特許 5775002 発光装置の製造方法

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】特許公報(B2)

(11)【特許番号】5775002

(24)【登録日】2015年7月10日

(45)【発行日】2015年9月9日

(54)【発明の名称】発光装置の製造方法

(51)【国際特許分類】

   H01L 33/48 20100101AFI20150820BHJP

【ＦＩ】

   H01L33/00 400

【請求項の数】9

【全頁数】23

(21)【出願番号】特願2011-551934(P2011-551934)

(86)(22)【出願日】2011年1月28日

(86)【国際出願番号】JP2011051761

(87)【国際公開番号】WO2011093454

(87)【国際公開日】20110804

【審査請求日】2013年7月18日

(31)【優先権主張番号】特願2010-214487(P2010-214487)

(32)【優先日】2010年9月24日

(33)【優先権主張国】JP

(31)【優先権主張番号】特願2010-19073(P2010-19073)

(32)【優先日】2010年1月29日

(33)【優先権主張国】JP

【前置審査】

(73)【特許権者】

【識別番号】000131430

【氏名又は名称】シチズン電子株式会社

(73)【特許権者】

【識別番号】000001960

【氏名又は名称】シチズンホールディングス株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】100097043

【弁理士】

【氏名又は名称】浅川 哲

(72)【発明者】

【氏名】今津 健二

【審査官】 佐藤 俊彦

(56)【参考文献】

【文献】 特開２００５−３２７７８６（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開２００２−２６１３２５（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開２０１０−１３５６９３（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開２００９−０８８１９０（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開２００７−２２０９２５（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開２００７−２４３２２６（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開２００４−３６３３８０（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開２００２−０６４１１２（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開２００６−２４５６２６（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開２００８−２６３０８２（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開２００７−０５９４９２（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開２００４−３６３２７９（ＪＰ，Ａ）

【文献】 特開２００２−０３３５１７（ＪＰ，Ａ）

(58)【調査した分野】（Int.Cl.，ＤＢ名）

Ｈ０１Ｌ ３３／００−３３／６４

(57)【特許請求の範囲】

【請求項1】

剥離性の粘着シートを準備すること、
それぞれの発光素子の下面にＰ電極及びＮ電極からなる一対の素子電極を有する、複数の発光素子を準備すること、
基材層とその上面に積層される粘着糊層とで構成された前記粘着シート上に、各発光素子の下面を押し付けて、各発光素子のＰ電極及びＮ電極が前記基材層に当接するまで粘着シートの粘着糊層の中に沈み込ませて複数の発光素子を配列すること、
前記粘着シート上に封止部材を設けて、前記粘着シートの粘着糊層から突出した前記複数の発光素子を封止すること、
前記粘着シートを前記封止部材の下面と前記複数の発光素子の下面とから剥離して、粘着シートの粘着糊層の中に沈み込ませていた各発光素子のＰ電極及びＮ電極を露出させること、を含む発光装置の製造方法。

【請求項2】

前記封止部材上で、前記複数の発光素子の下面側に反射材を設けること、を含む請求項１に記載の発光装置の製造方法。

【請求項3】

前記反射材を研磨することによって複数の発光素子のそれぞれの下面が有する一対のＰ電極及びＮ電極の少なくとも一面を反射材から露出させること、を含む請求項２に記載の発光装置の製造方法。

【請求項4】

前記反射材から露出されている前記複数の発光素子のそれぞれの下面が有するＰ電極及びＮ電極の少なくとも一部と接して、電気的に接続される一対の外部接続電極を形成すること、を含む請求項３に記載の発光装置の製造方法。

【請求項5】

前記複数の発光素子のそれぞれの下面が有する前記Ｐ電極及びＮ電極の少なくとも一部と接して、電気的に接続される一対の外部接続電極を形成すること、を含む請求項１に記載の発光装置の製造方法。

【請求項6】

前記封止部材を設けて前記複数の発光素子を封止部材によって封止する際に、複数の四角格子を有する反射枠を、各四角格子が各発光素子の周りを囲むように配置し、各発光素子を複数の四角格子を有する反射枠の各四角格子内で封止すること、
前記反射枠上を切断することで前記封止部材を分割すること、を含む請求項１に記載の発光装置の製造方法。

【請求項7】

前記封止部材を設けて前記複数の発光素子を封止部材によって封止する際に、各発光素子の周りに四角格子形状を有する溝を形成するために、封止部材を縦横にハーフダイシングし、この溝に反射枠を形成すること、
前記反射枠上を切断することで前記封止部材を分割すること、を含む請求項１に記載の発光装置の製造方法。

【請求項8】

剥離性の粘着シートを準備すること、
それぞれの発光素子の下面にＰ電極及びＮ電極からなる一対の素子電極を有する、複数の発光素子を準備すること、
基材層とその上面に積層される粘着糊層とで構成された前記粘着シート上に、各発光素子の下面を押し付けて、各発光素子のＰ電極及びＮ電極が前記基材層に当接するまで粘着シートの粘着糊層の中に沈み込ませて複数の発光素子を配列すること、
前記粘着シート上に封止部材を設けて、前記粘着シートの粘着糊層から突出した前記複数の発光素子を封止部材によって封止すること、
前記粘着シートを前記封止部材の下面と前記複数の発光素子の下面とから剥離して、粘着シートの粘着糊層の中に沈み込ませていた各発光素子のＰ電極及びＮ電極を露出させること、
複数の発光素子のそれぞれの下面が有するＰ電極及びＮ電極に対応する部分を除いて、前記封止部材の下面に保護膜を形成すること、
複数の発光素子のそれぞれの下面が有するＰ電極及びＮ電極に下地電極膜を形成すること、
下地電極膜上に前記一対の素子電極のＰ電極とＮ電極とに対応して分離する位置に、レジストマスクを形成すること、
下地電極膜上で、レジストマスクが形成されていない位置に外部接続電極用金属をメッキ形成すること、
前記レジストマスクを除去すること、
前記レジストマスクを除去した位置において、前記外部接続電極用金属をマスクとして下地電極膜をエッチングしてＰ電極とＮ電極に電気的に分離された一対の外部接続電極を、複数の発光素子のそれぞれの下面が有する一対のＰ電極及びＮ電極と電気的に接続される位置に複数形成すること、を含む発光装置の製造方法。

【請求項9】

前記封止部材が蛍光剤含有樹脂からなる請求項１，２，６，７，８のいずれか一つに記載の発光装置の製造方法。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は発光ダイオード素子を備えた発光装置の製造方法及び発光装置に関するものである。

【背景技術】

【0002】

発光ダイオード素子（以下発光素子と略称する）は小型で発光効率が良く、鮮やかな発光色を有し、しかも長寿命で優れた駆動特性などを備えることなどから、近年ではカラー表示装置のバックライトの光源や照明等に広く利用される。そこで、本発明における発光装置も発光素子を備えた発光装置を実施形態として説明する。

【0003】

近年、基板に実装した発光素子を透明樹脂や透明ガラス、または蛍光樹脂等を含む封止部材で、基板上に発光素子を被覆することにより構成した白色発光装置やカラー発光装置が提供されており、このような構成からなる発光装置を、複数の発光素子を一括して集合基板上に搭載させて量産化する方法が知られている（例えば特許文献１、特許文献２）。

