前記第３層（20）を通る前記所定波長λdetの光の透過率が、前記ｎ個の部分領域（4）のいずれか１つ、前記第１層（150）、及び前記第２層（50）を通る前記所定波長λdetの光の透過率より小さいような透過率であることを特徴とするナノインプリントリソグラフィー用モールドの製造方法。

【請求項21】

前記第３層（20）の透過率は0.2以下であり、
前記ｎ個の部分領域（4）の各々の透過率は0.65以上であることを特徴とする請求項２０に記載のナノインプリントリソグラフィー用モールド（1）の製造方法。

【請求項22】

前記第１層（150）、前記第２層（50）、及び前記第３層（20）を通る前記所定波長λdetの光の透過率は、20%以下であり、
前記ｎ個の部分領域（4）の任意の１つ、前記第１層（150）、及び前記第２層（50）を通る前記所定波長λdetの光の透過率は65%以上であることを特徴とする請求項２０に記載のナノインプリントリソグラフィー用モールド（1）の製造方法。

【請求項23】

ステップb）は、
前記積層の前記第１層上に感光樹脂の層を堆積させるステップと、
得ようとする前記ｎ個の構造ゾーンに従って構成された前記マイクロメートルオーダー又はナノメートルオーダーのパターンを表す絶縁パターンに従って、前記感光樹脂の層を絶縁するステップと、
前記絶縁した樹脂の層をエッチングするステップと、
前記第１層の面における、前記樹脂の層により覆われていない部分領域をエッチングするステップとを備えていることを特徴とする請求項２０に記載のナノインプリントリソグラフィー用モールド（1）の製造方法。

【請求項24】

ステップc）は、
前記積層の前記第３層上に感光樹脂の層を堆積させるステップと、
得ようとする前記ｎ個のくぼみを表す絶縁パターンを用いて前記感光樹脂の層を絶縁するステップと、
前記絶縁した樹脂の層をエッチングするステップと、
前記第３層の面における、前記樹脂の層により覆われていない部分領域をエッチングするステップとを備えていることを特徴とする請求項２０に記載のナノインプリントリソグラフィー用モールドの製造方法。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、ＵＶ支援ナノインプリントリソグラフィー（UV-NIL: UV-assisted NanoImprint Lithography）の実行に用いることを意図したモールドに関する。

【0002】

本発明は、このようなモールドを製造する方法にも関する。

【背景技術】

【0003】

ＵＶ支援ナノインプリントリソグラフィーは、インプリントされる基板内に配置されたＵＶ感光性ポリマーフィルムに、ＵＶ範囲（すなわち、１９３ｎｍ〜４００ｎｍの波長、好ましくは２００ｎｍ〜４００ｎｍの波長）内の使用波長において透明なモールドを押圧することにより、パターンを転写する工程と、そのモールドを通してＵＶ放射を当てて樹脂フィルムを光重合させる工程から成る。

【0004】

次に、ポリマーフィルムに転写したパターンを、ポリマーフィルムの下にある、インプリントされる基板内にエッチングする。

【0005】

これを、ナノインプリンティングと称する。なぜなら、転写するパターンが２、３ナノメートル〜数百マイクロメートルの寸法（長さ、幅、及び／又は直径）を有するからである。

【0006】

ＵＶ支援ナノインプリンティングは、一般的に「ステップアンドリピート」と称する技術を用いて行われる：数ｃｍ^２の面積を有するモールドを、インプリントされる基板上に配置された樹脂フィルムに接触させる。樹脂フィルムを、ＵＶ範囲内の使用波長で露光する。次に、モールドを、樹脂フィルムから取り外し、インプリントされる基板の他の場所へ移動する。これらの工程を、処理される基板の領域全体をインプリントするまで、繰り返す。

【0007】

この技術の主な欠点は、２つの隣接するチップ間に距離を置かずにこれらをインプリントすることができないということである。最も良い場合で、この距離は数十マイクロメートルであり、チップの寸法とモールドの寸法と比較して、相当な距離を成す。よって、かなりの空間が無駄になる。

【0008】

この制約の主な原因は、「ステップアンドリピート」技術を実行するために通常製造されるモールドが、ＵＶに対して完全に透明であるという事実にある。その結果、ＵＶ範囲内の使用波長での露光中に、ＵＶは、インプリントされるパターンの下にある樹脂フィルムを変化させるだけでなく、パターンに近い周囲の樹脂フィルムまでも変化させる（横方向拡散）。

【0009】

このモールドの透明性による光の横方向拡散は、パターン間の空間を光吸収層で覆えば制限することができる。例えば、パターンを有する石英モールドの面上にクロム層を堆積させることより、このモールドの透明性を局所的になくすことが可能になる。しかしながら、このモールドのリソグラフィーとエッチングの後に行われる上記層の堆積は、簡易に実行できるものではない。また、モールドの透明ゾーンと吸収ゾーンとの間の境界を非常に正確に画定することも困難である。この光吸収層の存在により、ナノインプリンティング中に用いられるポリマーフィルムに対するモールドの面特性も変化する。これは、新たな問題を生じさせ得る（ひびの出現、ぬれ性の問題など）。

