(58)【調査した分野】(Int.Cl.,DB名)
【発明を実施するための最良の形態】
【0006】
本発明は、任意角の入射からの紫外、可視または赤外の磁気放射の特定の反射帯域を維持するマルチレイヤー全方向性反射体を含む。本発明は、それ自体で、狭い波長範囲の電磁放射に対する全方向性の反射体としての実用性を有する。また、本発明は該全方向性反射体を造るための方法も含む。
【0007】
本発明の全方向性反射体は、第一の屈折率を伴う第一の層および第二の屈折率を伴う第二の層を有するマルチレイヤー体である。いくつかの例では、この二つの層の屈折率間の差が0.2〜1.0の範囲であってもよく、およびこのマルチレイヤー構造は、0°から80°の角度から眺めたときに200ナノメートル未満の反射帯域を有する。他の例では、この二つの層の屈折率間の差が0.2〜0.6の範囲であってもよく、およびこのマルチレイヤー構造は、0°から65°の角度から眺めたときに100ナノメートル未満の反射帯域を有する。
【0008】
ここで、
図1を参照すると、高屈折率(n
H)および厚さ(d
H)を備えた第一の材料100および低屈折率(n
L)および厚さ(d
L)を備えた第二の材料200を交互にした層を有するマルチレイヤー構造が示されている。第一の材料100は、外表面110を含み、それは第二の材料200の外表面210にわたって広がることができる。いくつかの例では、マルチレイヤー構造10は、層の合計数が3より多い。別の例では、マルチレイヤー構造10は、層の合計数が7より多い。
【0009】
垂直な電気(E)および磁気(M)ベクトル成分からなる電磁波が、入射角θ
0でマルチレイヤー構造に入射するのが示される。この電磁波は二つの独立の電磁モード、TE(横電)モードとTM(横磁)モードに区別することができる。マルチレイヤー構造10以外の媒体の屈折率は第一の端部12においてn
0である。例えば、媒体が空気であるとき、n
0は1である。第二の端部14にある随意的な基材の屈折率は、n
基材である。この随意的な基材は、マルチレイヤー構造10と適合可能な任意の材料であってよく、およびこの構造物の製造、貯蔵、輸送および/または取り扱いにおいて役に立つことができる。随意的な基材が存在する場合、その基材はマルチレイヤー構造10の製造後に除去してもよいし、またはしなくてもよい。
【0010】
電磁放射が材料表面に当たる場合、該放射の波はこの材料から反射されるかまたは材料を伝わることができる。さらに、電磁放射がマルチレイヤー構造10の第一の端部12に角度θ
0で当たる場合、その電磁波が高屈折率層および低屈折率層の表面で作る反射角は、それぞれθ
Hおよびθ
Lである。
【0011】
スネルの法則を使用すると:
【数1】
屈折率n
Hおよびn
Lが既知であれば、角度θ
Hおよびθ
Lは求められる。
【0012】
全方向性反射率について、電磁放射のTEモードおよびTMモードに関する必要だが十分ではない条件として、第一の層内の最大屈折角度(θ
H,MAX)が第一の層および第二の層の間のインターフェースのブルースター角(θ
B)よりも小さいことが必要である。この条件が満足されない場合、電磁波のTMモードは第二のおよびそれに続くインターフェースで反射せず、したがってこの構造物を伝わる。
【0013】
この考察を用いると、
【数2】
および
【0014】
【数3】
【0015】
これにより、次のことが必要である:
【数4】
【0016】
式4で表されるこの必要条件に加えて、波長λの電磁波が角度θ
0でマルチレイヤー構造に向かい、且つマルチレイヤー構造の個々の二重層が、それぞれ屈折率n
Hおよびn
Lを伴う厚さd
Hおよびd
Lを有する場合、特性変換(translation)マトリクス(F
T)は以下のように表現される。
【0017】
【数5】
【0018】
これは次のようにも表現可能であり:
【数6】
【0019】
ここで:
【数7】
【0020】
【数8】