【0004】

図４１には特許文献１における発光素子を備えた従来の発光装置が示されている。この発光装置１００は、樹脂基板１０２の上面に発光素子１０３が直接搭載される上面電極１０２ａと、ワイヤ１０４により発光素子１０３と電気的に接続される上面電極１０２ａからなる一対の上面電極１０２ａが、また樹脂基板１０２の下面には、出力用の下面電極１０２ｂが設けられ、一対の上面電極１０２ａと外部接続電極である一対の下面電極１０２ｂとが一対のスルーホール電極１０２ｃによってそれぞれ電気的に接続されたものである。そして、この発光素子１０３は基板上で透明樹脂１０５により封止されている。なお、一対の上面電極１０２ａ上には、ワイヤのボンディングに必要な部分を除いた部分に発光効率を高めるための反射部材１０６が設けられている。

【0005】

図４２には特許文献２における従来の発光素子を備えた発光装置が示されている。この発光装置２００は、セラミック基板２０２の上面側に発光素子が直接搭載されて電気的に接続される一対の上面電極２０２ａが、またセラミック基板２０２の下面側に出力用の一対の下面電極２０２ｂが設けられ、一対の上面電極２０２ａと一対の下面電極２０２ｂとが一対のスルーホール電極２０２ｃによってそれぞれ電気的に接続されたものである。そして、セラミック基板２０２の上面側に設けられた上面電極２０２ａに、発光素子２０３の下面に形成された一対のボンディング電極２０３ａもしくはバンプなどを介してフリップチップ実装される。なお、発光素子２０３は低融点ガラス２０５で封止されている。

【0006】

ところで、上記特許文献１，２における発光素子を備えた発光装置１００，２００は、樹脂基板１０２やセラミック基板２０２などの電極を有する基板を用いて、基板上に発光素子を搭載し、発光素子を封止する樹脂を基板上に設けて発光素子を封止しているため、この基板が発光装置１００，２００の薄型化を妨げ、また放熱特性を低下させる一因ともなっていた。さらに、この基板によって部品点数が増加するため、コストアップの原因にもなっていた。

【0007】

そこで、従来にあっては、上記の問題を回避するため、最終的に基板を除去した発光装置が提案されている(特許文献３)。

【0008】

図４３に示したように、この発光装置３００は、金属、プラスチック、シリコーンなどから成る基板３０２の上面に、発光装置３００と電気的に接続される一対の電極３０３ａ，３０３ｃと、発光素子３０４が搭載される電極３０３ｂとが形成され、発光素子３０４が接着剤により電極３０３ｂの上に固定され、ワイヤ３０５ａ，３０５ｂにより、発光素子３０４の一対の素子電極と接続された後、発光素子３０４が封止部材３０６によって封止されたのち、基板３０２を機械的あるいは化学的な方法によって除去し、最終的には電極３０３ａ，３０３ｂ，３０３ｃを封止部材３０６の一面に露出させて、発光装置３００の電極を構成したものである。

【0009】

しかしながら、上記従来の発光装置３００にあっては、基板３０２を最終的に除去するので発光装置全体の薄型化が図られるものの、基板３０２にしっかりと固定された複数の電極３０３ａ，３０３ｂ，３０３ｃを封止部材３０６側に固着して残した状態で基板３０２のみを剥がす必要があり、その剥離を機械的あるいは化学的な方法によるため、基板３０２の除去作業が困難であると共に作業効率も悪く、また基板３０２を剥がした後の発光装置３００の品質を一定に保つのが難しいといった問題があった。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0010】

【特許文献1】特開２００３−２３１８３号公報

【特許文献2】特開２００７−１０３９７８号公報

【特許文献3】特開２００６−１７３６０５号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0011】

そこで、本発明が解決しようとする課題は、発光素子を搭載する基板を用いない薄型の発光装置を極めて簡易な方法で製造することである。

【課題を解決するための手段】

【0012】

上記課題を解決するため、本発明に係る発光装置の製造方法は、一つの実施例では剥離性の粘着シートを準備すること、それぞれの発光素子の下面にＰ電極及びＮ電極からなる一対の素子電極を有する、複数の発光素子を準備すること、基材層とその上面に積層される粘着糊層とで構成された前記粘着シート上に、各発光素子の下面を押し付けて、各発光素子のＰ電極及びＮ電極が前記基材層に当接するまで粘着シートの粘着糊層の中に沈み込ませて複数の発光素子を配列すること、前記粘着シート上に封止部材を設けて、前記粘着シートの粘着糊層から突出した前記複数の発光素子を封止すること、前記粘着シートを前記封止部材の下面と前記複数の発光素子の下面とから剥離して、粘着シートの粘着糊層の中に沈み込ませていた各発光素子のＰ電極及びＮ電極を露出させること、を含む。

【0016】

また、本発明に係る発光装置の製造方法は、他の実施例では剥離性の粘着シートを準備すること、それぞれの発光素子の下面にＰ電極及びＮ電極からなる一対の素子電極を有する、複数の発光素子を準備すること、基材層とその上面に積層される粘着糊層とで構成された前記粘着シート上に、各発光素子の下面を押し付けて、各発光素子のＰ電極及びＮ電極が前記基材層に当接するまで粘着シートの粘着糊層の中に沈み込ませて複数の発光素子を配列すること、前記粘着シート上に封止部材を設けて、前記粘着シートの粘着糊層から突出した前記複数の発光素子を封止部材によって封止すること、前記粘着シートを前記封止部材の下面と前記複数の発光素子の下面とから剥離して、粘着シートの粘着糊層の中に沈み込ませていた各発光素子のＰ電極及びＮ電極を露出させること、複数の発光素子のそれぞれの下面が有するＰ電極及びＮ電極に対応する部分を除いて、前記封止部材の下面に保護膜を形成すること、複数の発光素子のそれぞれの下面が有するＰ電極及びＮ電極に下地電極膜を形成すること、下地電極膜上に前記一対の素子電極のＰ電極とＮ電極とに対応して分離する位置に、レジストマスクを形成すること、下地電極膜上で、レジストマスクが形成されていない位置に外部接続電極用金属をメッキ形成すること、前記レジストマスクを除去すること、前記レジストマスクを除去した位置において、前記外部接続電極用金属をマスクとして下地電極膜をエッチングしてＰ電極とＮ電極に電気的に分離された一対の外部接続電極を、複数の発光素子のそれぞれの下面が有する一対のＰ電極及びＮ電極と電気的に接続される位置に複数形成すること、を含む。

【発明の効果】

【0020】

本発明に係る発光装置の製造方法によれば、粘着シートを封止部材から剥がすことにより、封止部材の一面から露出した発光素子の一対の素子電極に電気的に接続される一対の外部接続電極を封止部材のその一面上に形成することができるので、発光素子が搭載されて、外部接続用電極が形成される基板を用いない発光装置を極めて簡易に製造することができた。