【0010】

ＵＶに対して透明なモールドの他の欠点は、これらは一般的に剛体ということである。実際に、ＵＶ支援ナノインプリンティングの実行に一般的に用いられるモールドは、石英（１９３ｎｍより長い波長に対して透明な石英）製である。

【0011】

しかしながら、ＵＶに対して透明な剛体材料、特に石英の従来のリソグラフィー／エッチング法を用いた構造化は、得ようとするパターンが１００ｎｍより小さな寸法を有する場合に問題となる。

【0012】

さらに、モールドの剛性が高いほど、モールドと樹脂フィルムの間の全ての点において一様な接触（均等な接触）を得ることが困難になる。これにより、十分な一様性をもつパターンをインプリントすることが非常に困難となり、さらには不可能になる。例えば、石英モールドは、このモールドを用いて単一のステップでインプリント可能な最大面積が一般的に数ｃｍ^２であるような剛性を有する。

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0013】

前述の欠点を踏まえ、発明者の目標は、２つの連続するチップ間の必要距離が最小化できるような、所定波長によって支援されるナノインプリントリソグラフィー用のモールドを設計することである。

【0014】

発明者の他の目標は、モールドが、ナノメートルオーダーの寸法を有するパターンを備えることもでき、及び／又は数ｃｍ^２より大きな面積を有することもできることである。

【課題を解決するための手段】

【0015】

これらの目標は、所定波長λ_detによって支援されるナノインプリントリソグラフィー用のモールドによって達成され、このモールドは第１材料製の層を備え、この第１材料製の層は、その第１面上に第２材料製の層を含み、第１面と反対側の面上に第３材料製の層を含み、第２材料製の層は剛体であり、この層内にマイクロメートルオーダー又はナノメートルオーダーのパターンを有するｎ個の構造ゾーンが形成され、ｎは１以上の整数であり、上記第３材料製の層は剛体であり、この層内に、上記ｎ個の構造ゾーンに対向するｎ個のくぼみが形成され、これらのｎ個のくぼみは第４材料を充填され、これによりｎ個の部分領域が形成され、
第３材料製の層は、所定波長λ_detの光に対するこの層の透過率が、上記ｎ個の部分領域のいずれの、所定波長λ_detの光に対する透過率よりも低いような厚さ及び組成を有し、
第１、第２、及び第３材料製の層の所定波長λ_detにおける透過率は、第１材料の層、第２材料の層、及び第３材料の層を通る所定波長λ_detの光の透過率が、上記ｎ個の部分領域の任意の１つ、第１材料製の層、及び第２材料製の層を通るその所定波長λ_detの光の透過率よりも小さいような透過率である。

【0016】

第２材料製の層が剛体であることにより、ナノインプリントモールドの使用中にパターンの幾何学的形状を維持することができる。

【0017】

以上と以下において、面又は層に適用する「マイクロメートルオーダー又はナノメートルオーダーのパターンで構造化された」という表現は、当該面又は層がパターンを備え、このパターンの長さ、幅、及び直径から選択した少なくとも１つの寸法が、マイクロメートルオーダーのパターンの場合は１０００マイクロメートル未満かつ１マイクロメートルより大きく、ナノメートルオーダーのパターンの場合は１ナノメートル以上かつ１０００ナノメートル未満であることを意味する。

【0018】

本発明では、パターンをレリーフにすることができるし、又はくぼみにする（空洞にする）こともできる。パターンは、上記ｎ個のゾーン内に一様に分散させることができる。パターン間の距離は、同じゾーン内では、等間隔であることが好ましい。パターンは同一であることが有利である（パターンは同じ寸法と同じ形状を有する）。ｎ個の構造ゾーンは同一であることが有利である。

【0019】

以上と以下において、層に適用する「剛体」という用語は、その層が、所定圧力がその層の面上にかかるときに決定される境界値未満の曲げ変形（たわみ）を有することを意味する。

【0020】

同様に、以上と以下において、層に適用する「フレキシブル」という用語は、その層が、所定圧力がその層の面上にかかるときに決定される境界値以上の曲げ変形を有することを意味する。

【0021】

境界値を決定するためには、いくつかの単純な計算を行う必要がある。例えば、以下の特性を有するシリコン及び石英のモールドの場合を考える：
E_Si=130GPa E_SiO2=71.7GPa
_νSi=0.28 _νSiO2=0.16
h_Si=750μm h_SiO2=6mm
ここで、Eはヤング係数、_νはポアソン係数、そしてｈは対象とする層の高さである。