【0021】
【数9】
および
【0022】
【数10】
である。
【0023】
また、
【数11】
【0024】
ここで、
【数12】
【0025】
および
【数13】
【0026】
TEおよびTMについて明確にp
Tを解くと:
【数14】
および
【0027】
【数15】
【0028】
眺める角度に依存する帯域構造は、全反射ゾーンの、帯域端としても知られる、端部についての境界条件から得ることが可能である。本発明の目的に関して、帯域端は、所与の帯域構造について全反射ゾーンと伝送ゾーンとを分ける線(ライン)の式として定義される。
【0029】
高反射率帯域の帯域端周波数を決める境界条件は、以下によって与えられる:
【数16】
【0030】
したがって、式3から:
【数17】
【0031】
または違う表現では:
【数18】
【0032】
式15および7を結合すると、以下の帯域端の式が得られる:
【数19】
ここで、
【数20】
および:
【数21】
上記の帯域端の式の+記号は、長波長(λ
long)の場合の帯域端を表し、および−記号は短波長(λ
short)の場合の帯域端を表す。
【0033】
式20および21を再編すると:
TEモードについて
【数22】
および:
【0034】
TMモードについて
【数23】
である。
【0035】
帯域端についての近似解は、以下の表現で定義可能である:
【0036】
【数24】
四分の一波の設計(以下でより詳細に記載される)および互いに等しくなるように選択された交互の層の光学的な厚さを考慮すれば、この近似解は妥当である。また、交互の層の光学的な厚さが比較的小さいと、コサインは1に近づく。このようにして、式23および24は近似的な帯域端の式をもたらす:
【0037】
TEモードについて:
【数25】
【0038】
および、TMモードについて:
【数26】
【0039】
入射角の関数としてのL
+およびp
TMの値は、式7、8、14、15、20および21から得ることができ、それによって入射角の関数としてのTEおよびTMモードにおけるλ
longおよびλ
shortについての計算が可能となる。
【0040】
図2を見ると、4.6の高屈折率および800ナノメートルの厚さを有する第一の材料および1.6の屈折率および1600ナノメートルの厚さを有する第二の層材料を伴うマルチレイヤーシステムでの入射角の関数としてのTEおよびTM帯域端が示されている。全方向性帯域は波長範囲で定義され、そこでは強調表示されたボックスで示されるように任意の角度から来る電磁放射が完全に反射される。
図2で示される例の場合、全方向性帯域は赤外領域にあり、そして近似的には9.34マイクロメートルから15マイクロメートルの波長の間にある。
【0041】
数学的には、
図2で示される全方向性の帯域は以下のように記載できる:
【数27】
【0042】
式23および式24の帯域端に対する厳密解は、以下のように表現できる:
TEモードについて:
【数28】
および、TMモードについて
【数29】
である。数値評価を用いて、上述したマルチレイヤーシステムについての厳密解と近似解の比較が
図3に示される。
図3は、このようにして、帯域端の式で求める近似法が妥当且つ適当であることを説明している。
【0043】
全方向性反射体の中心波長(λ
c)は、次の関係から求められる:
【0044】
【数30】
この中心波長は重要なパラメータとなる場合があり、というのはその値が反射される電磁波長および/または色スペクトルの近似範囲を示唆するからである。例えば、通常の入射に対して上述のマルチレイヤーシステムは、12.5マイクロメートルの中心波長をもたらし、これは
図2および3で示されるプロットと一致する。
反射帯域の幅に関する示唆をもたらすことができる、もうひとつの重要なパラメータは、全方向性反射帯域内の波長のレンジ(範囲)対全方向性反射帯域内の波長のミッドレンジ比として定義される。
【0045】