【図面の簡単な説明】

【0022】

【図1】本発明の第１実施形態における発光装置の断面図である。

【図2】図１に示す発光装置の下面側の平面図である。

【図3】図１に示す発光装置を外部基板に実装した状態を示す断面図である。

【図4】図１に示す発光装置の集合基板による製造方法を示すもので、複数の発光装置を搭載するための大判の治具板に剥離性の粘着シートを被着した状態を示す断面図である。

【図5】図４に示す治具板を上から見た平面図である。

【図6】図５に示す治具板の上面に被着した粘着シート上に複数の発光素子を所定の間隔に配置した状態を示す断面図である。

【図7】図６に示す治具板を上面側から見た平面図である。

【図8】治具板の上面の粘着シート上に複数の四角格子を有する反射枠を配設して、複数の四角格子のそれぞれが各発光素子の周りに配置された状態を示す断面図である。

【図9】図８に示す治具板を上面側より見た平面図である。

【図10】図８の反射枠の内部に封止部材を充填してそれぞれの発光素子の上面側及び側面側を封止した状態を示す断面図である。

【図11】樹脂で封止され、それぞれが四角格子形状の枠に囲まれた複数の発光素子を上面側から見た平面図である。

【図12】治具板と粘着シートとを剥離して、集合的に封止部材で封止された複数の発光素子を有する封止部材を形成した状態を示す断面図である。

【図13】図１２に示す集合的に封止部材で封止された複数の発光素子を有する封止部材から粘着シートを剥離した状態を下面側から見た平面図である。

【図14】図１２に示す集合的に封止部材により封止された複数の発光素子を有する封止部材の下面全体と、複数の発光素子のそれぞれが有する一対の素子電極の下面が封止部材の下面と面一になっており、封止部材の下面と各発光素子が有する一対の素子電極の下面とを被覆する下地電極膜が形成された状態を示す断面図である。

【図15】図１４に示す集合的に樹脂封止された複数の発光素子を下面側からみた平面図である。

【図16】図１４に示す複数の発光素子を集合的に樹脂封止する封止部材の下面に設けられた下地電極膜の下面に、レジストマスクを形成した状態を示す断面図である。

【図17】図１６に示す複数の発光素子を集合的に樹脂封止する封止部材を下面側からみた平面図である。

【図18】図１６に示すレジストマスクの開口に外部接続電極用金属をメッキ形成した状態を示す断面図である。

【図19】図１８に示す複数の発光素子を集合的に樹脂封止する封止部材を下面側からみた平面図である。

【図20】図１８に示す複数の発光素子を集合的に樹脂封止する封止部材の下面のレジストマスクを除去した状態を示す断面図である。

【図21】図２０に示す複数の発光素子を集合的に樹脂封止する封止部材を下面側からみた平面図である。

【図22】図２０に示す複数の発光素子を集合的に樹脂封止する封止部材にメッキ形成された外部接続電極用金属をマスクとしてＮ外部接続電極とＰ外部接続電極間の下地電極膜を除去した状態を示す断面図である。

【図23】図２２に示す複数の発光素子を集合的に樹脂封止する封止部材を下面側からみた平面図である。

【図24】図２２に示す複数の発光素子を集合的に樹脂封止する封止部材を切断分離して、個々の発光装置を構成する状態を示す断面図である。

【図25】図２４に示す複数の発光素子を集合的に樹脂封止する封止部材を下面側からみた平面図である。

【図26】本発明の第２実施形態における発光装置の断面図である。

【図27】図２６に示す発光装置の製造方法を示すもので、粘着シートを剥離した複数の発光素子を集合的に樹脂封止する封止部材の底面に保護膜を形成した状態を示す断面図である。

【図28】図２７に示す複数の発光素子を集合的に樹脂封止する封止部材の下面に形成された保護膜の下面上に下地金属膜を形成した状態を示す断面図である。

【図29】図２８に示す複数の発光素子を集合的に樹脂封止する封止部材の下地金属膜上にレジストマスクを形成した状態を示す断面図である。

【図30】図２９に示す複数の発光素子を集合的に樹脂封止する封止部材のレジストマスクの開口に外部接続電極用金属をメッキ形成した状態を示す断面図である。

【図31】図３０に示す複数の発光素子を集合的に樹脂封止する封止部材のレジストマスクを除去した状態を示す断面図である。

【図32】図３１に示す複数の発光素子を集合的に樹脂封止する封止部材の外部接続電極用金属をマスクとしてＮ外部接続電極とＰ外部接続電極間の下地電極膜を除去した状態を示す断面図である。

【図33】本発明の第３実施形態に係る発光装置の断面図である。

【図34】図３３の発光装置の製造方法を示す説明図である。

【図35】本発明の第４実施形態に係る発光装置の断面図である。

【図36】本発明の第５実施形態に係る発光装置の断面図である。

【図37】図３６に示した発光装置の製造方法の前段部分を示す工程図である。

【図38】図３６に示した発光装置の製造方法の後段部分を示す工程図である。

【図39】本発明の第６実施形態に係る発光装置の断面図である。

【図40】図３９に示した発光装置の製造方法の特徴的な部分を示す工程図である。

【図41】従来の発光装置の一例を示す断面図である。

【図42】従来の発光装置の他の例を示す断面図である。

【図43】発光素子が搭載される基板が除去された従来の発光装置の一例を示す断面図である。

【発明を実施するための形態】

【0023】

以下、本発明の実施形態を添付図面に基づいて説明する。
（第１実施形態）
図１乃至図３には本発明の第１実施形態に係る製造方法によって製造された発光装置が示され、図４乃至図２５には第１実施形態に係る製造方法の工程が示されている。

【0024】

図１及び図２において発光装置１０は、一対の素子電極であるN電極３aおよびP電極３bを有する発光ダイオード素子（以下、発光素子）３と、この発光素子３の一対の素子電極のそれぞれが、少なくとも一面である下面を露出した状態で発光素子３を封止する透明な封止樹脂又は蛍光粒子が混入された透光性の封止樹脂５（以下封止部材）と、封止部材５から露出された一対の素子電極の少なくとも一面上に形成され、発光素子３の一対の素子電極であるＮ電極３ａとＰ電極３ｂと電気的に接続される一対の外部接続電極と、を有する発光装置である。封止部材５の外周側面には反射枠１５が設けられて、この反射枠１５が発光素子３の周囲を囲っている。発光素子３の上面及び側面は封止部材５によって封止され、封止部材５は直方体の形状を有する。封止部材５の周側面に設けられた反射枠１５は四角枠形状を有している。また発光素子３の下面に設けられた一対の素子電極であるＮ電極３ａとＰ電極３ｂとの間の隙間にも封止部材５が入り込む。なお、封止部材５の下面５ａは発光素子３の一対の素子電極であるＮ電極３ａ及びＰ電極３ｂの下面と面一の同一面になっている。そして、封止部材５の下面５ａと発光素子３の一対の素子電極であるＮ電極３ａ及びＰ電極３ｂの下面には、後述する下地電極膜６が設けられている。この下地電極膜６は、下地電極と反射膜の機能を兼ね備えており、銀（Ａｇ）等の導電性と反射性に優れた金属膜が望ましい。また、下地電極膜６は下地電極膜６を発光素子３の一対の素子電極３aおよび３bに電気的に接続されるようにＮ電極下地膜６ａとＰ電極下地膜６ｂとに分離する切断部８を有する。