【0022】

試片の曲げに対する剛性は、以下の公式により与えられる：

【数1】

【0023】

厚さｈを有する辺長aの正方形板においては、（曲げにより）発生する最大のたわみｗは、およそ以下の値である：

【数2】

【0024】

したがって、上の例でモールドに均一にかかる圧力が２・１０^５Paに等しく、かつ板の辺長aが２０・１０^−３ｍの値を有する場合は、以下のようになる：
w_Si≒500μm
w_SiO2≒25μm

【0025】

これらの計算を通して、個別に考慮した各層のたわみが得られる。

【0026】

層がフレキシブルまたは剛体であると見なすことを可能にする境界値を得るためには、モールドを用いてインプリントしたい基板のたわみ計算値と表面粗さ値（又はトポグラフィー）とを比較することが必要である。実際に、インプリントを行う際は、モールドとインプリントされる基板とが密接に接触（「均等な接触」とも称する）していることが必要である。よって、モールドの面全体がインプリントされる基板の面全体と直接接触していることが必要である。

【0027】

例えば、直径２００ｍｍのシリコン板により形成された基板は、５０μｍの粗さを有する（シリコン板の供給業者により与えられたデータである）。よって、モールドの層が、製造者によって与えられたインプリントされる基板の粗さ値、すなわち５０μｍ以上のたわみを有する場合、この層は、インプリントしたい基板と比較してフレキシブルな材料製であると見なされる。一方、モールドの層のたわみ値がインプリントされる基板の粗さ値より小さい場合、その層は剛体材料製であると見なされる。

【0028】

よって、この例では、シリコン層（w_Si≒500μm）はフレキシブルであると見なされ、石英層（w_SiO2≒25μm）は剛体であると見なされる。

【0029】

さらに、材料の透過率は、その材料が受ける入射エネルギーに対するその材料を透過するエネルギーの比である。所定物質については、厚さと波長が決まれば、透過率は定数である。

【0030】

第３材料の層の透過率は０．２以下であり、上記ｎ個の部分領域の各々の透過率は０．６５以上であることが有利である。第３材料の層の透過率は０．１未満であり、上記ｎ個の部分領域の各々の透過率は０．８５より大きいことが好ましい。

【0031】

第１、第２、及び第３材料の層を通る所定波長λ_detの光の透過率は、２０％以下であることが有利であり、１０％未満であることが好ましい。上記ｎ個の部分領域の任意の１つと第１及び第２の材料の層とを通る所定波長λ_detの光の透過率は、６５％以上であることが有利であり、８５％より大きいことが好ましい。

【0032】

第３材料製の層の透過率は、上記ｎ個の部分領域の材料の透過率の値の２／３倍以下の値を有することが好ましい。光リソグラフィーでは、コントラストCが２０％以上である場合、現代の樹脂によれば、露光されるゾーンを露光されないゾーンから区別することができると考えられる。コントラストは次の公式で表される：

【数3】

ここで、Ｉ_ｍａｘは、所定波長における透過率が最大（Ｔ_ｍａｘ）であるゾーン内で受ける光強度であり、Ｉ_ｍｉｎは、所定波長における透過率が最小（Ｔ_ｍｉｎ）であるゾーン内で受ける光強度である。

【0033】

透過率は、入射強度（初期強度Ｉ_０）に対する材料を透過する光の強度の比であることから、以下の式が得られる：
I_max=T_max×I_o
I_min=T_min×I_o
及び

【数4】

【0034】

最終的に、２０％のコントラストに対して、T_min≒0.66T_max、すなわち約２／３が得られる。

【0035】

上記ｎ個のくぼみは、第３材料製の層の厚さに等しい深さを有することが有利である。

【0036】

第１の代案によれば、第１材料は剛体材料であり、第２材料の層は上記ｎ個の構造ゾーンがあるところのみに存在する。この場合、第１材料、第２材料、及び場合によっては第３材料が同一である。

【0037】

上記ｎ個の構造ゾーンは、第２材料の層の厚さ全体に渡って形成されていることが有利である。

【0038】

第１及び第２材料の層は、１５０ｎｍ以下の厚さを有することが有利である。

【0039】

第２の代案によれば、第１材料はフレキシブル材料であり、第２材料の層はｎ個の構造ゾーンの外側においてゼロではない厚さを有する。

【0040】

上記ｎ個の部分領域の第４材料は、フレキシブル材料であることが有利である。

【0041】

所定波長λ_detは、ＵＶ波長範囲内にあることが有利であり、１９３ｎｍ〜４００ｎｍであることが好ましい。例えば、モールドを、１９３ｎｍ〜４００ｎｍの波長におけるＵＶ支援ナノインプリンティングを実行するために用いようとする場合、第２材料の層はシリコンの層とすることができる。これにより、シリコンのリソグラフィー／ナノメートルオーダーのエッチングに習熟していれば、このような層内でナノメートルオーダーのパターンに従った構造化を行うことは容易である。

【0042】

第１材料製の層は、シリカ又は窒化シリコン製であることが有利である。第２材料製の層はシリカ又は窒化シリコン製であることが有利である。第３材料の層はシリコン製であることが有利である。上記第４材料のｎ個の部分領域はポリジメチルシロキサン（ＰＤＭＳ）製であることが有利である。