この「レンジ対ミッドレンジ比」(η)は数学的に以下のように表現される:
TEモードについて、
【数31】
【0046】
および、TMモードについて、
【数32】
である。レンジ対ミッドレンジ比は百分率として表現することができ、本発明の目的に関して、この用語「レンジ対ミッドレンジ比」と「レンジ対ミッドレンジ比百分率」は同義的に使用されると理解される。さらに、「%」記号を伴って提示される「レンジ対ミッドレンジ比」の値は、「レンジ対ミッドレンジ比」の百分率の値であると理解される。TMモードおよびTEモードについてのレンジ対ミッドレンジ比は、式31および32から数値的に計算可能であり、そして
図4Aおよび4Bに図解されるように、高屈折率と低屈折率の関数としてプロットできる。さらに、一度レンジ対ミッドレンジ比が決められると、対応する反射率が波長の関数としてプロット可能である。
【0047】
レンジ対ミッドレンジ比の関数としての反射率の例は、
図5Aおよび5Bに図解される。
図5AはTMモードレンジ対ミッドレンジ比についての二つのカーブ−0.2%に等しいη
TMに関するものおよび30%に等しいη
TMに関するもの−を示す。
図5Bは、0°から45°の範囲にある入射角を伴って、
図5Aで「A」および「B」のラベルがされたレンジ対ミッドレンジ比について対応する反射率を示す。30%のレンジ対ミッドレンジ比および0°から45°の範囲にある入射角を伴って、
図5Bに図解された反射帯域は近似的に300ナノメートルである。対照的に、0.2%のレンジ対ミッドレンジ比および同上の入射角の場合、反射帯域は近似的に100ナノメートルである。
【0048】
全方向性反射体の中心波長に関して、式30は、中心波長、およびしたがって中心波長の分散が入射角の関数であることを示す。いくつかの例では、本発明の全方向性反射体が入射角の関数としての中心波長の小さな分散を有する。中心波長の分散の範囲が狭いほど、観察される色は純粋である、というのはより狭い帯域の波長が反射体から例えば人間の眼に反射されるからである。
【0049】
中心波長の分散を制御する方法は、高反射率および低反射率の関数としてのTMモードおよびTEモードについてのレンジ対ミッドレンジ比の比較検討を含んでもよい。
図6は、高反射率および低反射率の関数としてのTMモードおよびTEモードについての0.2%のレンジ対ミッドレンジ比を図解する。
図6で図解されるように、TMモードおよびTEモードについての高屈折率間の比較的大きな分散がケースIによって示され、中間の分散がケースIIによって示され、比較的小さな分散がケースIIIによって示される。したがって、所与のレンジ対ミッドレンジ比について、高反射率および低反射率に対する異なる値を選択することができる。
【0050】
図7Aをみると、ケースIについての波長の関数としての反射率が図解されており、ここでは高屈折率が2.61に等しく、低屈折率が1.2に等しく、および入射角は0°〜45°の範囲である。この図によって図解されるように、マルチレイヤー構造に対して通常の電磁放射の入射とマルチレイヤー構造に対して45°の電磁放射の入射を比べると、中心波長は大きく移動している。対照的に、高反射率および低反射率の間の比較的小さな差、および等しい入射角は、結果として
図7Cに示されるような中心波長の小さな分散をもたらす。したがって、マルチレイヤー構造によって反射される波長の範囲を狭くするためには、第一の材料100と第二の材料200の間の反射率間の比較的小さい差が望ましい。
図7Dは、ケースI、IIおよびIIIについて入射角の変化を伴う場合の中心波長の分散を定量化し、そして分散がケースIの場合の約140nmからケースIIIの場合の約40nmまで低下することを図解している。
【0051】