【0025】

また、Ｎ電極下地膜６ａには全面にニッケル（Ｎｉ）層１１ａ、金（Ａｕ）層１２ａが順にメッキされ、３層構造のＮ外部接続電極１３ｎが形成される。同様にＰ電極下地膜６ｂの下面全体にニッケル（Ｎｉ）層１１ｂ、ニッケル層１１bの下面全体に金（Ａｕ）層１２ｂが順にメッキされ、３層構造のＰ外部接続電極１３ｐが形成される。これにより、一対の外部接続電極が形成され、発光素子３の一対の素子電極と、電気的に接続される。なお、封止部材５の周側面上に形成され、四角格子の枠形状を有する反射枠１５は反射率の高い白色樹脂で形成されるのが好ましい。

【0026】

次に、前記発光装置１０の発光動作を説明する。図３に示したように、発光装置１０は、発光装置１０が搭載される外部基板７０の配線電極７１，７２に、発光装置１０の一対の外部接続電極であるＮ外部接続電極１３ｎ及びＰ外部接続電極１３ｐが半田付けされることにより、外部基板７０の配線電極７１、７２に電気的に接続されて実装される。そして、外部基板７０の配線電極７１，７２および発光装置１０の外部接続電極を通じて、発光素子３の素子電極であるＮ電極３ａとＰ電極３ｂ間に所定の電力が供給されて発光素子３が発光する。

【0027】

前記発光装置１０は発光素子３が搭載される基板を有していないため、外部基板７０に実装した状態での薄型化が図られる。また、発光素子３が搭載される基板を有していないので、発光素子３から発した熱をＮ外部接続電極１３ｎ及びＰ外部接続電極１３ｐを通じて直接外部基板７０の配線電極７１，７２に放熱することができ、放熱効果が極めて高いものになる。また、発光装置１０はＮ外部接続電極１３ｎ及びＰ外部接続電極１３ｐを封部材止５の下面５ａ全体に形成しているため、外部基板７０の配線電極７１，７２とは広い接触面積で電気的な接続を行うことができる。

【0028】

次に、図４乃至図２５に基づいて上記発光装置１０の製造方法を説明する。ここでは治具板を用いた製造方法の工程について説明する。図４及び図５には複数の発光装置１０を搭載するための大判の治具板８０と、この治具板８０の上面に被着する剥離性の粘着シート８１が示されている。この粘着シート８１は、治具板８０の略全面に被着される。

【0029】

図６及び図７には治具板８０の上面に被着された粘着シート８１上に複数の発光素子３を実装する工程が示されている。それぞれの発光素子３は、発光素子の下面に形成された一対の素子電極であるＮ電極３ａとＰ電極３ｂを下側に向けた状態で、粘着シート８１上に所定間隔ごとに配列される。なお、図７において治具板８０及び粘着シート８１を縦横方向に点線で仕切っている各四角の範囲が１つの発光装置１０となること示す。また、図７において左上隅の発光素子３には発光素子３の下面に形成された一対の素子電極であるＮ電極３ａ及びＰ電極３ｂの位置が点線で示されている。

【0030】

図８及び図９には前記治具板８０の上面に複数の四角格子を有する反射枠５を配設する工程が示されている。各反射枠１５は、図７において発光装置１０の範囲を示した点線上に格子状に配設され、この反射枠１５によって各発光素子３の周りが囲まれる。治具板８０に反射枠１５を配設する手段としては、例えば反射枠１５を予め複数の四角格子を有する形に組んでおき、そのまま粘着シート８１上に、各反射枠１５が各発光素子３の回りを囲むようにその反射枠１５を配置してもよく、又は複数の発光素子３を封止部材５によって集合的に封止し、各発光素子３の周りに四角格子形状を有する溝を形成するために、封止部材５を縦横にハーフダイシングして、溝に樹脂を注入し硬化させることによって、複数の四角格子を有する反射枠１５を直接形成することもできる。なお、この反射枠１５は反射率の高い樹脂、例えば白色の樹脂材によって形成されることが好ましい。

【0031】

図１０及び図１１には反射枠１５によって囲まれた内部に封止部材５（本実施形態では蛍光剤含有樹脂）を充填して発光素子３の上面及び周側面を覆って樹脂封止する過程が示されている。また、この封止部材５は、発光素子３の下面に、発光素子の下面から突出形成された一対の素子電極であるＮ電極３ａとＰ電極３ｂとの間にも流れ込む。なお、図１１には発光素子３の位置が点線で示されている。

【0032】

図１２及び図１３にはそれぞれが四角格子の有する反射枠１５の中で樹脂封止された複数の発光素子３から治具板８０と粘着シート８１とを除去する剥離工程が示されている。この剥離工程では前記樹脂封止工程の後に熱を加え、先ず治具板８０を外したのち、次いで粘着性が弱められた粘着シート８１を引き剥がす。このとき、封止部材５の下面５ａと、発光素子３の一対の素子電極であるＮ電極３ａ及びＰ電極３ｂの下面とは面一な同一平面になっている。また、発光素子３の下面側において、素子電極であるＮ電極３ａとＰ電極３ｂとの間に充填された封止部材５もＮ電極３ａ及びＰ電極３ｂの下面と同一平面となっている。なお、本実施形態においては反射枠１５の下面も封止部材および一対の素子電極と同一平面である。

【0033】

なお、剥離工程後において、複数の発光素子３を集合的に樹脂封止する封止部材３Ｌの下面側には粘着シート８１の残渣等が付着していることがある。そこで、次工程に悪影響を及ぼさないように、クリーン化処理することが望ましい。クリーン化処理の方法としては、アルゴンガス等によるプラズマ処理がある。

【0034】

図１４及び図１５には前記複数の発光素子３を集合的に樹脂封止する封止部材３Ｌの下面全体に下地電極膜６を形成するメタル層形成工程が示されている。前記したように、複数の発光素子３を集合的に樹脂封止する封止部材３Ｌの下面側では、各発光素子３の一対の素子電極であるＮ電極３ａ及びＰ電極３ｂの下面と封止部材５の下面５ａとが同一平面となっている。複数の発光素子３を集合的に樹脂封止する封止部材３Ｌの下面全面に平面状の下地電極膜６を形成することで、全ての発光素子３が有する一対の素子電極であるＮ電極３ａとＰ電極３ｂとが電気的に短絡状態となる。なお、この下地電極膜６は反射膜としての機能も備えるため、例えば銀（Ａｇ）など導電性と反射性の良い金属を用いて形成することが望ましい。

【0035】

図１６及び図１７には前記下地電極膜６の上面に各発光素子３の素子電極であるＮ電極３ａ及びＰ電極３ｂと電気的に接続される一対の外部接続電極を形成するためのレジストマスクを形成する工程を示している。下地電極膜６の上面に接して、各発光素子３の一対の素子電極であるＮ電極３ａとＰ電極３ｂが設けられているが、レジストマスクを形成する場合、素子電極であるＮ電極３aとＰ電極３ｂとの間に対応する位置で、下地電極膜６の下面に電極分離用の第１レジストマスク６３を、また各反射枠１５に対応する位置に第２レジストマスク６４をそれぞれ設ける。なお、これらレジストマスク６３，６４の形成方法としては、例えば全面にレジスト膜を形成したのち、格子状のマスクを用いて露光するフォトリソグラフィがある。