【0043】

本発明は、また、所定波長λ_detによって支援されるナノインプリントリソグラフィー用の、上記に定義したモールドを製造する第１の方法に関する。この第１の方法は以下のステップを備える：
ａ）初期基板を用意するステップ；
ｂ）その初期基板の１面（前面と称する）を、モールドの第２材料の層内に得ようとする上記ｎ個の構造ゾーンのネガティブインプリントを表すパターンに従って構造化するステップ；
ｃ）初期基板の前面上に３層から成る積層を堆積させるステップであって、第１層は、構造化するステップｂ）にて形成したレリーフを覆うとともにモールドの第２材料の層を形成し、この第１層と初期基板は互いに異なる材料製であり、第２層は第１層を覆うとともにモールドの第１材料の層を形成し、第３層は第２層を覆うとともにモールドの第３材料の層を形成するステップ；
ｄ）第３層を構造化してｎ個のくぼみを得るステップであって、これらｎ個のくぼみは上記ｎ個の構造ゾーンに対向するステップ；
ｅ）第４材料の層を第３層の上に堆積させて上記ｎ個のくぼみを覆うことによって、モールドのｎ個の部分領域を形成するステップ；
ｆ）初期基板（１３）を除去するステップ。
第３層は、所定波長λ_detの光に対する透過率が、上記ｎ個の部分領域のいずれの、所定波長λ_detの光に対する透過率よりも小さいような厚さと組成を有し、
所定波長λ_detにおける第１、第２、及び第３層の透過率は、第１層、第２層、及び第３層を通る所定波長λ_detの光の透過率が、上記ｎ個の部分領域の任意の１つ、第１層、及び第２層を通るその所定波長λ_detの光の透過率より小さいような透過率である。

【0044】

第３層の透過率は、０．２以下であることが有利であり、０．１未満であることが好ましい。そして、上記ｎ個の部分領域の各々の透過率は、０．６５以上であることが有利であり、０．８５より大きいことが好ましい。

【0045】

第１、第２、及び第３層を通る所定波長λ_detの光の透過率は、２０％以下であることが有利である。そして、上記ｎ個の部分領域の任意の１つ、第１層、及び第２層を通るその所定波長λ_detの光の透過率は６５％以上であることが有利である。

【0046】

ステップｂ）は以下のステップを備えることが有利である：
初期基板の１面上に感光性樹脂の層を堆積させるステップ；
第１層内に得ようとするｎ個の構造ゾーンのネガティブインプリントを表す絶縁パターンに従って、感光樹脂の層を絶縁するステップ；
絶縁した樹脂の層をエッチングするステップ；
上記初期基板の１面における、樹脂の層で覆われていない部分領域をエッチングするステップ。

【0047】

ステップｄ）は以下のステップを備えることが有利である：
第３層の面上に感光樹脂の層を堆積させるステップ；
第３層内に得ようとするｎ個のくぼみのポジティブインプリントを表す絶縁パターンに従って、感光樹脂の層を絶縁するステップ；
絶縁した樹脂の層をエッチングするステップ；
上記第３層の面における、樹脂の層で覆われていない部分領域をエッチングするステップ。

【0048】

ステップｅ）は、初期基板の選択的エッチングを行うことにより、又は初期基板の背面を機械加工し、その後初期基板の選択的エッチングを行うことにより、実行できる。

【0049】

本発明は、また、所定波長λ_detによって支援されるナノインプリントリソグラフィー用の上述したモールドを製造する第２の方法に関連する。この第２の方法は、以下のステップを備える：
ａ）３層から成る積層を用意するステップであって、第１層はモールドの第２材料の層を形成し、第２層は第１層を覆うとともにモールドの第１材料の層を形成し、第３層は第２層を覆うとともにモールドの第３材料の層を形成するステップ；
ｂ）積層の第１層を構造化して上記ｎ個の構造ゾーンを得るステップ；
ｃ）積層の第３層内にｎ個のくぼみを形成するステップであって、これらｎ個のくぼみはｎ個の構造ゾーンに対向するステップ；
ｄ）第３層上に第４材料の層を堆積させて上記ｎ個のくぼみを覆うことによって、モールドの上記ｎ個の部分領域を形成するステップ。
第３の層は、所定波長λ_detの光に対するこの層の透過率が、上記ｎ個の部分領域のいずれの、所定波長λ_detの光に対する透過率よりも小さいような厚さと組成を有し、
所定波長λ_detにおける第１、第２、及び第３層の透過率は、第１層、第２層、及び第３の層を通る所定波長λ_detの光の透過率が、ｎ個の部分領域（４）の任意の１つ、第１層、及び第２層を通るその所定波長λ_detの光の透過率より小さいような透過率である。

【0050】

第３層の透過率は、０．２以下であることが有利であり、０．１より小さいことが好ましい。上記ｎ個の部分領域の各々の透過率は、０．６５以上であることが有利であり、０．８５より大きいことが好ましい。