本発明の別の実施態様では、全方向性反射体用の交互の層の材料の屈折率および厚さを測定するために、四分の一波技術が使用可能である。この方法を用いて、高屈折率材料および低屈折率材料の光学的厚さがお互いに等しくなるように、且つ所望の反射波長の四分の一に等しくなるように、設定される。したがって、一度マルチレイヤー構造の屈折率が選択されると、個々の層の厚さは以下の式に基づいて設定される:
【0052】
【数33】
ここでθ
0=0のときにλ
0=λ
cである。
【0053】
図8を見ると、四分の一波全方向性反射体の帯域端に対する近似解のグラフ表示が、上述したケースIIのパラメータにしたがって示される。この図はまた厳密解も示しており、それにより類似の結果が得られている。この図で図解されるように、490ナノメートルにおける狭い全方向性帯域は、
図7Bで示された反射帯域と一致している。狭い全方向性帯域を得るために、中心波の分散は最小でなければならないことが理解される。したがって、式30から、中心波の分散が次のように表現できる:
【0054】
【数34】
【0055】
ここで:
【数35】
および、Fc、中心波長分散係数は次のように表現できる:
【0056】
【数36】
中心波長分散係数は、高屈折率および低屈折率の関数として
図9Aに示される。したがって、式36および
図9Aから、高屈折率および低屈折率の材料を適当に選択することで、中心波長の分散を低下させることができる。また、中心波長分散係数が比較的低くても、高屈折率と低屈折率の間に大きな差を示すマルチレイヤー構造は広い反射帯域を有する事実も、「広い帯域」矢印を伴う
図9Aで図解される。同様に、交互の層が、第二の材料の低屈折率に近い高屈折率を伴う第一の材料を有する場合、反射した電磁放射のより高い側波帯が「高い側波帯」矢印で図解されるように生じる。このより高い側波帯は、様々な方法(説明用にはルゲートフィルターを含む)を使用することによって、低下させることができる。
【0057】
図9Bは、レンジ対ミッドレンジ比、高屈折率および低屈折率に関する目標領域を提示する。TEおよびTMモードのレンジ対ミッドレンジ比間の差が比較的大きい場合、マルチレイヤー構造の広いまたは大きい反射帯域が生じる。対照的に、レンジ対ミッドレンジ比間の差が比較的小さい場合、比較的狭い反射帯域がこのダイヤグラムで見られるような値の目標領域を伴って示される。また、
図9Cおよび9Dは、高屈折率および低屈折率材料間で小さな屈折率コントラスト(0.39)が選択された場合、可視領域において狭い帯域幅の全方向性反射体が得られることを図解する。
【0058】
したがって、いくつかの例では、全方向性反射体が交互の層の材料を有し、ここで一つの材料が1〜3の低屈折率を有し且つもう一つの材料が2〜4の高屈折率を有する。また、低屈折率材料と高屈折率材料の間の差が、ここでは屈折率コントラストとして定義され、0.2〜1.0の範囲にあり、およびレンジ対ミッドレンジ比百分率が0より大きい値から10%まで変化する。他の例では、全方向性反射体の交互の層に使用される材料は、2〜3の範囲にある低屈折率を有する第一の材料、2.47〜3.38の範囲にある高屈折率を有する第二の材料を含む。さらに他の例では、高屈折率および低屈折率材料の間の差が、0.35〜0.5であってもよく、および/またはレンジ対ミッドレンジ比百分率が0より大きい値および5%であってもよい。いくつかの例では、レンジ対ミッドレンジ比百分率はまた0より大きい値から2%の範囲であってもよい。本発明の全方向性反射体の製造のために好適な材料は、上述の基準に合致するように選択される。
【0059】
表1は、狭い反射帯域を示す全方向性反射体用の、可能性のある、しかし限定はされない、高屈折率および低屈折率材料のそれぞれを示す。したがって、屈折率の差が0.2〜1.0であるように、且つレンジ対ミッドレンジ比百分率が0より大きい正の値から10%であるように、適当な材料を選択することによって、様々な角度から眺めたときに一定のままである構造色を可能にする全方向性反射体がもたらされる。いくつかの例では、本発明の全方向性反射体によってもたらされる構造色は、0°〜80°の角度から眺めたときに一定のままである。他の例では、0°〜65°の角度から眺めたときに、構造色は一定のままである。さらに他の例では、0°〜45°の角度から眺めたときに、構造色は一定のままである。