【0036】

図１８及び図１９には前記下地電極膜６の上面に形成されたレジストマスク６３，６４のマスク開口部に外部接続電極用金属をメッキ形成するメッキ工程が示されている。この工程ではマスク開口部にニッケル層１１及び金層１２をこの順序で層状にメッキ形成する。

【0037】

図２０及び図２１には前記レジストマスク６３，６４を除去するマスク除去工程が示されている。この工程では複数の発光素子３を集合的に樹脂封止する封止部材３Ｌを有機溶剤や有機アルカリなどの水溶液などに浸してレジストマスク６３，６４を溶解することで除去することができる。第１レジストマスク６３が除去された部分では下地電極膜６ｃが露出し、第２レジストマスク６４が除去された部分では下地電極膜６ｄがそれぞれ露出する。

【0038】

図２２及び図２３には前記のマスク除去工程で露出した下地電極膜６ｃ，６ｄをエッチングする電極分離工程が示されている。この工程ではニッケル層１１と金層１２とによって形成された外部接続電極用金属をマスクとして公知の方法でエッチングすることにより、露出している下地電極膜６ｃ，６ｄが除去される。

【0039】

この工程により、下地電極膜６は発光素子３の素子電極であるＮ電極３ａとＰ電極３ｂとの間で分離されることになる。そして、Ｎ電極３ａ側にはＮ電極下地膜６ａ、ニッケル層１１ａ、金層１２ａの３層構造からなるＮ外部接続電極１３ｎが、またＰ電極３ｂ側にはＰ電極下地膜６ｂ、ニッケル層１１ｂ、金層１２ｂの３層構造からなるＰ外部接続電極１３ｐがそれぞれ形成される。

【0040】

図２４及び図２５には複数の発光素子３を集合的に樹脂封止する封止部材３Ｌを切断分離して、個々の発光装置１０を構成する切断分離工程が示されている。この工程では四角格子からなる反射枠１５に沿ってＸ方向及びＹ方向の切断線Ｘ，Ｙを設定し、この切断線Ｘ，Ｙに沿って複数の発光素子３を集合的に樹脂封止する封止部材３Ｌを切断する。この切断によって、図１に示したような形状の発光素子３を備えた発光装置１０に分離されて量産される。なお、本実施形態では切断線Ｘ，Ｙは反射枠１５の略中心線上に設けられている。

【0041】

上述したように、本実施形態に係る発光装置の製造方法によれば、治具板８０及び粘着シート８１を用いた仮基板の上に複数の発光素子３を集合的に樹脂封止する封止部材３Ｌを形成し、仮基板を除去した後の複数の発光素子３を集合的に樹脂封止する封止部材３Ｌの底面が同一平面になることを利用して、メッキ及びフォトレジスト技術によって外部接続電極を形成することにより、発光素子が搭載される基板を必要としない発光素子を備えた発光装置１０を形成することができる。なお、上記各工程のうち反射枠１５を設ける工程を省略しても発光素子発光装置１０を形成することができる。また一対の外部接続電極１３ｎ，１３ｐを形成するのに用いた電解メッキ法以外に、無電解メッキ法、蒸着法、スパッタリング法など他のメッキ法を用いても良い。この場合は、下地電極膜６が不要となる。

【0042】

（第２実施形態）
図２６には本発明の第２実施形態に係る製造方法によって製造された発光装置が示され、図２７乃至図３２には第２実施形態に係る製造方法の工程が示されている。

【0043】

この実施形態に係る発光装置２０は、その基本的構成が図１に示した第１実施形態に係る発光装置１０と同じであるので、同一の構成には同一の符号を付すことで詳細な説明を省略する。

【0044】

この発光装置２０は、発光素子３を樹脂封止する封止部材５の下面５ａの略全面に保護膜２５が形成されている点で、先の発光装置１０の構成とは異なる。前記保護膜２５は、シリコーン樹脂で形成された柔軟性のある封止部材５を補強する目的で形成され、この保護膜２５によって封止部材５の下面に形成されるＮ外部接続電極２３ｎとＰ外部接続電極２３ｐを安定化させることができる。また、保護膜２５は発光装置２０の発光効率を向上させる目的も持っているため反射性を有する必要がある。これらの条件を満足させるために、保護膜２５としてはシリコーン樹脂またはエポキシ樹脂にガラスフィラーを混入して強度を高め、また酸化チタンを混入させて反射率を高めている。なお、保護膜２５の形成方法としては、スクリーン印刷や、金属マスクを用いたマスク印刷等により、必要な部分に広く形成することが望ましい。

【0045】

前記保護膜２５の下面には下地電極膜２６が設けられている。また、下地電極膜２６の端部が発光素子３の素子電極であるＮ電極３ａ及びＰ電極３ｂの下面に届く位置まで延びており、保護膜２５から素子電極であるＮ電極３ａ及びＰ電極３ｂに移る位置には段差部２７ａ，２７ｂが設けられている。また、下地電極膜２６は、前記発光素子３のＮ電極３ａ側のＮ電極下地膜２６ａと、Ｐ電極３ｂ側のＰ電極下地膜２６ｂとに切断部分８で分離されている。なお、下地電極膜２６に用いられる材料は、下地電極としての機能を備えていれば良いので、導電性が良く、またエッチング性の良いチタン・タングステン合金（ＴｉＷ）が好ましい。

【0046】

前記Ｎ電極下地膜２６ａには全面にニッケル（Ｎｉ）層２１ａと金（Ａｕ）層２２ａがメッキ形成され、３層構造のＮ外部接続電極２３ｎを形成している。同様にＰ電極下地膜２６ｂの全面にもニッケル（Ｎｉ）層２１ｂと金（Ａｕ）層２２ｂがメッキ形成され、３層構造のＰ外部接続電極２３ｐを形成している。なお、本実施形態ではＰ外部接続電極２３ｐが発光素子３のＰ電極３ｂと広い面積で接続しているので、Ｐ外部接続電極２３ｐからの放熱効果が大きい。

【0047】

次に、図２７乃至図３２に基づいて上記発光装置２０の製造方法を説明する。この実施例形態に係る製造方法は、基本的には第１実施形態における発光装置１０の製造方法と同一である。したがって、同一工程については発光装置１０の製造方法を引用し、重複する説明は省略する。また、第１実施形態における発光装置１０の製造方法と同様に大判の治具板を用いて発光装置２０を大量生産するものではあるが、説明を簡素化するために単個の中間状態を図示して製造方法を説明する。

【0048】

治具板の上面に粘着シートを被着し、その上に複数の発光素子を実装する工程から樹脂封止された発光素子から治具板と粘着シートとを除去する剥離工程までは、前記第１実施形態に係る製造方法と同一なので説明を省略する。

【0049】

図２７には粘着シートを剥離した後の、複数の発光素子３を集合的に樹脂封止する封止部材３Ｌ（図示は単個だが集合体と同じ名称とする）に対して、封止部材５の下面５ａに保護膜を形成する工程が示されている。この保護膜形成工程では発光素子３の下面に形成された素子電極であるＮ電極３ａ及びＰ電極３ｂが対応する部分に開口部２５ａを設けた状態で、封止部材５の下面５ａの略全面に保護膜２５が形成される。この保護膜２５は、発光素子３の下面に形成された素子電極であるＮ電極３ａ及びＰ電極３ｂの一部に届く位置まで延びている。この保護膜２５にはシリコーン樹脂やエポキシ樹脂などが用いられ、強度を得るためにその中にガラスフィラーが混入され、また反射率を高めるために酸化チタンが混入されている。保護膜２５は、スクリーン印刷や、金属マスクを用いたマスク印刷等によって形成することができる。