【0051】

第１、第２、及び第３層を通る所定波長λ_detの光の透過率は、２０％以下であることが有利である。上記ｎ個の部分領域の任意の１つ、第１層、及び第２層を通るその所定波長λ_detの光の透過率は６５％以上であることが有利である。

【0052】

ステップｂ）は以下のステップを備えることが有利である：
積層スタックの第１層上に感光樹脂の層を堆積させるステップ；
得ようとする上記ｎ個の構造ゾーンに従って構成されたマイクロメートルオーダー又はナノメートルオーダーのパターンを表す絶縁パターンに従って、感光樹脂の層を絶縁するステップ；
絶縁した樹脂の層をエッチングするステップ；
上記第１層の面における、樹脂の層により覆われていない部分領域をエッチングするステップ。

【0053】

ステップｃ）は以下のステップを備えることが有利である：
積層の第３層上に感光樹脂の層を堆積させるステップ；
得ようとするｎ個のくぼみを表す絶縁パターンを用いて感光樹脂の層を絶縁するステップ；
絶縁した樹脂の層をエッチングするステップ；
第３層の面における、樹脂の層により覆われていない部分領域をエッチングするステップ。

【0054】

上記の第１及び第２の方法において、所定波長はＵＶ波長の範囲内の波長であることが有利であり、１９３ｎｍ〜４００ｎｍの波長であることが好ましい。

【0055】

同様に、第１及び第２の方法における上記ｎ個のくぼみは、第３層の厚さに等しい深さを有することが有利である。

【0056】

本発明は、以下の説明を読むことにより、さらに良く理解され、他の有利な点や特徴が明らかになる。以下の説明は、非限定的な例として提供し、次の図面を伴う。

【図面の簡単な説明】

【0057】

【図1】本発明によるモールドの第１の例を示す図である。

【図2】本発明によるモールドの第２の例を示す図である。

【図3】本発明によるモールドの第３の例を示す図である。

【図4】本発明によるモールドの第４の例を示す図である。

【図5a】本発明によるモールドを製造する第１の方法のステップを示す図である。

【図5b】本発明によるモールドを製造する第１の方法のステップを示す図である。

【図5c】本発明によるモールドを製造する第１の方法のステップを示す図である。

【図5d】本発明によるモールドを製造する第１の方法のステップを示す図である。

【図5e】本発明によるモールドを製造する第１の方法のステップを示す図である。

【図5f】本発明によるモールドを製造する第１の方法のステップを示す図である。

【図5g】本発明によるモールドを製造する第１の方法のステップを示す図である。

【図5h】本発明によるモールドを製造する第１の方法のステップを示す図である。

【図6a】本発明によるモールドを製造する第２の方法のステップを示す図である。

【図6b】本発明によるモールドを製造する第２の方法のステップを示す図である。

【図6c】本発明によるモールドを製造する第２の方法のステップを示す図である。

【図6d】本発明によるモールドを製造する第２の方法のステップを示す図である。

【図6e】本発明によるモールドを製造する第２の方法のステップを示す図である。

【発明を実施するための形態】

【0058】

以下の説明では、不透明と透明という用語を用いる。

【0059】

不透明な材料とは、光が通過できないような材料を指す。実際には、厚さＸの材料は、その透過率が０．２以下であるとき、不透明であると考える。

【0060】

透明な材料とは、光が通過できるような材料を指す。実際には、厚さＸの材料は、その透過率が０．８５以上であるとき、透明であると考え、厚さＸを持つ材料は、その透過率が０．６５以上０．８５未満であるとき、半透明であると考える。

【0061】

図１から４のいずれにも図示するように、本発明に係るモールド１は、そのいずれかの１面（前面８）上に、２次元又は３次元のマイクロメートルオーダー又はナノメートルオーダーのパターン３に従ったｎ個の構造ゾーン３０、並びに、反対側の面（背面９）上に、剛体製で不透明な層２内に形成され、ｎ個の構造ゾーン３０の上に来るように配置された、ｎ個のくぼみ又空洞を備える。ここで、これらｎ個のくぼみは、透明な材料を充填されてｎ個の部分領域４を形成する。これらのパターンは、レリーフにすることができ（図１から３）、又はくぼみ（空洞）にすることもできる（図４）。

【0062】

詳細には、本発明に係るモールドは、剛体又はフレキシブルの第１材料の層５を含み、その１面上に、第２の剛体材料の層１５、２５を備え、この第２材料の層を含む面と反対側の面上に、第３の剛体で不透明な材料の層２を備える。

【0063】

第２材料の剛体層１５内には、ｎ個の構造ゾーン３０がマイクロメートルオーダー又はナノメートルオーダーのパターン３で形成される。ｎは、１以上の整数である。

【0064】

剛体かつ所定波長λ_detにおいて不透明な材料の第３層２内には、ｎ個の構造ゾーンに対向するｎ個のくぼみが形成される。ｎ個のくぼみは、所定波長λ_detにおいて透明又は半透明な第４材料を充填されている。