【0060】
また、表1は説明目的だけのものであり、決して本願発明の範囲を限定するものではない。屈折率の差が0.2〜1.0であり、レンジ対ミッドレンジ比百分率が0より大きい正の値から10%までである、任意の二つの層は本発明の範囲内である。また、2より多い異なる材料がマルチレイヤースタックに使用することができること、および/または交互の層のひとつが欠陥層、すなわち所望の屈折率を得るためにそこで意図的に欠陥を伴う材料でできた層であってもよいこと、も本発明の範囲内である。
【0061】
本発明の全方向性反射体は粒子、ディスク、フレークおよびそれらに類するものの形態であってもよいことが理解される。さらに、コーティングを形成するために、粒子、ディスクおよび/またはフレークは好適な有機および/または無機バインダーと混合されてもよい。したがってバインダーと本発明の全方向性反射体は、様々な角度から眺めたときに色が変わらない塗料およびコーティングをもたらすように、使用可能である。また、本発明の粒子、ディスク、および/またはフレークは、他の方法、例えば帯電、e−コーティング、粉末コーティング、スプレー堆積およびこれらに類するものを使用して、表面に適用可能であり、この結果様々な角度から眺めたときに外観において変化しない色を表面にもたらす。
【表1】
【0062】
本発明のフレークは、0.5〜5マイクロメートルの平均厚み、および5〜50マイクロメートルの平均直径を有してもよい。本発明の目的に関して、平均厚みという語は少なくとも3つの異なる厚さの測定から得た平均値として定義され、平均直径という語は少なくとも3つの異なる直径の測定から得た平均値として定義される。フレークは、そこに付着した随意的な基材を有してもよく、または独立したフレークであってもよいことが理解される。基材は、当業者に既知の任意の材料(説明用には金属、合金、プラスチック、セラミックス、ガラスおよびそれらの組み合わせを含む)から作られてもよく、およびフレークが製造された後で除去してもよいし、またはされなくてもよい。
【0063】
本発明の狭い帯域の全方向性反射体は、紫外(UV)光を反射するように設計され、製造されおよび使用できることが理解される。したがって、本発明の狭い帯域の全方向性反射体は、UV反射コーティングを製造するために使用可能であり、ここで作られたUV反射の狭い帯域の全方向性反射体は、(1)現在入手可能な塗料、染色液およびそれらに類するもの:(2)可視色をもたらす狭い帯域の全方向性反射体を含む本発明のコーティング:および/または(3)好適な透明のバインダーに加えられ、UV保護性能を有するクリアーなコーティングを製造する。本発明の狭い帯域の全方向性反射体は、電気通信および光電子デバイスで使用可能であることも理解される。
【0064】
本発明の全方向性反射体を製造する方法は、ゾルゲルプロセス、交互層の電子ガン蒸発、交互層の真空蒸発、熱的蒸発、CVDプロセス、電気化学堆積およびエッチングプロセス、高真空蒸気堆積および酸化プロセス、交互層のスパッタリング、分子−ビーム−エピタキシープロセス、熱的機械的プロセス、化学的プロセス、「レイヤー・バイ・レイヤー」プロセスによるポリ電解質多層堆積および/またはこれらの組み合わせを含む。
【0065】
このやり方で、狭い帯域幅の全方向性反射器およびそれらの製造方法が提示される。前述の図面、議論および記載は、本発明の特定の実施態様の説明であるが、それらの実施に関して限定となることを意図していない。本発明の数値的な改良および変更は、ここで示された教示を考慮すれば当業者には容易に明らかである。特許請求の範囲は、本発明の範囲を規定する均等物の全てを含む。