【0050】

図２８には前記発光素子３を樹脂封止する封止部材５の下面全体に下地電極膜２６を形成するメタル層形成工程が示されている。このメタル層形成工程では保護膜２５及び開口部２５ａ内に露出する一対の素子電極であるＮ電極３ａ、Ｐ電極３ｂの下面にも連続した下地電極膜２６を形成する。この下地電極膜２６には、保護膜２５の開口部２５ａの端部に段差部２７ａ，２７ｂが設けられる。なお、下地電極膜２６はメッキ用の下地電極としての機能のみを必要とするので、導電性が良く、またエッチング性の良いＴｉＷ（チタン・タングステン合金）が望ましい。

【0051】

図２９には前記下地電極膜２６の下面に発光素子３の一対の素子電極であるＮ電極３ａとＰ電極３ｂとを分離するためのレジストマスクを形成するマスク工程が示されている。このマスク工程では下地電極膜２６の下面において、各発光素子３の一対の素子電極であるＮ電極３ａとＰ電極３ｂとの間に対応する位置に電極分離用の第１レジストマスク８３を、また各反射枠１５に対応する位置に第２レジストマスク８４をそれぞれ設けている。なお、これらレジストマスク８３，８４の形成方法は、第１実施形態での製造方法と同様、フォトリソグラフィを利用することができる。

【0052】

図３０には前記下地電極膜２６の下面に形成されたレジストマスク８３，８４のマスク開口部（レジストマスク８３、８４から露出している前記下地電極膜２６の下面部分）に外部接続電極用金属をメッキ形成するメッキ工程が示されている。この工程ではマスク開口部の全体にニッケル層１１及び金層１２をこの順序で層状にメッキ形成する。その際、保護膜２５の開口部２５ａにおいて下地電極膜２６にニッケル層１１を充填することでニッケル層１１の下面を平らに調整し、その後ニッケル層１１の下面に形成される金メッキ層１２の厚みを均一にしている。

【0053】

図３１にはレジストマスクを除去するマスク除去工程が示されている。この工程では第１の実施形態と同様な方法で第１レジストマスク８３及び第２レジストマスク８４を除去することができる。第１レジストマスク８３が除去された部分では下地電極膜２６ｃの下面が露出し、第２レジストマスク８４が除去された部分では下地電極膜２６ｄの下面が露出する。

【0054】

図３２には前記のマスク除去工程で露出した下地電極膜２６ｃ，２６ｄをエッチングする電極分離工程が示されている。この工程ではニッケル層１１と金層１２とによって形成された外部接続電極用金属をマスクとして、公知の方法で露出している下地電極膜２６ｃ、２６ｄをエッチングすることにより、露出している下地電極膜２６ｃ，２６ｄをそれぞれ除去する。

【0055】

この工程により、下地電極膜２６は発光素子３の素子電極であるＮ電極３ａに電気的に接続されるＮ電極下地膜２６ａと、Ｐ電極３ｂに接続されるＰ電極下地膜２６ｂとに分離されることになる。そして、素子電極であるＮ電極３ａ側にはＮ電極下地膜２６ａ、ニッケル層１１ａ、金層１２ａの３層構造からなるＮ外部接続電極２３ｎが、また素子電極であるＰ電極３ｂ側にはＰ電極下地膜２６ｂ、ニッケル層１１ｂ、金層１２ｂの３層構造からなるＰ外部接続電極２３ｐがそれぞれ形成されることになり、図２６に示すような発光装置２０が完成する。

【0056】

上記発光装置２０の外部基板７０への実装手段及び動作は図３に示した発光装置１０と同一である。この発光装置２０が第１実施形態に係る発光装置１０と異なるところは、下地電極膜を直接反射部材とせずに、反射部材を兼ねた保護膜２５を形成し、その上に下地電極膜を形成して、Ｎ外部接続電極２３ｎ及びＰ外部接続電極２３ｐを保護膜２５を介して封止部材５上に延在させたことである。

【0057】

図２６に示したように、この実施形態に係る発光装置２０も発光素子が搭載される基板を有していないため、外部基板７０に実装された状態での薄型化が得られる。また、発光素子が搭載される基板を用いていないことによって、発光素子３からの発熱がＮ外部接続電極２３ｎ及びＰ外部接続電極２３ｐを通じて直接外部基板７０の配線電極７１，７２に放熱されるため、放熱効果が極めて大きい。さらに、保護膜２５に反射性を持たせることができることから、下地電極膜にはエッチング性の良いＴｉＷを使用することができる。

【0058】

（第３実施形態）
図３３には本発明の第３実施形態に係る製造方法によって得られた発光装置が示され、図３４には第３実施形態に係る製造方法の特徴的な工程が示されている。なお、第１実施形態における部材と同等の部材には同一の符号を付すことで、詳細な説明を省略する。

【0059】

図３３に示されるように、この実施形態に係る発光装置３０は、上面と、下面と、上面と下面の間の周面を有し、下面に一対の素子電極を有する発光素子３と、発光素子３の一対の素子電極を露出させるように配置され、発光素子３を封止する封止部材と、発光素子３の一対の素子電極に電気的に接続され、前記封止部材上に設けられた一対の外部接続電極とを備える。そして、封止部材は、素子電極の周囲に配置された第１封止部材３１と、発光素子３の上面と周側面を封止する第２封止部材３２とを備えている。詳細には、一対の素子電極であるＮ電極３ａとＰ電極３ｂを下面に有する発光素子３と、この発光素子３を封止する封止部材とを備えている。発光素子３の素子電極であるＮ電極３ａとＰ電極３ｂは金バンプなどの突起電極からなり、封止部材は第１封止部材３１と第２封止部材３２との２層構造からなる。少なくとも素子電極であるＮ電極３ａとＰ電極３ｂの周囲を封止する第１封止部材３１には例えば白色セラミックインクが用いられ、また少なくとも発光素子３の周側面と上面を封止する第２封止部材３２には蛍光剤含有樹脂が用いられる。なお、金バンプの突出高さは例えば３０μｍ程度である。また、第１封止部材３１の下面には一対の外部接続電極からなるＮ外部接続電極１３ｎとＰ外部接続電極１３ｐが形成され、さらに第２封止部材３２の外周は四角格子からなる反射枠１５によって囲まれている。

【0060】

第１封止部材３１を構成する白色セラミックインクは、一例ではオルガノポリシロキサン等のバインダ中に触媒や溶媒と共に二酸化チタン等の反射性粒子を混練し、その混合物を焼結したものである。焼結後の白色セラミックインクの厚さは３０〜５０μｍ程度が好ましい。焼結後の白色セラミックインクはガラス質（無機質）となる。第２封止部材３２を構成する蛍光剤含有樹脂は、一例ではＹＡＧ等の蛍光体を含有したシリコーン樹脂である。反射枠１５は第１実施形態と同様、反射性の微粒子を含有するシリコーン樹脂であり、また、Ｎ外部接続電極１３ｎとＰ外部接続電極１３ｐも、第１実施形態と同様に電解メッキ法で形成した金属パターンである。