【0065】

剛体層２の材料は、その透過率がｎ個の部分領域４の材料の透過率より低いように選択する。

【0066】

さらに、所定波長λ_detにおける第１材料の層、第２材料の層、及び第３材料の層の透過率は、第１材料の層、第２材料の層、及び第の材料の層を通る所定波長λ_detの光の透過率が、ｎ個の部分領域の１つ、第１材料の層、及び第２材料の層を通るその所定波長λ_detの光の透過率より低いように選択する。

【0067】

第３材料の層の材料は、その透過率が０．２以下となるように選択することが好ましく、０．１未満となるように選択することが好ましい。

【0068】

ｎ個の部分領域に充填する材料は、０．６５以上の透過率を有することが好ましく、０．８５より大きい透過率を有することが好ましい。

【0069】

第３材料の層２は、モールドの機械的耐性を保証するものである。第３材料の層２は、１００マイクロメートル〜数ミリメートルの厚さを有することが好ましい。

【0070】

なお、所定波長とは、のちにモールドを用いてナノインプリントを実行する時の波長に相当する。

【0071】

第１、第２、及び／又は第３材料の層は、互いに異なる材料製又は同じ材料製とすることができる。

【0072】

第１材料はフレキシブル又は剛体とすることができるのに対し、第２及び第３材料は剛体でなければならない。

【0073】

図１に示す第１の代案によれば、第１材料の層５、第２材料の層１５、及び第３材料の層２は、同じ材料製である。したがって、この材料は、剛体材料である。

【0074】

図２に示す第２の代案によれば、第１材料の層５、及び第２材料の層１５は、同じ材料製である。よって、その材料は剛体材料であり、単一の層３５を形成する。

【0075】

図３に示す第３の代案によれば、第１材料の層５、及び第２材料の層１５は、２つの異なる材料製である。ここで、第３材料の層は、第１及び第２材料とは異なる。

【0076】

以上で説明した図１から３では、パターンは第２材料の層（層１５）内のレリーフである。さらに正確には、図１から３において、第２材料の層は、ｎ個の構造ゾーンがあるところのみに存在する（例えば、第２材料の層は、ｎ個の構造ゾーン間では完全にエッチングされている）。しかし、パターンは、図４に示すように、第２材料の層内の空洞にすることもできる。

【0077】

図１から４に示す例では、ｎ個のくぼみは、第３材料の層の厚さ全体に渡って形成されている。ただし、ｎ個のくぼみの深さを第３の材料の層の厚さよりも小さくすることは可能である。

【0078】

ｎ個のくぼみは、ｎ個の構造ゾーンに近づくにつれて細くなるベースを有することが好ましい（じょうご形状）。この特定の形状は、実際に、光をｎ個の構造ゾーンに向けて集光させることを可能にする。なお、くぼみのじょうご形状は、エッチングにより設定する。しかし、側壁がベースに対して垂直であるようなくぼみを用いることは全面的に可能である。

【0079】

第２材料の層（層１５又は２５）は、剛体材料製である。剛体材料としては、マイクロメートルオーダー又はナノメートルオーダーでの構造化が容易であるものが好ましい（例えば、シリコン）。

【0080】

材料は、その剛性又はフレキシブル性、インプリントモールドとともに使用したいＵＶ波長、及びモールドを構成する各層の厚さに応じて選択する。例えば、第１、第２、及び第３材料の層には、シリコン、窒化シリコン、炭化シリコン、又は金属（Ａｌ、Ｔｉなど）を用いることができる。これらの層は、用いる材料と層の厚さに応じて、異なる透過率を有する。ｎ個のくぼみに充填するための材料は、モールドの使用波長に応じて、シリカ、シリコン、ポリカーボネート、ポリジメチルシロキサンなどの中から選択することができる。

【0081】

剛体材料製の層２内にｎ個のくぼみを形成し、これらｎ個のくぼみに、インプリントの実行に用いる波長における透過率が剛体材料製の層２のこの波長における透過率より大きい材料を充填することにより、モールドの背面に照射される光の横方向の拡散を回避し、その光をモールドの前面上に位置するｎ個の構造ゾーンに指向させることができる。これにより、モールドを通る光のより良好な透過が得られる。

【0082】

さらに、ｎ個のくぼみに充填する材料もまたフレキシブル材料である場合、モールドの前面上にある構造ゾーンに非常に近接してフレキシブル材料を堆積させることができ、これによりモールドの機械的動作を単純に調整することも可能になる。パターンを備えたゾーンの上に来る剛体材料の層２の厚さを薄くし、これにより生成された空間にフレキシブル材料を充填することにより、実際に、これらのパターンにおいてモールドに加わる応力を平準化し、最終的な均一の押圧状態により迅速に到達することができる。よって、パターンの分解能に関連する問題とプリント中の押圧の均一性に関連する問題とを同時に解決することができる。

【0083】

次に、図２に示す本発明に係るモールドの実施例を説明する。すなわち、第１材料の層５と第２材料の層１５が同じ剛体材料製であり、単一かつ同じ層３５を形成し、層３５は、所定波長、例えば３５０ｎｍにおいて０．６５より大きな透過率を有し、ナノメートルオーダーのパターンを有する構造ゾーンを含む。

【0084】

リソグラフィー（電子的、光学的、ＥＵＶ、Ｘ、ＦＩＢリソグラフィーなど）により、及びエッチング（反応性イオンドライエッチング、イオン機械加工、ウェットエッチングなど）により、まず初期基板１３の前面の構造化を行う。そのためには、樹脂の層１４を、シリコン基板１３、あるいはマイクロ電子部品の製造において十分習熟されたマイクロ及びナノ製造法において通常用いられる他の任意の材料の面上に設ける（図５ａ）。この樹脂の層１４を、後にモールドになる第２材料の層内に得ようとするｎ個のゾーンの反転画像（ネガティブインプリント）を表すパターンに従って絶縁する（図５ｂ）。絶縁した樹脂の層１４とこの樹脂により覆われていない部分をエッチングする（図５ｃ）。例えば、後にモールドになる第２材料の層内に、ｎ個のゾーンをレリーフで得ようとする場合、これらｎ個のゾーンは、初期基板上の空洞になるようにエッチングする。この例では、シリコン基板を用いることを選んだ。なぜなら、シリコンは、１０ｎｍより小さい分解能と１０より大きいアスペクト比（高さ／幅）のエッチングを実行することができるからである。

【0085】

次に、剛体かつ１９３〜４００ｎｍの波長範囲内で透明な材料の層３５０、例えば酸化シリコンの層を、初期基板の構造化した面上に堆積させる。この積層した層３５０の厚さは、初期基板１３内に形成されたパターンの高さより大きい。なぜなら、この層３５０は、モールドの第２材料の層１５と第１材料の層５の両方を形成するためのものだからである（図２を参照）。さらに、この堆積は、初期基板１３内に形成されたレリーフ隙を適切に満たすように行わなければならない。

【0086】

なお、図５ｄは、層１５と層５が互いに異なる材料製にする可能性を示すために、単一層３５０を形成する層１５０と層５０を示している（層１５０はのちにモールドの第２材料の層１５を形成し、層５０はのちにモールドの第１材料の層５を形成する）。

【0087】

次に、剛体で不透明な材料の層２０を、剛体で透明な材料の層３５０上に堆積させる（図５ｅ）。剛体材料の層２０は、例えば、少なくとも１００マイクロメートルの厚さのシリコン又は窒化シリコンの層とすることができる。これらの材料は、こうした厚さに対して、１９３ｎｍ〜４００ｎｍの波長において０．２未満の透過率を有する。次に、Ｎ個のくぼみを、例えばリソグラフィーとエッチングにより、剛体で不透明な材料の層２０内の、層３５内に位置するｎ個のパターンに対向して形成する。これは、樹脂の層１６を堆積させ、これをパターンに従って絶縁し、そしてこれをエッチングし（図５ｆ）、次にその下にある層２０をエッチングすることにより行う。これにより、第３材料の層２が、ｎ個のくぼみとともに得られる。これらのくぼみは、剛体で不透明な材料の層２０の厚さ全体に渡ってエッチングすることが好ましい。

【0088】

次に、１９３〜４００ｎｍ波長において透明で、好ましくはフレキシブルである材料の層を、ｎ個のくぼみ内に堆積させて、ｎ個の部分領域４を形成する（図５ｇ）。例えば、ｎ個のくぼみ内に堆積させるこの層は、ポリジメチルシロキサン（ＰＤＭＳ）製である。ＰＤＭＳの利点は、ＰＤＭＳの製剤に含まれる開始剤の比率に応じて、ヤング係数を調節することができることにある。これにより、ＰＤＭＳをよりフレキシブルにするか、よりフレキシブルでなくすることができる。

【0089】

なお、前述したように、異なる層の材料は、１９３〜２００ｎｍの範囲内の波長におけるこれらの透過率に応じて選択する。

【0090】

次に、初期基板１３を除去する（図５ｈ）。例えば、初期基板１３の大部分を、その背面を研磨又はエッチングすることにより除去し、酸化シリコンの層に対して初期シリコン基板を選択的にエッチングするために、ウェットエッチング、例えばＴＭＡＨ又はＫＯＨエッチングにより、初期基板１３の残りを除去する。初期基板１３用、及び層内にｎ個の構造ゾーンが形成される剛体材料の層３５０用に、選択的なエッチングに耐えうる一対の材料を選択することが望ましい。