【0061】

次に、図３４に基づいて上記発光装置３０の製造方法を説明する。図３４は、第１実施形態の工程と異なる封止工程を中心に図示したもので、前記実施形態と同様、説明を簡素化するために単個の発光装置３０について図示する。図３４（ａ）には治具板８０上に被着された粘着シート８１上に発光素子３を素子電極（Ｎ電極３ａ、Ｐ電極３ｂ）が下向きとなるよう配置する発光素子配置工程が示されている。粘着シート８１は、治具板８０の上面を被覆する基材層８１ｂと、その基材層８１ｂの上面に積層される粘着糊層８１ａとで構成され、この粘着糊層８１ａに上から発光素子３を押し付けて、発光素子３のＮ電極３ａとＰ電極３ｂが粘着糊層８１ａの中に隠れるまで沈み込ませる。

【0062】

図３４（ｂ）〜（ｃ）には発光素子３の封止工程が示されている。本実施形態では発光素子３の素子電極であるＮ電極３ａとＰ電極３ｂが粘着糊層８１ａに沈み込んでいるので、発光素子３の下面側の封止が課題となる。そこでまず（ｂ）に示すように、粘着糊層８１ａより上の部分に第２封止部材３２を充填して発光素子３を封止する。充填する際には、第１実施形態と同様に四角格子に組んだ反射枠１５を用いるか、または金型を使って反射枠を直接樹脂成形する。また、複数の発光素子３を透明な樹脂又は透光性を有する樹脂から成る第２封止部材３２により封止し、各発光素子３の周りに四角格子形状を有する溝を形成するために、第２封止部材３２を縦横にハーフダイシングして、溝に白色樹脂など反射効果を有する樹脂を注入して反射枠を樹脂形成することも可能である。次いで、第２封止部材３２に封止された発光素子３から治具板８０及び粘着シート８１を剥離し、第２封止部材３２の下面及び発光素子３の素子電極であるＮ電極３ａ及びＰ電極３ｂを露出させる。次に図３４（ｃ）に示すように、第２封止部材３２の下面及び露出した素子電極であるＮ電極３ａ及びＰ電極３ｂが隠れるように第１封止部材３１を形成する。形成方法としては、先ず第２封止部材３２の下面に白色セラミックインクを厚めに塗布し、素子電極であるＮ電極３ａ及びＰ電極３ｂの全体が隠れるように下面側にも塗布する。次いで、白色セラミックインクを約１５０℃で硬化させてから下面を研磨し、素子電極であるＮ電極３ａ及びＰ電極３ｂの下面を露出させる。なお、白色セラミックインクを塗布・研磨する代わりに、白色セラミックインクを印刷したのち焼結させても良い。

【0063】

図３４（ｄ）には第１封止部材３１の下面に外部接続電極が形成された工程が示されている。この工程では前記のように発光素子３が封止された第１封止部材３１の下面に第１実施形態と同様の方法で、発光素子３の素子電極であるＮ電極３ａに接続されるＮ外部接続電極１３ｎと、発光素子３の素子電極であるＰ電極３ｂに接続されるＰ外部接続電極１３ｐをそれぞれ形成する。Ｎ外部接続電極１３ｎ及びＰ外部接続電極１３ｐの構造は、前記実施形態と同様、それぞれ下地電極膜、ニッケル層、金層の３層構造からなる。

【0064】

この実施形態では第１封止部材３１を白色セラミックインクで、第２封止部材３２を蛍光剤含有樹脂で構成してあるが、第１封止部材３１及び第２封止部材３２がこれらの部材に限定されないことは勿論である。例えば、第１封止部材３１を散乱粒子が混練された樹脂層で構成しても良いし、第２封止部材３２をセラミックインクで構成しても良い。このセラミックインクは蛍光体を含有していても含有していなくてもよい。

【0065】

（第４実施形態）
図３５は本発明の第４実施形態における発光装置４０の断面図を示したものである。この発光装置４０は、前記第３実施形態における発光装置３０の第２封止部材３２が発光素子３の上面及び周側面を被覆する蛍光剤含有樹脂体４２ａと、その外側を封止する透明樹脂体４２ｂとで構成されている点が第３実施形態の発光装置３０と異なる以外は同一の構成からなる。したがって、第３実施形態における発光装置３０の部材と同等の部材には同一の符合を付して詳細な説明は省略する。なお、蛍光剤含有樹脂体４２ａは、約１００μｍ程度の均一な厚みで発光素子３の下面を除く全体を被覆している。

【0066】

前記蛍光剤含有樹脂体４２ａは、例えば治具板８０上に被着された粘着シート８１上に多数の発光素子３を所定の間隔で配列したのち、この発光素子３にスキージ等で蛍光剤含有ペーストを塗布・硬化させることで得られる。このように蛍光剤含有樹脂体４２ａで発光素子３を均一な厚みで被覆すると、発光素子３から上方向に出射された光も横方向に出射された光も蛍光剤含有樹脂体４２ａの中を同じ距離（均一な蛍光剤含有樹脂の厚み）を通過することとなり、発光方向の違いによる色むらを低減することができる。また、発光装置から出射して見える光も発光素子３周辺すなわち、蛍光剤含有樹脂体４２ａの表面から出射される光に限定されるため、封止樹脂全体に混ざるように蛍光剤が配置されている場合に比べて、より小さな点光源としてレンズなどによる配光性制御が容易になる。外部接続電極（Ｎ及びＰ外部接続電極１３ｎ，１３ｐ）と素子電極（Ｎ電極３ａ,Ｐ電極３ｂ）とをメッキで接続させていることを始めとして、本実施形態の製造工程には高温処理がないため蛍光体ペーストに無機樹脂だけでなく有機樹脂も使用することができる。

【0067】

（第５実施形態）
図３６には本発明の第５実施形態に係る製造方法によって製造された発光装置が示され、図３７及び図３８には第５実施形態に係る製造方法の工程が示されている。

【0068】

この実施形態に係る発光装置５０は、上面と、下面と、上面と下面の間の周面を有し、下面に一対の素子電極を有する発光素子３と、発光素子３の上面に設けられた蛍光剤含有樹脂体である蛍光体層５２と、蛍光体層５２の上面に設けられた透明基材５３と、発光素子３の一対の素子電極を露出させるように配置され、発光素子３の周側面を封止する封止部材５１と、発光素子３の一対の素子電極３ａ，３ｂと電気的に接続され、封止部材５１上に設けられた一対の外部接続電極１３ｎ，１３ｐを有している。透明樹脂から成る封止部材５１によって周側面が封止される発光素子３の上面に蛍光体層５２が設けられ、蛍光体層５２の上面にガラス基材などの透明基材５３を積層した点に特徴がある。封止部材５１の周側面は反射枠１５によって囲まれており、封止部材５１の下面および発光素子３の素子電極３ａ，３ｂの下面には外部接続電極１３ｎ，１３ｐが形成されている。なお、この実施形態において、素子電極３ａ，３ｂは金バンプからなり、外部接続電極１３ｎ，１３ｐは上記第１実施形態における発光装置１０の外部接続電極と同一の３層構造からなるものである。