【0091】

他の実施例によれば、本発明に係るモールドは図３に示すように製造する。すなわち、モールドは、剛体かつ所定波長、例えば１９３〜４００ｎｍにおいて透明な材料の層５を備え、層５は、その第１面上に剛体材料の層１５を含み、層１５は、例えば所定波長において０．２未満又は０．６５未満の透過率を有し、かつ層内にナノメートルオーダーのパターンを有するｎ個の構造ゾーンが形成され、層５はさらに、その第１面と反対側の第２面上に剛体材料の層２を含み、層２は、例えば所定波長において０．２未満の透過率を有し、かつ、例えば０．６５より大きな透過率を有する材料を充填されたｎ個のくぼみを含む。

【0092】

まず、ＳＯＩ基板１７の１面の構造化を行う。ＳＯＩ基板１７は、１００ｎｍ〜５００ｎｍの厚さを有するシリコンの積層１５０、１００ｎｍ〜数マイクロメートルの厚さを有する埋め込まれた酸化シリコン層５０、及び少なくとも数百マイクロメートル（すなわち１００マイクロメートル以上）の厚さを有するシリコンの層２０の積層で構成される。

【0093】

構造化は、感光性樹脂の層１４をＳＯＩ基板の前面上（シリコン層１５０上）に堆積させ（図６ａ）、得ようとするｎ個の構造ゾーンを表すパターンに従って樹脂の層を絶縁し（図６ｂ）、絶縁した樹脂の層と樹脂で覆われていない部分とをエッチングする（図６ｃ）ことにより行う。これにより、構造層１５が得られる。エッチングするパターンの深さは、ＳＯＩ基板のシリコンの層１５０の厚さ以下とすることができる。エッチングするパターンの深さがシリコンの層１５０の厚さに等しい場合は、ＳＯＩ基板のシリコン酸化物の層５０は、エッチングにおける停止層として働く。

【0094】

次に、ＳＯＩ基板（シリコン層２０）の背面を構造化する。これにより、その基板の前面上にある各構造ゾーン３０に対向して、その基板の背面上に対応するくぼみが存在する。これにより、構造化層２が得られる。ｎ個のくぼみは、樹脂の層１６をＳＯＩ基板の背面上に堆積させ、得ようとするｎ個のくぼみを表すパターンに従って樹脂の層を絶縁し、次にこの絶縁した樹脂の層と樹脂で覆われていない部分とをエッチングすることにより、得られる（図６ｄ）。エッチングは、潜在的に酸化シリコン層６０が得られるまで行うことができる。この場合、酸化シリコン層６０は、エッチングにおける停止層とし働く。このようにして、基板の背面上のエッチングが、前面上の、ｎ個の構造ゾーンのパターン上に出ないことを確実にする。

【0095】

次に、層を、所定波長において０．６５より大きい透過率を有する材料で、ＳＯＩ基板の背面上に堆積させて、ｎ個のくぼみを充填する（図６ｅ）。この材料は、フレキシブルであることが好ましく、例えばポリジメチルシロキサン（ＰＤＭＳ）である。

【0096】

本発明に係る２つの製造方法によれば、当業者が周知であり習熟している単純なリソグラフィー及びエッチング法を用いて、面上にマイクロメートルオーダー又はナノメートルオーダーのパターンを有するモールドを得ることができる。特に、本発明に係るモールドを製造する方法は、マイクロ電子工学とマイクロ技術分野において通常用いられる方法と両立する。

【0097】

さらに、従来技術では、特に１００ｎｍ未満の寸法のパターンを得るためには、数百マイクロメートルの厚さの剛体で透明な（すなわち、０．６５以上の透過率を有する）材料であって、時として、エッチングが非常に困難なシリカ又は石英型の非常に硬い材料製の基板をエッチングする必要があった。本発明によれば、例えば材料が透明又は不透明（すなわち、０．２未満の透過率を有すること）でなければならないということによって制限されることなく、シリコンの層のように構造化が容易な材料の層内でモールドのマイクロメートルオーダー又はナノメートルオーダーの構造化を行うことができる。これにより、ｎ個のくぼみを備える剛体で不透明な材料の層上に、ｎ個の構造ゾーンを備えるこうした層を堆積させるだけで、十分である。よって、モールドの製造が大幅に簡略化され、同様に製造コストが低下する。

【0098】

さらに、光の横方向拡散がモールド内に限定されるため、２つの隣接する構造ゾーン間に必要な距離を最小化することができる。したがって、従来技術と比べて、同じモールド上により多数の構造ゾーンを配置することができる。

【0099】

また、２つの隣接するインプリントされた「チップ」間の距離を低減しつつ、同じモールドで２つの隣接するゾーン（チップと呼ぶゾーン）を同じ平板上にインプリントすることもできる。要するに、図面に示す構造を取り、横方向に移動させて先行する同一の構造の隣に配置するならば、この移動を１マイクロメートル未満にすることができる。

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5a】

【図5b】

【図5c】

【図5d】

【図5e】

【図5f】

【図5g】

【図5h】

【図6a】

【図6b】

【図6c】

【図6d】

【図6e】