【0069】

次に、上記発光装置５０の製造方法を図３７及び図３８に基づいて説明する。この実施例形態に係る製造方法は、大判のガラス基材の上に多数の発光素子を配列して一度に大量の発光装置５０を生産するものではあるが、説明を簡素化するために２個の発光素子を配列した例を示して説明する。

【0070】

図３７（ａ）、（ｂ）に示したように、まず、厚さ数１００μｍ程度の透明基材５３を準備し、その上面に蛍光体層５２を形成する。蛍光体層５２は、バインダであるシリコーン樹脂やエポキシ樹脂などの中に蛍光剤を混入させたものであり、約１００μｍ程度の厚さに形成する。図３７（ｃ）に示されるように、次いで、この蛍光体層５２の上面に素子電極３ａ，３ｂを上向きにした状態で複数の発光素子３を配列し、さらに図３７（ｄ）に示されるように、透明基材５３上に配列された発光素子３を封止部材５１で封止する。この封止部材５１にはシリコーン樹脂が用いられる他、オルガノポリシロキサンのように焼結することでガラス化する材料であっても利用できる。また、発光素子３の素子電極３ａ，３ｂは金バンプなどからなり、その突出高さは約１０〜３０μｍが好ましい。

【0071】

次に、前記封止部材５１に縦溝を切り、この縦溝に白色ペーストを流し込んだ後、これを硬化させて図３８（ｅ）に示すような反射枠１５を形成する。次いで、図３８（ｆ）に示したように、素子電極３ａ，３ｂの下面が現われるまで封止部材５１及び反射枠１５を研磨して均一な平面を形成する。さらに、図３８（ｇ）に示したように、発光素子３の素子電極３ａ，３ｂの下面及び封止部材５１の下面に、第１実施形態と同様の方法で、外部接続電極１３ｎ，１３ｐをそれぞれ形成する。この外部接続電極１３ｎ，１３ｐの構造は、前記実施形態と同様、それぞれ電極下地膜、ニッケル層、金層の３層構造からなる。外部接続電極１３ｎ，１３ｐを形成したのち、図３８（ｈ）に示すように、反射枠１５の中心線を切断し、個々の発光装置５０に分離することで完成する。

【0072】

上記第５実施形態に係る発光装置５０は、発光素子３の上部にガラス基材などの透明基材５３を備えているので、装置全体の剛性が高いものとなる。また、蛍光体層５２をガス透過性の低いガラス基材で覆っているので、装置全体の信頼性が高くなると共に製品寿命が長くなる。

【0073】

（第６実施形態）
図３９には本発明の第６実施形態に係る発光装置６０が示されている。この発光装置６０は、上面と、下面と、上面と下面の間の周側面を有し、下面に一対の素子電極を有する発光素子３と、発光素子３の上面に設けられた蛍光剤含有樹脂体である蛍光体層５２と、発光体層５２の上面に設けられたガラス基材などの透明基材５３と、発光素子３の一対の素子電極３ａ，３ｂを露出させるように配置され、発光素子３の周側面を封止する封止部材と、発光素子３の一対の素子電極３ａ，３ｂと電気的に接続され、封止部材上に設けられた一対の外部接続電極１３ｎ，１３ｐを有している。この発光装置６０が、先の第５実施形態に係る発光装置５０と異なるのは、発光素子３を封止している封止部材が２層構造からなる透明樹脂体６１と白色反射体６２とで構成されている点である。透明樹脂体６１は発光素子３の外周側面を覆うように設けられ、白色反射体６２は発光素子３の下面に形成されている一対の素子電極３ａ，３ｂの周囲に設けられて素子電極を封止している。この白色反射体６２は、第３実施形態における発光装置３０と同様、発光素子３の素子電極３ａ，３ｂを白色セラミックインクによって封止するものであるが、白色セラミックインクのような無機材料に限られず、酸化チタン等の反射性微粉末を含むシリコーン樹脂やエポキシ樹脂を用いても良い。なお、その他の構成は第５実施形態における発光装置５０と同一なので、同一の符合を付すことで詳細な説明を省略する。

【0074】

この第６実施形態における発光装置の製造方法は、先の第５実施形態における発光装置の製造方法において、透明基材５３の上面に蛍光体層５２を形成し、その上に発光素子３を配列するまでの工程は同じである。発光素子３を透明樹脂体６１で封止する工程では、図４０（ａ）に示したように、透明樹脂体６１を発光素子３の素子電極３ａ，３ｂが露出する程度の高さに留め、透明樹脂体６１を仮硬化させた後、図４０（ｂ）に示したように白色反射体６２を素子電極３ａ，３ｂの上方まで塗布し、透明樹脂体６１と共に硬化させる。硬化後、白色反射体６２を研磨し、発光素子３の素子電極３ａ，３ｂの下面を露出させる。反射枠１５及び外部接続電極１３ｎ，１３ｐの形成手段は、第５実施形態の場合と同様の工程で行なうことができるので説明を省略する。

【0075】

上記第１〜６実施形態に係る発光装置では、発光素子３の素子電極３ａ，３ｂが金バンプなど凸部を有する突起電極からなる場合を説明したが、このような突起電極のみに限定されるものではなく、例えば発光素子の半導体層に形成されるｎ電極及びｐ電極（カソードとアノード）を素子電極とし、これに外部接続電極を直接接続することもできる。

【符号の説明】

【0076】

３ 発光素子
３ａ Ｎ電極（素子電極）
３ｂ Ｐ電極（素子電極）
３Ｌ 複数の発光素子を集合的に樹脂封止する封止部材
５ 封止部材
５ａ 下面
６、２６ 下地電極膜
６ａ，２６ａ Ｎ電極下地膜
６ｂ，２６ｂ Ｐ電極下地膜
６ｃ，６ｄ，２６ｃ，２６ｄ 露出部分の下地電極膜
８ 切断部
１０，２０，３０，４０，５０，６０ 発光装置
１１ａ，１１ｂ，２１ａ，２１ｂ ニッケル層
１２ａ，１２ｂ，２２ａ，２２ｂ 金層
１３ｎ，２３ｎ Ｎ外部接続電極
１３Ｐ，２３ｐ Ｐ外部接続電極
１５ 反射枠
２５ 保護膜
２７ａ，２７ｂ 段差部
３１ 第１封止部材
３２ 第２封止部材
５１ 封止部材
５２ 蛍光体層
５３ 透明基材
６１ 透明樹脂体
６２ 白色反射体
６３，８３ 第１レジストマスク
６４，８４ 第２レジストマスク
７０ 外部基板
７１，７２ 配線電極
８０ 治具板
８１ 粘着シート
８１ａ 粘着糊層
８１ｂ 基材層

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】

【図11】

【図12】

【図13】

【図14】

【図15】

【図16】

【図17】

【図18】

【図19】

【図20】

【図21】

【図22】

【図23】

【図24】

【図25】

【図26】

【図27】

【図28】

【図29】

【図30】

【図31】

【図32】

【図33】

【図34】

【図35】

【図36】

【図37】

【図38】

【図39】

【図40】

【図41】

【図42】

【図43】